近幾日,臺(tái)積電出售中芯國際股權(quán)的消息引起業(yè)內(nèi)關(guān)注。
臺(tái)積電6月3日公告表示,已自今年5月31日至6月3日期間,處分手中持有的中芯國際股票約943萬7,000股,總交易金額約達(dá)8,760萬港幣(約合人民幣7,719萬元),完成處分后,臺(tái)積電手中仍持有中芯國際股份約1,166萬8,000股,占中芯國際股權(quán)約0.2%.
臺(tái)積電曾多次表示,會(huì)選擇適當(dāng)?shù)臅r(shí)間點(diǎn)處分手中的中芯國際的股票,最終將持股全數(shù)處分完畢。最近應(yīng)該是比較合適的時(shí)機(jī),因?yàn)橹行緡H宣布從美國紐約證券交易所退市之后,中芯國際香港H股股價(jià)大漲。
臺(tái)積電和中芯國際都是業(yè)內(nèi)熟知的芯片制造企業(yè),臺(tái)積電是毫無疑問的龍頭企業(yè),無論是從技術(shù)和市場占有率上,都處于領(lǐng)先位置。中芯國際則是中國大陸地區(qū)規(guī)模最大的芯片制造企業(yè),在中國大陸地區(qū)的市場占有率高達(dá)58%以上。
這兩家芯片制造企業(yè)還有過一些歷史糾葛,十幾年前,臺(tái)積電曾多次對(duì)中芯國際發(fā)起專利侵權(quán)訴訟,不過在經(jīng)過5年的持久戰(zhàn)之后,兩家公司最后達(dá)成和解協(xié)議,也正是在這次訴訟和解中,臺(tái)積電拿到中芯國際約10%的股權(quán)。
臺(tái)積電與中芯國際有怎樣的歷史關(guān)系?
這里回顧一下,臺(tái)積電和中芯國際十幾年前,那場曠日持久的專利訴訟戰(zhàn)。
2003年12月,距離中芯國際成立3年多,臺(tái)積電、臺(tái)積電北美子公司以及WaferTech公司共同宣布,于美國當(dāng)?shù)貢r(shí)間19日下午在北加州聯(lián)邦地方法院,對(duì)中芯國際以及中芯國際美國子公司提出多項(xiàng)專利權(quán)侵害訴訟。
臺(tái)積電在訴狀中指稱,中芯國際通過各種不當(dāng)?shù)姆绞饺〉门_(tái)積電商業(yè)秘密及侵犯臺(tái)積電專利,如已延攬超過100名以上臺(tái)積電員工,且要求部分人員為其提供臺(tái)積電商業(yè)秘密。此外,臺(tái)積電也稱一位中芯國際主管要求一位前臺(tái)積電經(jīng)理為其取得半導(dǎo)體制程技術(shù)資料,已嚴(yán)重侵害公司營業(yè)秘密。
此次訴訟經(jīng)過不到兩年時(shí)間,2005年2月,臺(tái)積電與中芯國際達(dá)成和解,臺(tái)積電稱它已經(jīng)同中芯國際就專利侵害和相關(guān)爭議問題糾紛達(dá)成庭外和解協(xié)議。按照協(xié)議內(nèi)容,中芯國際將向臺(tái)積電支付大約1.75億美元,從而和解所稱的專利和商業(yè)秘密訴訟案。
然而在和解1年7個(gè)月后,臺(tái)積電再次對(duì)中芯國際提起訴訟,臺(tái)積電新聞發(fā)言人稱,中芯國際違反與臺(tái)積電達(dá)成的和解協(xié)議,使用不法手段盜用公司商業(yè)機(jī)密。臺(tái)積電請(qǐng)求法院判決中芯國際立即停止相關(guān)侵權(quán)行為,同時(shí)賠償臺(tái)積電的相關(guān)損失。
這起訴訟持續(xù)大概5年時(shí)間,一直到2009年才再次達(dá)成和解。按和解協(xié)議內(nèi)容,中芯國際將向臺(tái)積電分期四年支付2億美元現(xiàn)金,并向臺(tái)積電發(fā)行17.89億股新股,約占中芯國際10月31日已發(fā)行股本的約8%,并授予臺(tái)積電可按照每股1.3港元的認(rèn)購價(jià),認(rèn)購6.95億股中芯國際股份(可予調(diào)整)的認(rèn)購權(quán)證,可自發(fā)行起三年內(nèi)行使。股份發(fā)行生效后,臺(tái)積電將獲得中芯國際已發(fā)行股本合共約10%股份。
這場戰(zhàn)爭,給中芯國際帶來了不少的打擊,不過近年來,中芯國際不時(shí)傳出好消息,比如,前不久公布的12納米工藝進(jìn)入客戶導(dǎo)入階段,28納米PolySiON、HKMG、HKC全平臺(tái)建設(shè)已經(jīng)完成,第二代FinFETN+1技術(shù)開發(fā)正在按計(jì)劃進(jìn)行,上海中芯南方FinFET工廠順利建造完成,開始進(jìn)入產(chǎn)能布建等等。
臺(tái)積電將會(huì)是中芯國際唯一競爭對(duì)手?
目前,在芯片制造領(lǐng)域,業(yè)界所熟知的企業(yè)有臺(tái)積電、三星、英特爾、格羅方德、聯(lián)電、中芯國際等,雖然先進(jìn)制程的量產(chǎn)時(shí)間上來看,比如14納米,中芯國際都落后于臺(tái)積電、聯(lián)電、格羅方德、英特爾、三星,不過據(jù)西南證券綜合分析,中芯國際未來的市場占有率有可能超越聯(lián)電、格羅方德、英特爾、三星等,僅次于臺(tái)積電。
▲截圖自西南證券研究報(bào)告
可以逐一對(duì)比來看,首先是聯(lián)電和格羅方德,從上圖可以看出,中芯國際在量產(chǎn)14納米上,比聯(lián)電和格羅方德晚大概2-3年,不過目前這兩家公司已經(jīng)放棄14納米以下先進(jìn)制程市場競爭,那么,隨著先進(jìn)制程的市場占比不斷提高,中芯國際很大概率會(huì)超過聯(lián)電和格羅方德,不過目前代工市場還是主要以28/22納米及以上相對(duì)成熟制程為主。
再來看英特爾和三星,在14納米量產(chǎn)時(shí)間上,中芯國際與英特爾和三星有很大的差距,大概5年,不過西南證券認(rèn)為,由于英特爾和三星都是IDM企業(yè),產(chǎn)能規(guī)模有限,即使現(xiàn)在三星已經(jīng)將代工事業(yè)部獨(dú)立出來,但是短期內(nèi)在市場份額上的角逐上市場競爭有限,所以未來,英特爾和三星對(duì)中芯國際的威脅力不大。
最后來看臺(tái)積電,無論是從制程技術(shù)還是產(chǎn)能來看,中芯國際都遠(yuǎn)落后于臺(tái)積電,90納米落后1年,65納米落后兩年,40納米落后3年,28納米整整落后6年,14納米落后臺(tái)積電3.5年,據(jù)西南證券預(yù)計(jì),10納米及以下預(yù)計(jì)落后3年,開始有縮短趨勢。所以在未來先進(jìn)制程的競爭上,中芯國際有望成為僅次于臺(tái)積電全球第二大純晶圓代工廠。
總結(jié)
芯片制造是一個(gè)技術(shù)和資金壁壘很高的產(chǎn)業(yè)。首先來看技術(shù)方面,芯片制造工藝步驟繁多,而且不容出錯(cuò),資料顯示,在20nm技術(shù)節(jié)點(diǎn),晶圓加工步驟約為1000步,在7nm時(shí)將超過1500步,并且任何一個(gè)步驟誤差放大都會(huì)帶來芯片良率的大幅下滑。
再來看資金方面,資金方面前期投入相當(dāng)大,新建廠房和引入設(shè)備需要大量的資金,一般新建一個(gè)12英寸生產(chǎn)線需要上百億元的資本投入,產(chǎn)線建設(shè)完成后,還需要經(jīng)過長時(shí)間的差能爬坡才能達(dá)到大規(guī)模生產(chǎn)。
面對(duì)如此困難而又極其重要的芯片制造產(chǎn)業(yè),國內(nèi)除了包括中芯國際在內(nèi)的芯片制造企業(yè)需要不斷探索之外,還需要國家和產(chǎn)業(yè)鏈的持續(xù)給予幫助和支持。
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