存儲器可以說是大數(shù)據(jù)時代的基石。存儲器就類似于鋼鐵之于現(xiàn)代工業(yè),是名副其實的電子行業(yè)“原材料”。計算機中的全部信息,包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計算機程序、中間運行結果和最終運行結果都保存在存儲器中。
從大類上看,存儲器可以分為光學存儲器、半導體存儲器、磁性存儲器。半導體存儲器是目前最主要的存儲器類別, 以斷電后存儲數(shù)據(jù)是否丟失為標準, 半導體存儲芯片可分兩類:一類是非易失性存儲器,這一類存儲器斷電后數(shù)據(jù)能夠存儲,主要以 NAND Flash 為代表,常見于 SSD(固態(tài)硬盤);另一類是易失性存儲器,這一類存儲器斷電后數(shù)據(jù)不能儲存,主要以 DRAM 為代表,常用于電腦、手機內存。除了 NAND Flash 和 DRAM,還包含其他門類,例如 Nor Flash、 SRAM、 RRAM、 MRAM、 FRAM 等。
▲存儲器的分類
存儲器行業(yè)屬于強周期性行業(yè),從歷史表現(xiàn)上看,存儲器行業(yè)總是處于交替出現(xiàn)的漲跌循環(huán)之中。存儲器行業(yè)的波動劇烈,其產(chǎn)業(yè)周期強于電子市場及電子元器件市場整體的周期性,暴漲暴跌的情況可謂常態(tài)。
從產(chǎn)值構成來看, DRAM、 NAND Flash、 NOR Flash 是存儲器產(chǎn)業(yè)的核心部分。這緣于一方面性能不斷提升的手機操作系統(tǒng)及日益豐富的應用軟件極大地依賴于手機嵌入式閃存的容量;另一方面,萬物互聯(lián)等新技術的涌現(xiàn)推動數(shù)據(jù)量的急速膨脹。
▲主要存儲器產(chǎn)品
受益于上述兩因素, 2018 年全球半導體營收去年達 4779.36 億美元,主要貢獻來自于存儲芯片。存儲芯片占半導體總營收的比重從 2017 年的 31%上升至了 2018 年的 34.8%,占比最大。 CAGR 明顯高于集成電路整體市場 CAGR,從存儲芯片內部結構看, DRAM 占比 57.1%, NAND Flash 占比 39.49%, NOR Flash占比 3.41%。
1、DRAM
在半導體科技極為發(fā)達的***,內存和顯存被統(tǒng)稱為記憶體,即動態(tài)隨機存取記憶體(DRAM), DRAM是最常見的存儲器,只能將數(shù)據(jù)保持很短的時間。為了保持數(shù)據(jù),使用電容存儲,所以必須隔一段時間刷新一次,如果存儲單元沒有被刷新,存儲的信息就會丟失。
DRAM 是相對于 SRAM 而產(chǎn)生的, SRAM(靜態(tài)隨機存儲器)是隨機訪問存儲器的一種, 這種存儲器只要保持通電,里面儲存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。 SARM 的優(yōu)勢是訪問速度快、功耗非常低,缺陷是單位存儲密度不足,成本較高, 因而不適合用于更高儲存密度低成本的應用,如 PC 內存。 DRAM 除了兼具SRAM 特點外還擁有非常高的密度,單位體積的容量較高,因此成本較低,幾乎適用于任何帶有計算平臺的個人消費類或工業(yè)設備,從筆記本電腦和臺式電腦到智能手機和許多其他類型的電子產(chǎn)品等。
▲SRAM和DRAM 內部結構圖
隨著 CPU 性能的不斷提高,終端產(chǎn)品內存也需要逐步升級,高性能的內存搭配高性能的 CPU 才能最大的發(fā)揮它的價值與優(yōu)勢, DRAM 發(fā)展到現(xiàn)在已歷經(jīng)了五代,從第一代 SDRAM,到如今的第五代 DDR4SDRAM。 DRAM 沿著傳輸速率更大,總線計時器更多,預讀取量更大,數(shù)據(jù)傳送速率更快,供電電壓更小的方向發(fā)展。
▲SRAM、 DRAM、 SDRAM、 DDR3、 DDR4 參數(shù)對比
▲DRAM 傳輸速度跟隨 CPU 性能提升不斷提高
從行業(yè)上看,早期計算機應用占了整個 DRAM 產(chǎn)業(yè)高達 90%份額, 2016 年開始伴隨大容量智能手機崛起,手機逐漸取代 PC 成為 DRAM 產(chǎn)業(yè)的主流,同時云服務器 DRAM 需求涌現(xiàn)的帶動是功不可沒的推手,包括 Facebook、 Google、 Amazon、騰訊、阿里巴巴等不斷擴充網(wǎng)路存儲系統(tǒng),對于云存儲、云計算的 需求提升,都帶動服務器 DRAM 需求起飛,目前 DRAM 行業(yè)一直被美韓三大存儲器公司壟斷,三星、海力士、美光占據(jù)了全球市場的 95%以上。
▲主要 DRAM 存儲器公司
DRAM 節(jié)點尺寸目前是由器件上最小的半間距來定義的,美光 DRAM 基于字線,三星和 SK 海力士則基于主動晶體管,美光科技、 三星和 SK 海力士作為 DRAM 市場的主導廠商,這三家公司擁有各自的工藝節(jié)點。由于解決了這些技術節(jié)點問題,美韓三大廠商憑借領先的工藝水平拉開了與其它存儲器廠商的差距。
2、 NAND Flash
NAND Flash 是 Flash 存儲器中最重要的一種,其內部采用非線性宏單元模式,為固態(tài)大容量內存的實現(xiàn)提供了廉價有效的解決方案。 NAND Flash 存儲器具有容量較大,改寫速度快等優(yōu)點,適用于大量數(shù)據(jù)的存儲。
Flash 的內部由金屬氧化層、半導體、場效晶體管(MOSFET)構成,里面有個懸浮門(Floating Gate),是真正存儲數(shù)據(jù)的單元。數(shù)據(jù)在 Flash 內存單元中是以電荷(electrical charge) 形式存儲的。存儲電荷的多少,取決于圖中的控制門(Control gate)所被施加的電壓,它控制的是向存儲單元中沖入電荷還是使其釋放電荷。而數(shù)據(jù)的表示,以所存儲的電荷的電壓是否超過一個特定的閾值 Vth 來表示。對于 NAND Flash 的寫入(編程),就是控制 Control Gate 去充電(對 Control Gate 加壓),使得懸浮門存儲的電荷夠多,超過閾值Vth,就表示 0。對于 NAND Flash 的擦除(Erase),就是對懸浮門放電,低于閥值 Vth,就表示 1。
▲Flash 的內部存儲結構
▲NAND Flash 架構圖
NAND FLASH 內部依靠存儲顆粒實現(xiàn)存儲,里面存放數(shù)據(jù)的最小單位叫 cell。每個儲存單元內儲存 1 個信息位(bit),稱為單階儲存單元(SLC), SLC 閃存的優(yōu)點是傳輸速度更快,功率消耗更低和儲存單元的壽命更長,成本也就更高。每個儲存單元內儲存 2 個 bit,稱為多階儲存單元(MLC),與 SLC 相比,MLC 成本較低,其傳輸速度較慢,功率消耗較高和儲存單元的壽命較低。每個儲存單元內儲存 3 個 bit 稱為三階儲存單元(TLC),存儲的數(shù)據(jù)密度相對 MLC 和 SLC 更大,所以價格也就更便宜,但使用壽命和性能也就更低。由于存儲數(shù)據(jù)量的不用,導致 SSD 從可擦寫次數(shù)、讀取時間、編程時間、擦寫時間存在差異。
▲閃存芯片存儲原理
▲SLC、 MLC、 TLC 性能對比
從工藝上看, NAND Flash 可以分為 2D 工藝和 3D 工藝,傳統(tǒng)的 2D 工藝類似于“一張紙”,但“一張紙”的容量是有瓶頸的,三星、英特爾、美光、東芝四家閃存大廠為了滿足大容量終端需求,均開始研發(fā)多層閃存(3D NAND Flash),英特爾和美光引入市場的 3D Xpoint 是自 NAND Flash 推出以來,最具突破性的一項存儲技術,它通過單層存儲器堆疊突破了 2D NAND 存儲芯片容量的極限,大幅提升了存儲器容量,因此技術 3D NAND 具備了四個優(yōu)勢:一是比 2D NAND Flash 快 1000 倍;二是成本只有 DRAM 的一半;三是使用壽命是 2D NAND 的 1000 倍;四是密度是傳統(tǒng)存儲的 10 倍。
除了傳統(tǒng)存儲巨頭三星電子、 SK 海力士、美光科技,東芝和西部數(shù)據(jù)也是 NAND FLASH 領域不可忽視的重要力量。
▲主要 NAND FLASH 公司
應用領域看, NAND-FLASH 廣泛應用于固態(tài)硬盤(SSD), 固態(tài)硬盤按照存放數(shù)據(jù)最小單位 bit 來劃分主要可以分為 SLC-SSD、 MLC-SSD 和 TLC-SSD 三類。 SLC-SSD 具有高速寫入,低出錯率,長耐久度特性,主要針對軍工、企業(yè)級存儲。 MLC-SSD 和 TLC-SSD 固態(tài)硬盤的應用主要針對消費級存儲,有著 2倍、 3 倍容量于 SLC-SSD, 同時具備低成本優(yōu)勢,適合 USB 閃盤,手機等。
▲NAND FLASH 主要應用領域
整體上來看, DRAM 和 NAND FLASH 占據(jù)了存儲芯片市場 96%以上的份額, NOR Flash 由于存儲容量小,應用領域偏重于代碼存儲,在消費級存儲應用上已出現(xiàn)被 NAND 閃存替代的趨勢,目前僅應用于功能性手機,機頂盒、網(wǎng)絡設備、工業(yè)生產(chǎn)線控制上。
由于存儲行業(yè)終端用戶的 IT 需求往往是綜合計算、網(wǎng)絡、存儲三方面,廣泛分布于所有對數(shù)據(jù)存儲有需求的各行各業(yè),涵蓋了國民經(jīng)濟的大部分領域,市場規(guī)模和發(fā)展?jié)摿薮蟆?/p>
公司層面,由于未來以 DRAM 和 NAND FLASH 為主導的存儲器行業(yè)趨勢仍將延續(xù),海外存儲器巨頭三星電子、 SK 海力士、美光科技、西部數(shù)據(jù)、東芝憑借三個先發(fā)優(yōu)勢:國家資本支持,數(shù)量龐大的技術專利,對下游終端行業(yè)多年的滲透,控制了中高端存儲器市場,未來仍將繼續(xù)角逐存儲器行業(yè)。
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原文標題:協(xié)會動態(tài) | 熱烈祝賀我會推薦的梁添才博士榮獲第十五屆廣東省丁穎科技獎
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