半導(dǎo)體工藝上,近年來幾大巨頭都紛紛出殺招。Intel終于進(jìn)入了10nm的工藝時代,同時宣布在后年轉(zhuǎn)入7nm,而臺積電和三星則是早早完成了7nm工藝的布局,并同時奔向5nm和3nm?,F(xiàn)在,臺積電官宣,正式啟動2nm工藝的研發(fā),工廠設(shè)置在位于***新竹的南方科技園,預(yù)計2024年投入生產(chǎn)。
臺積電并沒有透露2nm工藝所需要的技術(shù)和材料,通過晶體管的結(jié)構(gòu)能夠看到目前并沒有明顯變化,進(jìn)一步壓榨硅半導(dǎo)體技術(shù)。按照臺積電的指示,2nm將會是一個重要借點,Metal Track(金屬單元高度)和3nm一樣維持在5x,同時Gate Pitch(晶體管柵極間距)縮小到30nm,Metal Pitch(金屬間距)縮小到20nm,相比于3nm都小了23%。
當(dāng)然,2nm只是研發(fā)的階段,臺積電還要經(jīng)歷7nm+、6nm、5nm、3nm等多個工藝節(jié)點。當(dāng)中7nm+首次引入EUV極紫外光刻技術(shù),而6nm只是一個小升級版本,明年第一季度試產(chǎn)。5nm開始風(fēng)險性試產(chǎn),明年年底前量產(chǎn),據(jù)說蘋果A14有望采用。
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原文標(biāo)題:臺積電官宣開始2nm工藝研發(fā),預(yù)計2024年投產(chǎn)
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