DRAM大廠工藝推進1z納米 導(dǎo)入EUV設(shè)備擴大競爭門檻

2019年上半DRAM價格下跌壓力沉重，盡管上游產(chǎn)能調(diào)節(jié)以及傳統(tǒng)旺季拉貨需求逐漸回升，預(yù)料將有望支撐跌價趨緩，為了提高生產(chǎn)效益及拉大競爭差距，DRAM大廠競相推進下一代制程技術(shù)。

三星電子（Samsung Electronics）率先表示將在2019年11月量產(chǎn)采用EUV技術(shù)的1z納米DRAM，美光（Micron）、SK海力士（SK Hynix）也透露將考慮評估EUV設(shè)備的需求，隨著上億美元等級的EUV設(shè)備導(dǎo)入，將意味著10納米級DRAM制程競賽升溫，產(chǎn)業(yè)投資規(guī)模門檻將大幅攀高。

隨著DRAM報價直直滑落，供應(yīng)鏈業(yè)者向華強旗艦記者透露，第2季底顆粒報價已經(jīng)逼近制造原廠的成本邊緣，中小型廠商維持獲利的難度大增，盡管市況及需求并未明顯回升，但跌價壓力的陰霾籠罩下，驅(qū)使著業(yè)界勢必更積極追求降低單位生產(chǎn)成本，國際三大DRAM廠三星、SK海力士、美光投入10納米級DRAM制程升級的進度將不容延緩。

目前DRAM制造成本取得領(lǐng)先優(yōu)勢的三星曾指出，1z納米DRAM在不使用EUV設(shè)備下，也能比目前1y DRAM的產(chǎn)能提高20%，9月起啟動1z納米DRAM量產(chǎn)進度；不過近期進一步透露，將于2019年11月開始量產(chǎn)采用EUV技術(shù)的1z納米DRAM，而量產(chǎn)初期將與三星晶圓代工共享EUV設(shè)備。

除了晶圓代工邏輯制程采用EUV微影技術(shù)成為趨勢，包括臺積電、三星在7nm開始采用EUV技術(shù)后，三星計劃擴大應(yīng)用至DRAM制程，初期的使用量不大，預(yù)計將在華城17產(chǎn)線與晶圓代工事業(yè)部共享EUV設(shè)備的方式進行，之后平澤工廠也會啟動EUV DRAM量產(chǎn)，宣示三星導(dǎo)入DRAM制程會開始走向EUV 技術(shù)發(fā)展。

SK海力士在南韓的利川市新建的DRAM生產(chǎn)工廠中，研發(fā)內(nèi)含EUV技術(shù)的DRAM存儲器生產(chǎn)技術(shù)，并表明現(xiàn)階段開始評估導(dǎo)入EUV技術(shù)的需求。SK海力士在2019年起投入1y納米制程DRAM量產(chǎn)，下一目標(biāo)就是升級1z納米轉(zhuǎn)換制程，業(yè)界估計，SK海力士10納米級DRAM制程比重，在2019年將占所有DRAM產(chǎn)品的半數(shù)以上。

據(jù)華強旗艦了解：美光也在2019年上半宣布DRAM技術(shù)走向1z納米制程發(fā)展，日本廣島廠已經(jīng)量產(chǎn)1y納米制程，并將于年底開始量產(chǎn)1z納米LPDDR4，下一階段將推進至1α 納米或 1β 納米世代。至于***產(chǎn)線在2019年下半將導(dǎo)入1y制程量產(chǎn)，相關(guān)技術(shù)轉(zhuǎn)移已經(jīng)準(zhǔn)備就緒，2020年也會跟進至1z納米制程，透過技術(shù)升級達到每年雙位數(shù)的晶圓位元成長。

雖然美光在2018年曾提過，即使到了 1α及1β的制程技術(shù)節(jié)點，也沒有使用EUV技術(shù)的必要性，不過近期美光態(tài)度出現(xiàn)轉(zhuǎn)變，并表示從進入1z納米之后將會持續(xù)評估采用EUV技術(shù)的DRAM成本效益，不排除在合適時間點導(dǎo)入EUV設(shè)備。美光的轉(zhuǎn)變被認為與2019年DRAM價格大跌，產(chǎn)品利潤受到擠壓，必須藉由提高性能與降低單位成本來鞏固產(chǎn)業(yè)競爭力。

業(yè)界指出，相較于過去20納米制程時期，每次升級到新一代制程的晶圓位元成長率將可以提升50%以上，2年就可以翻倍成長。不過隨著難度越來越高，如今的晶圓位元成長的幅度也無法像過去一樣，但仍有超過30%以上提升，但在進入1z納米制程后，藉由EUV技術(shù)導(dǎo)入，將意味采購高達上億美元的設(shè)備，其投資規(guī)模也愈加擴大，要維持每年提升1個制程世代的進度也將面臨考驗。

原本業(yè)界預(yù)期在18納米制程之后，DRAM廠商將開始采用EUV技術(shù)，但每臺價格高達約1億美元的EUV設(shè)備，確實令DRAM廠商感到躊躇不前，2019年DRAM市況轉(zhuǎn)趨低迷，價格競爭導(dǎo)致降低生產(chǎn)成本壓力遽增，促使DRAM大廠寄望透過采用 EUV 技術(shù)以生產(chǎn)DRAM先進制程，預(yù)料將有助于提高微影精度、減小線寬以及降低存儲器單位容量成本