6月20日,上海證券交易所科創(chuàng)板股票上市委員會2019年第7次上市委員會審議會議結(jié)果顯示,中微半導(dǎo)體設(shè)備(上海)股份有限公司(以下簡稱“中微半導(dǎo)體”)成功過會。
資料顯示,中微半導(dǎo)體成立于2004年5月,主要從事高端半導(dǎo)體設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售。自成立以來,其主要業(yè)務(wù)是開發(fā)加工微觀器件的大型真空工藝設(shè)備,包括等離子體刻蝕設(shè)備和薄膜沉積設(shè)備(MOCVD)。
說起中微半導(dǎo)體,相信半導(dǎo)體業(yè)界人士均較為熟悉,這家企業(yè)憑借著自主研發(fā)的刻蝕設(shè)備及MOCVD設(shè)備打破了國外壟斷,已成功躋身世界半導(dǎo)體設(shè)備廠商前列。
豪華陣營的創(chuàng)始人及技術(shù)團(tuán)隊
業(yè)界稱中微半導(dǎo)體是一家具有“巨人基因”的半導(dǎo)體設(shè)備公司。2004年,尹志堯博士與杜志游博士、倪圖強博士、麥?zhǔn)肆x博士等40多位半導(dǎo)體設(shè)備專家創(chuàng)辦中微半導(dǎo)體,創(chuàng)業(yè)團(tuán)隊成員均是在全球半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)長期耕耘的資深人士。
不得不提的是中微半導(dǎo)體的創(chuàng)始人、董事長及總經(jīng)理尹志堯博士。據(jù)招股書介紹,尹志堯博士在半導(dǎo)體芯片和設(shè)備產(chǎn)業(yè)有35年行業(yè)經(jīng)驗,是國際等離子體刻蝕技術(shù)發(fā)展和產(chǎn)業(yè)化的重要推動者,是89項美國專利和200多項其他海內(nèi)外專利的主要發(fā)明人。
在創(chuàng)辦中微半導(dǎo)體以前,尹志堯博士曾供職英特爾從事核心技術(shù)開發(fā)工作,隨后于泛林半導(dǎo)體負(fù)責(zé)領(lǐng)導(dǎo)若干重點產(chǎn)品的刻蝕技術(shù)開發(fā),1991年至2004年間在應(yīng)用材料擔(dān)任高級管理職務(wù),包括企業(yè)副總裁、刻蝕產(chǎn)品事業(yè)部總經(jīng)理、亞洲總部首席技術(shù)官。
中微半導(dǎo)體的其他聯(lián)合創(chuàng)始人、核心技術(shù)人員和重要的技術(shù)、工程人員,包括杜志游博士、倪圖強博士、麥?zhǔn)肆x博士、楊偉先生、李天笑先生等160多位各專業(yè)領(lǐng)域?qū)<?,其中很多是在國際半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)耕耘數(shù)十年,為行業(yè)做出杰出貢獻(xiàn)的資深技術(shù)和管理專家。
數(shù)據(jù)顯示,截至2018年末,中微半導(dǎo)體共有研發(fā)和工程技術(shù)人員381名,占員工總數(shù)的58%。同時,中微半導(dǎo)體亦保持較高強度的研發(fā)投入,2016-2018年,該公司研發(fā)投入占營業(yè)收入的比例分別為49.62%、34.00%、24.65%,三年累計研發(fā)投入10.37億元,約占營業(yè)收入的32%。
截至2019年2月末,中微半導(dǎo)體申請了1201項專利,其中發(fā)明專利1038項,海外發(fā)明專利465項;已獲授權(quán)的專利合計951項,其中發(fā)明專利800項。
除了豪華陣營的創(chuàng)始人及技術(shù)團(tuán)隊外,中微半導(dǎo)體目前的股東亦不容小覷。截至招股書簽署日,中微半導(dǎo)體共有境外法人股東6名、境內(nèi)法人股東20名,自然人股東8名,目前公司無實際控制人。
其中,第一大股東上海創(chuàng)投持股20.02%、第二大股東巽鑫投資的持股比例為19.39%,上海創(chuàng)投是上海科技創(chuàng)業(yè)投資(集團(tuán))有限公司的100%控股子公司,實際控制人為上海國資委,而巽鑫投資則為國家大基金的100%控股子公司。
刻蝕設(shè)備與MOCVD設(shè)備并駕齊驅(qū)
基于強大的技術(shù)團(tuán)隊陣營與高強度的研發(fā)投入,歷經(jīng)十多年深耕,中微半導(dǎo)體已在其產(chǎn)品領(lǐng)域取得一定的成就與市場地位。
數(shù)據(jù)顯示,先進(jìn)集成電路大規(guī)模生產(chǎn)線的投資可達(dá)100億美元,75%以上是半導(dǎo)體設(shè)備投資,其中最關(guān)鍵、最大宗的設(shè)備是刻蝕設(shè)備、***、薄膜沉積設(shè)備(MOCVD),中微半導(dǎo)體的主要產(chǎn)品則包括刻蝕設(shè)備、MOCVD設(shè)備以及其他設(shè)備(VOC設(shè)備)。
刻蝕設(shè)備方面,自2004年成立伊始,中微半導(dǎo)體首先開發(fā)甚高頻去耦合等離子體刻蝕設(shè)備Primo D-RIE,到目前為止已成功開發(fā)了雙反應(yīng)臺Primo D-RIE、雙反應(yīng)臺Primo AD-RIE和單反應(yīng)臺Primo SSC AD-RIE三代刻蝕設(shè)備,涵蓋65納米、45納米、32納米、28納米、22納米、14納米、7納米和5納米微觀器件的眾多刻蝕應(yīng)用。
2012年,中微半導(dǎo)體開發(fā)電感性等離子體刻蝕設(shè)備,到目前為止已成功開發(fā)單反應(yīng)臺Primo nanova刻蝕設(shè)備,目前已有20個反應(yīng)腔在客戶生產(chǎn)線核準(zhǔn);同時開發(fā)雙反應(yīng)臺電感性等離子體刻蝕設(shè)備,主要涵蓋14納米以下微觀器件的刻蝕應(yīng)用,還針對集成電路先進(jìn)封裝和MEMS傳感器產(chǎn)業(yè)等開發(fā)了應(yīng)用于這些領(lǐng)域的電感性等離子體深硅刻蝕設(shè)備。
中微半導(dǎo)體指出,目前刻蝕設(shè)備在65納米到7納米的加工上均有刻蝕應(yīng)用已實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化,正在進(jìn)行7納米、5納米部分刻蝕應(yīng)用的客戶端驗證,產(chǎn)業(yè)融合情況良好。據(jù)了解,在目前全球可量產(chǎn)的最先進(jìn)晶圓制造7納米生產(chǎn)線上,中微半導(dǎo)體是被驗證合格、實現(xiàn)銷售的全球五大刻蝕設(shè)備供應(yīng)商之一,產(chǎn)品技術(shù)已走在世界前列。
MOCVD設(shè)備方面,中微半導(dǎo)體自2010年開始開發(fā)用于LED器件加工中最關(guān)鍵的設(shè)備MOCVD設(shè)備。目前中微半導(dǎo)體已開發(fā)了三代MOCVD設(shè)備,第一代設(shè)備Prismo D-Blue、第二代設(shè)備Prismo A7以及正在開發(fā)的第三代30英寸大尺寸設(shè)備。
客戶方面,中微半導(dǎo)體刻蝕設(shè)備的重要代表客戶包括臺積電、中芯國際、聯(lián)華電子、華力微電子、海力士、華邦電子、晶方科技、格羅方德、博世、意法半導(dǎo)體等國內(nèi)外知名集成電路企業(yè),MOCVD設(shè)備也已被三安光電、華燦光電、乾照光電、璨揚光電等多家一流LED外延片及芯片制造廠商大批量采購。
極具競爭力的產(chǎn)品、優(yōu)質(zhì)良好的客戶體系,助力中微半導(dǎo)體在產(chǎn)品產(chǎn)銷以及經(jīng)營業(yè)績方面均呈現(xiàn)良好的成長性。數(shù)據(jù)顯示,2016-2018年中微半導(dǎo)體的總資產(chǎn)規(guī)模分別為10.79億元、22.76億元和35.33億元,營業(yè)收入分別為6.10億元、9.72億元和16.39億元,年均復(fù)合增長率達(dá)64%,資產(chǎn)規(guī)模與營收規(guī)模均快速增長。
其中,2016-2018年中微半導(dǎo)體刻蝕設(shè)備銷售收入分別為4.70億元、2.89億元、5.66億元,MOCVD設(shè)備銷售收入分別為0.16億元、5.30億元、8.32億元,MOCVD設(shè)備銷售收入占比明顯提升,兩大產(chǎn)品線現(xiàn)已呈現(xiàn)并駕齊驅(qū)之勢。截至2018年末,中微半導(dǎo)體累計已有1100多個反應(yīng)臺服務(wù)于國內(nèi)外40余條先進(jìn)芯片生產(chǎn)線。
有待進(jìn)一步搶占全球市場份額
中微半導(dǎo)體是我國半導(dǎo)體設(shè)備企業(yè)中極少數(shù)能與全球頂尖設(shè)備公司直接競爭并不斷擴(kuò)大市場占有率的公司,是國際半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)界公認(rèn)的后起之秀,從某種角度上看已很成功。但亦有業(yè)界人士提醒稱,目前中微半導(dǎo)體還只不過從國際巨頭的嘴里撕下來一小塊肉。
招股書顯示,在需求增長較快的刻蝕設(shè)備領(lǐng)域,行業(yè)集中度較高,泛林半導(dǎo)體占據(jù)刻蝕設(shè)備市場份額半壁江山。數(shù)據(jù)顯示,2017年全球刻蝕設(shè)備市場份額分別情況中,泛林半導(dǎo)體占比55%、京東電子占比20%、應(yīng)用材料占比19%,前三大公司已占據(jù)94%的市場份額。
而報告期內(nèi),中微半導(dǎo)體所銷售的刻蝕設(shè)備以電容性刻蝕設(shè)備為主,其電容性刻蝕設(shè)備的全球市場份額占比約在1.4%。由此可見,雖然中微半導(dǎo)體的國產(chǎn)高端刻蝕設(shè)備在國際市場上已擁有一席之地,但在銷售規(guī)模和市場份額等方面仍與國際半導(dǎo)體設(shè)備巨頭有所差距。
不過值得一提的是,中微半導(dǎo)體列舉了中國國際招標(biāo)網(wǎng)中近期公開招標(biāo)的兩家國內(nèi)知名存儲芯片制造企業(yè)和一家國內(nèi)知名邏輯電路制造企業(yè)采購的刻蝕設(shè)備臺數(shù)訂單份額數(shù)據(jù),其在兩家存儲芯片制造企業(yè)中的刻蝕設(shè)備訂單份額(臺數(shù)占比)分別為15%、17%,在邏輯電路制造企業(yè)中的刻蝕設(shè)備訂單份額(臺數(shù)占比)為16%。
中微半導(dǎo)體表示,上述數(shù)據(jù)局部反映公司刻蝕設(shè)備在國內(nèi)市場的占有率,公司刻蝕設(shè)備正在逐步打破國際領(lǐng)先企業(yè)在國內(nèi)市場的壟斷。
至于MOCVD設(shè)備方面,中微半導(dǎo)體的全球市占率情況要好一些。招股書中引用相關(guān)數(shù)據(jù)顯示,2018年中微半導(dǎo)體的MOCVD設(shè)備占據(jù)全球氮化鎵基LED用MOCVD新增市場的41%,尤其2018年下半年更是占據(jù)了60%以上。2018年,中微半導(dǎo)體在全球氮化鎵基LED MOCVD設(shè)備市場占據(jù)主導(dǎo)地位。
但總體而言,中微半導(dǎo)體在仍有待進(jìn)一步擴(kuò)大銷售規(guī)模、搶占市場份額,面對技術(shù)的快速迭代、國際巨頭的虎視眈眈,中微半導(dǎo)體絲毫不能掉以輕心。所幸的是,全球半導(dǎo)體產(chǎn)能向中國大陸轉(zhuǎn)移以成大勢所趨,加上國家政府出臺扶持政策等,國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)迎來前所未有的發(fā)展契機,中微半導(dǎo)體亦有望借此契機快速成長。
如今登陸科創(chuàng)板,中微半導(dǎo)體將獲得更多資金以投入研發(fā),其在招股書中表示,將圍繞自身核心競爭力,通過自主創(chuàng)新、有機生長,結(jié)合適當(dāng)?shù)募娌⑹召彍y試,不斷推動企業(yè)健康發(fā)展,力爭在未來十年內(nèi)發(fā)展成為國際一流的半導(dǎo)體設(shè)備公司。對此,我們且拭目以待。
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中微半導(dǎo)體
+關(guān)注
關(guān)注
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