晶圓是指硅半導(dǎo)體集成電路制作所用的硅晶片,由于其形狀為圓形,故稱為晶圓;在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結(jié)構(gòu),而成為有特定電性功能的集成電路產(chǎn)品。
半導(dǎo)體集成電路最主要的原料是硅,因此對應(yīng)的就是硅晶圓。硅在自然界中以硅酸鹽或二氧化硅的形式廣泛存在于巖石、砂礫中,硅晶圓的制造可以歸納為三個基本步驟:硅提煉及提純、單晶硅生長、晶圓成型。
制造工藝:
表面清洗:晶圓表面附著大約2um的Al2O3和甘油混合液保護層,在制作前必須進行化學(xué)刻蝕和表面清洗。
初次氧化:由熱氧化法生成SiO2 緩沖層,用來減小后續(xù)中Si3N4對晶圓的應(yīng)力氧化技術(shù)。
熱CVD:此方法生產(chǎn)性高,梯狀敷層性佳(不管多凹凸不平,深孔中的表面亦產(chǎn)生反應(yīng),及氣體可到達表面而附著薄膜)等,故用途極廣。
熱處理:在涂敷光刻膠之前,將洗凈的基片表面涂上附著性增強劑或?qū)⒒旁诙栊詺怏w中進行熱處理。這樣處理是為了增加光刻膠與基片間的粘附能力,防止顯影時光刻膠圖形的脫落以及防止?jié)穹ǜg時產(chǎn)生側(cè)面腐蝕(sideetching)。
晶圓的背面研磨工藝:晶圓的集成電路制造,為了降低器件熱阻、提高工作散熱及冷卻能力、便于封裝,在硅晶圓正面制作完集成電路后,需要進行背面減薄。晶圓的背面研磨工藝,是在晶圓的正面貼一層膜保護已經(jīng)制作好的集成電路,然后通過研磨機來進行減薄。
除氮化硅:此處用干法氧化法將氮化硅去除。
離子注入:離子布植將硼離子 (B+3) 透過 SiO2 膜注入襯底,形成P型阱離子注入法是利用電場加速雜質(zhì)離子,將其注入硅襯底中的方法。離子注入法的特點是可以精密地控制擴散法難以得到的低濃度雜質(zhì)分布。
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