如何抑制沖擊電流

抑制沖擊電流方法（一）

最常用的輸入浪涌電流限制方法：串聯(lián)負(fù)溫度系數(shù)熱敏限流電阻器（ntc）

圖2 串聯(lián)NTC限制開(kāi)機(jī)浪涌電流

串聯(lián)負(fù)溫度系數(shù)熱敏限流電阻器ntc無(wú)疑是目前為止最簡(jiǎn)單的抑制輸入浪涌電流的方法。因?yàn)閚tc電阻器會(huì)隨溫度升高而降低。在開(kāi)關(guān)電源起動(dòng)時(shí)，ntc電阻器處于常溫，有很高的電阻，可以有效地限制電流；而在電源起動(dòng)之后，ntc電阻器會(huì)由于自身散熱而迅速升溫至約110oc，電阻值則減少到室溫時(shí)的約十五分之一，減少了開(kāi)關(guān)電源正常工作時(shí)的功率損耗。

抑制沖擊電流方法（二）

在做微小功率的開(kāi)關(guān)電源時(shí)，直接使用功率電阻限制浪涌電流。

圖3 直接串聯(lián)功率電阻限制浪涌電流（只適合微小功率開(kāi)關(guān)電源）

抑制沖擊電流方法（三）

NTC熱敏電阻與普通功率電阻并聯(lián)的方式來(lái)限制浪涌電流

圖4 NTC熱敏電阻與功率電阻并聯(lián)的方式來(lái)抑制開(kāi)機(jī)浪涌電流

常溫起機(jī)時(shí)，功率電阻與熱敏電阻并聯(lián)后的阻值來(lái)限制浪涌電流，在低溫起機(jī)時(shí)NTC熱敏電阻的阻值急劇升高但功率電阻阻值基本是不變的能保證低溫啟動(dòng)，不過(guò)在高溫實(shí)驗(yàn)時(shí)浪涌電路也很大。

抑制沖擊電流方法（四）

串聯(lián)固定電阻器配合晶閘管，來(lái)限制輸入浪涌電流

圖5 串聯(lián)固定電阻器配合晶閘管來(lái)限制開(kāi)機(jī)浪涌電流

上電時(shí)，Vs截止，電流經(jīng)過(guò)R1，R1起到限流作用，達(dá)到一定條件，VS導(dǎo)通，將R1斷路。是效率損失大大降低。

抑制沖擊電流方法（五）

利用MOSFET開(kāi)關(guān)管及延時(shí)網(wǎng)絡(luò)電路進(jìn)行浪涌電流抑制浪涌電流

圖6 利用開(kāi)關(guān)管延時(shí)電路進(jìn)行浪涌電流抑制浪涌電流

電路工作的基本原理是：由于DC-DC開(kāi)關(guān)電源的輸入端接有容性濾波電路，當(dāng)開(kāi)機(jī)加電瞬間由于需要為濾波電容C1、C2充電，所以瞬間產(chǎn)生較大的浪涌電流，此時(shí)在母線(xiàn)輸入的地線(xiàn)上介入的MOSFET（VT1）的漏原極之間并未導(dǎo)通，隨著R2、R3、DZ1及CA1組成的延時(shí)電路給MOSFET（VT1）的柵極加電，是MOSFET（VT1）的漏源極逐漸導(dǎo)通，從而有效減小了開(kāi)機(jī)瞬間由輸入端的容性濾波電路充電而產(chǎn)生的浪涌電流值。當(dāng)電路進(jìn)入穩(wěn)定工作狀態(tài)下，其漏源極始終處于導(dǎo)通狀態(tài)。

由于實(shí)際的開(kāi)關(guān)電源產(chǎn)品產(chǎn)品設(shè)計(jì)中對(duì)于浪涌電流抑制不盡相同，可通過(guò)調(diào)節(jié)CA1的具體參數(shù)而獲得不同的浪涌電流抑制的結(jié)果。