0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

技術(shù) | 想要節(jié)省MIMO RF前端設(shè)計的偏置功率?高功率硅開關(guān)來搞定

電機控制設(shè)計加油站 ? 來源:YXQ ? 2019-06-25 15:10 ? 次閱讀

多輸入、多輸出 (MIMO) 收發(fā)器架構(gòu)廣泛用于高功率 RF 無線通信系統(tǒng)的設(shè)計。作為邁入 5G 時代的一步,覆蓋蜂窩頻段的大規(guī)模MIMO 系統(tǒng)目前正在城市地區(qū)進行部署,以滿足用戶對于高 數(shù)據(jù)吞吐量和一系列新型業(yè)務(wù)的新興需求。

高度集成的單芯片射頻收發(fā)器解決方案 (例如,ADI 推出的 ADRV9008/ADRV9009 產(chǎn)品系列) 的面市促成了此項成就。在此類系統(tǒng)的 RF 前端部分仍然需要實現(xiàn)類似的集成,意在降低功耗 (以改善熱管理) 和縮減尺寸(以降低成本),從而容納更多的 MIMO 通道。

* ADRV9009 是唯一滿足所有現(xiàn)有和新興蜂窩標準的單芯片解決方案——從傳統(tǒng)的 2G/3G 協(xié)議到 4G 要求的更高數(shù)據(jù)速率以及 5G 的新興需求。

MIMO 架構(gòu)允許放寬對放大器和開關(guān)等構(gòu)建模塊的 RF 功率要求。然而,隨著并行收發(fā)器通道數(shù)目的增加,外圍電路的復(fù)雜性和功耗也相應(yīng)升高。ADI 采用硅技術(shù)的新型高功率開關(guān)專為簡化 RF 前端設(shè)計而研發(fā),免除外圍電路的需要并將功耗降至可忽略不計的水平。ADI 采用硅技術(shù)的新型高功率開關(guān)為 RF 設(shè)計人員和系統(tǒng)架構(gòu)師提供了提高其系統(tǒng)復(fù)雜度的靈活性,且不會讓 RF 前端成為其設(shè)計瓶頸。

在時分雙工 (TDD) 系統(tǒng)中,天線接口納入了開關(guān)功能,以隔離和保護接收器輸入免受發(fā)送信號功率的影響。該開關(guān)功能可直接在天線接口上使用 (在功率相對較低的系統(tǒng)中,如圖 1 所示),或在接收路徑中使用 (針對較高功率應(yīng)用,如圖 2 所示),以保證正確接至雙工器。在開關(guān)輸出上設(shè)有一個并聯(lián)支路將有助改善隔離性能。

圖 1. 天線開關(guān)

圖 2. LNA 保護開關(guān)

基于 PIN 二極管的開關(guān)具備低插入損耗特性和高功率處理能力,一直是首選解決方案。然而,在大規(guī)模 MIMO 系統(tǒng)的設(shè)計中,它們需要高偏置電壓以施加反向偏置 (用于提供隔離) 和高電流以施加正向偏置 (用于實現(xiàn)低插入損耗),這就變成了缺點。圖 3 示出了一款用于基于 PIN 二極管的開關(guān)及其外設(shè)的典型應(yīng)用電路。三個分立的 PIN 二極管通過其偏置電源電路施加偏置,并通過一個高電壓接口電路進行控制。

圖 3. PIN 二極管開關(guān)

ADI 的新款高功率硅開關(guān)更適合大規(guī)模 MIMO 設(shè)計。它們依靠單 5 V 電源供電運行,偏置電流小于 1 mA,并且不需要外部組件或接口電路。圖 4 中示出了內(nèi)部電路架構(gòu)。基于 FET 的電路可采用低偏置電流和低電源電壓工作,因而將功耗拉低至可忽略的水平,并可在系統(tǒng)級上幫助熱管理。除了易用性之外,該器件架構(gòu)還可提供更好的隔離性能,因為在 RF 信號路徑上納入了更多的并聯(lián)支路。

4. ADRV9008/ADRV9009 硅開關(guān)

圖 5 并排對比了單層 PCB 設(shè)計上基于 PIN 二極管的開關(guān)和新型硅開關(guān)的印刷電路板 (PCB) 原圖。與基于 PIN 二極管的開關(guān)相比,硅開關(guān)所占用的 PCB 面積不到其 1/10。它簡化了電源要求,且不需要高功率電阻器。

圖 5. 基于 PIN 二極管的開關(guān)設(shè)計與硅開關(guān)的并排比較

ADI 的高功率硅開關(guān)能夠處理高達 80 W 的 RF 峰值功率,這足以滿足大規(guī)模 MIMO 系統(tǒng)的峰值平均功率比要求,并留有裕量。表 1 列出了 ADI 專為不同的功率級別和各種封裝類型而優(yōu)化的高功率硅開關(guān)系列。這些器件繼承了硅技術(shù)的固有優(yōu)勢,而且與替代方案相比,可實現(xiàn)更好的 ESD 堅固性和降低部件與部件間的差異。

表 1. ADI 新推出的高功率硅開關(guān)系列

大規(guī)模 MIMO 系統(tǒng)將繼續(xù)發(fā)展,并將需要進一步提高集成度。 ADI 的新型高功率硅開關(guān)技術(shù)很適合多芯片模塊 (MCM) 設(shè)計,將 LNA 一起集成,以提供面向 TDD 接收器前端的完整、單芯片解決 方案。另外,ADI 還將調(diào)高新設(shè)計的頻率,并將引領(lǐng)針對毫米波 5G 系統(tǒng)的相似解決方案。隨著ADI 將其高功率硅開關(guān)產(chǎn)品系列擴展到了 X 波段頻率和更高的常用頻段,電路設(shè)計人員和系統(tǒng)架構(gòu)師還將在其他應(yīng)用 (例如相控陣系統(tǒng)) 中受益于 ADI 新型硅開關(guān)。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 射頻前端
    +關(guān)注

    關(guān)注

    5

    文章

    234

    瀏覽量

    24348
  • 5G
    5G
    +關(guān)注

    關(guān)注

    1352

    文章

    48328

    瀏覽量

    562970

原文標題:想要節(jié)省MIMO RF前端設(shè)計的偏置功率?高功率硅開關(guān)來搞定

文章出處:【微信號:motorcontrol365,微信公眾號:電機控制設(shè)計加油站】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

收藏 人收藏

    評論

    相關(guān)推薦

    功率電阻的特點與應(yīng)用

    功率電阻的特點 高熱耗散能力 :功率電阻設(shè)計用于承受和耗散大量的熱量,以防止過熱和損壞。 大電流承載能力 :由于其
    的頭像 發(fā)表于 10-31 09:20 ?235次閱讀

    用于無線基站中功率放大器保護的數(shù)字RF功率控制

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《用于無線基站中功率放大器保護的數(shù)字RF功率控制.pdf》資料免費下載
    發(fā)表于 10-09 10:22 ?0次下載
    用于無線基站中<b class='flag-5'>功率</b>放大器保護的數(shù)字<b class='flag-5'>RF</b><b class='flag-5'>功率</b>控制

    LLC開關(guān)電源功率如何調(diào)節(jié)電路

    LLC(LCC)開關(guān)電源是一種高效、功率密度的電源轉(zhuǎn)換技術(shù),廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中。LLC開關(guān)電源的
    的頭像 發(fā)表于 09-06 15:44 ?574次閱讀

    使用rf studio的時候需要配置偏置模式,這個偏置電路是由內(nèi)部還是外部提供的?

    launchpad的參考電路,RF前端有Balun濾波器產(chǎn)生差模信號和阻抗匹配電路,好像沒有發(fā)現(xiàn)別的? 這個偏置不明覺厲,是指放大器的直流偏置嗎? 和
    發(fā)表于 08-13 07:35

    AM09012541WM-B-SN-R GaAs MMIC功率放大器AMCOM

    功率放大器,如:射頻晶體管、MMIC功率放大器、混合放大器模塊、寬帶放大器、功率放大器模塊、帶RF和DC連接器的
    發(fā)表于 03-04 09:49

    三菱電機發(fā)布商用手持雙向無線電用6.5W射頻功率MOSFET樣品

    三菱電機集團近日(2024年2月27日)宣布,將于2月28日開始提供其新型6.5W射頻(RF功率金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)樣品,用于商用手持式雙向無線電(對講機
    的頭像 發(fā)表于 02-28 18:18 ?1171次閱讀

    AM08011039WM-SN-R GaAs MMIC功率放大器AMCOM

    ?雷達探測?衛(wèi)星通訊?雙向功放器深圳立維創(chuàng)展是AMCOM功率放大器的代理銷售,主營AMCOM的功率放大器,如:射頻晶體管、MMIC功率放大器、混合放大器模塊、寬帶放大器、
    發(fā)表于 02-27 09:25

    射頻前端底層技術(shù)的卓越性能,RF-SOI為5G賦能

    -SOI和FD-SOI,其中RF-SOI作為一種重要的射頻芯片材料技術(shù),雖然很少被提及,但在很多設(shè)備上都有重要的應(yīng)用。 ? 射頻前端底層技術(shù) ? 射頻
    的頭像 發(fā)表于 02-19 00:59 ?3459次閱讀

    功率半導(dǎo)體原理和功能介紹

    主要基于PN結(jié)的正向偏置和反向偏置特性。當PN結(jié)正向偏置時,電子從N區(qū)向P區(qū)移動,形成正向電流;當PN結(jié)反向偏置時,電子無法通過PN結(jié),形成反向截止狀態(tài)。通過對PN結(jié)的正向
    的頭像 發(fā)表于 01-09 16:22 ?1278次閱讀
    <b class='flag-5'>功率</b>半導(dǎo)體原理和功能介紹

    艾為電子推出AW135xxTQNR系列射頻開關(guān)

    隨著5G技術(shù)的不斷發(fā)展,終端設(shè)備廠商也在不斷加強智能化的產(chǎn)品設(shè)計開發(fā),在射頻鏈路上對開關(guān)的要求也越來越高。AW135xxTQNR系列射頻開關(guān)采用了國產(chǎn)RF SOI工藝,具有低插損、
    的頭像 發(fā)表于 01-09 09:28 ?862次閱讀
    艾為電子推出AW135xxTQNR系列射頻<b class='flag-5'>開關(guān)</b>

    RF2373低噪聲放大器/驅(qū)動放大器Qorvo

    Qorvo的RF2373是款具備動態(tài)范圍的低噪聲放大器,致力于Wi-Fi和數(shù)字蜂窩狀應(yīng)用需求設(shè)計。RF2373在數(shù)字用戶模塊的傳輸鏈中作為優(yōu)異的前端低噪聲放大器或驅(qū)動放大器,其中低傳
    發(fā)表于 12-28 14:32

    碳化硅功率器件的實用性不及功率器件嗎

    其未來應(yīng)用前景廣闊,具有很高的實用性。 首先,碳化硅功率器件的材料特性使其成為目前電力電子技術(shù)中的熱門研究方向之一。相較于功率器件,碳化硅具有更高的能帶寬度和較大的熱導(dǎo)率,這意味著
    的頭像 發(fā)表于 12-21 11:27 ?562次閱讀

    支持功率應(yīng)用的RDL技術(shù)解析

    如之前的介紹用于 IC 封裝的再分布層(RDL)技術(shù)及晶圓級封裝中的窄間距RDL技術(shù)及應(yīng)用]技術(shù)通常用于芯片封裝中的信號和電源引腳映射,用于實現(xiàn)芯片與封裝之間的連接。然而,對于
    的頭像 發(fā)表于 12-06 18:26 ?3726次閱讀
    支持<b class='flag-5'>高</b><b class='flag-5'>功率</b>應(yīng)用的RDL<b class='flag-5'>技術(shù)</b>解析

    高壓功率器件的開關(guān)技術(shù) 功率器件的硬開關(guān)和軟開關(guān)

    高壓功率器件的開關(guān)技術(shù)簡單的包括硬開關(guān)技術(shù)和軟開關(guān)技術(shù)
    的頭像 發(fā)表于 11-24 16:09 ?1807次閱讀
    高壓<b class='flag-5'>功率</b>器件的<b class='flag-5'>開關(guān)</b><b class='flag-5'>技術(shù)</b> <b class='flag-5'>功率</b>器件的硬<b class='flag-5'>開關(guān)</b>和軟<b class='flag-5'>開關(guān)</b>

    Qorvo的電源管理解決方案如何消除GaN的柵極偏置差異

    RF前端功率末級功放已被GaN功率放大器取代。柵極負壓偏置使其在設(shè)計上有別于其它
    的頭像 發(fā)表于 11-21 10:20 ?628次閱讀
    Qorvo的電源管理解決方案如何消除GaN的柵極<b class='flag-5'>偏置</b>差異