關(guān)于Vishay DG增強(qiáng)模擬開關(guān)IC性能分析

Vishay DG 增強(qiáng)模擬開關(guān) IC 具有 16V 擴(kuò)展工作電壓范圍和增強(qiáng)的漏電流限制。 DG 增強(qiáng) IC 還具有更低的開關(guān)導(dǎo)通電阻以及整體降低的功耗。 該 IC 提供增強(qiáng)的堅(jiān)固性，同時具有更高的閉鎖電流和更強(qiáng)的 ESD 能力。 DG 增強(qiáng)系列采用高密度工藝制造，不僅提高了制造能力，還縮短了交付時間。 該 IC 支持諸如工業(yè)、儀器以及醫(yī)療等市場的模擬開關(guān)產(chǎn)品。

特性

從目前的 12V 和 ±6V 工作電壓分別擴(kuò)展到 16V 單電源電壓和 ±8V 雙電源電壓

開關(guān)導(dǎo)通電阻更低，容差得到改進(jìn)

開關(guān)漏電限制得到改進(jìn)，降低了 50%

寄生電容更低，降低了約 30%

功耗降低約 98%，從 0.2mA 降低到 3.5uA (V+ = 12V)

閉鎖電流 從 200mA 提高到 300mA

ESD/HBM 從 2KV 增強(qiáng)到 2.5KV

應(yīng)用

自動檢測設(shè)備

過程控制和自動化

數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)

儀表和儀器

醫(yī)療和保健系統(tǒng)

通信系統(tǒng)

音頻和視頻信號路由

繼電器替代品

電池供電系統(tǒng)