文章作者簡(jiǎn)介:
Sanjay Havanur:Vishay公司任系統(tǒng)應(yīng)用高級(jí)經(jīng)理。IEEE會(huì)員,在功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域有七項(xiàng)專利,發(fā)表過多篇論文。Havanur先生擁有印度理工學(xué)院的電氣工程學(xué)士學(xué)位和電力電子碩士學(xué)位。
Philip Zuk:Vishay公司任高壓MOSFET事業(yè)部的市場(chǎng)發(fā)展總監(jiān)。RF領(lǐng)域有兩項(xiàng)專利,發(fā)表過多篇論文。Zuk先生擁有加拿大紅河學(xué)院畢業(yè)文憑以及曼尼托巴大學(xué)的電氣工程學(xué)士學(xué)位和工商管理碩士學(xué)位。
文章邊欄
雙管正激變換器得到廣泛應(yīng)用,并被視為最可靠的轉(zhuǎn)換器之一。該拓?fù)湟驗(yàn)樵S多原因而得到許多設(shè)計(jì)工程師的推崇。
-無死區(qū)時(shí)間要求,無直通機(jī)會(huì)
-任何情況下均無MOSFET體二極管導(dǎo)通
-MOSFET電壓應(yīng)力以最大供電電壓為極限
-在寬輸入電壓范圍和負(fù)載條件下的工作簡(jiǎn)單性
-處理多個(gè)隔離輸出的能力
變換器的幾個(gè)缺點(diǎn)是:
-由于沒有零電壓開關(guān)能力(ZVS),其工作頻率受限
-需要兩個(gè)晶體管 和兩個(gè)快速恢復(fù)二極管
-作為單端轉(zhuǎn)換器,它需要更大的變壓器和輸出電感器
雙管正激變換器
雙管正激變換器非常受150W - 750W ATX電源 / 銀盒的歡迎,還與零電壓開關(guān)(ZVS)LLC拓?fù)浯嬖诟?jìng)爭(zhēng)關(guān)系。它是一種硬開關(guān)拓?fù)淝也辉赯VS模式下工作。但正因?yàn)槿绱耍峁┝藳]有體二極管導(dǎo)通的優(yōu)點(diǎn)。MOSFET的輸入電壓是功率因數(shù)校正(PFC)變換器的輸出電壓,輸出功率 ≥ 65W的任何電源都需要配備該(PFC)變換器。該(PFC)電壓的典型值為380V - 400V。在關(guān)斷期間,MOSFET會(huì)有來自泄漏感應(yīng)能量的附加電壓尖鋒,盡管是經(jīng)過快速恢復(fù)二極管箝位的。
基本工作如下:圖1a顯示了晶體管Q1和Q2,二者一起打開將能量從變壓器一次側(cè)傳送到二次側(cè)。在二次側(cè),正向整流二極管導(dǎo)電,將能量傳送到輸出濾波器和負(fù)載。
當(dāng)晶體管Q1和Q2關(guān)斷時(shí),變壓器勵(lì)磁電流流經(jīng)現(xiàn)在正向偏置的二極管D1和D2并流回電源,如圖1b所示。這兩個(gè)二極管持續(xù)導(dǎo)電,直至一次側(cè)的全部勵(lì)磁能量和儲(chǔ)存在漏電感中的能量返回輸入電源。因?yàn)槎O管D1和D2負(fù)責(zé)箝制電壓尖峰于輸入電壓,所以無需緩沖電路。超出輸入電壓的任何過沖都需要以合適的電路布局加以管理,以最大限度減小雜散電感。在二次側(cè),續(xù)流二極管如圖導(dǎo)電,將輸出感應(yīng)器能量傳送給負(fù)載。
在一次側(cè)的關(guān)斷周期內(nèi),當(dāng)其ON時(shí)間短于OFF時(shí)間(工作周期小于50%)時(shí)實(shí)現(xiàn)的變壓器復(fù)位。換言之,一次繞組本身充當(dāng)復(fù)位繞組。OFF時(shí)間長(zhǎng)于ON時(shí)間一定會(huì)復(fù)位變壓器。
圖1a:工作的能量傳送級(jí)
圖1b:電能從輸出電容流到電力負(fù)載
雙管正激變換器與PFC轉(zhuǎn)換器的對(duì)比、FOM和功率損耗
圖2比較了雙管正激變換器與PFC前端轉(zhuǎn)換器在400W中的功率損耗。雙開關(guān)正向轉(zhuǎn)換器中的MOSFET攜帶一半電流,并以兩倍頻率(通常為125kHz對(duì)65kHz)進(jìn)行切換。由于這一頻率加倍,開關(guān)損耗成為整體品質(zhì)因數(shù)(FOM) 和功率損耗測(cè)量中的一個(gè)更主要因素。
圖2:PFC轉(zhuǎn)換器與雙管正激變換器對(duì)比
為進(jìn)一步加以說明,不妨考慮一個(gè)最大功率損耗為8W的TO-220 / TO-220F器件。假設(shè)這是對(duì)PFC應(yīng)用的最優(yōu)選擇。最優(yōu)的意思是導(dǎo)通損耗為額定功率下總損耗的40% - 50%。這也會(huì)是雙開關(guān)轉(zhuǎn)換器的最優(yōu)解嗎?答案當(dāng)然不是。在雙開關(guān)拓?fù)渲?,Coss/Qoss和Qsw對(duì)總損耗的貢獻(xiàn)約為87%,其余為導(dǎo)通損耗。導(dǎo)電損耗與開關(guān)損耗之間這種不均衡對(duì)效率和成本非常不利。導(dǎo)通損耗小于單開關(guān)PFC轉(zhuǎn)換器情況的原因是,所使用的每個(gè)MOSFET具有單開關(guān)PFC電路的一半電流,同時(shí)以兩倍頻率進(jìn)行切換。
任何開關(guān)電路都有兩種開關(guān)損耗。第一種由于接通和關(guān)斷期間發(fā)生的Vds x Ids交接而產(chǎn)生的損耗。這些損耗用所謂“Qsw”來衡量,它是Qgd和Qgs的組合,代表MOSFET的有效開關(guān)電荷。開關(guān)損耗是負(fù)載和開關(guān)頻率的函數(shù)。
第二種開關(guān)損耗與MOSFET輸出電容Coss的充放電有關(guān)。在ATX電源中,流行的雙開關(guān)正向轉(zhuǎn)換器緊跟具有約400V輸入電壓。因此,輸出電容Cos開關(guān)損耗是總損耗的一大部分。器件的Coss / Qoss是一個(gè)非常重要的損耗,特別是在輕負(fù)載情況下開關(guān)損耗超過導(dǎo)電損耗。該損耗基本與負(fù)載和Qsw無關(guān),在選擇合適MOSFET時(shí)需要連同Qsw一起予以考慮。與特定應(yīng)用有關(guān)的基于損耗貢獻(xiàn)的FOM為:
高壓MOSFET的Coss隨著所施加的VDS的不同而有相當(dāng)大的差異。該差異對(duì)高壓超結(jié)功率MOSFET(圖3a)比對(duì)平面式(圖3b)顯著更大。為說明輸出電容器的非線性,可用Poss = ? Co(er)x V2 x Fsw作為近似的損耗公式。(Co(er)是等效電容,它和Coss具有相同的損耗,而通常Coss包含于規(guī)格書中)。需要指出的是,與輸出電容相關(guān)的損耗(在任何高壓拓?fù)渲卸际强倱p耗公式的一個(gè)重要組成部分)在行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)FOM=RDS(on)(typ)x Qg(typ)中并未得到考慮。但它們對(duì)本分析中使用的與特定應(yīng)用相關(guān)的FOM(用于器件選型)是必不可少的。
圖3a:超結(jié)技術(shù)電容曲線
圖3b:平面技術(shù)電容曲線
在牢記這個(gè)要求的情況下,我們提出了一個(gè)元件列表,我們覺得其中的元件將在典型工作條件下實(shí)現(xiàn)雙管正激變換器的最高效率,以確保實(shí)現(xiàn)最高效的設(shè)計(jì)。每個(gè)MOSFET都有小于總轉(zhuǎn)換器損耗的0.5%的目標(biāo)損耗。因此對(duì)于400W ATX電源,損耗不會(huì)超過每個(gè)器件2W。表1說明了此類電源的假設(shè)工作條件。
表1:雙管正激變換器設(shè)計(jì)條件
“X” 是代表封裝的型號(hào)。對(duì)于同樣的電氣特征集,有大量封裝選項(xiàng)可供選擇。所使用的封裝將取決于功率級(jí)以及實(shí)際允許什么樣封裝的MOSFET。
圖4定義了不同產(chǎn)品代碼下的封裝、電流額定值、電壓及器件技術(shù)[1] 。
圖4:產(chǎn)品代碼定義
由于提供許多封裝選項(xiàng),所以表2列出了采用不同封裝的產(chǎn)品的推薦最大功率額定值。
表2:基于封裝類型的最大功率值
表3顯示了不同功率值的相應(yīng)器件,包括設(shè)計(jì)條件、器件代號(hào)理解和基于封裝的最大推薦值。
該表列示了許多不同器件。根據(jù)我們更關(guān)心的是電壓、效率還是價(jià)格,我們可挑選最適合自己應(yīng)用要求的器件。
表3:基于PFC輸出功率值的器件選型工具
注:帶“x”的器件可使用多種封裝;500V器件采用傳統(tǒng)平面技術(shù),而600V和650V提供超結(jié)技術(shù)。
文章注釋:
1:定義:Vishay高壓MOSFET產(chǎn)品代碼:SiHxDDNFFG
2:這是我們的首款500V超結(jié)器件,將于2014年第2季度進(jìn)行樣品試制
3:如果需要較低成本解決方案,可選擇SiHx7N60E,因?yàn)樾阅軕?yīng)當(dāng)相似
4:如果需要較低成本解決方案,可選擇SiHx6N65E,因?yàn)樾阅軕?yīng)當(dāng)相似
原文標(biāo)題:雙管正激變換器:工作原理、FOM及器件選型指南
文章出處:【微信公眾號(hào):Vishay威世科技】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。
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