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國際半導體遭遇寒冬 國內企業(yè)逆勢擴展

存儲加速器 ? 來源:YXQ ? 2019-07-08 08:40 ? 次閱讀

在中美貿易摩擦有所緩和之際,日前紫光集團宣布組建DRAM集團,讓市場注意力集中到國內存儲器布局上。當前國際存儲寡頭壟斷的格局下,國內存儲方隊既要面對技術、團隊等方面的疊代差距,又要面對當前國際半導體市場勢弱,存儲大幅降價的風險,迎難而上,逆勢擴張。

國際半導體產業(yè)降溫

6月30日晚間,紫光集團宣布了組建DRAM事業(yè)群的計劃,并配套部署人事安排,深化和完善紫光集團“從芯到云”產業(yè)鏈的建設。而如果放眼國際,此時紫光集團布局DRAM可謂迎難而上,逆勢擴張。

據(jù)美國半導體行業(yè)協(xié)會官網最新統(tǒng)計,5月全球半導體銷售額為331億美元,同比2018年同期減少14.6%,環(huán)比4月有所少量增長;而且相比去年同期,全球所有區(qū)域市場的半導體銷售均出現(xiàn)下降,其中美洲下降最多,達到27.9%,日本下降13.6%,中國下降9.8%,亞太其他地區(qū)下降12.6%。

美國半導體行業(yè)協(xié)會總裁兼首席執(zhí)行官約翰·諾伊弗表示:“全球半導體銷售額今年5月沒有達到去年同月的銷售額,這是連續(xù)第五個月出現(xiàn)同比負增長?!苯衲甏鎯ζ骺芍^遭遇“寒冬”。其中DRAM(動態(tài)隨機存取存儲器)雖然位居半導體存儲領域市占率第一的地位,2017年迎來銷售環(huán)比大增,但今年情況發(fā)生逆轉。

TrendForce旗下內存儲存研究已連續(xù)指出,受到美國禁用華為事件持續(xù)發(fā)酵,華為智能手機以及服務器產品在未來的兩至三個季度可能將持續(xù)遭受嚴重的出貨阻礙,下半年DRAM產品的旺季需求將遭受沖擊,行業(yè)見底時間或延長。

據(jù)預測,第三季DRAM價格展望跌幅由原先預估的10%將擴大至10%到15%??紤]國際存儲三家大廠的競爭態(tài)勢,加上DRAM制程技術已經面臨物理極限,預估DRAM價格要跌破供貨商的生產總成本可能性極低,但是,中美貿易戰(zhàn)升溫恐使得今年下半年需求急凍,不確定性氛圍提高使得數(shù)據(jù)中心的資本支出放緩,在今年年底前,體質較弱的DRAM供貨商恐怕將遭受庫存損失,財務報表可能轉虧;預計DRAM價格可能將到2020年有機會出現(xiàn)止跌回升。

國際存儲巨頭的情況也不容樂觀,雖然占據(jù)了全球90%以上的DRAM市場份額,但營收普遍下滑。據(jù)統(tǒng)計,今年一季度,龍頭公司三星受到報價下跌影響,營收較上季下滑26.3%;而SK海力士的營收位出貨下滑約8%,第一季營收較上季衰退31.7%;美光營收也下滑了約三成。臺系廠商也不容樂觀。南亞科第一季營收位出貨下跌超過20%,營業(yè)利益率幾乎減半;力晶科技生產的標準型DRAM產品第一季出貨量上升,帶動營收逆勢成長5.7%,涵蓋DRAM代工業(yè)務,營收則下滑近15%。

國內企業(yè)逆勢擴展

國金證券分析師樊志遠在研報中指出,今年一季度后,存儲器大廠處于高成本庫存,導致二季度、三季度運營成本高于市場預期;預計全球存儲器行業(yè)今年衰退30%~35%,牽動全球半導體衰退14%。

在此背景下,國內主要存儲方隊選擇了逆勢布局。本次紫光集團組建的DRAM事業(yè)部,紫光集團表示這標志著集團DRAM戰(zhàn)略正式起航,將進一步拓寬在存儲器領域的相關布局。人事配備上,委任刁石京為紫光集團DRAM事業(yè)群董事長,高啟全擔任紫光集團DRAM事業(yè)群CEO。其中,刁石京曾擔任工信部電子信息司司長等職位;高啟全現(xiàn)擔任紫光集團全球執(zhí)行副總裁、長江存儲執(zhí)行董事及代行董事長、武漢新芯CEO,有“***存儲教父”之稱。

經過多年的發(fā)展,紫光集團在存儲器的設計制造領域已形成一定基礎,積累了從設計、生產、測試、方案構建到全球量產銷售等研發(fā)和產業(yè)化經驗。在DRAM領域,紫光旗下西安紫光國芯自主創(chuàng)新出全球首系列內嵌自檢測修復DRAM存儲器產品;開發(fā)的存儲器芯片產品中有二十余款產品實現(xiàn)全球量產和銷售。

另外,在3D NAND閃存領域,紫光旗下長江存儲成功研發(fā)并已小批量生產了32層3D NAND閃存芯片,其創(chuàng)新的Xtacking TM技術,實現(xiàn)了3D NAND閃存芯片結構的歷史性突破。紫光集團表示,基于西安紫光國芯和長江存儲的成功經驗,集團正探索出一條存儲器設計制造的產業(yè)發(fā)展之路。

芯謀研究首席分析師顧文軍指出,相對而言,DRAM更加成熟、高度集中和更加“標準”的產業(yè)特性,做DRAM的難度要遠超NAND Flash。任何新進入者都面臨著技術來源、團隊、專業(yè)化運營和成本的幾大難題。目前來看,中國大陸做DRAM的幾家都沒有全面解決上述問題;晉華去年的被禁,就是一個警示。

國內存儲產業(yè)原為三大陣營,分別是紫光集團旗下長江存儲,以及合肥長鑫與晉華集成。但是去年10月美國商務部以國家安全為由,對晉華集成實施出口管制,并列入出口管制“實體清單”。

兆易創(chuàng)新、合肥產投等投資的長鑫存儲,目前來看進展相對順利,預期最快將于今年底或明年初進入量產。據(jù)報道,長鑫存儲通過購買奇夢達專利部分解決了知識產權問題。

對于如何避免類似晉華事件發(fā)生,集邦咨詢研究副總經理郭祚榮向證券時報記者表示,只要保證技術來源沒問題,列入實體列表機率就低了;而無論是NAND還是DRAM,發(fā)展難度都不低,本輪逆勢擴張取決于國家是否支持。

集邦咨詢指出,紫光并非首次計劃進軍DRAM產業(yè),早在2014年期間紫光就曾表達出研發(fā)DRAM的決心,但當時為了平衡產業(yè)與地方發(fā)展,確立紫光發(fā)展NAND Flash的路線,DRAM研發(fā)之路無疾而終。

此次紫光集團重返DRAM研發(fā)之路,除了晉華事件影響外,還有產業(yè)布局考慮。合肥長鑫5月在上海參加全球半導體聯(lián)盟存儲器論壇時,預計今年底量產8Gb的DRAM產品,但僅有一家正在進行的DRAM廠對中國自主開發(fā)DRAM產品的目標是不夠的。目前紫光欠缺的是DRAM的制程技術,這部分預計可望借由其新任CEO的業(yè)界人脈進行補強。

國產化機遇

從政策方面,國家對集成電路產業(yè)的重視可見一斑。6月14日晚間,證監(jiān)會同意科創(chuàng)板IPO注冊,華興源創(chuàng)、睿創(chuàng)微納兩家集成電路企業(yè)拔頭籌;另外,科創(chuàng)板申請企業(yè)中,還有專注于企業(yè)級光存儲解決方案的紫晶存儲,目前在接受科創(chuàng)板第三輪問詢。

5月份,財政部、稅務總局發(fā)布公告有關企業(yè)所得稅政策中,集成電路企業(yè)獲扶持。

資本市場也在孕育半導體國產化機遇。以太極實業(yè)為例,2018年6月傳聞落地,國家集成電路產業(yè)基金(以下簡稱“大基金”)受讓控股股東6.17%股份,成為上市公司第二大股東。此后,太極實業(yè)屢次攬獲半導體工程承包訂單,包括“中國大陸半導體之父”張汝京所創(chuàng)辦的青島芯恩工程總承包訂單。

除了建造,半導體關鍵材料、設備也存在機遇。據(jù)介紹,目前各類關鍵工藝設備國產化差異大,CMP、PVD、刻蝕、清洗設備、熱處理的國產化率處于10%~30%,而量測、光刻等設備全部依賴進口。

郭祚榮向記者表示,隨著紫光進一步加碼存儲產業(yè),對半導體設備國產化將會產生助益,關鍵在于國產設備能否滿足相關條件。

國泰君安研報指出,長江存儲是目前對于國產設備最為友好的產線之一。2017年至2018年,長江存儲共采購了17批共計約2000臺設備。其中,中微公司供應刻蝕設備,盛美半導體和北方華創(chuàng)等提供清洗設備等。后續(xù)隨著產能爬坡,北方華創(chuàng)、中微公司等設備廠商有望加速實現(xiàn)供應。

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