FET通過(guò)影響導(dǎo)電溝道的尺寸和形狀,控制從源到漏的電子流(或者空穴流)。溝道是由(是否)加在柵極和源極的電壓而創(chuàng)造和影響的(為了討論的簡(jiǎn)便,這默認(rèn)體和源極是相連的)。導(dǎo)電溝道是從源極到漏極的電子流。
耗盡模式
在一個(gè)n溝道“耗盡模式”器件,一個(gè)負(fù)的柵源電壓將造成一個(gè)耗盡區(qū)去拓展寬度,自邊界侵占溝道,使溝道變窄。如果耗盡區(qū)擴(kuò)展至完全關(guān)閉溝道,源極和漏極之間溝道的電阻將會(huì)變得很大,F(xiàn)ET就會(huì)像開(kāi)關(guān)一樣有效的關(guān)閉(如右圖所示,當(dāng)柵極電壓很低時(shí),導(dǎo)電溝道幾乎不存在)。類似的,一個(gè)正的柵源電壓將增大溝道尺寸,而使電子更易流過(guò)(如右圖所示,當(dāng)柵極電壓足夠高時(shí),溝道導(dǎo)通)。
增強(qiáng)模式
相反的,在一個(gè)n溝道“增強(qiáng)模式”器件中,一個(gè)正的柵源電壓是制造導(dǎo)電溝道所必需的,因?yàn)樗豢赡茉?a target="_blank">晶體管中自然的存在。正電壓吸引了體中的自由移動(dòng)的電子向柵極運(yùn)動(dòng),形成了導(dǎo)電溝道。但是首先,充足的電子需要被吸引到柵極的附近區(qū)域去對(duì)抗加在FET中的摻雜離子;這形成了一個(gè)沒(méi)有運(yùn)動(dòng)載流子的被稱為耗盡區(qū)的區(qū)域,這種現(xiàn)象被稱為FET的閾值電壓。更高的柵源電壓將會(huì)吸引更多的電子通過(guò)柵極,則會(huì)制造一個(gè)從源極到漏極的導(dǎo)電溝道;這個(gè)過(guò)程叫做“反型”。
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