雪崩光電二極管是一種p-n結(jié)型的光檢測(cè)二極管,其中利用了載流子的雪崩倍增效應(yīng)來放大光電信號(hào)以提高檢測(cè)的靈敏度。其基本結(jié)構(gòu)常常采用容易產(chǎn)生雪崩倍增效應(yīng)的Read二極管結(jié)構(gòu)(即N+PIP+型結(jié)構(gòu),P+一面接收光),工作時(shí)加較大的反向偏壓,使得其達(dá)到雪崩倍增狀態(tài);它的光吸收區(qū)與倍增區(qū)基本一致(是存在有高電場(chǎng)的P區(qū)和I區(qū))。
目前光纖通信系統(tǒng)中使用的雪崩光電二極管結(jié)構(gòu)形式有保護(hù)環(huán)型和拉通(又稱通達(dá))型.前者是在制作時(shí)淀積一層環(huán)形的N型材料,以防止在高反壓時(shí)使P-N結(jié)邊緣產(chǎn)生雪崩擊穿.下面主要介紹拉通型雪崩光電二極管( RAPD),它的結(jié)構(gòu)示意圖和電場(chǎng)分布如圖1所示.其中,圖(a)是縱向剖面的結(jié)構(gòu)示意圖;圖(b)是將縱向剖面順時(shí)針轉(zhuǎn)900的示意圖;圖(C)是它的電場(chǎng)強(qiáng)度隨位置的分布圖。
由圖(b)可見,它仍然是一個(gè)P-N結(jié)的結(jié)構(gòu)形式,只不過其中的P型材料是由三部分構(gòu)成,光子從P+層射人,進(jìn)入I層后,在這里,材料吸收了光能并產(chǎn)生了初級(jí)電子一空穴對(duì).這時(shí),光電子在I層被耗盡層的較弱的電場(chǎng)加速,移向P-N結(jié).當(dāng)光電子運(yùn)動(dòng)到高場(chǎng)區(qū)時(shí),受到強(qiáng)電場(chǎng)的加速作用出現(xiàn)雪崩碰撞效應(yīng),最后,獲得雪崩倍增后的光電子到達(dá)N+層,空穴被P+層吸收.P+之所以做成高摻雜,是為了減小接觸電阻以利與電極相連。
由圖(C)還可以看出,它的耗盡層從結(jié)區(qū)一直拉通到I層與P+層相接的范圍內(nèi),在整個(gè)范圍內(nèi)電場(chǎng)增加較?。@樣,這種RAPD器件就將電場(chǎng)分為兩部分,一部分是使光生載流子逐漸加速的較低的電場(chǎng),另一部分是產(chǎn)生雪崩倍增效應(yīng)的高電場(chǎng)區(qū),這種電場(chǎng)分布有利于降低工作電壓.
前面介紹了雪崩光電二極管具有雪崩倍增效應(yīng)這個(gè)有利面.但是,由于雪崩倍增效應(yīng)的隨機(jī)性,會(huì)帶來它的不利的方面,這就是這種隨機(jī)性將引入噪聲.
如果不采用APD,則必然要采用多級(jí)電的放大器.顯然,這也要引入噪聲.兩者相比,還是采用APD較為有利.雪崩光電二極管隨使用的材料不同有:Si-APD(工作在短波長(zhǎng)區(qū));Ge-APD,InGaAs-APD等(工作在長(zhǎng)波長(zhǎng)區(qū)).
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