聯(lián)發(fā)科發(fā)布全球首個5GSoC芯片 首批搭載5GSOC的終端將于2020年一季度上市

近期“2019年IMT-2020（5G）峰會”的一張芯片廠商5G測試情況圖引起了業(yè)界的討論。海思、聯(lián)發(fā)科技支持SA/NSA網(wǎng)絡模式，并分別完全完成測定、室內(nèi)測試；高通完成NSA測試。參與5G標準制定的聯(lián)發(fā)科技通信系統(tǒng)設計部門資深經(jīng)理傅宜康博士表示，聯(lián)發(fā)科技位處5G技術領先群。

聯(lián)發(fā)科技5G芯片不僅在終端低功耗技術和上行增強技術以及最高峰值速率方面具備優(yōu)勢，而且還是全球首個發(fā)布5GSoC芯片的廠商。

對于近期爭論許久的NSA和SA組網(wǎng)方式，由于中國移動董事長楊杰明確表示“明年1月1日開始，5G手機必須具備SA模式，NSA的手機就不可以入網(wǎng)了?！币鹆藰I(yè)界不小震動。

因為除了華為之外，其他手機廠商均采用的高通X50基帶芯片，僅支持NSA模式。中國移動的意外之舉讓芯片廠商有些措手不及，高通也加緊了下一代支持NSA/SA的X55發(fā)布節(jié)奏。

而此時聯(lián)發(fā)科技卻“意外壓對方向”。傅宜康透露，聯(lián)發(fā)科技在5G芯片初期規(guī)劃底層能力之時，就希望可以實現(xiàn)全球通用，因此考慮了支持NSA/SA組網(wǎng)模式。據(jù)了解，在4G發(fā)展初期2014年的時候，聯(lián)發(fā)科技就啟動了5G方面的研究。

在5G芯片設計上，聯(lián)發(fā)科技對NSA和SA的上行開發(fā)了覆蓋和速率的增強技術。聯(lián)發(fā)科技NSA模式的上行覆蓋提升技術可以帶來平均28%的上行速率提升；而聯(lián)發(fā)科技SA模式的上行覆蓋提升技術給UL上行控制信道預編碼技術帶來30%-60%覆蓋提升。40%UL高功率終端帶來40%上行覆蓋提升，約等效25%上行速率提升。

除了5G上行增強技術之外，在低功耗上一直是聯(lián)發(fā)科技的強項。由于更大的帶寬，更高的速率和更低時延，5G終端功耗高于4G。在終端電池容量依然有限的情況下，如何讓實現(xiàn)終端低功耗關乎著用戶的使用體驗。

聯(lián)發(fā)科技以“無數(shù)據(jù)傳輸時盡可能避免不必要的功耗”的技術理念，研發(fā)出BWP方案，也就是帶寬分段的節(jié)電方案，通過動態(tài)調(diào)整終端帶寬，在保持傳輸性能同時最大化節(jié)電的效果，讓終端的電池真正做到物盡其用。

據(jù)了解，聯(lián)發(fā)科技的這項BWP方案已經(jīng)被寫入了3GPPRel-15的標準里面。

在速率方面，HelioM70具備業(yè)界最高Sub-6GHz頻段傳輸規(guī)格4.7Gbps，為目前業(yè)界最快實測速度，華為Balong5000在Sub-6GHz頻段實現(xiàn)4.6Gbps，高通X50在Sub-6GHz頻段的速率是2.3Gbps。

而在5G芯片技術成熟度方面，“2019年IMT-2020（5G）峰會”上公布了目前5G芯片測試情況：海思、聯(lián)發(fā)科技支持SA/NSA網(wǎng)絡模式，海思完成了室內(nèi)和室外測試，聯(lián)發(fā)科技完成了室內(nèi)測試；高通完成NSA測試。

所以，聯(lián)發(fā)科技5G芯片不僅在終端低功耗技術和上行增強技術處于領先地位，而且在5G最高峰值速率方面也是最快的。

“可以說，聯(lián)發(fā)科技的5G芯片技術不輸大家認為的最強芯片。”傅宜康表示。

相比4G的稍稍落伍，聯(lián)發(fā)科技在5G方面先發(fā)制人，走在了5G領先行列。據(jù)透露，OV已經(jīng)開始考慮聯(lián)發(fā)科技和三星5G基帶芯片。

此前消息稱聯(lián)發(fā)科技最新5GSOC單芯片采用了7納米制程，今年Q3向主要客戶送樣，首批搭載5GSOC的終端將于2020年一季度上市。