供不應(yīng)求，車規(guī)級(jí)IGBT爆缺？
不過，車規(guī)級(jí)IGBT行業(yè)集中度極高。由于車規(guī)級(jí)IGBT模塊驗(yàn)證周期長、技術(shù)及可靠性要求高，目前全球供....
ICinsights：芯片下滑比預(yù)期更差
如圖所示，IC 市場自 2018 年第 4 季度至 2019 年第 2 季度以來沒有出現(xiàn)過三季度的下....
IGBT行業(yè)深度報(bào)告：IGBT技術(shù)發(fā)展趨勢
IGBT憑借著高功率密度、驅(qū)動(dòng)電路簡單以及寬安全工作區(qū)等特點(diǎn)，成為了中大功率、中低頻率電力電子設(shè)備的....
第三代半導(dǎo)體的特點(diǎn)與選型要素
第三代化合物半導(dǎo)體材料中，碳化硅（SiC）與方案商和中小設(shè)備終端制造商關(guān)系最大，它主要作為高功率半導(dǎo)....
IGBT功率模塊封裝結(jié)構(gòu)及失效機(jī)理
IGBT 功率模塊工作過程中存在開關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗，這些損耗以熱的形式耗散，使得在 IGBT 功率模....
IGBT國產(chǎn)化率加速攀升 IGBT國產(chǎn)化率有望達(dá)38%
? ? ? （報(bào)告出品方/作者：國金證券，樊志遠(yuǎn)、劉妍雪、鄧小路）
IGBT主要應(yīng)用市場空間
根據(jù)中國光伏行業(yè)協(xié)會(huì)的預(yù)測， 2025年全球和中國光伏新增裝機(jī)容量的中值分別為：300GW和100G....
MOS管和IGBT管到底有什么區(qū)別
IGBT作為新型電子半導(dǎo)體器件，具有輸入阻抗高，電壓控制功耗低，控制電路簡單，耐高壓，承受電流大等特....
深入剖析功率器件封裝失效分析及工藝優(yōu)化
【摘 要】 伴隨功率金氧半場效晶體管（mosfet）電流和工作電壓的大幅度增加，以及芯片尺寸的逐漸減....
報(bào)道稱晶圓代工龍頭臺(tái)積電將漲價(jià)
據(jù)臺(tái)媒經(jīng)濟(jì)日報(bào)報(bào)道，IC設(shè)計(jì)業(yè)者透露，明年初晶圓代工價(jià)格已經(jīng)敲定，不僅聯(lián)電8吋和12吋的晶圓代工價(jià)格....
半導(dǎo)體制造商正在擴(kuò)大2021年及以后的資本支出
來源：內(nèi)容由半導(dǎo)體行業(yè)觀察（ID:icbank）編譯自「semiwiki」，謝謝。 半導(dǎo)體制造商正在....
工商網(wǎng)監(jiān)