搜索歷史

清空
搜索熱詞
      0
      • 聊天消息
      • 系統(tǒng)消息
      • 評(píng)論與回復(fù)
      VIP于 到期 續(xù)費(fèi)
      登錄后你可以
      • 下載海量資料
      • 學(xué)習(xí)在線課程
      • 觀看技術(shù)視頻
      • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
      會(huì)員中心
      創(chuàng)作中心
      發(fā)布
      創(chuàng)作活動(dòng)

      完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你，還能領(lǐng)取20積分哦，立即完善>

      3天內(nèi)不再提示

      Semi Connect

      文章：177 被閱讀：50w 粉絲數(shù)：34 關(guān)注數(shù)：0 點(diǎn)贊數(shù)：7

      廣告

      襯底量子效應(yīng)簡(jiǎn)介

      隨著器件的特征尺寸減少到90mm 以下，柵氧化層厚度也不斷減小，載流子的物理特性不再遵從經(jīng)典理論，其....
      的頭像 Semi Connect 發(fā)表于 08-07 11:40 ?288次閱讀
      襯底量子效應(yīng)簡(jiǎn)介

      柵介質(zhì)層的發(fā)展和挑戰(zhàn)

      隨著集成電路工藝技術(shù)的不斷發(fā)展，為了提高集成電路的集成度，同時(shí)提升器件的工作速度和降低它的功耗，集成....
      的頭像 Semi Connect 發(fā)表于 08-02 15:37 ?226次閱讀
      柵介質(zhì)層的發(fā)展和挑戰(zhàn)

      多晶硅柵耗盡效應(yīng)簡(jiǎn)述

      當(dāng)柵與襯底之間存在壓差時(shí)，它們之間存在電場(chǎng)，靜電邊界條件使多晶硅靠近氧化層界面附近的能帶發(fā)生彎曲，并....
      的頭像 Semi Connect 發(fā)表于 08-02 09:14 ?901次閱讀
      多晶硅柵耗盡效應(yīng)簡(jiǎn)述

      接觸刻蝕阻擋層應(yīng)變技術(shù)介紹

      SMT僅僅是用來提高NMOS 的速度，當(dāng)工藝技術(shù)發(fā)展到45nm 以下時(shí)，半導(dǎo)體業(yè)界迫切需要另一種表面....
      的頭像 Semi Connect 發(fā)表于 07-30 09:42 ?587次閱讀
      接觸刻蝕阻擋層應(yīng)變技術(shù)介紹

      應(yīng)力記憶技術(shù)介紹

      應(yīng)力記憶技術(shù)（Stress Memorization Technique, SMT），是一種利用覆蓋....
      的頭像 Semi Connect 發(fā)表于 07-29 10:44 ?605次閱讀
      應(yīng)力記憶技術(shù)介紹

      源漏嵌入SiGe應(yīng)變技術(shù)簡(jiǎn)介

      與通過源漏嵌入 SiC 應(yīng)變材料來提高NMOS 的速度類似，通過源漏嵌入 SiGe 應(yīng)變材料可以提高....
      的頭像 Semi Connect 發(fā)表于 07-26 10:37 ?621次閱讀
      源漏嵌入SiGe應(yīng)變技術(shù)簡(jiǎn)介

      源漏嵌入SiC應(yīng)變技術(shù)簡(jiǎn)介

      源漏區(qū)嵌入SiC 應(yīng)變技術(shù)被廣泛用于提高90nm 及以下工藝制程 NMOS 的速度，它是通過外延生長(zhǎng)....
      的頭像 Semi Connect 發(fā)表于 07-25 10:30 ?425次閱讀
      源漏嵌入SiC應(yīng)變技術(shù)簡(jiǎn)介

      BiCMOS工藝制程技術(shù)簡(jiǎn)介

      按照基本工藝制程技術(shù)的類型，BiCMOS 工藝制程技術(shù)又可以分為以 CMOS 工藝制程技術(shù)為基礎(chǔ)的 ....
      的頭像 Semi Connect 發(fā)表于 07-23 10:45 ?1410次閱讀
      BiCMOS工藝制程技術(shù)簡(jiǎn)介

      HV-CMOS工藝制程技術(shù)簡(jiǎn)介

      BCD 工藝制程技術(shù)只適合某些對(duì)功率器件尤其是BJT 或大電流 DMOS 器件要求比較高的IC產(chǎn)品。....
      的頭像 Semi Connect 發(fā)表于 07-22 09:40 ?1348次閱讀
      HV-CMOS工藝制程技術(shù)簡(jiǎn)介

      BCD工藝制程技術(shù)簡(jiǎn)介

      1986年，意法半導(dǎo)體（ST）公司率先研制成功BCD工藝制程技術(shù)。BCD工藝制程技術(shù)就是把BJT，C....
      的頭像 Semi Connect 發(fā)表于 07-19 10:32 ?1880次閱讀
      BCD工藝制程技術(shù)簡(jiǎn)介

      PMOS工藝制程技術(shù)簡(jiǎn)介

      PMOS（Positive channel Metal Oxide Semiconductor，P ....
      的頭像 Semi Connect 發(fā)表于 07-18 11:31 ?921次閱讀
      PMOS工藝制程技術(shù)簡(jiǎn)介

      雙極型工藝制程技術(shù)簡(jiǎn)介

      本章主要介紹了集成電路是如何從雙極型工藝技術(shù)一步一步發(fā)展到CMOS 工藝技術(shù)以及為了適應(yīng)不斷變化的應(yīng)....
      的頭像 Semi Connect 發(fā)表于 07-17 10:09 ?619次閱讀
      雙極型工藝制程技術(shù)簡(jiǎn)介

      晶圓外緣為什么不利用-邊緣去除法

      觀察矽晶圓的外緣，可以發(fā)現(xiàn)有如圖4-6-1所示的邊緣磨邊加工。此種針對(duì)外緣進(jìn)行磨邊的加工，一般稱為“....
      的頭像 Semi Connect 發(fā)表于 05-11 11:00 ?391次閱讀
      晶圓外緣為什么不利用-邊緣去除法

      保護(hù)半導(dǎo)體晶片的“封裝”—保護(hù)晶片避免氣體或液體侵入

      完成打線的半導(dǎo)體晶片，為了防止外界物理性接觸或污染的侵入，需要以包裝或是封裝材料密封。
      的頭像 Semi Connect 發(fā)表于 04-28 14:28 ?647次閱讀
      保護(hù)半導(dǎo)體晶片的“封裝”—保護(hù)晶片避免氣體或液體侵入

      冗余電路保險(xiǎn)措施的導(dǎo)入—備用記憶體的機(jī)制

      在半導(dǎo)體記憶體中，例如一個(gè)1G的DRAM，代表一個(gè)半導(dǎo)體晶片上擁有10億個(gè)能夠記憶1 bit的資訊單....
      的頭像 Semi Connect 發(fā)表于 04-22 11:19 ?309次閱讀
      冗余電路保險(xiǎn)措施的導(dǎo)入—備用記憶體的機(jī)制

      半導(dǎo)體晶片的測(cè)試—晶圓針測(cè)制程的確認(rèn)

      將制作在晶圓上的許多半導(dǎo)體，一個(gè)個(gè)判定是否為良品，此制程稱為“晶圓針測(cè)制程”。
      的頭像 Semi Connect 發(fā)表于 04-19 11:35 ?651次閱讀
      半導(dǎo)體晶片的測(cè)試—晶圓針測(cè)制程的確認(rèn)

      關(guān)于兩種蝕刻方式介紹

      干式蝕刻是為對(duì)光阻上的圖案忠實(shí)地進(jìn)行高精密加工的過程，故選擇材料層與光阻層的蝕刻速率差（選擇比）較大....
      的頭像 Semi Connect 發(fā)表于 04-18 11:39 ?435次閱讀
      關(guān)于兩種蝕刻方式介紹

      晶圓熱處理目的及主要制程

      半導(dǎo)體制造過程的熱處理，指的是將矽晶圓放置在充滿氮?dú)猓∟2）或氫氣（Ar2）等惰性氣體環(huán)境中施予熱能....
      的頭像 Semi Connect 發(fā)表于 04-15 11:06 ?856次閱讀
      晶圓熱處理目的及主要制程

      薄膜制造法、堆疊法—薄膜堆疊制造流程

      在熱氧化法中，將矽放入高溫氧化爐，在氧氣與蒸氣的環(huán)境中使矽與氧產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)，長(zhǎng)成二氧化矽膜。
      的頭像 Semi Connect 發(fā)表于 04-09 11:12 ?1064次閱讀
      薄膜制造法、堆疊法—薄膜堆疊制造流程

      前段制程FEOL—晶圓上的元件制程

      此節(jié)以半導(dǎo)體的代表，CMOS-半導(dǎo)體為例，對(duì)前段制程FEOL進(jìn)行詳細(xì)說明。此說明將依照FEOL主要制....
      的頭像 Semi Connect 發(fā)表于 04-03 11:40 ?856次閱讀

      淺談半導(dǎo)體制造的前段制程與后段制程

      前段制程包括：形成絕緣層、導(dǎo)體層、半導(dǎo)體層等的“成膜”；以及在薄膜表面涂布光阻（感光性樹脂），并利用....
      的頭像 Semi Connect 發(fā)表于 04-02 11:16 ?3353次閱讀

      物聯(lián)網(wǎng)的體系架構(gòu)

      物聯(lián)網(wǎng) (Internet of Things, IoT)誕生之初專指依托射頻識(shí)別（RFID）技術(shù)的....
      的頭像 Semi Connect 發(fā)表于 02-22 09:49 ?1013次閱讀
      物聯(lián)網(wǎng)的體系架構(gòu)

      簡(jiǎn)單認(rèn)識(shí)觸控芯片

      觸控芯片是指能夠集成和完成單點(diǎn)或多點(diǎn)觸控技術(shù)的芯片，其擁有多種特點(diǎn)。
      的頭像 Semi Connect 發(fā)表于 02-21 09:38 ?879次閱讀

      電荷耦合器件的優(yōu)勢(shì)與應(yīng)用都有哪些？

      電荷耦合器件 (Charge Coupled Device,CCD）是一種半導(dǎo)體器件，它的基本單元是....
      的頭像 Semi Connect 發(fā)表于 02-20 17:30 ?571次閱讀

      磁強(qiáng)計(jì)是如何定義的？磁強(qiáng)計(jì)有哪些分類？

      磁強(qiáng)計(jì)(Magnetic Field Sensor)也稱磁場(chǎng)傳感器（Magnetometer），是一....
      的頭像 Semi Connect 發(fā)表于 02-19 15:47 ?2470次閱讀

      基于有機(jī)半導(dǎo)體的有機(jī)發(fā)光二極管設(shè)計(jì)

      有機(jī)發(fā)光二極管 (Organic Light Emitting Diode, OLED）是一種基于有....
      的頭像 Semi Connect 發(fā)表于 01-26 10:22 ?687次閱讀
      基于有機(jī)半導(dǎo)體的有機(jī)發(fā)光二極管設(shè)計(jì)

      光電二極管的基本工作原理介紹

      光電二極管（Photodiode）通常由一個(gè) pn 結(jié)構(gòu)成，它在某些特定入射光的照射下會(huì)產(chǎn)生額外的光....
      的頭像 Semi Connect 發(fā)表于 01-24 16:15 ?1299次閱讀
      光電二極管的基本工作原理介紹

      簡(jiǎn)單認(rèn)識(shí)光電器件

      光電器件（Optoelectronic Devices）是以光-電子（或電子-光）轉(zhuǎn)換效應(yīng)為工作原理....
      的頭像 Semi Connect 發(fā)表于 01-23 09:12 ?778次閱讀

      MOS門控晶閘管的工作原理解析

      MOS 門控晶閘管 ( MOS Controlled Thyristor, MCT）是結(jié)合雙極功率晶....
      的頭像 Semi Connect 發(fā)表于 01-22 14:02 ?1191次閱讀
      MOS門控晶閘管的工作原理解析

      簡(jiǎn)單認(rèn)識(shí)發(fā)射極關(guān)斷晶閘管

      發(fā)射極關(guān)斷 (Emitter Turn-Off， ETO）晶閘管具有柵極截止晶閘管的耐高電壓和高電流....
      的頭像 Semi Connect 發(fā)表于 01-19 16:23 ?598次閱讀
      簡(jiǎn)單認(rèn)識(shí)發(fā)射極關(guān)斷晶閘管