隨著電動(dòng)汽車的快速發(fā)展,充電樁作為電動(dòng)汽車產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)越來越受到中央和地方政府的重視,對(duì)充電樁電源模塊的要求也越來越高,充電模塊屬于電源產(chǎn)品中的一大類,好比充電樁的“心臟”,不僅提供能源電力,還可對(duì)電路進(jìn)行控制、轉(zhuǎn)換,保證了供電電路的穩(wěn)定性,模塊的性能不僅直接影響充電樁整體性能,同樣也關(guān)聯(lián)著充電安全問題。同時(shí),充電模塊占整個(gè)充電樁整機(jī)成本的一半以上,也是充電樁的關(guān)鍵技術(shù)核心之一。因此,作為充電樁的設(shè)備生產(chǎn)廠家,面對(duì)激烈的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng),避免在行業(yè)洗牌階段被無情的淘汰出局的悲劇命運(yùn),必須掌握并自主研發(fā)生產(chǎn)性價(jià)比高的充電模塊。
一、 充電模塊生產(chǎn)廠家
各主流充電機(jī)模塊的型號(hào)、技術(shù)方案,技術(shù)參數(shù)和尺寸等相關(guān)參數(shù)如下表所示:
目前市場(chǎng)上出貨量前三名為深圳的英可瑞,華為和英飛源。市場(chǎng)上還有深圳的維諦技術(shù)(艾默生),盛弘,麥格米特,核達(dá)中遠(yuǎn)通,新亞東方,金威源,優(yōu)優(yōu)綠源,中興、凌康技術(shù),健網(wǎng)科技,菊水皇家,泰坦、奧特迅,英耐杰,科士達(dá),臺(tái)灣的飛宏,華盛新能,石家莊的通合電子,杭州的中恒電氣,北京的中思新科等廠家在對(duì)外銷售或自家充電樁使用。
二、 充電模塊的主流拓?fù)?/p>
1、前級(jí)PFC的拓?fù)浞绞剑?/p>
(1)三相三線制三電平VIENNA:
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目前市場(chǎng)上充電模塊主流的PFC拓?fù)浞绞饺缟蠄D所示:三相三線制三電平VIENNA,英可瑞,英飛源,艾默生,麥格米特,盛弘,通合等均采用此拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。此拓?fù)浞绞矫肯嗫梢缘刃橐粋€(gè)BOOST電路。
由于VIENNA整流器具有以下諸多優(yōu)點(diǎn),使得其十分適合作為充電機(jī)的整流裝置的拓?fù)洹?/p>
1、大規(guī)模的充電站的建設(shè)需要大量的充電機(jī),成本的控制十分必要,VIENNA整流器減少了功率開關(guān)器件個(gè)數(shù)同時(shí)其三電平特性降低了功率開關(guān)管最大壓降,可以選用數(shù)量較少且相對(duì)廉價(jià)的低電壓等級(jí)的功率器件,大大降低了成本;
2、功率密度即單位體積的功率大小也是充電機(jī)的重要指標(biāo),VIENNA整流器控制頻率高的特點(diǎn)使電感和變壓器的體積減小,很大程度上縮小了充電機(jī)的體積,提高了功率密度;
3、VIENNA整流器的高功率因數(shù)和低諧波電流,使充電機(jī)不會(huì)給電網(wǎng)帶來大量的諧波污染,有利于充電站的大規(guī)模建設(shè)。因此,主流的充電模塊廠家均以VIENNA整流器作為充電機(jī)的整流裝置拓?fù)洹?/p>
4、每相兩個(gè)MOS管是反串聯(lián),不會(huì)像PWM整流器那樣存在上下管直通的現(xiàn)象,不需要考慮死區(qū),驅(qū)動(dòng)電路也相對(duì)容易實(shí)現(xiàn)。
缺點(diǎn):
1、輸出中性點(diǎn)平衡問題:中性點(diǎn)電壓的波動(dòng)會(huì)增加注入電網(wǎng)電流的諧波分量,中性點(diǎn)電壓嚴(yán)重偏離時(shí)會(huì)導(dǎo)致開關(guān)器件以及直流側(cè)電流承受過高電壓而損壞。因此必須考慮直流側(cè)中性點(diǎn)電位的平衡問題;
2、能量只能單向傳遞。
(2)兩路交錯(cuò)并聯(lián)三相三線制三電平VIENNA:
杭州中恒電氣自主研發(fā)使用的充電模塊采用的是兩路交錯(cuò)并聯(lián)三相三線制三電平VIENNA的PFC拓?fù)浞绞健?刂品绞剑旱谝籚ienna變換器的A相驅(qū)動(dòng)信號(hào)與第二Vienna變換器的A相驅(qū)動(dòng)信號(hào)同頻率同幅值、占空比各自獨(dú)立、相位錯(cuò)開180°;第一Vienna變換器的B相驅(qū)動(dòng)信號(hào)與第二Vienna變換器的B相驅(qū)動(dòng)信號(hào)同頻率同幅值、占空比各自獨(dú)立、相位錯(cuò)開180°;第一Vienna變換器的C相驅(qū)動(dòng)信號(hào)與第二Vienna變換器的C相驅(qū)動(dòng)信號(hào)同頻率同幅值、占空比各自獨(dú)立、相位錯(cuò)開180°。通過兩個(gè)變換器的并聯(lián),使得開關(guān)管和二極管電流應(yīng)力降低一半,可使用傳統(tǒng)半導(dǎo)體器件;通過交錯(cuò)并聯(lián)技術(shù),總輸入電流波動(dòng)減小,從而減少電磁干擾,減小濾波器體積;用兩個(gè)分散的發(fā)熱器件代替一個(gè)集中的發(fā)熱器件,在總熱量沒增加的基礎(chǔ)上可方便PCB布局和熱設(shè)計(jì)。另外此拓?fù)湓谳p載時(shí),可仍然實(shí)現(xiàn)輸入電流連續(xù),減少了干擾。
(3)單相交錯(cuò)式三相三線制三電平VIENNA:
華為使用的充電模塊采用的是單相交錯(cuò)式三相三線制三電平VIENNA的PFC拓?fù)浞绞?。此拓?fù)浞绞綄⑷噍斎敕纸鉃槿齻€(gè)單相的交錯(cuò)式的PFC電路,每個(gè)之間相互交差120°。而每一路的驅(qū)動(dòng)MOS管相互交差180°。這樣可以降低輸入紋波電流和輸出電壓紋波,從而減小減小BOOST升壓電感的尺寸,減小輸出濾波電容的容量。同時(shí)降低EMI,縮減EMI磁性元器件大小,減小線路的均方根電流等,提高整機(jī)效率。
2、后級(jí)DC-DC的拓?fù)浞绞剑?/p>
(1)兩組交錯(cuò)式串聯(lián)二電平全橋LLC:
(2)兩組交錯(cuò)式并聯(lián)二電平全橋LLC:
目前英可瑞,麥格米特的750V的充電模塊均采用的是兩組交錯(cuò)式串聯(lián)二電平全橋LLC,500V的充電模塊采用的是兩組交錯(cuò)式并聯(lián)二電平全橋LLC。
優(yōu)點(diǎn):
1、根據(jù)母線電壓,將分成上下兩個(gè)全橋的LLC控制,可以在不增加開關(guān)管應(yīng)力的情況下,使用成熟的二電平全橋LLC控制電路;
2、采用全橋LLC算法,可以實(shí)現(xiàn)整流二極管的零電流關(guān)斷,提高效率,減小EMI;
3、輕載特性比較好。
缺點(diǎn):
通過調(diào)節(jié)頻率實(shí)現(xiàn)輸出電壓的調(diào)節(jié),難以實(shí)現(xiàn)輸出電壓的寬范圍調(diào)節(jié),諧振電感和變壓器設(shè)計(jì)困難,開關(guān)頻率不固定,難以實(shí)現(xiàn)更大容量。
(3)三電平全橋移相ZVS:
英飛源、維諦技術(shù)(原艾默生)采用的這種三電平全橋移相ZVS。
1、采用三電平技術(shù),可以減小開關(guān)管的電壓應(yīng)力,從而使用650V的MOS管,提高整機(jī)開關(guān)頻率,減小輸出濾波電感的尺寸;
2、移相全橋技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)輸出電壓的寬范圍調(diào)節(jié),同時(shí)輸出電壓紋波小;
3、變壓器不需要開氣隙,有利于磁性元器件的功率密度的提升;
4、容易做在大功率,大容量。
不足之處:
1、 輕載時(shí),滯后臂不容易實(shí)現(xiàn)軟開關(guān);
2、 整流二極管為硬開關(guān),反向恢復(fù)電壓尖峰高,EMI大;
3、 占空比丟失。
(4)三相交錯(cuò)式LLC:
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華為,通合電子采用的這種三相交錯(cuò)式LLC。該轉(zhuǎn)換器包含3個(gè)普通LLC諧振DC-DC轉(zhuǎn)換器,每個(gè)轉(zhuǎn)換器分別以120°相位差運(yùn)行。輸出電容的紋波電流得以顯著減小,提高功率密度。變壓器可以由3個(gè)小尺寸的磁性組合,減小整機(jī)的高度。但是其控制復(fù)雜。
(5)三電平全橋LLC:
盛弘電氣,茂碩電源采用三電平全橋LLC。
(6)兩組交錯(cuò)式串聯(lián)二電平全橋移相ZVZCS:
(7)兩組交錯(cuò)式并聯(lián)二電平全橋移相ZVZCS:
兩組交錯(cuò)式串聯(lián)二電平全橋移相ZVZCS和兩組交錯(cuò)式并聯(lián)二電平全橋移相ZVZCS兩種方案跟上述(1)(2)的結(jié)構(gòu)方式類似,只是采用了不同的控制算法,一種為全橋LLC,一種為全橋移相。
優(yōu)缺點(diǎn) | LLC拓?fù)?/td> | 移相拓?fù)?/td> |
優(yōu)點(diǎn) | 效率高 | 寬輸入、寬輸出調(diào)節(jié)范圍 |
全負(fù)載范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)ZVS軟開關(guān) | 低輸出紋波 | |
低的EMI電磁干擾 | 易于實(shí)現(xiàn)次級(jí)側(cè)同步整流 | |
易于高壓電壓輸出 | 易于大功率擴(kuò)展 | |
缺點(diǎn) | 輸出紋波大 | 滯后臂難實(shí)現(xiàn)ZVS,開關(guān)損耗大(但ZCS容易實(shí)現(xiàn)) |
諧振電感,變壓器設(shè)計(jì)困難 | 整流二極管工作在硬開關(guān),損耗大,反射尖峰電壓大 | |
難實(shí)現(xiàn)寬輸入和寬輸出調(diào)節(jié) | 副邊占空比丟失(ZCS漏感?。?/td> |
三、?????????????充電模塊技術(shù)要求和特點(diǎn)及發(fā)展方向
序號(hào) | 名稱 | 技術(shù)要求及特點(diǎn) | 發(fā)展現(xiàn)狀及方向 |
1 | 單模塊功率 | 目前充電樁上使用的主流充電模塊功率為單機(jī)15KW,少數(shù)為單機(jī)10KW,如通合電子。 |
1、??從2014年的7.5KW,到2015年的恒流20A 15KW模塊,到2016年的恒功率25A 15KW模塊的發(fā)展進(jìn)程; 2、??今年上半年英飛源,英可瑞,通合電子,中興等廠家均已開發(fā)出20KW充電模塊樣機(jī),并且尺寸跟15KW比較,均為2U,只是深度部分廠家加長(zhǎng)了。但很少正式運(yùn)用到充電樁中長(zhǎng)期運(yùn)行檢驗(yàn)。個(gè)人認(rèn)為20KW充電模塊只是一個(gè)過渡產(chǎn)品。(只是對(duì)原有的15KW進(jìn)行了功率升級(jí)); 3、??目前優(yōu)優(yōu)綠源,金威源,新亞東方,麥格米特,飛宏均已開發(fā)出了30KW充電模塊樣機(jī),但都處理測(cè)試階段。人個(gè)認(rèn)為30KW將會(huì)成為主流(1、30KW單機(jī)模塊平均每瓦成本降低不少;2、30KW的尺寸有的是3U高度,或2U高度+超過300的寬度,相對(duì)20KW模塊尺寸增加不大;3、充電樁肯定是向大功率方向發(fā)展,如350KW和400KW,相對(duì)單機(jī)15KW模塊,30KW模塊數(shù)量減小一半,充電樁可靠性高)。 |
2 | 寬輸出電壓 | 市場(chǎng)主流模塊分為200Vdc~500Vdc和200Vdc~750Vdc。 |
1、??國(guó)網(wǎng)發(fā)布2017版《電動(dòng)汽車充電設(shè)備供應(yīng)商資質(zhì)能力核實(shí)標(biāo)準(zhǔn)》指出直流充電機(jī)輸出電壓范圍為200V~750V,恒功率電壓區(qū)間至少覆蓋400V~500V和600V~750V。因此,各模塊廠家均為模塊升級(jí)成200Vdc~750Vdc且滿足恒功率的要求; 2、??隨著電動(dòng)汽車?yán)m(xù)航里程的增加,以及車主對(duì)縮減充電時(shí)間的愿望,大功率充電即350KW,1000V將成為必然的發(fā)展方向。因此,模塊輸出電壓會(huì)增加到1000V。 3、??目前英可瑞已開發(fā)出1000V,15KW的模塊機(jī)樣,麥格米特已開發(fā)出950V,30KW的模塊機(jī)樣。 |
3 | 寬輸入電壓 | 市場(chǎng)主流模塊的輸入電壓范圍為380±20%(305~456VAC),頻率范圍為45~65Hz。而英可瑞,英飛源等廠家的輸入電壓范圍標(biāo)稱:(260~530VAC) | 個(gè)人認(rèn)為輸入電壓范圍為380±20%(305~456VAC),頻率范圍為45~65Hz就可以滿足充電樁的現(xiàn)場(chǎng)應(yīng)用,不必?cái)U(kuò)展更寬的輸入電壓范圍。 |
4 | 高頻化 | 市場(chǎng)上目前前級(jí)PFC的開關(guān)頻率在40~60KHZ之間,后級(jí)移相全橋固定頻率均在100KHZ以下,而全橋LLC的主諧振點(diǎn)頻率也在100KHZ以下。 | 隨著單機(jī)模塊功率的加大,而體積又不能成比例增大的情況下,不管是前級(jí)PFC還是后級(jí)的DC-DC,只有進(jìn)一步增加開關(guān)頻率才能實(shí)現(xiàn)增大功率密度。 |
5 | 高效率 | 市場(chǎng)上所有廠家的模塊,基本上峰值效率在95%到96%左右。 | 隨著98%超高效率技術(shù)和寬禁帶器件在通信電源市場(chǎng)的成熟,從技術(shù)角度考慮,將目前的充電樁模塊效率提升到98%是完全可能的。但從投資回報(bào)率考慮,效率為98%充電模塊毫無市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力,因此,只有等到碳化硅和氮化鎵等器件平民化之后,充電樁超高效率的模塊才能商業(yè)化。 |
6 | 散熱方式 | 目前市場(chǎng)上所有廠家的模塊的散熱方式均為強(qiáng)迫風(fēng)冷方式,前進(jìn)風(fēng)后排風(fēng)的方式(風(fēng)機(jī)質(zhì)量和壽命將會(huì)制約整機(jī)模塊的壽命)。 | 基于模塊故障率高的問題,一些廠家提出了水冷和封閉冷風(fēng)道的想法。但就目前國(guó)內(nèi)充電樁行業(yè)如此低毛利的現(xiàn)狀,水冷充電模塊這種奢侈品基本可以審判死刑。 |
7 | 功率密度 | 目前以15KW為主流模塊的功率密度2.0W/cm3 | 在將來,直流充電樁為了滿足不同場(chǎng)景充電的需求,體積是一個(gè)比較重新的問題,對(duì)于模塊來說,盡可能做出超高功率密度的模塊,這樣可以使體積更緊湊,節(jié)省占地面積。預(yù)期功率密度為達(dá)到3.0W/cm3。 |
8 | 布局方式 |
1、??目前市場(chǎng)上所有廠家的模塊的都是后進(jìn)線后輸出方式; 2、??尺寸多數(shù)為2U高度,絕大數(shù)都分上下兩塊電路板,一塊為前級(jí)PFC板,另外一塊為DC-DC板。每塊電路板的高度為1U,上下疊加為2U的整機(jī)高度。但英可瑞,麥格米特是一塊2U的電路板;(英可瑞以開發(fā)出1U高度15KW樣機(jī)) 3、控制電路板英可瑞以插板方式,其他廠家都是跟主板一體; 4、均是雙控制芯片,多數(shù)為雙DSP,麥格米特為DSP+ARM方式; 5、輔助電源方式:(1)反激,取母線總電壓方式;(3)反激雙管,取母線上下兩電壓交錯(cuò); 6、顯示方式:(1)3個(gè)發(fā)光二極管(運(yùn)行,故障,報(bào)警);(2)3個(gè)發(fā)光二極管+3位數(shù)碼管; 7、通信地址方式:(1)軟件ID自動(dòng)識(shí)別;(2)硬件拔碼開關(guān);(3)硬件8421數(shù)字編碼器。 |
四、自主研發(fā)方案
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序號(hào) | 項(xiàng)目 | 初步方案 |
1 | 單機(jī)功率 | 開發(fā)20KW機(jī)樣,輸出電壓范圍為200V~750V,恒功率電壓區(qū)間覆蓋400V~500V和600V~750V。電氣間隙和爬電距離按1000V電壓等級(jí)設(shè)計(jì),以便于后期擴(kuò)容擴(kuò)壓。 |
2 | 模塊尺寸 | 初步限定:寬*深*高——250*400*88mm |
3 | 前級(jí)PFC拓?fù)?/td> | 常規(guī)的三電平VIENNA拓?fù)洌ㄆ骄娏魉惴?中點(diǎn)平衡+電壓前饋)MOS管和二極管均采用雙管并聯(lián)方式,以便于后期擴(kuò)容。 |
4 | 后級(jí)DC-DC拓?fù)?/td> | 兩組交錯(cuò)式串聯(lián)二電平全橋移相ZVZCS拓?fù)?。上下母線各以10KW功率設(shè)計(jì),兩組進(jìn)行交錯(cuò)式串聯(lián)。 |
5 | 布局 |
分上下兩塊主功率板: 1、??前級(jí)PFC功率主板+輔助電源電路;高度1U; 2、??后極DC-DC功率主板+控制板;高度1U; 3、??兩板之間信號(hào)通過牛角排線方式連接。 |
6 | 控制芯片 | 單一雙核DSP ?F28377D+2個(gè)UCC2895(兩芯片時(shí)鐘相位差180度) |
7 | 顯示方式 | 4位數(shù)碼管方式,通過一個(gè)按鍵切換輸出電壓和電流的顯示以及故障代碼 |
8 | 通信地址方式 | 硬件設(shè)置,6位拔碼開關(guān),?0~63,最大支持64個(gè)模塊并聯(lián) |
9 | 散熱方式 | 采用2個(gè)四線制超高速PWM調(diào)速直流風(fēng)扇。12V/2.5A |
10 | 溫度采樣 | 支持4路溫度采樣電路 |
11 | CAN通信 | 隔離型CAN通信接口,用于用戶數(shù)據(jù)交互,數(shù)字均流和數(shù)據(jù)傳輸。 |
12 | RS232通信 | 用于本地程序更新 |
13 | 內(nèi)置泄放電路 | 模塊停機(jī)后自動(dòng)泄放電解電容能量。 |
14 | 輔助電源 | 輸入電壓取自上下母線電壓,采用雙管交錯(cuò)式反激方式。 |
15 | 開關(guān)頻率 | 前級(jí)PFC開關(guān)頻率50KHZ,后級(jí)DC-DC開關(guān)頻率暫定70KHZ |
1、??初步方案:
2、控制板配置方案對(duì)比?
方案1:DSP+ARM方案?
方案2:DSP+ARM方案
方案對(duì)比:如下表
序號(hào) | 類型 | 方案1:DSP+ARM方案 | 方案2:DSP+ARM方案 |
1 | 簡(jiǎn)述 | 方案1采用單板結(jié)構(gòu)方式,核心板:雙核DSP F28377+STM32F407,DSP負(fù)責(zé)PFC和DC-DC的控制以及CAN通信。STM32F407負(fù)責(zé)數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)與傳輸 | 方案2采用雙板結(jié)構(gòu)方式,PFC控制板采用DSP F28026只負(fù)責(zé)PFC的相關(guān)控制。DCDC控制板采用DSP F28035負(fù)責(zé)DC-DC的控制,同時(shí)負(fù)責(zé)CAN通信,風(fēng)扇控制等。 |
2 | 成本對(duì)比 | DSP F28337D 132元;STM32F407 43元;FLASH 16元;RAM 15元;以太網(wǎng)驅(qū)動(dòng)?6元;3個(gè)RJ45 18元??傆?jì):230元 | DSP F28026 30元;DSP F28035 37元;DA轉(zhuǎn)換器?35元??傆?jì):102元 |
3 | 優(yōu)點(diǎn) |
1、??便于公司控制硬件平臺(tái)建立,擴(kuò)展其他產(chǎn)品。 2、??具備數(shù)據(jù)存儲(chǔ)和傳輸功能; |
1、??分開為雙控制板,有利于PFC和DCDC單獨(dú)控制,軟件和人員可以分開,結(jié)構(gòu)布局方便; 2、??相對(duì)于方案1,成本至少降低128元。 |
4 | 缺點(diǎn) |
1、??成本高; 2、??單板不便于布局,兩種不同類型芯片不便于軟件人員編程。 |
1、??只能單獨(dú)使用此充電模塊電源,不便于擴(kuò)展; 2、??無數(shù)據(jù)存儲(chǔ)和傳輸功能。 |
5 | 結(jié)論 | 雖然成本稍微貴一點(diǎn),鑒于公司的長(zhǎng)期發(fā)展和規(guī)劃,此次采用方案1:DSP+ARM方案 |
3、充電模塊V2.0的主要任務(wù)
序號(hào) | 分類 | 功能名稱 | 描述 |
1 | 從無到有 | VIENNA |
前級(jí)PFC采用VIENNA拓?fù)浞绞?br />
1、選擇控制方式:平均電流控制SPWM+中點(diǎn)不平衡控制+電壓前饋控制; 2、建立數(shù)據(jù)模型,進(jìn)行數(shù)值仿真; 3、搭建硬件電路平臺(tái),PFC電感的設(shè)計(jì),功率開關(guān)的計(jì)算與選型,驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì),采樣電路的設(shè)計(jì)等; 4、基于DSP進(jìn)行軟件編程,PI參數(shù)調(diào)整及整機(jī)調(diào)試。 |
2 | 數(shù)據(jù)存儲(chǔ)與傳輸 |
整機(jī)控制系統(tǒng)采用雙核DSP ?F28377+STM32F407方案 1、??硬件電路板平臺(tái)搭建; 2、??數(shù)據(jù)存儲(chǔ)和傳輸軟件代碼編寫和調(diào)試; 3、??HMI界面的編寫和調(diào)試。 |
|
3 | 數(shù)字均流技術(shù) |
充電模塊需要多模塊并機(jī)運(yùn)行,因此需要各模塊的均流功能 1、??確立數(shù)字均流控制方案,建立數(shù)學(xué)仿真模型; 2、??軟件代碼編寫與整機(jī)調(diào)試。 |
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4 | 測(cè)試平臺(tái) |
電源開發(fā)必須具備相關(guān)的測(cè)試設(shè)備 1、??補(bǔ)全電源開發(fā)所必須的開發(fā)和測(cè)試工具; 2、??板級(jí)測(cè)試和整機(jī)測(cè)試工裝的建立和使用; 3、??老化實(shí)驗(yàn)平臺(tái)的建立和使用。 |
|
5 | 優(yōu)化設(shè)計(jì) | DC-DC |
后級(jí)DC-DC采用ZVZCS拓?fù)?br />
1、??建立數(shù)據(jù)模型,進(jìn)行數(shù)值仿真; 2、??進(jìn)行上下兩部分ZVZCS的交錯(cuò)控制; 3、??根據(jù)數(shù)值仿真,優(yōu)化設(shè)計(jì)二極管反向恢復(fù)導(dǎo)致的電壓尖峰問題;優(yōu)化設(shè)計(jì)隔直電容,吸收電路,變壓器匝比,變壓器漏感,超前臂并電容,死區(qū),輸出濾波電感,濾波電容等問題; 4、??建立熱模型,優(yōu)化處理熱管理和設(shè)計(jì); 5、??優(yōu)化設(shè)計(jì)電磁兼容EMC問題,特別是前后級(jí)共模電感和X電容,Y電容的選擇。 |
6 | 研發(fā)流程 |
以此項(xiàng)目為基礎(chǔ),梳理產(chǎn)品研發(fā)的流程 1、??完善原有的研發(fā)流程,使產(chǎn)品研發(fā)按正常的流程進(jìn)行; 2、??完善和執(zhí)行討論評(píng)審機(jī)制; 3、??完善硬件原理設(shè)計(jì)與計(jì)算,原理說明書編寫; 4、??完成軟件方案設(shè)計(jì),流程圖設(shè)計(jì),軟件模塊化設(shè)計(jì); 5、??完善測(cè)試大綱編寫和測(cè)試; 6、??完善產(chǎn)品中試要求和流程; |
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7 | 目標(biāo) |
1、20KW充電模塊,輸出電壓范圍為200V~750V,恒功率電壓區(qū)間覆蓋400V~500V和600V~750V; 2、滿足充電樁的基本需求,產(chǎn)品能夠可靠,長(zhǎng)期穩(wěn)定運(yùn)行; 3、具備小批量試產(chǎn)。 |
4、電源的發(fā)展方向和規(guī)劃
序號(hào) | 功能 | 類型 | 說明 |
1 | 充電模塊V2.1 |
簡(jiǎn)單 修補(bǔ) |
從如下方面優(yōu)化充電模塊V2.0的優(yōu)化:解決充電模塊V2.0存在的非關(guān)鍵而V2.0又難以調(diào)整的問題: 1、??優(yōu)化設(shè)計(jì),提高整機(jī)效率; 2、??優(yōu)化熱設(shè)計(jì)和熱管理,優(yōu)化散熱風(fēng)道; 3、??優(yōu)化設(shè)計(jì),縮減模塊尺寸,提高整機(jī)功率密度。 4、??元器件優(yōu)化,降低整機(jī)成本。 |
2 | 高壓高功率充電模塊 |
產(chǎn)品 衍生 |
1、??根據(jù)市場(chǎng)的需要,進(jìn)行單機(jī)功率30KW充電模塊的研發(fā); 2、??根據(jù)市場(chǎng)的需要,進(jìn)行輸出電壓高達(dá)1000V充電模塊的研發(fā)。 |
3 | 特種電源 |
產(chǎn)品 衍生 |
充電模塊為上下兩個(gè)DC-DC串聯(lián)方式,提高輸出電壓,而在電滲析電源主要是低壓大電流,因此,對(duì)后級(jí)進(jìn)行并聯(lián)設(shè)計(jì)和調(diào)試。 |
3 | AC-DC |
技術(shù) 升級(jí) |
一、VIENNA技術(shù)方向: 1、??優(yōu)化軟件控制算法(1)掌握單周期控制算法或(2)SVPWM控制算法,優(yōu)化平均電流SPWM控制算法的不足之處; 2、??2路交錯(cuò)式VIENNA的控制方式,便于充電模塊的擴(kuò)容; |
4 | DC-DC |
技術(shù) 升級(jí) |
后級(jí)DC-DC技術(shù)方向: 1、??完善和優(yōu)化二電平移相全橋ZVZCS技術(shù),特別是二極管反向尖峰的抑制; 2、??進(jìn)行二電平LLC技術(shù)的儲(chǔ)備,主流的電源控制方式,具備很多優(yōu)點(diǎn),從公司電源產(chǎn)品線的發(fā)展,此技術(shù)必須掌握運(yùn)用。 3、??進(jìn)行三電平移相全橋ZVS或三電平LLC技術(shù)的儲(chǔ)備,便于特高壓輸入的產(chǎn)品設(shè)計(jì)。 |
在充電模塊的電流檢測(cè)電路中,會(huì)使用霍爾電流傳感器,我們可以把電流檢測(cè)分為幾個(gè)范圍。
1,檢測(cè)5A到70A的直流或交流電流。
檢測(cè)5A到50A的直流或交流電一般選用芯片式的霍爾電流傳感器,比如
CH701電流傳感器IC,是工業(yè)、汽車、商業(yè)和通信系統(tǒng)中交流或直流電流傳感的經(jīng)濟(jì)而精確的解決方案。小封裝是空間受限應(yīng)用的理想選擇,同時(shí)由于減少了電路板面積而節(jié)省了成本。典型應(yīng)用包括電機(jī)控制、負(fù)載檢測(cè)和管理、開關(guān)電源和過電流故障保護(hù)。 參考文章:霍爾傳感器芯片該如何選型
CH701可以檢測(cè)到50A峰值的電流。
如果需要檢測(cè)更大電流,需要更高的隔離電壓,可以選擇更大電流范圍的產(chǎn)品,比如16腳的CH701W系列,電流范圍可以到70A,絕緣耐壓可以到4800Vrms:
2,檢測(cè)50A到200A的直流或交流電流。
可以選用直插型的電流傳感器
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CH704 是專為大電流檢測(cè)應(yīng)用開發(fā)的隔離集成式電流傳感芯片。CH704 內(nèi)置 0.1 mΩ 的初級(jí)導(dǎo)體電阻,有效降低芯片發(fā)熱支持大電流檢測(cè):±50A, ±100A, ±150A, ±200A。其內(nèi)部集成獨(dú)特的溫度補(bǔ)償電路以實(shí)現(xiàn)芯片在 -40 到150度全溫范圍內(nèi)良好的一致性。出廠前芯片已做好靈敏度和靜態(tài)(零電流)輸出電壓的校準(zhǔn),在全溫度范圍內(nèi)提供 ±2% 的典型準(zhǔn)確性。
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審核編輯:湯梓紅
評(píng)論
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