實驗結果 - 基于IR2110的H橋可逆PWM驅動電路應用

3．3、自舉二極管

自舉二極管用于防止上橋MOS管導通時母線高壓反竄入VCC端損壞IR2110芯片。反向耐壓必須大于母線高壓峰值［4］，電流必須大于柵極電荷與開關頻率之積，即

I＞F×QG（3）

通常選用漏電流小的快恢復二極管，反向恢復時間應小于IR2110導通傳播延時典型值120ｎS。若設PWM頻率F＝10ｋHｚ，IRF3205的柵極QG＝146ｎC，則自舉二極管的正向電流

I＞F×QG＝10×103×146×10－9＝1．46MA

4、實驗結果

在圖1基礎上，用TMS320LF2407A為控制器對他勵直流電機進行空載啟動與減速制動控制試驗。電機的銘牌參數(shù)如下：Vｎ＝24V，Iｎ＝62A，ｎE＝26000R／MIｎ［10］。主開關器件為功率MOS－FETIRF3205。PWM恒定頻率為10ｋHｚ，通過調節(jié)PWM的占空比調節(jié)他勵直流電機的電樞電壓，實現(xiàn)軟啟動與減速制動。

DSP的電機啟動PWM程序初始化設定占空比從10％開始，每隔20MS，檢測電樞電流ID，若ID超過2IE（IE電樞額定電流），則立即減小CM－PR1，即減小占空比，實施過流保護。若沒有超過，CMPR1增加一個步距，一般設定為T1PR周期計數(shù)值的0．2％－0．5％左右。所謂帶載突跳式啟動，保證啟動電磁轉矩大于負載轉矩，但又保證啟動電流不超過2倍額定電流（2IE）的逐漸上升軟啟動。DSP的電機減速制動PWM程序是逐漸減少占空比，直到為0。圖3（A）所示為軟啟動占空比達到30％時IR2110驅動的輸出的波形；圖3（B）所示為軟啟動結束占空比達到90％時IR2110驅動的輸出波形。

5、結論

功率MOSFET管集成驅動電路IR2110的自舉電路簡化了H橋高端懸浮電源配置問題，同時對自舉電路的參數(shù)優(yōu)化設計提出一定要求，對PWM控制頻率也有一定限制。通過分析IR2110的特性和驅動MOSFET的應用特點，介紹了IR2110的自舉電路優(yōu)化設計、MOSFET的保護電路等。在基于TMS320LDF2407A為控制器、IR2110為驅動器的他勵直流電機H橋PWM調速系統(tǒng)上實驗表明：IR2110能有效控制功率MOS－FET管實現(xiàn)他勵直流電機的軟啟動和減速制動以及過流保護。