晶體管恒流偏置電路
- 恒流(30276)
相關推薦
晶體管開關電路詳解
TTL晶體管開關電路按驅動能力分為小信號開關電路和功率開關電路。按晶體管連接方式分為發(fā)射極接地(PNP晶體管發(fā)射極接電源)和射手跟隨開關電路。
2023-07-03 10:12:18843
如何直流偏置達林頓晶體管電路
達林頓晶體管是一種眾所周知且流行的連接,使用一對雙極晶體管結型晶體管(BJT),設計用于像統(tǒng)一的“超β”晶體管一樣工作。下圖顯示了連接的詳細信息。
2023-06-29 10:06:49315
晶體管開關電路計算實例(一)
引言:三極管是電流型元件,利用偏置電阻產生大于0.7V的Vbe電壓,然后通過控制電流大小,使晶體管工作在不同的區(qū)。 因此關于晶體管電路的設計相關計算,基本用電流起手,而不是用電壓,這一點要與MOS的計算相區(qū)別開來。
2023-06-01 15:05:06756
晶體管溫控電路圖
晶體管溫控電路圖如圖是晶體管組成的繼電器延時吸合電路。剛接通電源時,16μF電容上電壓為零,兩個三極管都截止,繼電器不動作。隨著16μF電容的充電,過一段時間后,其上電壓達到高電平,兩個三極管都導通,繼電器延時吸合。延時時間可達60s。延時的時間長短可通過10MΩ電阻來調節(jié)。
2008-11-07 20:36:15
NMOS晶體管的閾值電壓公式 nmos晶體管的閾值電壓與哪些因素有關
nmos晶體管的閾值電壓公式為Vt=Vt0-γ(2φF/Cox),其中Vt0為晶體管的基礎閾值電壓,γ為晶體管的偏置系數(shù),φF為晶體管的反向偏置電勢,Cox為晶體管的歐姆容量。
2023-02-11 16:30:146418
晶體管開關電路設計——晶體管選型與確定偏置電阻
1、晶體管的選型:根據(jù)負載電流、負載電源電壓來確定具體晶體管型號,需要保證 Ic負載電流,Vceo負載電壓,Vcbo負載電壓 2、確定偏置電阻:基極電流大于1/倍,晶體管處于導通狀態(tài),而這個基極電流
2020-05-26 08:07:383898
NPN晶體管配置關系案例及電路
晶體管配置是NPN晶體管。我們還了解到雙極晶體管的結可以以三種不同的方式偏置 -公共基極,公共發(fā)射極和公共集電極。在本教程中,關于雙極晶體管,我們將更詳細地討論使用雙極NPN晶體管的“共發(fā)射極”配置,并舉例說明NPN晶體管的構造以及晶體管電流特性
2019-06-25 15:14:167407
晶體管效應的比較偏置及模式
雙極結型晶體管教程,我們看到晶體管的輸出集電極電流與流入器件基極端的輸入電流成正比,從而使雙極晶體管成為“電流”操作器件(Beta模型),因為電流較小可以用于切換較大的負載電流。
2019-06-25 11:53:383838
MOS晶體管的應用
mos晶體管,金屬-氧化物-半導體(Metal-Oxide-Semiconductor)結構的晶體管簡稱MOS晶體管,有MOS管構成的集成電路稱為MOS集成電路。
2019-04-19 17:04:526810
PNP型雙極數(shù)字晶體管(BRT)
這一系列數(shù)字晶體管的目的是取代一個單一的設備和它的外部電阻偏置網絡。偏置電阻晶體管(BRT)包含一個單一的偏置電阻網絡組成的兩個單晶體管;電阻和串聯(lián)基地基地發(fā)射極電阻。BRT消除這些單獨的組件,將它們集成到一個單一的設備。使用BRT可以降低系統(tǒng)成本和電路板空間。
2017-04-05 15:17:3414
晶體管精華集錦
《晶體管精華集錦》技術專題主要介紹了晶體管新品資訊、晶體管原理、晶體管手冊、晶體管電路圖、晶體管電路設計、晶體管應用(主要含晶體管收音機、晶體管測試儀)以及常見的晶體管(如:場效應晶體管,mos晶體管,絕緣柵雙極晶體管等)。本專題內容豐富、包羅萬象,希望對各位有所幫助!
2012-08-03 09:12:48
晶體管為基礎的電路
第3章著重介紹晶體管為基礎的電路。詳細并有注釋的例子包括各種PNP和NPN偏置的晶體管。
Chapter 3 of the NI Multisim Fundamental Circuits
2010-03-29 09:16:1247
晶體管放大電路圖解法應用的延伸
晶體管放大電路圖解法應用的延伸:晶體管電路圖解法是一種直觀的分析方法,通常只用于基本放大電路,即發(fā)射極接地共射電路的分析.若發(fā)射極串有電阻,即偏置電路具有穩(wěn)定
2009-10-26 09:20:0660
評論
查看更多