mos管驅(qū)動電機(jī)電路圖

驅(qū)動電路結(jié)構(gòu)

圖3中給出了驅(qū)動電路的電路圖。驅(qū)動電路采用Totem輸出結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，上拉驅(qū)動管為NMOS管N4、晶體管Q1和PMOS管P5。下拉驅(qū)動管為NMOS管N5。圖中CL為負(fù)載電容，Cpar為B點(diǎn)的寄生電容。虛線框內(nèi)的電路為自舉升壓電路。

本驅(qū)動電路的設(shè)計(jì)思想是，利用自舉升壓結(jié)構(gòu)將上拉驅(qū)動管N4的柵極（B點(diǎn)）電位抬升，使得UB》VDD+VTH ，則NMOS管N4工作在線性區(qū)，使得VDSN4 大大減小，最終可以實(shí)現(xiàn)驅(qū)動輸出高電平達(dá)到VDD。而在輸出低電平時(shí)，下拉驅(qū)動管本身就工作在線性區(qū)，可以保證輸出低電平位GND。因此無需增加自舉電路也能達(dá)到設(shè)計(jì)要求。

考慮到此驅(qū)動電路應(yīng)用于升壓型DC-DC轉(zhuǎn)換器的開關(guān)管驅(qū)動，負(fù)載電容CL很大，一般能達(dá)到幾十皮法，還需要進(jìn)一步增加輸出電流能力，因此增加了晶體管Q1作為上拉驅(qū)動管。這樣在輸入端由高電平變?yōu)榈碗娖綍r(shí)，Q1導(dǎo)通，由N4、Q1同時(shí)提供電流，OUT端電位迅速上升，當(dāng)OUT端電位上升到VDD-VBE時(shí)，Q1截止，N4繼續(xù)提供電流對負(fù)載電容充電，直到OUT端電壓達(dá)到VDD。

在OUT端為高電平期間，A點(diǎn)電位會由于電容Cboot 上的電荷泄漏等原因而下降。這會使得B點(diǎn)電位下降，N4的導(dǎo)通性下降。同時(shí)由于同樣的原因，OUT端電位也會有所下降，使輸出高電平不能保持在VDD。為了防止這種現(xiàn)象的出現(xiàn)，又增加了PMOS管P5作為上拉驅(qū)動管，用來補(bǔ)充OUT端CL的泄漏電荷，維持OUT端在整個(gè)導(dǎo)通周期內(nèi)為高電平。

驅(qū)動電路的傳輸特性瞬態(tài)響應(yīng)在圖4中給出。其中（a）為上升沿瞬態(tài)響應(yīng)，（b）為下降沿瞬態(tài)響應(yīng)。從圖4中可以看出，驅(qū)動電路上升沿明顯分為了三個(gè)部分，分別對應(yīng)三個(gè)上拉驅(qū)動管起主導(dǎo)作用的時(shí)期。1階段為Q1、N4共同作用，輸出電壓迅速抬升，2階段為N4起主導(dǎo)作，使輸出電平達(dá)到VDD，3階段為P5起主導(dǎo)作用，維持輸出高電平為VDD。而且還可以縮短上升時(shí)間，下降時(shí)間滿足工作頻率在兆赫茲級以上的要求。

mos管驅(qū)動電機(jī)電路圖，工作頻率和驅(qū)動信號的占空比不是很大，并且VMOS的功率規(guī)格也不是很大時(shí)，普通并不需求為VMOS配置特地的驅(qū)動電路。通用的CMOS半導(dǎo)體（互補(bǔ)金屬氧化物品體管邏輯IC）、TTL（晶體管邏輯）集成電路、常見的PWM專用IC的輸出級都能夠直接驅(qū)動VMOS。這種驅(qū)動方式普通適用于驅(qū)動信號的產(chǎn)生及控制電路與VMOS構(gòu)成的功率級電路共地的狀況。

TTL集成電路的邏輯電平為5V，輸出級通常由BJT（雙極性晶體管）組成，信號普通從集電極輸出，這就是常說的“集電極開路輸出”，當(dāng)然，輸出級也有采用MOSFET的，這就是“開漏輸出”。上述開路輸出方式需求外部電路配置偏置電阻，以樹立工作點(diǎn)，限定輸出電流。

mos管驅(qū)動電機(jī)電路圖的作用與電路原理圖

電機(jī)驅(qū)動電路的作用

電機(jī)驅(qū)動電路的作用指通過控制電機(jī)的旋轉(zhuǎn)角度和運(yùn)轉(zhuǎn)速度，以此來實(shí)現(xiàn)對占空比的控制，來達(dá)到對電機(jī)怠速控制的方式。

電機(jī)驅(qū)動電路原理圖及電路控制方案

電機(jī)驅(qū)動電路既可通過繼電器或功率晶體管驅(qū)動，也可利用可控硅或功率型MOS場效應(yīng)管驅(qū)動。為了適應(yīng)不同的控制要求（如電機(jī)的工作電流、電壓，電機(jī)的調(diào)速，直流電機(jī)的正反轉(zhuǎn)控制等），下面介紹幾種電機(jī)驅(qū)動電路，以滿足以上要求：

圖1

圖1電路利用了達(dá)林頓晶體管擴(kuò)大電機(jī)驅(qū)動電流，圖示電路將BG1的5A擴(kuò)流到達(dá)林頓復(fù)合管的30A，輸入端可用低功率邏輯電平控制。上述電路采用的驅(qū)動方式屬傳統(tǒng)的單臂驅(qū)動，它只能使電機(jī)單向運(yùn)轉(zhuǎn)，雙臂橋式推挽驅(qū)動可使控制更為靈活。

圖2

圖2為一款單端邏輯輸入控制的橋式驅(qū)動電路，它控制電機(jī)正反轉(zhuǎn)工作，這個(gè)電路的另一個(gè)特點(diǎn)是控制供電與電機(jī)驅(qū)動供電可以分開，因此它較好地適應(yīng)了電機(jī)的電壓要求。

圖3

圖3也為單端正負(fù)電平驅(qū)動橋式電路，它采用雙組直流電源供電，該電路實(shí)際是兩個(gè)反相單臂驅(qū)動電路的組合。圖3也能控制電機(jī)的正反轉(zhuǎn)。

圖4

圖4電路以達(dá)林頓管為基礎(chǔ)驅(qū)動電機(jī)的正反轉(zhuǎn)，它由完全對稱的兩部分組成。當(dāng)A、B兩輸入端之一為髙電平，另一端為低電平時(shí)，電機(jī)正轉(zhuǎn)或反轉(zhuǎn);當(dāng)兩輸入端同為高或低電平時(shí)，電機(jī)停轉(zhuǎn);如采用脈寬調(diào)制，則可控制電機(jī)的轉(zhuǎn)速，因此圖4具有四種組合輸入狀態(tài)，電機(jī)卻可以產(chǎn)生五種運(yùn)行狀態(tài)。這里箝位二極管D1、D2的加入具有重要的作用，它使達(dá)林頓管BG2，BG3不會產(chǎn)生失控，這在大功率下運(yùn)轉(zhuǎn)時(shí)更顯安全。本電路的另一特點(diǎn)是輸入控制邏輯電平的高低與電機(jī)的直流工 作電壓無關(guān)，用TTL標(biāo)準(zhǔn)電平就能可靠地控制。

圖5

與圖4相比，圖5的橋式驅(qū)動電路更為有趣，其一它是以低電平觸發(fā)電機(jī)運(yùn)轉(zhuǎn);其二控制端A、B具有觸發(fā)鎖定功能;其三具有多種保護(hù)，如D1、D2的觸發(fā)鎖定，D3—D6的功率管集電極保護(hù)等。因此本電路只有三種輸入狀態(tài)有效，電機(jī)仍有五種工作狀態(tài)。D1 ，D2的作用是：若A為低電平時(shí)，BG1、BG2、BG5導(dǎo)通，BG2集電極的髙電平將通過D2封鎖B端的輸入，保證BG6截止，若本電路采用TTL電路觸發(fā)，必須選用集電極開路門電路。

圖6

因電機(jī)對供電穩(wěn)定的要求并不高，圖6的驅(qū)動電路不失為一種交流供電方案，交流電經(jīng)全橋整流后，驅(qū)動并聯(lián)使用的MOS場效應(yīng)管Q1、Q2，R3、C1起濾波作用;續(xù)流二極管D用以防止高電壓對Q1、Q2的破壞。

圖7

圖7利用可控硅的整流特性驅(qū)動直流電機(jī)，本電路僅適用于小功率電機(jī)調(diào)速，R2，C3的濾波網(wǎng)絡(luò)可以吸收電機(jī)的反電動勢保護(hù)SCR，C2與L組成的濾波器，能抑制電網(wǎng)干擾。

圖8

用集成電路驅(qū)動電機(jī)的情況也較多，和一般的三端穩(wěn)壓器直接驅(qū)動不同，圖8電路使電機(jī)可以獲得從0V至7V的驅(qū)動電壓，因而具有低壓調(diào)速性能，IC1為 正輸出的固定穩(wěn)壓器，IC2為可調(diào)負(fù)輸出的四端穩(wěn)壓器，調(diào)節(jié)R1可以使電機(jī)獲得零電壓，由于IC2的散熱片內(nèi)部與輸入端相連，因此IC1， IC2可用公共散熱器，以適應(yīng)低壓工作。

圖9

圖9采用功率型運(yùn)放驅(qū)動電機(jī)，屬橋式驅(qū)動電路，控制信號從R1，R2，RP1， RP2組成的惠斯登電橋臂上得到，若RP2用于信號的檢測，電機(jī)對RP1進(jìn)行反饋跟蹤調(diào)節(jié)，則可實(shí)現(xiàn)誤差比例控制，這里L(fēng)M378可提供最大達(dá)1A的驅(qū)動電流，本電路在伺服系統(tǒng)中具有廣泛的應(yīng)用。