高性能帶隙基準(zhǔn)電壓源的總體電路圖

　　如下圖所示為一款高性能帶隙基準(zhǔn)電壓源的總體電路圖。本電路采用Chartered0.35靘CMOS工藝實(shí)現(xiàn)，采用3.3V電源電壓，在-40~100℃范圍內(nèi)，達(dá)到低于6ppm/℃的溫度系數(shù)，在1kHz和27℃下，電源抑制比達(dá)到82dB。

　　需要指出的是，為了避免零電流工作狀態(tài)，保證偏置基準(zhǔn)源進(jìn)入正常工作，增加了自啟動電路。啟動電路的工作過程為：在剛啟動時，MP7、MN5導(dǎo)通，對電容C1分別實(shí)現(xiàn)充、放電。隨著電源電壓的逐步建立，電容C1上電位逐漸提高，使MP7逐漸脫離飽和趨于截止，直至自啟動電路關(guān)閉。在啟動電路中，各MOS管寬長比的選擇要保證啟動過程的順利進(jìn)行，同時還應(yīng)注意啟動過程瞬間電流不能過大，啟動之后，啟動電路不對電流基準(zhǔn)源電路穩(wěn)態(tài)工作造成任何影響。

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電壓源(31438) 電壓源(31438)
基準(zhǔn)電壓源(20477) 基準(zhǔn)電壓源(20477)

基準(zhǔn)電壓源電路圖

TL431是一個性能優(yōu)良的基準(zhǔn)電壓集成電路。應(yīng)用于穩(wěn)壓、儀表、可調(diào)電源和開關(guān)電源中，特點(diǎn)是：可調(diào)輸出電壓范圍大，為2.5～ 36V；輸出阻抗較小，約為0.2Ω，吸收電流1～100mA，溫度系數(shù)30ppm/℃。器件的圖形符號見圖（a）。其內(nèi)部有一個2.5V的精密參考電壓源。

2023-07-21 17:50:33

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為什么要用基準(zhǔn)電壓源？如何選擇基準(zhǔn)電壓源？基準(zhǔn)電壓源怎么選型號？

電壓源，而是使用何種基準(zhǔn)電壓源。 基準(zhǔn)電壓源只是一個電路或電路元件，只要電路需要，它就能提供已知電位。基準(zhǔn)電壓源主要有兩類：分流和串聯(lián)。基準(zhǔn)電壓源只是一個電路或電路元件，只要電路需要，它就能提供已知電位。這可能是幾分鐘、幾小時或幾年。

2023-07-17 11:40:00

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用于基準(zhǔn)電壓產(chǎn)生的啟動電路設(shè)計

下拉晶體管源極輸出端即為啟動電路的啟動節(jié)點(diǎn)，該啟動節(jié)點(diǎn)連接帶隙基準(zhǔn)電路的PMOS電流鏡柵極，啟動電路工作時將帶隙基準(zhǔn)電路中的PMOS電流鏡柵極電平拉低，為三極管充電。用于啟動帶隙基準(zhǔn)電路，使帶隙基準(zhǔn)電路脫離錯誤工作狀態(tài)。

2023-07-06 16:05:43

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帶隙基準(zhǔn)電路集成有源器件仿真設(shè)計

帶隙基準(zhǔn)廣泛應(yīng)用于模擬集成電路中。帶隙基準(zhǔn)電路輸出的基準(zhǔn)電壓可以為模擬集成電路提供穩(wěn)定的參考電壓或參考電流

2023-07-06 10:45:02

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帶隙基準(zhǔn)電路設(shè)計原理

帶隙基準(zhǔn)廣泛應(yīng)用于模擬集成電路中。帶隙基準(zhǔn)電路輸出的基準(zhǔn)電壓可以為模擬集成電路提供穩(wěn)定的參考電壓或參考電流，

2023-07-06 10:42:01

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陶瓷基準(zhǔn)電壓源如何增強(qiáng)長期漂移性能

隨著準(zhǔn)確性的提高，其他誤差源變得更加明顯。長期漂移（LTD）就是這樣一個誤差源;這在更高性能的系統(tǒng)中尤其重要。LTD由上電時給定基準(zhǔn)電壓源的輸出電壓偏移來標(biāo)記，該偏移量隨時間以選定的時間間隔測量。1

2023-06-29 09:18:44

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精密逐次逼近型ADC設(shè)計基準(zhǔn)電壓源電路的研究

ADC片上集成基準(zhǔn)電壓源和基準(zhǔn)電壓源緩沖器，但這類器件在功耗或性能方面可能并非最佳--通常使用外部基準(zhǔn)電壓源電路才可達(dá)到最佳性能。本文探討基準(zhǔn)電壓源電路設(shè)計中遇到的挑戰(zhàn)和要求?！　?基準(zhǔn)電壓輸入　　逐次

2018-09-27 10:29:41

高精度基準(zhǔn)電壓源工作原理介紹

好壞就是整個電路性能的好壞。主要有以下4種:隱埋齊納二極管基準(zhǔn)電壓源、帶隙基準(zhǔn)電壓源、XFET基準(zhǔn)電壓源和E/DNMOS基準(zhǔn)電壓源。

2022-02-24 14:15:06

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高精度基準(zhǔn)電壓源的工作原理介紹

好壞就是整個電路性能的好壞。主要有以下4種:隱埋齊納二極管基準(zhǔn)電壓源、帶隙基準(zhǔn)電壓源、XFET基準(zhǔn)電壓源和E/DNMOS基準(zhǔn)電壓源。高精度基準(zhǔn)電壓源是從實(shí)際電源抽象出來的一種模型，在其兩端總能保持一定的電壓而不論流過的電流為

2022-01-20 16:52:17

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如何針對精密逐次逼近型ADC設(shè)計基準(zhǔn)電壓源電路

ADC 片上集成基準(zhǔn)電壓源和基準(zhǔn)電壓源緩沖器，但這類器件在功耗或性能方面可能并非最佳——通常使用外部基準(zhǔn)電壓源電路才可達(dá)到最佳性能。本文探討基準(zhǔn)電壓源電路設(shè)計中遇到的挑戰(zhàn)和要求。

2021-01-07 23:55:00

如何設(shè)計一個LDO帶隙基準(zhǔn)的電壓源

本論文設(shè)計的帶隙基準(zhǔn)電壓源電路是LDO電源管理芯片的一個核心電路之一，蒂隙基準(zhǔn)電路在DC-DC，A/D（模/數(shù)），D/A（數(shù)/模）等集成電路中都有廣泛的應(yīng)用。LDO穩(wěn)壓器因其超低壓差，以及成熟

2019-12-04 16:36:41

電壓基準(zhǔn)：性能和特點(diǎn)

在混合信號電路中要實(shí)現(xiàn)較高性能就需要更好的電壓基準(zhǔn)。但是，以往最高性能的基準(zhǔn)是不適合的，因?yàn)樗鼈兺ǔＪ菐缀鯖]有額外特點(diǎn)的簡單產(chǎn)品。隨著高性能帶隙基準(zhǔn)的發(fā)展，加上工藝技術(shù)的改進(jìn)，我們能夠

2018-06-04 01:47:00

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一種用于高精度DAC的實(shí)用型CMOS帶隙基準(zhǔn)源

本文根據(jù)基準(zhǔn)源的精度必須好于DAC設(shè)計精度指標(biāo)。利用負(fù)反饋和基本電流鏡等原理，合理設(shè)計電路的情況下得到了穩(wěn)定的PTAT電流，并根據(jù)帶隙基準(zhǔn)電壓源的設(shè)計原理得到一個高精度和快速啟動的CMOS帶隙基準(zhǔn)

2018-03-05 10:45:23

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帶隙基準(zhǔn)電路_cmos無運(yùn)放帶隙基準(zhǔn)源

本文為大家介紹一個cmos無運(yùn)放帶隙基準(zhǔn)源電路。

2018-01-11 16:52:50

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cmos帶隙基準(zhǔn)電壓源設(shè)計

帶隙是導(dǎo)帶的最低點(diǎn)和價帶的最高點(diǎn)的能量之差。也稱能隙。帶隙越大，電子由價帶被激發(fā)到導(dǎo)帶越難，本征載流子濃度就越低，電導(dǎo)率也就越低帶隙主要作為帶隙基準(zhǔn)的簡稱，帶隙基準(zhǔn)是所有基準(zhǔn)電壓中最受歡迎的一種

2017-11-24 15:45:20

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一種用于D/A轉(zhuǎn)換電路的帶隙基準(zhǔn)電壓源的設(shè)計

基準(zhǔn)電壓源在DAC電路中占有舉足輕重的地位，其設(shè)計的好壞直接影響著DAC輸出的精度和穩(wěn)定性。而溫度的變化、電源電壓的波動和制造工藝的偏差都會影響基準(zhǔn)電壓的特性。本文針對如何設(shè)計一個低溫度系數(shù)和高電源電壓抑制比的基準(zhǔn)電壓源作了詳細(xì)分析。

2017-11-24 11:53:32

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基于CMOS工藝設(shè)計低溫漂高PSRR帶隙基準(zhǔn)源

基準(zhǔn)源廣泛應(yīng)用于模擬和混合集成電路設(shè)計中，例如數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器、PWM 控制器、振蕩器、運(yùn)放和PLL 等。隨著電路越來越復(fù)雜、性能要求越來越高，高精度基準(zhǔn)源已經(jīng)成為很多模塊的關(guān)鍵部分。傳統(tǒng)的帶隙基準(zhǔn)由具有

2017-10-31 10:31:24

帶隙基準(zhǔn)電壓源及過溫保護(hù)電路

　介紹了一種低溫漂的BiCMOS帶隙基準(zhǔn)電壓源及過溫保護(hù)電路。采用Brokaw帶隙基準(zhǔn)核結(jié)構(gòu)，通過二階曲率補(bǔ)償技術(shù)，設(shè)計的熱滯回差很好地防止了熱振蕩現(xiàn)象。

2017-09-07 20:15:25

低功耗帶隙基準(zhǔn)電壓源電路設(shè)計_蔣本福

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2017-02-28 20:13:02

一種改進(jìn)型低溫度系數(shù)帶隙基準(zhǔn)源電路_范建功

一種改進(jìn)型低溫度系數(shù)帶隙基準(zhǔn)源電路_范建功

2017-01-08 10:40:54

一種低溫漂超低功耗帶隙基準(zhǔn)電壓源_李連輝

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2017-01-08 10:30:29

低溫漂系數(shù)共源共柵CMOS帶隙基準(zhǔn)電壓源_鄧玉斌

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2017-01-08 10:24:07

一種發(fā)動機(jī)高溫差環(huán)境下的基準(zhǔn)電壓源電路

根據(jù)汽車發(fā)動機(jī)控制芯片的工作環(huán)境，針對常見的溫度失效問題，提出了一種應(yīng)用在發(fā)動機(jī)控制芯片中的帶隙基準(zhǔn)電壓源電路。該電路采用0.18 m CMOS工藝，采用電流型帶隙基準(zhǔn)電壓源結(jié)構(gòu)

2013-09-26 17:06:12

一種高電源抑制比的CMOS帶隙基準(zhǔn)電壓源設(shè)計

介紹一種基于CSMC0.5 m工藝的低溫漂高電源抑制比帶隙基準(zhǔn)電路。本文在原有Banba帶隙基準(zhǔn)電路的基礎(chǔ)上，通過采用共源共柵電流鏡結(jié)構(gòu)和引入負(fù)反饋環(huán)路的方法，大大提高了整體電路的

2013-05-27 16:29:08

用于音頻AD轉(zhuǎn)換器的CMOS帶隙電壓基準(zhǔn)源

在傳統(tǒng)帶隙基準(zhǔn)電壓源電路結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上，通過在運(yùn)放中引入增益提高級，實(shí)現(xiàn)了一種用于音頻-A/D轉(zhuǎn)換器的CMOS帶隙電壓基準(zhǔn)源。在一階溫度補(bǔ)償下實(shí)現(xiàn)了較高的電源抑制比（PSRR）和較

2012-10-10 14:49:50

帶隙電壓基準(zhǔn)源的設(shè)計與分析

本文介紹了基準(zhǔn)源的發(fā)展和基本工作原理以及目前較為常用的帶隙基準(zhǔn)源電路結(jié)構(gòu)。設(shè)計了一種基于Banba結(jié)構(gòu)的基準(zhǔn)源電路，重點(diǎn)對自啟動電路及放大電路部分進(jìn)行了分析...

2012-05-24 15:18:29

低溫漂CMOS帶隙基準(zhǔn)電壓源分析

帶隙基準(zhǔn)電壓源的目的是產(chǎn)生一個對溫度變化保持恒定的量，由于雙極型晶體管的基極電壓VBE，其溫度系數(shù)在室溫(300 K)時大約為-2.2 mV/K

2011-11-23 09:19:32

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低功耗CMOS電壓基準(zhǔn)源的設(shè)計

傳統(tǒng)的帶隙電壓基準(zhǔn)源面積大、功耗大、不適應(yīng)低功耗小面積的要求。本文立足于低功耗、小面積、利用工作于弱反型區(qū)晶體管的特點(diǎn)，對傳統(tǒng)的帶隙電壓基準(zhǔn)源做出改進(jìn)，設(shè)計了一款

2011-10-09 11:22:04

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CMOS帶隙基準(zhǔn)電壓源中的曲率校正方法

基準(zhǔn)電壓源是集成電路系統(tǒng)中一個非常重要的構(gòu)成單元。結(jié)合近年來的設(shè)計經(jīng)驗(yàn),首先給出了帶隙基準(zhǔn)源曲率產(chǎn)生的主要原因,而后介紹了在高性能CMOS 帶隙基準(zhǔn)電壓源中所廣泛采用的幾種

2011-09-27 14:30:52

一種高PSR帶隙基準(zhǔn)源的實(shí)現(xiàn)

文針對傳統(tǒng)基準(zhǔn)電壓的低PSR以及低輸出電壓的問題，通過采用LDO與帶隙基準(zhǔn)的混合設(shè)計，并且采用BCD工藝，得到了一種可以輸出較高參考電壓的高PSR(電源抑制)帶隙基準(zhǔn)。

2011-08-23 10:28:08

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一種帶隙基準(zhǔn)電壓源的設(shè)計與仿真

設(shè)計了一款帶隙基準(zhǔn)電壓源，在LTspice下畫出原理圖，產(chǎn)生網(wǎng)表后，在Hspice下仿真，結(jié)果表明，溫度系數(shù)為9.14×10-16℃，電源電壓在3～5 V之間變化時，基準(zhǔn)電壓在43 mV以內(nèi)變化，滿足設(shè)計

2011-08-19 11:12:08

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全CMOS基準(zhǔn)電壓源的分析與仿真

基準(zhǔn)電壓源電路作為模擬集成電路不可缺少的模塊，對其進(jìn)行分析和研究具有重要意義。本文通過Hspice對四種MOS管基準(zhǔn)電壓源電路進(jìn)行仿真，給出了電路圖、電路參數(shù)和仿真結(jié)果。

2011-08-11 10:24:17

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CMOS帶隙基準(zhǔn)電壓源曲率校正方法

2011-05-25 14:52:44

基于汽車環(huán)境的帶隙基準(zhǔn)電壓源的設(shè)計

比較了傳統(tǒng)帶運(yùn)算放大器的帶隙基準(zhǔn)電壓源電路與采用曲率補(bǔ)償技術(shù)的改進(jìn)電路，設(shè)計了一種適合汽車電子使用的帶隙基準(zhǔn)電壓源，該設(shè)計電路基于上海貝嶺2 μm 40 V bipolar工藝，采

2010-12-22 17:22:15

基準(zhǔn)電壓源的應(yīng)用

1、MC1403型基準(zhǔn)電壓源的應(yīng)用 MC1403是美國摩托羅拉公司生產(chǎn)的高準(zhǔn)確度、低溫漂、采用激光修正的帶隙

2010-12-09 13:58:21

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基準(zhǔn)源電路結(jié)構(gòu)圖

基準(zhǔn)源電路由二級CMOS差分放大電路和晶體管電路構(gòu)成的能隙基準(zhǔn)源組成。其結(jié)構(gòu)如圖1。

2010-08-17 10:59:11

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一種高精度BiCMOS帶隙電壓基準(zhǔn)源的設(shè)計

在對傳統(tǒng)典型CMOS帶隙電壓基準(zhǔn)源電路分析基礎(chǔ)上提出了一種高精度，高電源抑制帶隙電壓基準(zhǔn)源。電路運(yùn)用帶隙溫度補(bǔ)償技術(shù),采用共源共柵電流鏡,兩級運(yùn)放輸出用于自身偏置電路

2010-08-03 10:51:34

帶隙基準(zhǔn)源的現(xiàn)狀及其發(fā)展趨勢

在模擬電路和混合模擬電路中,帶隙基準(zhǔn)電路作為一個很重要的單元,隨著集成電路的發(fā)展和SOC系統(tǒng)的復(fù)雜化,已經(jīng)越來越受到國內(nèi)外學(xué)者的重視。本文簡單介紹了傳統(tǒng)的帶隙基準(zhǔn)源的

2010-07-29 15:48:34

低壓CM0S帶隙基準(zhǔn)電壓源設(shè)計

低壓CM0S帶隙基準(zhǔn)電壓源設(shè)計近年來，隨著微電子技術(shù)的迅速發(fā)展，低壓低功耗已成為當(dāng)今電路設(shè)計的重要標(biāo)準(zhǔn)之一。比如，在一些使用電池的系統(tǒng)

2010-05-12 17:36:54

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一款基于BiCMOS工藝的高性能帶隙基準(zhǔn)電路

摘要：電源電壓的變化是影響帶隙基準(zhǔn)電路穩(wěn)定性的主要因素之一。本文針對該問題，在采用深度負(fù)反饋環(huán)路的基礎(chǔ)上，增加了一種提高電源電壓抑制比的電路結(jié)構(gòu)來降低電源變化

2010-04-28 09:32:30

低溫漂低功耗的帶隙基準(zhǔn)源技術(shù)設(shè)計

低溫漂低功耗的帶隙基準(zhǔn)源技術(shù)設(shè)計摘要：設(shè)計一種低溫漂低功耗的帶隙基準(zhǔn)結(jié)構(gòu)，在傳統(tǒng)帶隙基準(zhǔn)核心電路結(jié)構(gòu)上增加一對PNP管，兩個雙極型晶

2010-04-28 08:59:11

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14位Pipeline ADC設(shè)計的帶隙電壓基準(zhǔn)源技術(shù)

14位Pipeline ADC設(shè)計的帶隙電壓基準(zhǔn)源技術(shù) 目前，基準(zhǔn)電壓源被廣泛應(yīng)用與高精度比較器，

2010-04-23 09:42:49

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低電壓帶隙基準(zhǔn)電壓源技術(shù)解決方案

低電壓帶隙基準(zhǔn)電壓源技術(shù)解決方案本文采用一種低電壓帶隙基準(zhǔn)結(jié)構(gòu)。在TSMC0．13μm

2010-04-17 15:41:41

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基于BiCMOS工藝的帶隙基準(zhǔn)電壓源設(shè)計

電壓基準(zhǔn)是模擬集成電路的重要單元模塊，本文在0.35um BiCMOS 工藝下設(shè)計了一個帶隙基準(zhǔn)電壓源。仿真結(jié)果表明，該基準(zhǔn)源電路在典型情況下輸出電壓為1.16302V，在-45℃～105℃范圍

2010-01-11 11:42:05

如何選擇最佳的電壓基準(zhǔn)源

選擇最佳的電壓基準(zhǔn)源供稿：美信摘要：電壓基準(zhǔn)源簡單、穩(wěn)定的基準(zhǔn)電壓，作為電路設(shè)計的一個關(guān)鍵因素，電壓基準(zhǔn)源的選擇需要考慮多方面的問題并作出折衷。本文討

2010-01-08 23:02:30

一種高性能欠壓封鎖電路

基于0.6μm BiCMOS 工藝設(shè)計了一種無需基準(zhǔn)電壓源和比較器的高性能欠壓封鎖電路(UVLO)。利用帶隙基準(zhǔn)電壓源的原理，實(shí)現(xiàn)了欠壓封鎖的閾值點(diǎn)和遲滯量；而且?guī)?b style="color: red">隙基準(zhǔn)電壓源結(jié)構(gòu)

2009-12-14 10:22:27

選擇最佳的電壓基準(zhǔn)源

選擇最佳的電壓基準(zhǔn)源摘要：電壓基準(zhǔn)源簡單、穩(wěn)定的基準(zhǔn)電壓，作為電路設(shè)計的一個關(guān)鍵因素，電壓基準(zhǔn)源的選擇需要考慮多方面的問題并作出折衷。本文討論了

2009-12-07 14:32:23

集成基準(zhǔn)電壓源典型應(yīng)用電路

集成基準(zhǔn)電壓源典型應(yīng)用電路 1. LM399 典型應(yīng)用電路圖18-18 是LM399 集成基準(zhǔn)電壓源的典型應(yīng)用電路。在實(shí)際使用中，可以把基準(zhǔn)電壓部分看作是一個穩(wěn)壓管，因此在

2009-09-19 15:39:12

1697

一種BiCMOS能隙基準(zhǔn)電壓電路

設(shè)計了一種采用BiCMOS工藝的高精度能隙基準(zhǔn)電壓電路，該基準(zhǔn)電壓源主要用于線性穩(wěn)壓器。在CSMC 0.6um工藝條件下，使用CADAENCE SPECTRE仿真工具進(jìn)行仿真可得溫度在20C～80C變化時，其輸

2009-08-17 10:10:02

DT860型基準(zhǔn)電壓發(fā)生電路圖

DT860型基準(zhǔn)電壓發(fā)生電路圖

2009-07-21 17:38:22

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高性能保護(hù)電路圖

高性能保護(hù)電路圖 圖 高性能保

2009-07-17 11:37:48

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較大輸出電流的基準(zhǔn)電壓電路圖

較大輸出電流的基準(zhǔn)電壓電路圖

2009-07-15 17:02:47

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高穩(wěn)定度的基準(zhǔn)電壓電路圖

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2009-07-15 17:01:42

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采用TL431的基準(zhǔn)電壓電路圖

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2009-07-15 17:00:04

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10V基準(zhǔn)電壓電路圖

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2009-07-15 16:59:43

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LM331精密能隙基準(zhǔn)電源及其簡化電路圖

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2009-07-14 14:21:27

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基準(zhǔn)電壓極性變換電路圖

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標(biāo)準(zhǔn)交流電壓基準(zhǔn)源電路圖

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2009-06-30 13:27:42

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驅(qū)動氖燈的電壓源電路圖

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2009-05-20 13:39:33

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精密基準(zhǔn)電壓源電路圖

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2009-05-08 13:37:04

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選擇最佳的電壓基準(zhǔn)源

摘要：電壓基準(zhǔn)源簡單、穩(wěn)定的基準(zhǔn)電壓，作為電路設(shè)計的一個關(guān)鍵因素，電壓基準(zhǔn)源的選擇需要考慮多方面的問題并作出折衷。本文討論了不同類型的電壓基準(zhǔn)源以及它們的關(guān)鍵

2009-05-06 09:29:30

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選擇最佳的電壓基準(zhǔn)源

2009-05-03 14:42:34

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選擇最佳的電壓基準(zhǔn)源

2009-04-29 11:30:23

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選擇最佳的電壓基準(zhǔn)源

2009-04-27 11:12:06

可調(diào)基準(zhǔn)低電壓源電路圖

可調(diào)基準(zhǔn)低電壓源電路圖

2009-04-15 09:03:35

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精密雙路基準(zhǔn)電壓源電路圖

精密雙路基準(zhǔn)電壓源電路圖

2009-04-15 09:02:25

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精密基準(zhǔn)微功耗10V基準(zhǔn)電壓源電路圖

精密基準(zhǔn)微功耗10V基準(zhǔn)電壓源電路圖

2009-04-15 09:01:51

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精密基準(zhǔn)雙極性輸出基準(zhǔn)電壓源電路圖

精密基準(zhǔn)雙極性輸出基準(zhǔn)電壓源電路圖

2009-04-15 09:01:01

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精密基準(zhǔn)方波基準(zhǔn)電壓源電路圖

精密基準(zhǔn)方波基準(zhǔn)電壓源電路圖

2009-04-15 09:00:27

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精密基準(zhǔn)低噪聲緩沖式基準(zhǔn)電流源電路圖

精密基準(zhǔn)低噪聲緩沖式基準(zhǔn)電流源電路圖

2009-04-15 09:00:00

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基準(zhǔn)電壓電路圖2

基準(zhǔn)電壓電路圖2

2009-04-15 08:58:39

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基準(zhǔn)電壓電路圖1

基準(zhǔn)電壓電路圖1

2009-04-15 08:57:58

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高穩(wěn)定基準(zhǔn)電壓源電路圖

高穩(wěn)定基準(zhǔn)電壓源電路圖

2009-04-15 08:57:11

853

±10V基準(zhǔn)電壓源電路圖

±10V基準(zhǔn)電壓源電路圖

2009-04-15 08:53:54

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±5V基準(zhǔn)電壓源電路圖

±5V基準(zhǔn)電壓源電路圖

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±3V基準(zhǔn)電壓源電路圖

±3V基準(zhǔn)電壓源電路圖

2009-04-15 08:53:18

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溫度系數(shù)和電壓可變的參考電壓源電路圖

溫度系數(shù)和電壓可變的參考電壓源電路圖

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偏置電壓源電路圖

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2009-04-14 10:44:29

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參考電壓源電路圖

參考電壓源電路圖

2009-04-14 10:25:45

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基準(zhǔn)電壓放大器電路圖

基準(zhǔn)電壓放大器電路圖

2009-03-20 09:03:33

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帶隙基準(zhǔn)電路的研究

本文闡述了Banba 和Leung 兩種基本帶隙基準(zhǔn)電壓源電路的工作原理，分析了Leung結(jié)構(gòu)對于Banba 結(jié)構(gòu)改進(jìn)的方法，分別對兩個電路的參數(shù)進(jìn)行了設(shè)計，并仿真其性能，由此來比較了

2009-03-11 17:28:36

選擇最佳的電壓基準(zhǔn)源

選擇最佳的電壓基準(zhǔn)源摘要：電壓基準(zhǔn)源簡單、穩(wěn)定的基準(zhǔn)電壓，作為電路設(shè)計的一個關(guān)鍵因素，電壓基準(zhǔn)源的選擇需要考慮多方面的問題并作出

2009-01-23 22:03:12

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高性能帶隙基準(zhǔn)電壓源的總體電路圖

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