自給偏壓電路的工作原理

自給偏壓電路
　　如圖，為自給偏壓電路。電容對(duì)Rs起旁路作用——源極旁路電容。

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計(jì)算法
　　計(jì)算法采用下列公式求解:


　　式子的IDSS稱為飽和電流，即為VGS=0時(shí)ID的值；VP稱為夾斷電壓，當(dāng)VGS=VP時(shí)，漏極電流ID為0。
　　讓我們來(lái)看一個(gè)例子,電路如圖.
　　已知:VP=-4V ，IDSS=2mA。代入上述兩個(gè)公式得：


　　求解此兩方程,解得：ID1=0.82mA,ID2=0.30mA
　　因?yàn)?ID1RS< VP，因而ID1=0.82mA不合題意，舍去，故靜態(tài)漏極電流IDQ為
　　IDQ=0.30mA；
　　靜態(tài)管壓降VGSQ、VDSQ分別為


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場(chǎng)效應(yīng)管的特點(diǎn):

1.場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制器件，柵極基本不取電流,而晶體管是電流控制器件,基極必須取一定的電流,應(yīng)此對(duì)于信號(hào)源額定電流極小的情況下，常選用場(chǎng)效應(yīng)管。
　　2.場(chǎng)效應(yīng)管是多子導(dǎo)電,晶體管是兩種載流子參與導(dǎo)電。但少子受環(huán)境影響明顯。
　　3.場(chǎng)效應(yīng)管FET和晶體管BJT一樣具有放大作用，而且這兩種放大元件間存在著電極對(duì)應(yīng)關(guān)系G-b，S-e，D-c。因此根據(jù)BJT電路，即可得到與之對(duì)應(yīng)的FET放大電路。但不能簡(jiǎn)單地加以替換，否則有時(shí)電路不能正常工作。場(chǎng)效應(yīng)除作放大器件及可控開(kāi)關(guān)外還可作壓控可變線性電阻使用。
　　4.場(chǎng)效應(yīng)管S極和D極是對(duì)稱的，可以互換使用，耗盡型MOS管柵源電壓可正可負(fù)使用比晶體三極管靈活。
　　5.場(chǎng)效應(yīng)管組成放大電路時(shí)與晶體管一樣，必須選擇合適的靜態(tài)工作點(diǎn)，柵極必須有合適的偏壓，但不出現(xiàn)偏流，對(duì)不同類型場(chǎng)效應(yīng)管對(duì)偏壓的極性要求不同，特列如下：

　　注：JFET表示結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管，DMOS表示耗盡型場(chǎng)效應(yīng)管；EMOS表示增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管。