歐司朗光電半導(dǎo)體推出首款OLED光源
歐司朗光電半導(dǎo)體貼合優(yōu)質(zhì)功能性照明需求而推出的第一款 OLED 光源——Orbeos。這款全新節(jié)能型表面發(fā)光面板尤其適用于高端
2009-11-25 17:51:40
676 電磁輻射可能或輻射或傳導(dǎo)，后者為噪聲電壓或電流噪聲。 一般來(lái)講，半導(dǎo)體器件是 EME 的來(lái)源，如微控制器。眾所周知，越接近噪聲源，電磁輻射的對(duì)策越廉價(jià)。由于大部分標(biāo)準(zhǔn)的 EME 輻射測(cè)量是用遠(yuǎn)場(chǎng)(r>?)定義的，所以本應(yīng)用筆記以半導(dǎo)體器件的直接輻射為開(kāi)端介紹遠(yuǎn)場(chǎng)。
2022-08-15 15:27:552348 
鋁、干法刻蝕鈦、干法刻蝕氮化鈦等）20、 等離子去膠21、 DRIE （硅深槽刻蝕）、ICP、TSV22、 濕法刻蝕23、 膜厚測(cè)量24、 納米、微米臺(tái)階測(cè)量25、 電阻、方阻、電阻率測(cè)量等26、 半導(dǎo)體
2015-01-07 16:15:47
。現(xiàn)公司代理產(chǎn)品包括半導(dǎo)體、太陽(yáng)能硅片的檢測(cè)裝置，包含美國(guó)FSM公司的薄膜應(yīng)力檢測(cè)、硅片翹曲度檢測(cè)、薄膜厚度檢測(cè)、硅片平整度檢測(cè)設(shè)備等；以及美國(guó)PET公司的太陽(yáng)能模擬器、I-V曲線數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)、硅片表面質(zhì)量檢測(cè)裝置等。聯(lián)系電話：***地址:蘇州工業(yè)園區(qū)啟月街288號(hào)
2015-04-02 17:21:04
`強(qiáng)烈推薦！?。『脰|西分享?。。「魑恍值埽鹤罱?b class="flag-6" style="color: red">發(fā)現(xiàn)一個(gè)好地方！全球半導(dǎo)體最新信息輕松關(guān)注，手機(jī)微信，輕輕一掃！{:12:}`
2013-12-23 16:52:07
某即將畢業(yè)的研究生，把多年珍藏的資料拿出來(lái)奉獻(xiàn)給大家。半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的詳細(xì)資料，中國(guó)半導(dǎo)體生產(chǎn)廠商及分布的詳細(xì)情況。當(dāng)然還有那些所謂的小小資料片什么的{:soso_e113:}半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)資料——即將畢業(yè)的研究生珍貴資料大奉送[hide][/hide]
2011-12-15 13:51:35
QSFP28和SFP形態(tài)的SOA。2.4半導(dǎo)體光放大器SOA在分布式光纖傳感中的應(yīng)用SOA具有優(yōu)良的頻率響應(yīng)特性和較高的消光比，可作為光開(kāi)關(guān)或調(diào)制器使用。隨著SOA技術(shù)的不斷提升，目前在大部分場(chǎng)景中已可
2023-02-16 18:00:34
半導(dǎo)體制冷片是利用半導(dǎo)體材料的Peltier效應(yīng)而制作的電子元件，當(dāng)直流電通過(guò)兩種不同半導(dǎo)體材料串聯(lián)成的電偶時(shí)，在電偶的兩端即可分別吸收熱量和放出熱量，可以實(shí)現(xiàn)制冷的目的。它是一種產(chǎn)生負(fù)熱阻的制冷技術(shù)，其特點(diǎn)是無(wú)運(yùn)動(dòng)部件，可靠性也比較高。半導(dǎo)體制冷片的工作原理是什么？半導(dǎo)體制冷片有哪些優(yōu)缺點(diǎn)？
2021-02-24 09:24:02
的積體電路所組成，我們的晶圓要通過(guò)氧化層成長(zhǎng)、微影技術(shù)、蝕刻、清洗、雜質(zhì)擴(kuò)散、離子植入及薄膜沉積等技術(shù)，所須制程多達(dá)二百至三百個(gè)步驟。半導(dǎo)體制程的繁雜性是為了確保每一個(gè)元器件的電性參數(shù)和性能，那么他的原理又是
2018-11-08 11:10:34
半導(dǎo)體材料半導(dǎo)體的功能分類集成電路的四大類
2021-02-24 07:52:52
。目前研究的光纖溫度傳感器主要利用相位調(diào)制、熱輻射探測(cè)、熒光衰變、半導(dǎo)體吸收、光纖光柵等原理。其中半導(dǎo)體吸收式光纖溫度傳感器作為一種強(qiáng)度調(diào)制的傳光型光纖傳感器，除了具有光纖傳感器的一般優(yōu)點(diǎn)之外，還具有
2018-11-01 14:57:18
請(qǐng)教下以前的[半導(dǎo)體技術(shù)天地]哪里去了
2020-08-04 17:03:41
半導(dǎo)體技術(shù)是如何變革汽車設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)的？
2021-02-22 09:07:43
半導(dǎo)體材料從發(fā)現(xiàn)到發(fā)展，從使用到創(chuàng)新，擁有這一段長(zhǎng)久的歷史。宰二十世紀(jì)初，就曾出現(xiàn)過(guò)點(diǎn)接觸礦石檢波器。1930年，氧化亞銅整流器制造成功并得到廣泛應(yīng)用，是半導(dǎo)體材料開(kāi)始受到重視。1947年鍺點(diǎn)接觸三極管制成，成為半導(dǎo)體的研究成果的重大突破。
2020-04-08 09:00:15
好像***最近去英國(guó)還專程看了華為英國(guó)公司的石墨烯研究，搞得國(guó)內(nèi)好多石墨烯材料的股票大漲，連石墨烯內(nèi)褲都跟著炒作起來(lái)了~~小編也順應(yīng)潮流聊聊半導(dǎo)體材料那些事吧。
2019-07-29 06:40:11
激光二極管(LD)是一種用來(lái)構(gòu)建光通信系統(tǒng)的與光纖配套使用的激光器，它能直接作為光通信用光源，也可以作為激光器、放大器的泵浦源，在激光工程研究領(lǐng)域有著十分重要的地位。它具有半導(dǎo)體器件的特點(diǎn)：體積小、結(jié)構(gòu)
2013-07-16 09:43:23
激光器和固體激光器的泵浦源，也可以直接輸出激光作為光源。半導(dǎo)體激光器發(fā)展始于上世紀(jì)60年代，如今已經(jīng)在各行各業(yè)中得到了廣泛的推廣應(yīng)用。憑借結(jié)構(gòu)緊湊、光束質(zhì)量好、壽命長(zhǎng)及性能穩(wěn)定等優(yōu)點(diǎn)，在通訊、材料加工制造
2019-05-13 05:50:35
半導(dǎo)體激光器的核心是PN結(jié)一旦被擊穿或諧振腔面部分遭到破壞，則無(wú)法產(chǎn)生非平衡載流子和輻射復(fù)合，視其破壞程度而表現(xiàn)為激光器輸出降低或失效。
2019-09-26 09:00:54
穩(wěn)壓電源一、最簡(jiǎn)單的串聯(lián)型半導(dǎo)體管穩(wěn)壓電源二、帶有放大環(huán)節(jié)的穩(wěn)壓電源三、串聯(lián)型穩(wěn)壓電源的基本組成四、串聯(lián)型半導(dǎo)體管穩(wěn)壓電源的設(shè)計(jì)舉例第三節(jié) 串聯(lián)型穩(wěn)壓電路性能的改進(jìn)一、具有補(bǔ)償電阻的穩(wěn)壓電路二、具有輔助電源
2008-07-11 13:05:29
電阻率是決定半導(dǎo)體材料電學(xué)特性的重要參數(shù)，為了表征工藝質(zhì)量以及材料的摻雜情況，需要測(cè)試材料的電阻率。半導(dǎo)體材料電阻率測(cè)試方法有很多種，其中四探針?lè)?b class="flag-6" style="color: red">具有設(shè)備簡(jiǎn)單、操作方便、測(cè)量精度高以及對(duì)樣品形狀
2021-01-13 07:20:44
半導(dǎo)體具有獨(dú)特的導(dǎo)電性能。當(dāng)環(huán)境溫度升髙或有光照時(shí)，它們的導(dǎo)電能力 會(huì)顯著增加，所以利用這些特性可以做成各種溫敏元件（如熱敏電阻）和各種光 敏元件（如光敏電阻、光敏二極管、光敏三極管等）。更重
2017-07-28 10:17:42
半導(dǎo)體具有獨(dú)特的導(dǎo)電性能。當(dāng)環(huán)境溫度升髙或有光照時(shí)，它們的導(dǎo)電能力 會(huì)顯著增加，所以利用這些特性可以做成各種溫敏元件（如熱敏電阻）和各種光 敏元件（如光敏電阻、光敏二極管、光敏三極管等）。更重
2018-02-11 09:49:21
國(guó)際半導(dǎo)體芯片巨頭壟斷加劇半導(dǎo)體芯片產(chǎn)業(yè)呈現(xiàn)三大趨勢(shì)
2021-02-04 07:26:49
半導(dǎo)體是什么？芯片又是什么？半導(dǎo)體芯片是什么？半導(dǎo)體芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu)是由哪些部分組成的？
2021-07-29 09:18:55
半導(dǎo)體芯片行業(yè)的運(yùn)作模式
2020-12-29 07:46:38
一個(gè)半導(dǎo)體（semiconductor）閘流管通常具有3個(gè)電極：一個(gè)陽(yáng)極，一個(gè)陰極和一個(gè)門(mén)（控制電極）。
2019-10-31 09:02:25
` 誰(shuí)來(lái)闡述一下半導(dǎo)體集成電路是什么？`
2020-03-24 17:12:08
以前很多人認(rèn)為，半導(dǎo)體器件只會(huì)在太空應(yīng)用中受到輻射的影響，但是隨著半導(dǎo)體工藝的進(jìn)步，很多地面的應(yīng)用也會(huì)受到輻射的影響。 不同的輻射效應(yīng)和對(duì)FPGA的影響也不同。
2019-10-12 07:39:35
如題，鈣鈦礦太陽(yáng)能電池用什么軟件仿真？是silvaco嗎？我是做器件仿真，不是材料仿真
2017-02-23 17:22:05
酸鉛（PZT）是其中一種材料的鐵電性能的結(jié)果。PZT具有鈣鈦礦晶體結(jié)構(gòu)，中心有一個(gè)陽(yáng)離子（見(jiàn)圖1）。該陽(yáng)離子可以處于兩個(gè)位置之一，并且可以通過(guò)施加電場(chǎng)來(lái)切換位置。每個(gè)轉(zhuǎn)換都會(huì)產(chǎn)生“開(kāi)關(guān)電荷”（Q s
2020-08-12 17:41:09
材料。與目前絕大多數(shù)的半導(dǎo)體材料相比，GaN 具有獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)：禁帶更寬、飽和漂移速度更大、臨界擊穿電場(chǎng)和熱導(dǎo)率更高，使其成為最令人矚目的新型半導(dǎo)體材料之一。目前，GaN 基發(fā)光器件的研究已取得了很大
2019-06-25 07:41:00
KIA半導(dǎo)體MOS管具備挺大的核心競(jìng)爭(zhēng)力，是開(kāi)關(guān)電源生產(chǎn)廠家的最好的選擇。KIA半導(dǎo)體 MOS管廠家主要研發(fā)、生產(chǎn)、經(jīng)營(yíng)：場(chǎng)效應(yīng)管（MOS管）、COOL MOS（超結(jié)場(chǎng)效應(yīng)管）、三端穩(wěn)壓管、快恢復(fù)
2021-11-12 08:43:18
MOS 管的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)MOS 管的工作機(jī)制
2020-12-30 07:57:04
，對(duì)半導(dǎo)體元器件產(chǎn)品質(zhì)量和可靠性的提高成了該行業(yè)質(zhì)量管理人員需要研究的重要課題，從80年代中期開(kāi)始，以摩托羅拉為首的美國(guó)一些大型微電子企業(yè)的研究人員發(fā)現(xiàn)，如果使工藝過(guò)程始終處于統(tǒng)計(jì)受控狀態(tài)，將會(huì)更有
2018-08-29 10:28:14
***********EMD代理美國(guó)SCI高精準(zhǔn)薄膜度量 系統(tǒng) 與 軟件分析 產(chǎn)品，美國(guó)SCI為世界薄膜度量系統(tǒng)和分析軟件行業(yè)的領(lǐng)軍者，其產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體，OLED/LCD
2008-11-01 00:39:14
書(shū)籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：半導(dǎo)體行業(yè)的濕化學(xué)分析——總覽編號(hào)：JFSJ-21-075作者：炬豐科技網(wǎng)址：http://www.wetsemi.com/index.html對(duì)液體和溶液進(jìn)行
2021-07-09 11:30:18
) 和氧化鋁鋅 (AZO)，已成功用于太陽(yáng)能電池薄膜器件，但由于這些導(dǎo)電氧化物接觸電極應(yīng)用于一維納米線器件，將具有不同的光學(xué)行為。納米線中的一維光學(xué) Mie 共振。金屬接觸電極，如銀和銅，將具有與傳統(tǒng) ITO 接觸電極相當(dāng)?shù)墓鈱W(xué)性能，而半導(dǎo)體納米線器件接近一維極限。 如有侵權(quán)，請(qǐng)聯(lián)系作者刪除
2021-07-09 10:20:13
書(shū)籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：用于半導(dǎo)體封裝基板的化學(xué)鍍 Ni-P/Pd/Au編號(hào)：JFSJ-21-077作者：炬豐科技 隨著便攜式電子設(shè)備的普及，BGA（球柵陣列）越來(lái)越多地用于安裝在高密度
2021-07-09 10:29:30
吸收光譜技術(shù)(IBBCEAS)中。然而，由于LED是半導(dǎo)體材料，其輻射譜是帶隙能結(jié)構(gòu)，而帶隙能是溫度的函數(shù)。所以，隨著溫度的變化，LED輻射譜線會(huì)發(fā)生漂移。此外，LED驅(qū)動(dòng)電源的波動(dòng)也會(huì)影響其發(fā)光強(qiáng)度
2015-07-16 14:05:33
潛力，目前高功率LED已廣泛應(yīng)用于非相干寬帶腔增強(qiáng)吸收光譜技術(shù)(IBBCEAS)中。然而，由于LED是半導(dǎo)體材料，其輻射譜是帶隙能結(jié)構(gòu)，而帶隙能是溫度的函數(shù)。所以，隨著溫度的變化，LED輻射譜線會(huì)發(fā)
2015-07-07 09:18:15
吸收光譜技術(shù)(IBBCEAS)中。然而，由于LED是半導(dǎo)體材料，其輻射譜是帶隙能結(jié)構(gòu)，而帶隙能是溫度的函數(shù)。所以，隨著溫度的變化，LED輻射譜線會(huì)發(fā)生漂移。此外，LED驅(qū)動(dòng)電源的波動(dòng)也會(huì)影響其發(fā)光強(qiáng)度
2015-07-16 14:04:27
在研究雷達(dá)探測(cè)整流器時(shí)，發(fā)現(xiàn)硅存在PN結(jié)效應(yīng)，1958年美國(guó)通用電氣（GE）公司研發(fā)出世界上第一個(gè)工業(yè)用普通晶閘管，標(biāo)志著電力電子技術(shù)的誕生。從此功率半導(dǎo)體器件的研制及應(yīng)用得到了飛速發(fā)展，并快速成長(zhǎng)為
2019-02-26 17:04:37
構(gòu)成有機(jī)化合物半導(dǎo)體。這一半導(dǎo)體和以往的半導(dǎo)體相比，具有本錢低、溶解性好、資料輕加工容易的特性。能夠經(jīng)過(guò)控制分子的方式來(lái)控制導(dǎo)電性能，應(yīng)用的范圍比擬廣，主要用于有機(jī)薄膜、有機(jī)照明等方面?！ 。?）非
2020-03-26 15:40:25
1、GaAs半導(dǎo)體材料可以分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類，元素半導(dǎo)體指硅、鍺單一元素形成的半導(dǎo)體，化合物指砷化鎵、磷化銦等化合物形成的半導(dǎo)體。砷化鎵的電子遷移速率比硅高5.7 倍，非常適合
2019-07-29 07:16:49
。二氧化鈦薄膜具有高的介電常數(shù)，可用來(lái)制作混合集成電路用的薄膜電容器。2005年，愛(ài)特斯開(kāi)始五氧化三鈦膜料的生產(chǎn)，成為國(guó)內(nèi)最早開(kāi)始批量生產(chǎn)五氧化三鈦材料的廠家。同時(shí)開(kāi)始其他鈦氧化物系列產(chǎn)品的生產(chǎn)，如
2018-11-20 10:03:19
工具。這種類型的評(píng)估有助于設(shè)計(jì)人員研究不同工作條件下的各種半導(dǎo)體器件，以便找到最適合所需優(yōu)化目標(biāo)的技術(shù)?！ ∮胁煌姆椒梢垣@得被評(píng)估器件的特征模型。第一個(gè)也可能是最準(zhǔn)確的模型是通過(guò)混合模式仿真模型獲得的，該
2023-02-21 16:01:16
先楫半導(dǎo)體使用上怎么樣？
2023-08-08 14:56:29
功率半導(dǎo)體器件在工業(yè)、消費(fèi)、軍事等領(lǐng)域都有著廣泛應(yīng)用，具有很高的戰(zhàn)略地位。功率半導(dǎo)體產(chǎn)品可以分為功率器件、電源管理 IC 和功率模組三大類。圖：功率半導(dǎo)體產(chǎn)品分類來(lái)源：國(guó)金證券研究所隨著下游電氣化
2022-11-11 11:50:23
真空紫外輻射材料加工的研究報(bào)道急劇增加,本文將簡(jiǎn)要介紹DBD準(zhǔn)分子紫外光源的特點(diǎn)及其在材料加工中的研究和應(yīng)用,包括無(wú)機(jī)薄膜制備、半導(dǎo)體材料氧化、材料表面清洗、過(guò)渡金屬化合物還原、高分子合成和聚合物表面
2010-05-06 08:56:18
制備方法對(duì)Ba2FeMoO6雙鈣鈦礦磁性能的影響采用濕化學(xué)法和固相反應(yīng)制備了Ba2FeMoO6雙鈣鈦礦化合物，對(duì)比研究了制備方法對(duì)其磁性能尤其是磁卡效應(yīng)的影響。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，濕化學(xué)法準(zhǔn)備的樣品具有
2009-05-26 00:22:45
不同的治療頭來(lái)實(shí)現(xiàn)不同光斑大小的切換。導(dǎo)致一臺(tái)設(shè)備具有多個(gè)治療手柄的情況，增加了成本同時(shí)還降低了臨床醫(yī)療的便捷性。本文在此背景下研究半導(dǎo)體激光器的原理及封裝形式、激光脫毛醫(yī)療原理及特點(diǎn)，并系統(tǒng)性深入研究
2022-01-10 14:30:55
。目前，凱仕德離子風(fēng)機(jī)，離子風(fēng)棒，凱仕德空間離子棒具有很好的去除工業(yè)靜電的作用，已應(yīng)用于大多數(shù)半導(dǎo)體生產(chǎn)中。
2023-12-12 17:18:54
美國(guó)國(guó)防威脅減除局（DTRA）11月28日發(fā)布了一份信息征詢書(shū)（NTS139926578），尋求先進(jìn)抗輻射高頻模擬和射頻半導(dǎo)體技術(shù)，以支持“先進(jìn)高頻模擬和射頻半導(dǎo)體技術(shù)研發(fā)與加固”項(xiàng)目。DTRA將向
2012-12-04 19:52:12
】：半導(dǎo)體激光器電源;;冗余并聯(lián)技術(shù);;高可靠性;;恒流臂【DOI】：CNKI:SUN:CGJM.0.2010-01-015【正文快照】：半導(dǎo)體激光器(LD)是20世紀(jì)發(fā)展起來(lái)的一種新型固體光源,由于其具有
2010-05-04 08:05:06
控制量設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)了基于STM32的半導(dǎo)體激光光源驅(qū)動(dòng)器。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明：該半導(dǎo)體激光光源驅(qū)動(dòng)器溫度控制精度高，性能穩(wěn)定，具有易于開(kāi)發(fā)、高性價(jià)比和高集成度等優(yōu)點(diǎn)，滿足半導(dǎo)體激光光源驅(qū)動(dòng)器在實(shí)際工程上的應(yīng)用，具有很好的實(shí)用性。（作者：耿建平，黃菁）
2018-09-29 17:04:27
安森美半導(dǎo)體的特色新品(FNP)列表重點(diǎn)介紹最新發(fā)布的一些器件。每一更新包括最新產(chǎn)品的產(chǎn)品類別、其獨(dú)特之處的概要和了解更多詳細(xì)信息的鏈接。無(wú)論您正在研發(fā)最新的設(shè)計(jì)還是僅僅出于對(duì)新產(chǎn)品的好奇，這些更新
2018-10-24 09:01:59
安森美半導(dǎo)體的特色新品(FNP)列表重點(diǎn)介紹最新發(fā)布的一些器件。每一更新包括最新產(chǎn)品的產(chǎn)品類別、其獨(dú)特之處的概要和了解更多詳細(xì)信息的鏈接。無(wú)論您正在研發(fā)最新的設(shè)計(jì)還是僅僅出于對(duì)新產(chǎn)品的好奇，這些更新
2018-10-25 08:56:49
安森美半導(dǎo)體的特色新品(FNP)清單重點(diǎn)介紹最新發(fā)布的一些器件。每一更新包括最新產(chǎn)品的產(chǎn)品類別、其獨(dú)特之處的概要和了解更多詳細(xì)信息的鏈接。無(wú)論您正在研發(fā)最新的設(shè)計(jì)還是僅僅出于對(duì)新產(chǎn)品的好奇，這些更新
2018-10-23 09:13:18
安森美半導(dǎo)體的特色新品(FNP)清單重點(diǎn)介紹最新發(fā)布的一些器件。每一更新包括最新產(chǎn)品的產(chǎn)品類別、其獨(dú)特之處的概要和了解更多詳細(xì)信息的鏈接。無(wú)論您正在研發(fā)最新的設(shè)計(jì)還是僅僅出于對(duì)新產(chǎn)品的好奇，這些更新
2018-10-22 09:08:52
，具有靈活的窗口和多斜率功能。它們的應(yīng)用包括機(jī)器視覺(jué)、生物測(cè)量和文檔掃描等?！ “采?b class="flag-6" style="color: red">半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)系列的STAR圖像傳感器系列，是開(kāi)發(fā)抗輻射CMOS像素和讀出電子產(chǎn)品過(guò)程中廣泛研究和輻照實(shí)驗(yàn)的成果。這些
2018-11-05 15:22:10
去年九月，安森美半導(dǎo)體宣布收購(gòu)Fairchild半導(dǎo)體。上周，我們完成了前Fairchild半導(dǎo)體產(chǎn)品信息向安森美半導(dǎo)體網(wǎng)站的轉(zhuǎn)移。這使訪客能瀏覽低、中、高壓電源模塊、集成電路和分立器件合并的、擴(kuò)展
2018-10-31 09:17:40
常用的功率半導(dǎo)體器件有哪些？
2021-11-02 07:13:30
與固體電子學(xué)或凝聚態(tài)物理學(xué)碩士以上學(xué)歷。 2、熟悉半導(dǎo)體激光器工作原理、對(duì)半導(dǎo)體激光器有較深入的研究，熟悉半導(dǎo)體封裝工藝。 3、英語(yǔ)水平較好，能熟練查閱有關(guān)文獻(xiàn)。 4、分析問(wèn)題及解決問(wèn)題的能力較強(qiáng)，動(dòng)手
2015-02-10 13:33:33
薄膜按鍵都是“按鍵+薄膜”的基本結(jié)構(gòu)，所以，按鍵的手感、特色等很大方面都取決于薄膜按鍵的設(shè)計(jì)?？紤]到開(kāi)關(guān)觸點(diǎn)的分離和回彈的可靠性，薄膜的厚度一般選擇在0.125-0.2mm為最佳,過(guò)薄回彈無(wú)力，觸點(diǎn)分離不靈敏。過(guò)厚反應(yīng)遲鈍增加操作力度。
2019-10-11 09:12:12
circuit technique ）（百度百科）電子集成技術(shù)按工藝方法分為以硅平面工藝為基礎(chǔ)的單片集成電路、以薄膜技術(shù)為基礎(chǔ)的薄膜集成電路和以絲網(wǎng)印刷技術(shù)為基礎(chǔ)的厚膜集成電路。 半導(dǎo)體工藝是集成電路工藝
2009-09-16 11:51:34
達(dá)到一定濃度后具有易燃易爆的性質(zhì)，所以開(kāi)發(fā)一種成本低、靈敏度高、選擇性好、性能穩(wěn)定的甲烷傳感器成了一個(gè)熱點(diǎn)。近年來(lái)對(duì)甲烷傳感器已有不少研究，主要有光干涉甲烷傳感器、金屬氧化物半導(dǎo)體氣敏傳感器、紅外吸收
2018-10-24 14:21:10
氮化鎵功率半導(dǎo)體技術(shù)解析基于GaN的高級(jí)模塊
2021-03-09 06:33:26
電力半導(dǎo)體器件的分類
2019-09-19 09:01:01
?，F(xiàn)公司代理產(chǎn)品包括半導(dǎo)體、太陽(yáng)能硅片的檢測(cè)裝置，包含美國(guó)FSM公司的薄膜應(yīng)力檢測(cè)、硅片翹曲度檢測(cè)、薄膜厚度檢測(cè)、硅片平整度檢測(cè)設(shè)備等；以及美國(guó)PET公司的太陽(yáng)能模擬器、I-V曲線數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)、硅片表面質(zhì)量檢測(cè)裝置等。聯(lián)系電話：***地址:蘇州工業(yè)園區(qū)啟月街288號(hào)
2015-04-02 17:26:21
半導(dǎo)體在光電子器件中已經(jīng)得到廣泛應(yīng)用,例如制作液晶顯示器、紫外光探測(cè)器都要用到p型寬帶隙氧化物半導(dǎo)體。目前這類氧化物研究主要包括P型ZnO[1]與P型銅鐵礦結(jié)構(gòu)氧化物[2]-[8]。在這類氧化物中,CuCrO2除了具有P型透明導(dǎo)電性以外,最近又報(bào)道了它的高溫?zé)犭娞厝南螺d
2010-04-24 09:00:59
有效期至2010-01-01公司名稱中智公司職位半導(dǎo)體工程師工作地點(diǎn)新加坡學(xué)歷要求本科 研究生 博士 專業(yè)應(yīng)用材料、機(jī)械、自動(dòng)化、（微）電子
2009-10-12 11:10:18
有效期至2010-01-01公司名稱中智公司職位半導(dǎo)體工程師工作地點(diǎn)新加坡學(xué)歷要求本科 研究生 博士 專業(yè)應(yīng)用材料、機(jī)械、自動(dòng)化、（微）電子
2009-10-12 11:15:49
半導(dǎo)體材料是一類具有半導(dǎo)體性能（導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體與絕緣體之間，電阻率約在1mΩ·cm～1GΩ·cm范圍內(nèi)）、可用來(lái)制作半導(dǎo)體器件和集成電路的電子材料。按種類可以分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類
2019-06-27 06:18:41
半導(dǎo)體陶瓷型薄膜氣敏傳感器,具有靈敏度高、與氣體反應(yīng)快、制備成本較低等優(yōu)點(diǎn),已經(jīng)成為近年傳感器研究和開(kāi)發(fā)的重點(diǎn),是未來(lái)氣敏傳感器的發(fā)展方向之一。本文介紹了陶瓷型半
2010-01-27 14:33:50
32 白色LED光源電路設(shè)計(jì)研究
摘要:通過(guò)對(duì)新型半導(dǎo)體光源-白色LED 的基本電性能的初步研究,提出白色LED 光源電路設(shè)計(jì)原則及注意事項(xiàng),并闡述了用于太陽(yáng)能的白
2010-06-04 15:58:2723 半導(dǎo)體制程之薄膜沉積
在半導(dǎo)體組件工業(yè)中，為了對(duì)所使用的材料賦與某種特性，在材料表面上常以各種方法形成被膜而加以使用，假如
2009-03-06 17:14:585558 
歐司朗光電半導(dǎo)體推出首款 OLED 光源
2009-12-17 09:51:51461 德國(guó)制成有機(jī)薄膜半導(dǎo)體新材料
德國(guó)研究人員16日宣布他們研制出一種新的有機(jī)分子，可以用來(lái)制造高性能有機(jī)薄膜半導(dǎo)體。
2010-03-20 09:05:53914 新發(fā)現(xiàn)半導(dǎo)體薄膜材料可產(chǎn)生光伏效應(yīng)
勞倫斯伯克利國(guó)家實(shí)驗(yàn)室的研究人員發(fā)現(xiàn)一種新的方法，可克服傳統(tǒng)固態(tài)
2010-04-20 09:14:09983 空間輻射環(huán)境能夠引起半導(dǎo)體集成電路發(fā)生的總劑量效應(yīng)、單粒子效應(yīng)等輻射效應(yīng)，可以被用來(lái)進(jìn)行空間輻射環(huán)境監(jiān)測(cè)。在一定條件下，基于此原理的探測(cè)器具有常規(guī)的面壘型探測(cè)器以
2011-11-22 17:45:1943 微機(jī)電系統(tǒng)（Micro-Electro-Mechanical System，MEMS）紅外光源基于熱輻射原理，具有體積小、功耗低、調(diào)制頻率高、波長(zhǎng)范圍寬、壽命長(zhǎng)等特點(diǎn)。隨著納米技術(shù)及納米結(jié)構(gòu)與傳感器
2018-02-11 11:22:551 最近，中國(guó)科學(xué)院上海硅酸鹽研究所史迅研究員、陳立東研究員與德國(guó)馬普所的Yuri Grin教授等合作，發(fā)現(xiàn)了一種室溫具有和金屬一樣延展性的半導(dǎo)體材料。
2018-04-11 09:33:206282 最新研究發(fā)現(xiàn)金屬鉑制成只有2納米厚的超薄膜時(shí)，可以擁有類似硅等半導(dǎo)體的特性。
2018-08-13 16:55:323413 最近，中科院半導(dǎo)體所半導(dǎo)體超晶格國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室王麗麗副研究員和沈國(guó)震研究員與吉林大學(xué)等單位合作，設(shè)計(jì)了一種新型MXene/BP半導(dǎo)體薄膜基自供電柔性感知集成系統(tǒng)。
2021-03-12 15:52:273617 半導(dǎo)體單晶和薄膜制造技術(shù)說(shuō)明。
2021-04-08 13:56:5138 引言 近年來(lái)，氧化鋅薄膜因其低成本、低光敏性、無(wú)環(huán)境問(wèn)題、特別是高遷移率而被研究作為薄膜晶體管中的有源層來(lái)代替非晶硅。此外，氧化鋅的低溫制造使得在塑料薄膜上制造成為可能。氧化鋅(ZnO)半導(dǎo)體由于
2022-01-06 13:47:53582 生長(zhǎng)在c面生長(zhǎng)表面上的c面氮化鎵基半導(dǎo)體層由于自發(fā)極化和壓電極化而產(chǎn)生內(nèi)電場(chǎng)，這降低了輻射復(fù)合率。為了防止這樣的極化現(xiàn)象，正在進(jìn)行對(duì)非極性或半極性氮化鎵基半導(dǎo)體層的研究。
2023-02-05 14:23:451979 
氮化鎵（GaN）是氮和鎵化合物，具體半導(dǎo)體特性，早期應(yīng)用于發(fā)光二極管中，其具有寬帶隙、高熱導(dǎo)率等特點(diǎn)，寬禁帶半導(dǎo)體是高溫、高頻、抗輻射及大功率器件的適合材料。與第一代和第二代半導(dǎo)體材料相比，第三代
2023-02-12 11:07:49599 半導(dǎo)體激光器是一種相干輻射光源，要使它能產(chǎn)生激光，必須具備三個(gè)基本條件。
2023-05-25 09:05:38898 結(jié) 構(gòu)。 得益于LED的技術(shù)優(yōu)勢(shì)和成本優(yōu)勢(shì)，半導(dǎo)體制造領(lǐng)域正在擺脫長(zhǎng)期以來(lái)的傳統(tǒng)放電汞燈技術(shù)，進(jìn)而選擇 UVLED技術(shù) 作為一種理想解決方案。 虹科UVLED紫外光源 提供穩(wěn)定且超高功率的UV輻射輸出，最高 輸出功率可達(dá)80W ，具有長(zhǎng)壽命和成本優(yōu)勢(shì)，無(wú)需額外冷卻時(shí)間，即開(kāi)即用，取代了傳統(tǒng)的燈箱結(jié)構(gòu)
2023-04-20 09:32:24412 
結(jié) 構(gòu)。 得益于LED的技術(shù)優(yōu)勢(shì)和成本優(yōu)勢(shì)，半導(dǎo)體制造領(lǐng)域正在擺脫長(zhǎng)期以來(lái)的傳統(tǒng)放電汞燈技術(shù)，進(jìn)而選擇 UVLED技術(shù) 作為一種理想解決方案。 虹科UVLED紫外光源 提供穩(wěn)定且超高功率的UV輻射輸出，最高 輸出功率可達(dá)80W ，具有長(zhǎng)壽命和成本優(yōu)勢(shì)，無(wú)需額外冷卻時(shí)間，即開(kāi)即用，取代了傳統(tǒng)的燈箱結(jié)構(gòu)
2023-05-16 09:54:17533 鑒于此，復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院楊迎國(guó)等依托復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院、上海同步輻射光源等大科學(xué)平臺(tái)，率先建立了先進(jìn)的有機(jī)、無(wú)機(jī)及鈣鈦礦半導(dǎo)體薄膜和器件制備及先進(jìn)表征系統(tǒng)，形成了具有同步光源特色的半導(dǎo)體薄膜表界面微結(jié)構(gòu)、形貌分析方法和在線同步輻射原位研究平臺(tái)
2023-07-10 09:57:03596 
對(duì)薄膜生長(zhǎng)的影響，優(yōu)化生長(zhǎng)工藝，大大節(jié)省了人力、物力和調(diào)試時(shí)間。經(jīng)過(guò)實(shí)驗(yàn)證明，該裝置有高度重復(fù)性，并成功幫助半導(dǎo)體薄膜材料研究課題組和多家半導(dǎo)體薄膜材料生產(chǎn)企業(yè)進(jìn)
2023-08-14 10:02:34465 
半導(dǎo)體設(shè)備系列研究-薄膜沉積設(shè)備
2023-01-13 09:06:526 LED結(jié)溫的原因 LED半導(dǎo)體照明光源的散熱方式? LED（Light Emitting Diode）作為一種高效、環(huán)保的照明光源，在現(xiàn)代照明領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。然而，隨著LED的工作時(shí)間的增加
2023-12-19 13:47:27506 據(jù)悉，潤(rùn)鵬半導(dǎo)體是華潤(rùn)微電子與深圳市合力推出的精于半導(dǎo)體特色工藝的12英寸晶圓制造項(xiàng)目。主要研發(fā)方向包括CMOS、BCD、e-Flash等工藝
2023-12-20 14:13:25214
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