氧化鎵是一種新型超寬禁帶半導(dǎo)體材料，是被國際普遍關(guān)注并認(rèn)可已開啟產(chǎn)業(yè)化的第四代半導(dǎo)體材料。與碳化硅、氮化鎵等第三代半導(dǎo)體相比，氧化鎵的禁帶寬度遠(yuǎn)高于后兩者，其禁帶寬度達(dá)到4.9eV，高于碳化硅
2023-03-15 11:09:59
研發(fā)投入承諾，才能推動(dòng)一家企業(yè)、特別是半導(dǎo)體企業(yè)不斷研發(fā)創(chuàng)新的產(chǎn)品技術(shù)。創(chuàng)新文化不僅要鼓勵(lì)新的創(chuàng)意，還要準(zhǔn)確地評(píng)估其潛在價(jià)值，然后有效地實(shí)現(xiàn)創(chuàng)意，在公司內(nèi)部建立一套創(chuàng)新發(fā)展機(jī)制，不僅為員工的創(chuàng)造性思維
2011-03-22 17:43:00
根據(jù)中國集成電路產(chǎn)業(yè)人才白皮書數(shù)據(jù)來看，目前行業(yè)內(nèi)從業(yè)人員僅46w左右，人才缺口仍有30w之 巨 。在國內(nèi)半導(dǎo)體行業(yè)快速發(fā)展的當(dāng)下，定位、搶奪優(yōu)質(zhì)人才是企業(yè)未來長期發(fā)展的基石。
那么每年秋招就是贏得
2023-06-01 14:52:23
`意法半導(dǎo)體 STM32Nuleo 核心板感謝 意法半導(dǎo)體 提供大賽用開發(fā)板數(shù)據(jù)下載STM32 Nucleo 核心板是ST為用戶全新設(shè)計(jì)的開放式開發(fā)平臺(tái)，為用戶提供了經(jīng)濟(jì)、靈活的途徑，用于快速驗(yàn)證
2015-05-04 16:04:16
請(qǐng)問圖片是意法的什么元件，上面的絲印具體信息是什么，有能替代的嗎，查了資料沒找到這個(gè)型號(hào)，謝謝
2022-05-16 23:20:58
囊括了最先進(jìn)的半導(dǎo)體芯片、直接可用的開發(fā)板、免費(fèi)的軟件工具和常用代碼示例。意法半導(dǎo)體與阿里巴巴的合作項(xiàng)目確保開發(fā)效率及中國首個(gè)物聯(lián)網(wǎng)一站式平臺(tái)使用權(quán)限，為開發(fā)者和集成企業(yè)在創(chuàng)建物聯(lián)網(wǎng)節(jié)點(diǎn)或是連接阿里云
2017-10-17 15:54:18
本帖最后由 kuailesuixing 于 2018-6-4 14:34 編輯
任命Jean-Marc Chery為意法半導(dǎo)體管理委員會(huì)唯一成員，出任總裁兼首席執(zhí)行官中國，2018年6月4日
2018-06-04 14:28:11
解決方案，點(diǎn)燃“物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備人機(jī)界面”革命中國，2018年7月12日——橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼
2018-07-13 15:52:39
功能模塊因讓佐臻的的模塊能夠提供創(chuàng)新無線通信技術(shù)和強(qiáng)調(diào)節(jié)能的物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用。 佐臻推出的Sigfox模塊內(nèi)設(shè)意法半導(dǎo)體超低功耗Arm? Cortex?-M0 MCU 平臺(tái)，可獨(dú)立支持系統(tǒng)運(yùn)行。低功耗藍(lán)牙（BLE
2018-05-09 15:45:36
功率放大器以及商用和工業(yè)系統(tǒng)的功率放大器。意法半導(dǎo)體與遠(yuǎn)創(chuàng)達(dá)的合作協(xié)議將擴(kuò)大意法半導(dǎo)體LDMOS產(chǎn)品的應(yīng)用范圍。協(xié)議內(nèi)容保密，不對(duì)外披露。 相關(guān)新聞MACOM和意法半導(dǎo)體將硅上氮化鎵推入主流射頻市場(chǎng)
2018-02-28 11:44:56
新任總裁兼首席執(zhí)行官Jean-Marc Chery任新執(zhí)行委員會(huì)主席中國，2018年6月4日——根據(jù)意法半導(dǎo)體新任總裁兼首席執(zhí)行官Jean-Marc Chery的提議，監(jiān)事會(huì)批準(zhǔn)成立新組建的由
2018-06-04 16:24:42
? 意法半導(dǎo)體嵌入式軟件包集成Sigfox網(wǎng)絡(luò)軟件，適用于各種產(chǎn)品，按照物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用開發(fā)人員的需求專門設(shè)計(jì) ? 使用STM32微控制器、超低功耗射頻收發(fā)器、安全單元、傳感器和功率管理器件，加快
2018-03-12 17:17:45
▌峰會(huì)簡介第五屆意法半導(dǎo)體工業(yè)峰會(huì)即將啟程，現(xiàn)我們敬邀您蒞臨現(xiàn)場(chǎng)，直擊智能熱點(diǎn)，共享前沿資訊，通過意法半導(dǎo)體核心技術(shù)，推動(dòng)加快可持續(xù)發(fā)展計(jì)劃，實(shí)現(xiàn)突破性創(chuàng)新~報(bào)名鏈接：https
2023-09-11 15:43:36
和物聯(lián)網(wǎng)(IoT)產(chǎn)品及解決方案 意法半導(dǎo)體(ST)收購Atollic——專注于Arm? 微控制器集成開發(fā)環(huán)境的嵌入式系統(tǒng)公司意法半導(dǎo)體(ST)與亞馬遜云計(jì)算服務(wù)平臺(tái)合作，提供基于STM32和Amazon FreeRTOS的IoT云節(jié)點(diǎn)整體解決方案
2018-02-09 14:08:48
中國， 2018 年 5 月 21 日 —— 橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供貨商意法半導(dǎo)體（ STMicroelectronics ，簡稱 ST ；紐約證券交易所代碼： STM ） 推出
2018-05-22 11:20:41
中國，2018年4月10日 ——意法半導(dǎo)體的STLQ020低壓差（LDO）穩(wěn)壓器可以緩解在靜態(tài)電流、輸出功率、動(dòng)態(tài)響應(yīng)和封裝尺寸之間權(quán)衡取舍的難題，為設(shè)計(jì)人員帶來更大的自由設(shè)計(jì)空間。集小尺寸、高性能
2018-04-10 15:13:05
橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼：STM） 推出汽車級(jí)六軸慣性傳感器ASM330LHH ，為先進(jìn)的車載導(dǎo)航
2018-07-17 16:46:16
。STLINK-V3SET現(xiàn)在可從www.st.com或通過分銷商購買。詳細(xì)信息訪問www.st.com/stlink-v3set。相關(guān)新聞意法半導(dǎo)體(ST)收購Atollic——專注于Arm? 微控制器集成開發(fā)
2018-10-11 13:53:03
意法半導(dǎo)體的AlgoBuilder 固件開發(fā)工具能將寫代碼工作從固件開發(fā)中分離出來，讓用戶使用可立即編譯的STM32 *微控制器（MCU）運(yùn)行的函數(shù)庫模塊，在圖形用戶界面上創(chuàng)建傳感器控制算法。以簡化
2018-07-13 13:10:00
中國，2018年3月21日——通過使最新的STM32 PMSM FOC軟件開發(fā)套件(SDK)支持STM32Cube開發(fā)生態(tài)系統(tǒng)(訂貨代碼: X-CUBE-MCSDK)，意法半導(dǎo)體進(jìn)一步簡化在
2018-03-22 14:30:41
`中國，2018年3月19日——意法半導(dǎo)體VL53L1X 飛行時(shí)間傳感器將FlightSense*技術(shù)的測(cè)距提高到四米，讓低功耗的高精度測(cè)距和接近檢測(cè)功能適用于更廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域。不像其它的采用簡單
2018-03-20 10:40:56
意法半導(dǎo)體已將其 STM32Cube.AI 機(jī)器學(xué)習(xí)開發(fā)環(huán)境放入云中，并配有可云訪問的意法半導(dǎo)體MCU板進(jìn)行測(cè)試。這兩個(gè)版本都從TensorFlow，PyTorch或ONNX文件為STM32微控制器
2023-02-14 11:55:49
微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)感測(cè)器制造技術(shù)邁入新里程碑。意法半導(dǎo)體(ST)宣布成功結(jié)合面型微加工(Surface-micromachining)和體型微加工(Bulk-micromachining)制程
2020-05-05 06:36:14
戰(zhàn)略，針對(duì)未來幾年部署一些新的舉措，從而形成了宏偉計(jì)劃和2025年目標(biāo)。 ”2017 年意法半導(dǎo)體于可持續(xù)發(fā)展所取得的重要成果：創(chuàng)新與合作伙伴關(guān)系? 將總收入的 31 ％重新投入研發(fā)和資本支出，這是對(duì)創(chuàng)新
2018-05-29 10:32:58
` 本帖最后由 kuailesuixing 于 2018-6-11 16:17 編輯
中國，2018年6月8日——意法半導(dǎo)體的EVALSP820-XS電機(jī)驅(qū)動(dòng)板將意法半導(dǎo)體工業(yè)控制專長充分運(yùn)用
2018-06-11 15:16:38
橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡稱ST;)發(fā)布一款創(chuàng)新的顯示屏背光LED控制器芯片。新產(chǎn)品可簡化手機(jī)與其它便攜電子產(chǎn)品的電路設(shè)計(jì)，為
2011-11-24 14:57:16
的存在。1875年，德布瓦博德蘭（Paul-émile Lecoq de Boisbaudran）在巴黎被發(fā)現(xiàn)鎵，并以他祖國法國的拉丁語 Gallia (高盧)為這種元素命名它。純氮化鎵的熔點(diǎn)只有30
2023-06-15 15:50:54
被譽(yù)為第三代半導(dǎo)體材料的氮化鎵GaN。早期的氮化鎵材料被運(yùn)用到通信、軍工領(lǐng)域，隨著技術(shù)的進(jìn)步以及人們的需求，氮化鎵產(chǎn)品已經(jīng)走進(jìn)了我們生活中，尤其在充電器中的應(yīng)用逐步布局開來，以下是采用了氮化鎵的快
2020-03-18 22:34:23
是什么氮化鎵（GaN）是氮和鎵化合物，具體半導(dǎo)體特性，早期應(yīng)用于發(fā)光二極管中，它與常用的硅屬于同一元素周期族，硬度高熔點(diǎn)高穩(wěn)定性強(qiáng)。氮化鎵材料是研制微電子器件的重要半導(dǎo)體材料，具有寬帶隙、高熱導(dǎo)率等特點(diǎn)，應(yīng)用在充電器方面，主要是集成氮化鎵MOS管，可適配小型變壓器和高功率器件，充電效率高。二、氮化
2021-09-14 08:35:58
氮化鎵功率半導(dǎo)體技術(shù)解析基于GaN的高級(jí)模塊
2021-03-09 06:33:26
更?。篏aNFast? 功率芯片，可實(shí)現(xiàn)比傳統(tǒng)硅器件芯片 3 倍的充電速度，其尺寸和重量只有前者的一半，并且在能量節(jié)約方面，它最高能節(jié)約 40% 的能量。
更快：氮化鎵電源 IC 的集成設(shè)計(jì)使其非常
2023-06-15 15:32:41
`從研發(fā)到商業(yè)化應(yīng)用，氮化鎵的發(fā)展是當(dāng)下的顛覆性技術(shù)創(chuàng)新，其影響波及了現(xiàn)今整個(gè)微波和射頻行業(yè)。氮化鎵對(duì)眾多射頻應(yīng)用的系統(tǒng)性能、尺寸及重量產(chǎn)生了明確而深刻的影響，并實(shí)現(xiàn)了利用傳統(tǒng)半導(dǎo)體技術(shù)無法實(shí)現(xiàn)
2017-08-15 17:47:34
從將PC適配器的尺寸減半，到為并網(wǎng)應(yīng)用創(chuàng)建高效、緊湊的10 kW轉(zhuǎn)換，德州儀器為您的設(shè)計(jì)提供了氮化鎵解決方案。LMG3410和LMG3411系列產(chǎn)品的額定電壓為600 V，提供從低功率適配器到超過2 kW設(shè)計(jì)的各類解決方案。
2019-08-01 07:38:40
和意法半導(dǎo)體今天聯(lián)合宣布將硅基氮化鎵技術(shù)引入主流射頻市場(chǎng)和應(yīng)用領(lǐng)域的計(jì)劃，這標(biāo)志著氮化鎵供應(yīng)鏈生態(tài)系統(tǒng)的重要轉(zhuǎn)折點(diǎn)，未來會(huì)將MACOM的射頻半導(dǎo)體技術(shù)實(shí)力與ST在硅晶圓制造方面的規(guī)?；统錾\(yùn)營完美結(jié)合
2018-08-17 09:49:42
氮化鎵 (GaN) 可為便攜式產(chǎn)品提供更小、更輕、更高效的桌面 AC-DC 電源。Keep Tops 氮化鎵（GaN）是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料。 當(dāng)用于電源時(shí)，GaN 比傳統(tǒng)硅具有更高的效率、更小
2023-08-21 17:06:18
GaNFast功率半導(dǎo)體建模(氮化鎵)
2023-06-19 07:07:27
GaN功率半導(dǎo)體(氮化鎵)的系統(tǒng)集成優(yōu)勢(shì)
2023-06-19 09:28:46
GaN功率半導(dǎo)體與高頻生態(tài)系統(tǒng)(氮化鎵)
2023-06-25 09:38:13
GaN功率半導(dǎo)體在快速充電市場(chǎng)的應(yīng)用(氮化鎵)
2023-06-19 11:00:42
寬禁帶半導(dǎo)體材料氮化鎵（GaN）以其良好的物理化學(xué)和電學(xué)性能成為繼第一代元素半導(dǎo)體硅（Si）和第二代化合物半導(dǎo)體砷化鎵（GaAs）、磷化鎵（GaP）、磷化銦（InP）等之后迅速發(fā)展起來的第三代半導(dǎo)體
2019-06-25 07:41:00
功率氮化鎵電力電子器件具有更高的工作電壓、更高的開關(guān)頻率、更低的導(dǎo)通電阻等優(yōu)勢(shì)，并可與成本極低、技術(shù)成熟度極高的硅基半導(dǎo)體集成電路工藝相兼容，在新一代高效率、小尺寸的電力轉(zhuǎn)換與管理系統(tǒng)、電動(dòng)機(jī)
2018-11-05 09:51:35
IIC：技術(shù)創(chuàng)新不遺余力，意法半導(dǎo)體展示兩個(gè)“第一”領(lǐng)先半導(dǎo)體廠商在技術(shù)創(chuàng)新方面可謂不遺余力。意法半導(dǎo)體這次在本屆國際集成電路展(2006 IIC)上除了正式在中國市場(chǎng)正式推介其
2008-09-27 11:40:15
電子應(yīng)用領(lǐng)域的全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼：STM)于今日聯(lián)合宣布，將在意法半導(dǎo)體的ST Telemaco3P STA1385車載信息
2018-11-05 14:09:44
趕上甚至超過了成本昂貴的硅上氮化鎵產(chǎn)品的替代技術(shù)。我們期待這項(xiàng)合作讓這些GaN創(chuàng)新在硅供應(yīng)鏈內(nèi)結(jié)出碩果，最終服務(wù)于要求最高的客戶和應(yīng)用。”意法半導(dǎo)體汽車與分立器件產(chǎn)品部總裁Marco Monti表示
2018-02-12 15:11:38
應(yīng)用。MACOM的氮化鎵可用于替代磁控管的產(chǎn)品，這顆功率為300瓦的硅基氮化鎵器件被用來作為微波爐里磁控管的替代。用氮化鎵器件來替代磁控管帶來好處很多：半導(dǎo)體器件可靠性更高，氮化鎵器件比磁控管驅(qū)動(dòng)電壓
2017-09-04 15:02:41
負(fù)有盛名。MACOM公司氮化鎵產(chǎn)品已經(jīng)是第四代，且極具價(jià)格優(yōu)勢(shì)和廣闊的應(yīng)用前景。2017 電子設(shè)計(jì)創(chuàng)新大會(huì)展臺(tái)現(xiàn)場(chǎng)Demo關(guān)于MACOM據(jù)悉，MACOM是一家高性能模擬射頻、微波和光學(xué)半導(dǎo)體產(chǎn)品領(lǐng)域
2017-07-18 16:38:20
測(cè)試背景地點(diǎn)：國外某知名品牌半導(dǎo)體企業(yè)，深圳氮化鎵實(shí)驗(yàn)室測(cè)試對(duì)象：氮化鎵半橋快充測(cè)試原因：因高壓差分探頭測(cè)試半橋上管Vgs時(shí)會(huì)炸管，需要對(duì)半橋上管控制信號(hào)的具體參數(shù)進(jìn)行摸底測(cè)試測(cè)試探頭：麥科信OIP
2023-01-12 09:54:23
STM32系列打造意法半導(dǎo)體核心戰(zhàn)略產(chǎn)品
2012-07-31 21:36:53
意法半導(dǎo)體的廣泛數(shù)字電源產(chǎn)品組合可滿足數(shù)字電源設(shè)計(jì)的要求。我們的產(chǎn)品包括MCU（專為數(shù)字功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用而設(shè)計(jì)，采用全數(shù)字控制方法）和數(shù)字控制器（具有面向軟件控制算法的專用ROM存儲(chǔ)器）。意法半導(dǎo)體
2023-09-07 06:49:47
的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼：STM）與世界領(lǐng)先的獨(dú)立定位技術(shù)專家TomTom (TOM2)公司，宣布在意法半導(dǎo)體STM32* 開放式開發(fā)
2018-09-07 11:12:27
證明了技術(shù)如何真地改變并實(shí)現(xiàn)讓印度更快發(fā)展的環(huán)境。"意法半導(dǎo)體大中華、南亞、印度和韓國（亞太區(qū)）PDSA系統(tǒng)工程和戰(zhàn)略計(jì)劃業(yè)務(wù)開發(fā)應(yīng)用總監(jiān)Allan Lagasca補(bǔ)充道：“通過開發(fā)創(chuàng)新的微電子技術(shù)
2018-03-08 10:17:35
ST Voltage Regulator Finder 應(yīng)用軟件，方便工程師、采購人員、學(xué)生或企業(yè)用戶在智能手機(jī)或平板上快速、輕松地尋找并購買意法半導(dǎo)體的穩(wěn)壓器、精密基準(zhǔn)電壓芯片及直流電源轉(zhuǎn)換器等產(chǎn)品
2018-05-28 10:35:07
書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：氮化鎵發(fā)展技術(shù)編號(hào)：JFSJ-21-041作者：炬豐科技網(wǎng)址：http://www.wetsemi.com/index.html 摘要：在單個(gè)芯片上集成多個(gè)
2021-07-06 09:38:20
的開路條件下被光蝕刻。 介紹近年來，氮化鎵和相關(guān)氮化物半導(dǎo)體在藍(lán)綠色發(fā)光二極管、激光二極管和高溫大功率電子器件中的應(yīng)用備受關(guān)注。蝕刻組成材料的有效工藝的可用性因此非常重要。由于第三族氮化物不尋常的化學(xué)
2021-10-13 14:43:35
ST意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體擁有48,000名半導(dǎo)體技術(shù)的創(chuàng)造者和創(chuàng)新者，掌握半導(dǎo)體供應(yīng)鏈和先進(jìn)的制造設(shè)備。作為一家半導(dǎo)體垂直整合制造商(IDM)，意法半導(dǎo)體與二十多萬家客戶、成千上萬名合作伙伴一起研發(fā)
2022-12-12 10:02:34
Canaccord Genuity預(yù)計(jì)，到2025年，電動(dòng)汽車解決方案中每臺(tái)汽車的半導(dǎo)體構(gòu)成部分將增加50％或更多。本文將探討氮化鎵（GaN）電子器件，也涉及到一點(diǎn)碳化硅（SiC），在不增加汽車成本的條件下
2018-07-19 16:30:38
、低功耗和可配置性的完美組合?！?b class="flag-6" style="color: red">意法半導(dǎo)體北歐銷售副總裁Iain Currie表示：“這個(gè)創(chuàng)新的感測(cè)技術(shù)可讓任何物品、表面或空間具有觸控互動(dòng)功能，讓設(shè)計(jì)人員能夠完全自由地設(shè)計(jì)。Neonode選用意法
2018-02-06 15:44:03
本帖最后由 o_dream 于 2020-9-4 08:45 編輯
今天給大家?guī)淼氖?b class="flag-6" style="color: red">意法半導(dǎo)體STM32系列以及STM8系列MCU的一些介紹和相關(guān)的資料手冊(cè)，希望大家在這里能找到自己想要
2020-09-03 22:34:17
的設(shè)計(jì)和集成度，已經(jīng)被證明可以成為充當(dāng)下一代功率半導(dǎo)體，其碳足跡比傳統(tǒng)的硅基器件要低10倍。據(jù)估計(jì)，如果全球采用硅芯片器件的數(shù)據(jù)中心，都升級(jí)為使用氮化鎵功率芯片器件，那全球的數(shù)據(jù)中心將減少30-40
2023-06-15 15:47:44
氮化鎵(GaN)是一種“寬禁帶”(WBG)材料。禁帶，是指電子從原子核軌道上脫離出來所需要的能量，氮化鎵的禁帶寬度為 3.4ev，是硅的 3 倍多，所以說氮化鎵擁有寬禁帶特性（WBG）。
硅的禁帶寬
2023-06-15 15:53:16
目前，以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等“WBG（Wide Band Gap，寬禁帶，以下簡稱為：WBG）”以及基于新型材料的電力半導(dǎo)體，其研究開發(fā)技術(shù)備受矚目。根據(jù)日本環(huán)保部提出的“加快
2023-02-23 15:46:22
行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，成為落地量產(chǎn)設(shè)計(jì)的催化劑
氮化鎵芯片是提高整個(gè)系統(tǒng)性能的關(guān)鍵，是創(chuàng)造出接近“理想開關(guān)”的電路構(gòu)件，即一個(gè)能將最小能量的數(shù)字信號(hào)，轉(zhuǎn)化為無損功率傳輸?shù)碾娐窐?gòu)件。
納微半導(dǎo)體利用橫向650V
2023-06-15 14:17:56
氮化鎵南征北戰(zhàn)縱橫半導(dǎo)體市場(chǎng)多年，無論是吊打碳化硅，還是PK砷化鎵。氮化鎵憑借其禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導(dǎo)率大、電子飽和漂移速度高、抗輻射能力強(qiáng)和良好的化學(xué)穩(wěn)定性等優(yōu)越性質(zhì)，確立了其在制備寬波譜
2019-07-31 06:53:03
氮化鎵，由鎵（原子序數(shù) 31）和氮（原子序數(shù) 7）結(jié)合而來的化合物。它是擁有穩(wěn)定六邊形晶體結(jié)構(gòu)的寬禁帶半導(dǎo)體材料。禁帶，是指電子從原子核軌道上脫離所需要的能量，氮化鎵的禁帶寬度為 3.4eV，是硅
2023-06-15 15:41:16
=rgb(51, 51, 51) !important]射頻氮化鎵技術(shù)是5G的絕配，基站功放使用氮化鎵。氮化鎵（GaN）、砷化鎵（GaAs）和磷化銦（InP）是射頻應(yīng)用中常用的半導(dǎo)體材料。[color
2019-07-08 04:20:32
物聯(lián)網(wǎng)（ IoT ）市場(chǎng)的成長需求。 光寶的新模塊集成了來自橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先半導(dǎo)體供貨商意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics，簡稱 ST ；紐約證券交易所代碼
2018-07-13 11:59:12
客戶希望通過原廠FAE盡快找到解決方案，或者將遇到技術(shù)挫折歸咎為芯片本身設(shè)計(jì)問題，盡管不排除芯片可能存在不適用的領(lǐng)域，但是大部分時(shí)候是應(yīng)用層面的問題，和芯片沒有關(guān)系。這種情況對(duì)新興的第三代半導(dǎo)體氮化鎵
2023-02-01 14:52:03
本應(yīng)用筆記為將意法半導(dǎo)體環(huán)境傳感器 （氣壓、濕度、紫外線傳感器）成功集成到Linux/Android 操作系統(tǒng)提供指南。
2023-09-05 06:08:58
中國，2018年2月26日——世界領(lǐng)先的物聯(lián)網(wǎng)LTE芯片制造商賽肯通信有限公司(紐交所股票代碼: SQNS)和橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域的全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體
2018-02-28 11:41:49
的IO-Link，能更好地幫助設(shè)備互聯(lián)互通。 傳感與數(shù)據(jù)處理：作為MEMS和傳感器技術(shù)創(chuàng)新、生產(chǎn)及應(yīng)用方面的領(lǐng)導(dǎo)者，意法半導(dǎo)體能夠提供多種產(chǎn)品和定制化解決方案，以滿足客戶的不同需求。本次展會(huì)意法半導(dǎo)體將
2018-06-28 10:59:23
這樣的領(lǐng)導(dǎo)者正在將氮化鎵和固態(tài)半導(dǎo)體技術(shù)與這些過程相結(jié)合，以更低的成本進(jìn)行廣泛使用，從而改變行業(yè)的基礎(chǔ)狀況。采油與傳統(tǒng)的干燥和加熱方法相比，射頻能量使用更少的能量，而且高精度可使每瓦都得到有效利用。從
2018-01-18 10:56:28
氮化鎵(GaN)是一種全新的使能技術(shù)，可實(shí)現(xiàn)更高的效率、顯著減小系統(tǒng)尺寸、更輕和于應(yīng)用中取得硅器件無法實(shí)現(xiàn)的性能。那么，為什么關(guān)于氮化鎵半導(dǎo)體仍然有如此多的誤解？事實(shí)又是怎樣的呢？
關(guān)于氮化鎵技術(shù)
2023-06-25 14:17:47
大家好，首次發(fā)帖。本人為意法半導(dǎo)體工程師，因?yàn)橄旅嬉粋€(gè)molding工程師要辭職，繼續(xù)補(bǔ)充新鮮血液。要求：一.熟悉molding制程，需特別熟悉molding compound的性能為佳。二.2年
2012-02-15 11:42:53
小弟物理學(xué)本科應(yīng)聘到深圳賽意法，想從事半導(dǎo)體封裝這個(gè)行業(yè)，這家公司怎么樣？
2013-06-14 19:24:04
意法半導(dǎo)體擁有最先進(jìn)的平面工藝，并且會(huì)隨著G4不斷改進(jìn)：? 導(dǎo)通電阻約比G3低15%? 工作頻率接近1 MHz? 成熟且穩(wěn)健的工藝? 吞吐量、設(shè)計(jì)簡單性、可靠性、經(jīng)驗(yàn)…? 適用于汽車的高生產(chǎn)率
2023-09-08 06:33:00
射頻半導(dǎo)體技術(shù)的市場(chǎng)格局近年發(fā)生了顯著變化。數(shù)十年來，橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)技術(shù)在商業(yè)應(yīng)用中的射頻半導(dǎo)體市場(chǎng)領(lǐng)域起主導(dǎo)作用。如今，這種平衡發(fā)生了轉(zhuǎn)變，硅基氮化鎵(GaN-on-Si)技術(shù)成為接替?zhèn)鹘y(tǒng)LDMOS技術(shù)的首選技術(shù)。
2019-09-02 07:16:34
器件產(chǎn)業(yè)鏈重點(diǎn)公司及產(chǎn)品進(jìn)展：歐美出于對(duì)我國技術(shù)發(fā)展速度的擔(dān)憂及遏制我國新材料技術(shù)的發(fā)展想法，在第三代半導(dǎo)體材料方面，對(duì)我國進(jìn)行幾乎全面技術(shù)封鎖和材料封鎖。在此情況下，我國科研機(jī)構(gòu)和企業(yè)單位立足自主創(chuàng)新
2019-04-13 22:28:48
`中國，2018年7月5日——意法半導(dǎo)體用于連接蜂窩物聯(lián)網(wǎng)的STM32*探索套件今年早些時(shí)候首次亮相2018年嵌入式系統(tǒng)展會(huì)和亞洲物聯(lián)網(wǎng)展會(huì)，現(xiàn)在，客戶可以通過意法半導(dǎo)體全球分銷網(wǎng)訂購。該套件現(xiàn)有
2018-07-09 10:17:50
意法半導(dǎo)體官方的庫怎么搞？求解答
2021-12-15 07:31:43
氮化鎵GaN是什么？
2021-06-16 08:03:56
雖然低電壓氮化鎵功率芯片的學(xué)術(shù)研究，始于 2009 年左右的香港科技大學(xué)，但強(qiáng)大的高壓氮化鎵功率芯片平臺(tái)的量產(chǎn)，則是由成立于 2014 年的納微半導(dǎo)體最早進(jìn)行研發(fā)的。納微半導(dǎo)體的三位聯(lián)合創(chuàng)始人
2023-06-15 15:28:08
了當(dāng)時(shí)功率半導(dǎo)體界的一項(xiàng)大膽技術(shù)：氮化鎵（GaN）。對(duì)于強(qiáng)大耐用的射頻放大器在當(dāng)時(shí)新興的寬帶無線網(wǎng)絡(luò)、雷達(dá)以及電網(wǎng)功率切換應(yīng)用中的使用前景，他們表達(dá)了樂觀的看法。他們稱氮化鎵器件為“迄今為止最堅(jiān)固耐用
2023-02-27 15:46:36
位于加拿大渥太華的第三代半導(dǎo)體無晶圓設(shè)計(jì)公司，主營業(yè)務(wù)是開發(fā)基于 氮化鎵的功率芯片和功率轉(zhuǎn)換解決方案。公司現(xiàn)擁有200多名員工，這就意味著按照員工數(shù)量的收購價(jià)格約為4百萬美元每位員工。恭喜GaN
2023-03-03 16:48:40
就可以實(shí)現(xiàn)。正是由于我們推出了LMG3410—一個(gè)用開創(chuàng)性的氮化鎵 (GaN) 技術(shù)搭建的高壓、集成驅(qū)動(dòng)器解決方案，相對(duì)于傳統(tǒng)的、基于硅材料的技術(shù)，創(chuàng)新人員將能夠創(chuàng)造出更加小巧、效率更高、性能更佳
2022-11-16 07:42:26
會(huì)產(chǎn)生熱量。這些發(fā)熱限制了系統(tǒng)的性能。比如說，當(dāng)你筆記本電腦的電源變熱時(shí)，其原因在于流經(jīng)電路開關(guān)內(nèi)的電子會(huì)產(chǎn)生熱量，并且降低了它的效率。由于氮化鎵是一款更好、效率更高的半導(dǎo)體材料，它的發(fā)熱量更低，所以
2018-08-30 15:05:50
STM32H725ZGT6，ST/意法半導(dǎo)體，Arm?Cortex?-M7 32位550 MHz MCU，最高1 MB閃存，564 KB，RAM、以太網(wǎng)、USB、3個(gè)FD-CAN、圖形、2個(gè)16位
2023-10-16 15:52:51
Manufacturing Limited)位于會(huì)津若松(Aizu-Wakamatsu)的富士通8吋晶圓廠的遞增(incremental)20%股權(quán)之收購，使安森美半導(dǎo)體持有該合資公司的60%大多數(shù)股權(quán)
2018-10-08 14:26:02
385 以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）為代表第三代半導(dǎo)體材料越來越受到市場(chǎng)重視，半導(dǎo)體企業(yè)正在競(jìng)相加速布局。日前，意法半導(dǎo)體宣布已簽署收購法國氮化鎵創(chuàng)新企業(yè)Exagan公司的多數(shù)股權(quán)的并購協(xié)議。
2020-03-10 11:22:192670 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)存在較高的技術(shù)壁壘，核心聯(lián)系由外國投資主導(dǎo)。在歐洲和美國日益嚴(yán)峻的交易審查甚至收購排除的背景下，國內(nèi)公司很難通過收購國外優(yōu)質(zhì)半導(dǎo)體公司來重新獲得，并且國內(nèi)企業(yè)成功收購安石集團(tuán)。非常珍貴，尤其是目前收購中國最好的半導(dǎo)體目標(biāo)。
2023-05-25 12:38:331999
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