大家都知道，IGBT單管相當(dāng)?shù)拇嗳?，同?b class="flag-6" style="color: red">電流容量的IGBT單管，比同樣電流容量的MOSFET脆弱多了，也就是說，在逆變H橋里頭，MOSFET上去沒有問題，但是IGBT上去，可能開機(jī)帶載就炸了
2011-12-29 17:22:40
6450 
東芝公司（Toshiba Corporation）（TOKYO:6502）今天宣布將推出采用DIP8封裝的IC耦合器，可直接驅(qū)動(dòng)中等容量的IGBT或功率MOSFET。
2013-01-11 09:39:451311 本帖最后由 張飛電子學(xué)院郭嘉 于 2021-3-18 17:15 編輯
GBT 工作原理及應(yīng)用絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）的保護(hù)引言絕緣柵雙極型晶體管IGBT是由MOSFET和雙極型晶體管
2021-03-17 11:59:25
個(gè)電流互感器。過電流檢測(cè)出來的電流信號(hào)，經(jīng)光耦管向控制電路輸出封鎖信號(hào)，從而關(guān)斷IGBT的觸發(fā)，實(shí)現(xiàn)過流保護(hù)。 圖1 IGBT的過流檢測(cè)（2）驅(qū)動(dòng)電路中設(shè)有保護(hù)功能。如日本英達(dá)公司的HR065
2011-08-17 09:46:21
造成IGBT損壞，必須有完善的檢測(cè)與保護(hù)環(huán)節(jié)。一般的檢測(cè)方法分為電流傳感器和IGBT欠飽和式保護(hù)?！ ?、立即關(guān)斷驅(qū)動(dòng)信號(hào) 在逆變電源的負(fù)載過大或輸出短路的情況下，通過逆變橋輸入直流母線上的電流
2020-09-29 17:08:58
個(gè)電流互感器檢測(cè)流過IGBT的總電流，經(jīng)濟(jì)簡(jiǎn)單，但檢測(cè)精度較差;后者直接反映每個(gè)IGBT散熱器的電流，測(cè)量精度高，但需6個(gè)電流互感器。過電流檢 測(cè)出來的電流信號(hào)，經(jīng)光耦管向控制電路輸出封鎖信號(hào)，從而
2012-06-19 11:26:00
損壞器件之前，將IGBT關(guān)斷來避免開關(guān)管的損壞?！ ? IGBT的驅(qū)動(dòng)和過流保護(hù)電路分析 根據(jù)以上的分析．本設(shè)計(jì)提出了一個(gè)具有過流保護(hù)功能的光耦隔離的IGBT驅(qū)動(dòng)電路，如圖2。圖2 IGBT驅(qū)動(dòng)和過流
2012-07-18 14:54:31
及故障狀態(tài)反饋電路，為驅(qū)動(dòng)電路的可靠工作提供了保障。其特性為：兼容CMOS/TYL電平；光隔離，故障狀態(tài)反饋；開關(guān)時(shí)間最大500ns；“軟”IGBT關(guān)斷；欠飽和檢測(cè)及欠壓鎖定保護(hù)；過流保護(hù)功能；寬工作電壓
2012-07-06 16:28:56
`IGBT驅(qū)動(dòng)電路 本文在分析了IGBT驅(qū)動(dòng)條件的基礎(chǔ)上介紹了幾種常見的IGBT驅(qū)動(dòng)電路，設(shè)計(jì)了一種基于光耦HCPL-316J的IGBT驅(qū)動(dòng)電路。實(shí)驗(yàn)證明該電路具有良好的驅(qū)動(dòng)及保護(hù)能力
2012-09-09 12:22:07
`1. 由于MOSFET的結(jié)構(gòu),通常它可以做到電流很大，可以到上KA,但是前提耐壓能力沒有IGBT強(qiáng)。2. IGBT可以做很大功率，電流和電壓都可以，就是一點(diǎn)頻率不是太高，目前IGBT硬開關(guān)速度可以
2018-08-27 20:50:45
MOSFET和IGBT內(nèi)部結(jié)構(gòu)不同,于是也決定了其應(yīng)用領(lǐng)域的不同，今天就讓小編帶大家一起來了解一下MOSFET與IGBT的本質(zhì)區(qū)別吧~1、由于MOSFET的結(jié)構(gòu)，通常它可以做到電流很大，可以到上KA
2021-06-16 09:21:55
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:44 編輯
潮光光耦網(wǎng)獨(dú)家提供東芝光耦夏普光耦互換表 方便大家查詢
2012-12-10 16:09:37
`光繼電器光耦是指含有MOSFET光耦合LED的一類光耦。光繼電器相比機(jī)械繼電器具有許多優(yōu)點(diǎn)，比如：更長(zhǎng)的使用壽命、低電流驅(qū)動(dòng)和快速響應(yīng)。東芝光耦繼電器TLP172GAM TLP3122A
2019-05-15 13:12:41
東芝代理光耦：TLP185、TLP187、TLP701、TLP127、TLP181、TLP184、TLP290TLP291、TLP280、TLP281、TLP781、TLP785高速光耦，優(yōu)勢(shì)價(jià)格
2013-04-18 10:43:38
中國(guó)上海，2023年3月9日 ——東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）今日宣布推出一款用于空調(diào)和工業(yè)設(shè)備大型電源的功率因數(shù)校正（PFC）電路的650V分立IGBT---“GT30J65MRB
2023-03-09 16:39:58
我有個(gè)光耦，東芝的，包裝上名字是TLP785(TELS-T6，F(xiàn)(C，這怎么解讀??？785表示？TELS表示？，F(xiàn)表示？，(C表示什么？請(qǐng)大俠指點(diǎn)
2012-08-18 22:20:52
計(jì)算機(jī)工作的可靠性。線性光耦是一種用于模擬信號(hào)隔離的光耦器件，和普通光耦一樣，線性光耦真正隔離的是電流。線性光耦能夠保護(hù)被測(cè)試對(duì)象和測(cè)試電路，并減小環(huán)境干擾對(duì)測(cè)試電路的影響。線性光耦的原理：線性光耦
2013-02-22 16:03:00
我實(shí)際搭了一個(gè)N型的MOSFET FDS9945管來試驗(yàn)他的性能，結(jié)果發(fā)現(xiàn)光耦PC817 IN2腳不管是高電平還是低電平，N型mosfet的2腳都是高電平，實(shí)測(cè)通過IO口給IN2高電平信號(hào)，IN2
2019-02-12 17:12:04
我初級(jí)控制IC用的是OB2269，我在網(wǎng)上看的計(jì)算方式是用OB2269的FB短路電流除以光耦電流傳輸比算出光耦IF電流，然后再算供電電阻，請(qǐng)問這樣算對(duì)嗎？查資料得知OB2269的FB短路電流
2019-03-05 10:07:32
光耦選型 光電耦合器分為兩種：一種為非線性光耦，另一種為線性光耦。常用的4N系列光耦屬于非線性光耦常用的線性光耦是PC817A—C系列。非線性光耦的電流傳輸特性曲線是非線性的，這類光耦適合于弄開關(guān)
2017-06-09 16:40:52
的功能。例如ACPL-332J的情況 - 它的功能是利用PWM輸入信號(hào)來造成輸出端輸出同一PWM信號(hào)，進(jìn)而數(shù)字化驅(qū)動(dòng)IGBT或PowerMosfet。它雖也具有特定緩沖驅(qū)動(dòng)能力，但與CTR完全無關(guān)。 ACPL-332J是能夠驅(qū)動(dòng)高達(dá)2.5A電流的柵極驅(qū)動(dòng)光耦合器。
2012-07-11 11:40:09
輸出光耦怎么通過三極管增加電流，大概驅(qū)動(dòng)200ma的LED？最好說一下加在哪？
2021-06-02 09:09:05
IGBT（絕緣柵雙極晶體管）生產(chǎn)和封裝技術(shù)的革命性發(fā)展，拓寬了這種主力電源開關(guān)技術(shù)的應(yīng)用范圍。
IGBT的基本概念是雙極性（高
電流密度）的開關(guān)器件，以及如
MOSFET器件上的高阻抗柵極。盡管人們?cè)缭?/div>
2018-12-03 13:47:00
說ACPL-336J是光耦隔離驅(qū)動(dòng)的祖先，其實(shí)是徹底錯(cuò)誤的，因?yàn)樵谒癆VAGO還有很多歌版本。但是如果說它的生父AVAGO公司是光耦隔離驅(qū)動(dòng)的祖先應(yīng)該是沒錯(cuò)的。中功率小功率的IGBT保護(hù)與驅(qū)動(dòng)，用ACPL-336J再好不過了，如果不是特別特別摳成本的話。...
2021-11-16 08:33:20
本帖最后由 我愛方案網(wǎng) 于 2022-6-28 10:31 編輯
前言 EV和充電樁將成為IGBT和MOSFET最大單一產(chǎn)業(yè)鏈?zhǔn)袌?chǎng)！俄烏戰(zhàn)爭(zhēng)加速了EV產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展，去化石燃料、保護(hù)國(guó)家安全，以及
2022-06-28 10:26:31
關(guān)斷功率MOSFET。這些保護(hù)措施包括逐周期電流限制（OCP）、過載保護(hù)（OLP）、VDD 欠壓鎖（UVLO）保護(hù)、過壓保護(hù)（OVP） 。逐周期電流限制（OCP）帶有內(nèi)置線電壓補(bǔ)償，可實(shí)現(xiàn)寬輸入電壓
2020-07-06 10:57:25
MOS柵極驅(qū)動(dòng)能力及最高600V工作電壓下，可提供200mA/300mA的驅(qū)動(dòng)電流。它有三個(gè)互相獨(dú)立的高邊和低邊輸出通路以及全保護(hù)功能。此外還有一個(gè)用于PFC 或 Brake IGBT驅(qū)動(dòng)的低邊驅(qū)動(dòng)器
2021-05-18 07:25:34
概述：OB2354是一款用于開關(guān)電源的內(nèi)置高壓MOSFET電流模式PWM控制器，它具有待機(jī)功耗低，啟動(dòng)電流低。在待機(jī)模式下，電路進(jìn)入間歇工作模式，從而有效地降低電路的待機(jī)功耗。電路的開關(guān)頻率為
2020-08-13 17:01:12
MOSFET? +/-5%恒壓調(diào)節(jié)? 全電壓范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)高精度電流調(diào)節(jié)? 去除光耦和次級(jí)控制電路? 內(nèi)置高精度恒流調(diào)節(jié)的線電壓補(bǔ)償? 內(nèi)置變壓器電感補(bǔ)償? 可編程的輸出線補(bǔ)償? 內(nèi)置可提高效率的自適應(yīng)多
2020-09-15 20:44:35
二十年穩(wěn)居全球第一位。 夏普專用于IGBT、MOSFET的驅(qū)動(dòng)光耦采用了先進(jìn)的工藝技術(shù)，具有絕緣電壓高、穩(wěn)定性好、抗干擾能力強(qiáng)、共模抑制比CMR高等卓越的性能。多年來，在日本安川、三菱、富士、東芝等國(guó)際
2012-12-08 10:46:04
。下面是25℃和150℃時(shí)的Vd-Id特性。請(qǐng)看25℃時(shí)的特性圖表。SiC及Si MOSFET的Id相對(duì)Vd（Vds）呈線性增加，但由于IGBT有上升電壓，因此在低電流范圍MOSFET元器件的Vds
2018-12-03 14:29:26
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:43 編輯
TLP250,TLP350,HCPL3120,FOD3120等低成本IGBT驅(qū)動(dòng)光耦，在 一 般 較 低 性 能 的 三 相
2012-12-12 11:20:44
光耦驅(qū)動(dòng)IGBT，PWM信號(hào)是單片機(jī)輸入的0和3.3伏。這個(gè)IGBT門極驅(qū)動(dòng)電壓是10-15伏，我看它的數(shù)據(jù)手冊(cè)上的測(cè)試參數(shù)就用的22Ω的門極電阻。但是光耦燒壞了。數(shù)據(jù)手冊(cè)上寫著光耦供電電流是最大
2019-12-28 23:04:20
應(yīng)用中使用的功率IGBT和MOSFET。 輸出級(jí)的高工作電壓范圍提供了柵極控制設(shè)備所需的驅(qū)動(dòng)電壓。 該光電耦合器提供的電壓和電流使其非常適合直接驅(qū)動(dòng)額定功率高達(dá)800 V / 50 A的IGBT。對(duì)于
2019-10-30 15:23:17
TA7291S是日本東芝公司推出的新產(chǎn)品，是雙向控制電機(jī)驅(qū)動(dòng)集成電路，常用于激光播放機(jī)加載電機(jī)驅(qū)動(dòng)。寬范圍工作電壓VCC狀態(tài)為4.5~20 V，VS狀態(tài)0~20 V，Verf
2010-04-22 09:20:00
13 光耦的基本知識(shí) 21頁14 線性光耦原理與電路設(shè)計(jì) 8頁15 AVAGO光耦內(nèi)置的IGBT保護(hù)功能 6頁16 光耦內(nèi)部結(jié)構(gòu)圖 35頁17 光耦原理 17頁18 單片機(jī)控制繼電器光耦實(shí)際應(yīng)用 19頁
2012-09-27 08:21:16
的IGBT保護(hù)功能 6頁16 光耦內(nèi)部結(jié)構(gòu)圖 35頁17 光耦原理 17頁18 單片機(jī)控制繼電器光耦實(shí)際應(yīng)用 19頁19 光耦簡(jiǎn)介及常見型號(hào) 17頁20 幾種常用的光耦反饋電路應(yīng)用 13頁21 變頻器維修
2012-07-30 17:35:17
本帖最后由 24不可說 于 2018-10-10 08:23 編輯
MOSFET和IGBT內(nèi)部結(jié)構(gòu)不同,決定了其應(yīng)用領(lǐng)域的不同. 1,由于MOSFET的結(jié)構(gòu),通常它可以做到電流很大,可以到上
2017-04-15 15:48:51
1,由于MOSFET的結(jié)構(gòu),通常它可以做到電流很大,可以到上KA,但是前提耐壓能力沒有IGBT強(qiáng)。2,IGBT可以做很大功率,電流和電壓都可以,就是一點(diǎn)頻率不是太高,目前IGBT硬開關(guān)速度可以到
2019-03-06 06:30:00
CMS3960是一款內(nèi)置 MOSFET三相直流無刷電機(jī)驅(qū)動(dòng)IC，集成故障輸出、過壓、過流、欠壓、過溫等多種保護(hù)功能。工作溫度-20℃至85℃；提供ESOP16封裝。廣泛應(yīng)用于風(fēng)扇、水泵等小功
2023-03-02 09:41:55
如圖所示，為什么光耦驅(qū)動(dòng)MOSFET經(jīng)常被燒壞？
2018-12-25 16:04:01
最近有用到東芝的光耦TLP521-2（GB），發(fā)現(xiàn)購買比較困難，求求同類替代光耦，要貼片的哦。
2012-09-05 17:01:34
想問，本來打算用STM32IO口驅(qū)動(dòng)光耦，然后光耦輸出端集電極接電壓，控制PMOS管導(dǎo)通。但是發(fā)現(xiàn)很多光耦，都有（需要）10-20V的電源電壓。光耦不是電流驅(qū)動(dòng)就行了嗎。電流如果在其導(dǎo)通發(fā)光二極管范圍內(nèi)，是不是就可以導(dǎo)通，不必看電壓大小了。
2018-05-08 09:52:29
電壓是給信號(hào)光耦接通，加大占空比，使得輸出電壓升高；反之則關(guān)斷光耦減小占空比，使得輸出電壓降低。旦高頻變壓器次級(jí)負(fù)載超載或開關(guān)電路有故障，就沒有光耦電源提供，光耦就控制著開關(guān)電路不能起振，從而保護(hù)開關(guān)管
2012-12-07 13:59:26
耦有壽命老化的問題?！ ?b class="flag-6" style="color: red">IGBT做逆變器上，需要非常好的保護(hù)，才能最大限度的發(fā)揮他的優(yōu)勢(shì)，不能保護(hù)的非常靈敏，否則最大功率受限制，啟動(dòng)一些負(fù)載就會(huì)發(fā)生保護(hù)，也不能不保護(hù)，否則IGBT比MOSFET更
2012-12-17 15:22:06
幾種IGBT短路保護(hù)電路圖7是利用IGBT過流時(shí)Vce增大的原理進(jìn)行保護(hù)的電路，用于專用驅(qū)動(dòng)器EXB841。EXB841內(nèi)部電路能很好地完成降柵及軟關(guān)斷，并具有內(nèi)部延遲功能，以消除干擾產(chǎn)生的誤動(dòng)作
2009-01-21 13:06:31
單片機(jī)-->光耦-->ULN2003-->繼電器，最多同時(shí)驅(qū)動(dòng)4個(gè)光耦，單片機(jī)低電平驅(qū)動(dòng)光耦，電流夠，那么單片機(jī)直接驅(qū)動(dòng)光耦從可靠性上來說有問題嗎？要不要緩沖下再接光耦？
2019-10-15 09:10:33
FODM3063可控硅輸出SOP-41過零觸發(fā)6007053750仙童FODM3083可控硅輸出SOP-41過零觸發(fā)8007053750仙童 可控硅輸出光耦適合用于控制交流負(fù)載。東芝提供具有400V、600V
2013-12-18 12:05:54
系列Hybrid MOS是同時(shí)具備超級(jí)結(jié)MOSFET（以下簡(jiǎn)稱“SJ MOSFET”）的高速開關(guān)和低電流時(shí)的低導(dǎo)通電阻、IGBT的高耐壓和大電流時(shí)的低導(dǎo)通電阻這些優(yōu)異特性的新結(jié)構(gòu)MOSFET。下面為
2018-11-28 14:25:36
181+2470一起1558 微芯同號(hào) 回收東芝二三極管 回收東芝光耦817全系列品牌: samsung/三星、hynix/海力士、micron/美光、toshiba/東芝、diodes/美臺(tái)
2021-12-11 09:43:19
板，在原有產(chǎn)品的 IGBT 驅(qū)動(dòng)板上加裝了光纖接口。通過光纖連接控制板且直接連接 IGBT 模塊，這樣可以避免因噪音或雷擊所帶來的風(fēng)險(xiǎn)，提高整個(gè)系統(tǒng)的保護(hù)功能，穩(wěn)定性，可靠性?！ 〉侨杂幸恍┲萍s
2013-08-30 08:32:27
基于光耦HCPL-316J的IGBT驅(qū)動(dòng)電路。實(shí)驗(yàn)證明該電路具有良好的驅(qū)動(dòng)及保護(hù)能力。 絕緣門極雙極型晶體管(Isolated Gate Bipolar Transistor簡(jiǎn)稱IGBT
2012-06-11 17:24:30
這是我設(shè)計(jì)的一個(gè)單片機(jī)驅(qū)動(dòng)光耦控制電機(jī)轉(zhuǎn)停的電路，大家看下電路設(shè)計(jì)對(duì)嗎？單片機(jī)在光耦驅(qū)動(dòng)位拉高引腳，輸出24V，fds9958是P型MOSFET，fds9945是n型MOSFET，fds9958 S
2018-04-24 13:09:52
研發(fā)醫(yī)療儀器產(chǎn)品的朋友應(yīng)該都知道，這類產(chǎn)品的電子元器件中必不可少要使用到光耦。用哪個(gè)品牌型號(hào)當(dāng)然根據(jù)產(chǎn)品的方案而定。相對(duì)高端的大部分會(huì)使用到 東芝的TLP521 ，后來由于東芝開始停產(chǎn)部分型號(hào)，該
2012-09-23 17:12:36
IGBT上，如圖1（b）所示。前者只用一個(gè)電流 互感器檢測(cè)流過IGBT的總電流，經(jīng)濟(jì)簡(jiǎn)單，但檢測(cè)精度較差；后者直接反映每個(gè)IGBT的電流，測(cè)量精度高，但需6個(gè)電流互感器。過電流檢測(cè)出來的電流信 號(hào)，經(jīng)光耦管
2011-10-28 15:21:54
,既具有 MOSFET 器件驅(qū)動(dòng)簡(jiǎn)單和快速的優(yōu)點(diǎn),又具有雙極型器件容量大的優(yōu)點(diǎn),因而,在現(xiàn)代電力電子技術(shù)中得到了越來越廣泛的應(yīng)用。在中大功率的開關(guān)電源裝置中,IGBT 由于其控制驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單、工作頻率
2021-03-19 15:22:33
) 運(yùn)用非常廣泛的變頻器常用的驅(qū)動(dòng)光耦.TLP250(F)構(gòu)成的驅(qū)動(dòng)器體積小，價(jià)格便宜，是不帶過流保護(hù)的IGBT驅(qū)動(dòng)器中較理想的選擇。TLP250(F)內(nèi)置光耦的隔離電壓可達(dá)2500V，上升和下降時(shí)間
2012-08-21 16:13:08
請(qǐng)問有沒有哪種型號(hào)的光耦集電極的電流最大值能達(dá)到100MA的？而且耐壓值也比較高的？如果沒有那么哪種型號(hào)的光耦集電極電流能大一些的？求解答啊~
2013-04-26 16:31:05
模塊主要有：富士的EXB840、841，三菱的M57962L，惠普的HCPL316J、3120等。這類模塊均具備過流軟關(guān)斷、高速光耦隔離、欠壓鎖定、故障信號(hào)輸出功能。由于這類模塊具有保護(hù)功能完善、免調(diào)
2016-11-28 23:45:03
的M57962L，惠普的HCPL316J、3120等。這類模塊均具備過流軟關(guān)斷、高速光耦隔離、欠壓鎖定、故障信號(hào)輸出功能。由于這類模塊具有保護(hù)功能完善、免調(diào)試、可靠性高的優(yōu)點(diǎn)，所以應(yīng)用這類模塊驅(qū)動(dòng)IGBT
2016-10-15 22:47:06
什么是光耦繼電器呢？與普通繼電器又有什么區(qū)別？ 光耦繼電器是指含有一個(gè)MOSFET光耦合LED的光耦。光繼電器是指發(fā)光器件和受光器件一體化的器件。光耦繼電器相比機(jī)械繼電器而言具有許多優(yōu)點(diǎn)，比如更長(zhǎng)
2018-09-07 16:09:15
《帝歐電子★ 趙先生135-3012-2202，QQ：879821252 》 東芝光耦收購，高價(jià)回收東芝光耦，誠(chéng)信收購東芝光耦，誠(chéng)信收購！量大可以上門收購，上門回收東芝光耦?。∥宜鹃L(zhǎng)年收購東芝光耦
2021-11-27 16:24:36
IGBT。如此實(shí)現(xiàn)電流保護(hù)。內(nèi)置UVLO模塊,IGBT柵級(jí)需要達(dá)到15V時(shí)才能達(dá)到額定的C-E導(dǎo)通壓降，如果柵極電壓過低，在大電流時(shí)，導(dǎo)通壓降會(huì)急劇上升，且工作在線性區(qū)，將會(huì)很快過熱，所以具有UVLO
2013-06-07 16:34:06
：SOP-5最小包裝：3000PCS/盤rohs:[td=450][table=355,#f6f6f6][tr][td=2,1]光耦TLP105，可替代即將停產(chǎn)東芝光耦TLP290替代東芝停產(chǎn)雙向光耦
2012-07-10 15:53:31
=187] 運(yùn)用非常廣泛的變頻器常用的驅(qū)動(dòng)光耦，替代ACPL-T250IGBT驅(qū)動(dòng)光耦TLP350，變頻器常用到型號(hào)，高性價(jià)比替代TLP290替代東芝停產(chǎn)雙向光耦PS2801-4-F3-A ，可替代東芝TLP281-4，AVAGO的ACPL-247，價(jià)格低至￥2.45，近三年歷史最低價(jià)出售，最后10K，預(yù)定中?。?
2012-07-12 11:39:45
：SOP-8最小包裝：1500PCS/盤rohs:[td=354][table=348,#f6f6f6][tr][td=2,1]光耦 TLP250(TP1,F) 貼片IGBT驅(qū)動(dòng)光耦，運(yùn)用非常廣泛的變頻器常用
2012-07-16 15:54:05
光耦 TLP291GB，高性價(jià)比替代東芝停產(chǎn)型號(hào)TLP291GB,TLP291是采用了SO4封裝的單通道輸出晶體管耦合器，具有高絕緣電壓(3750 Vrms)及能確保在高溫(Ta = 110°C
2012-07-18 11:25:02
用單片機(jī)輸出占空比通過光耦來控制IGBT可以嗎，
2017-05-19 17:25:04
新開發(fā)的板子上打算用一款高速光耦用作數(shù)字信號(hào)隔離，型號(hào)TLP2355，如下圖：內(nèi)部結(jié)構(gòu)圖：壇子里有用過這種光耦嗎？請(qǐng)問第五腳能直接接IC的引腳嗎？還是說要加上下拉？
2019-03-19 06:35:54
IGBT/MOSFET等全控型開關(guān)器件在現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)中的應(yīng)用日趨廣泛，相應(yīng)的驅(qū)動(dòng)芯片集成度也越來越高，其中欠壓保護(hù)功能由于可以防止開關(guān)管在門極電壓較低時(shí)飽和導(dǎo)通，被各大驅(qū)動(dòng)芯片公司集成到了自家
2019-08-22 04:45:14
研討會(huì)介紹了為何光耦柵極驅(qū)動(dòng)器能被廣泛的接受和使用，這不僅是因其所具有的高輸出電流驅(qū)動(dòng)能力，及開關(guān)速度快等長(zhǎng)處之外，更重要的，它也具有保護(hù)功率器件的所需功能。這些功率器件的保護(hù)功能包括欠壓鎖定(UVLO
2018-11-05 15:38:56
東芝推出行業(yè)首款能夠在2.2V電壓下工作的高速通信光耦
2021-01-07 06:35:15
`以下型號(hào)可以替代TLP350FOD3120HCPL-3120 TLP350詳細(xì)參數(shù) 描述高速光耦合器 制造商Toshiba產(chǎn)品種類IGBT 門驅(qū)動(dòng)光電耦合器通道數(shù)1 Channel最大反向二極管
2013-06-20 14:28:50
IGBT的過電流及其保護(hù):在IGBT應(yīng)用開發(fā)中，防止其過電流損壞是最令人關(guān)注的問題。
2010-03-14 19:02:31
43 東芝IGBT系列模塊
2007-12-22 11:10:15924 
內(nèi)置高壓MOSFET電流模式電源控制器
杭州士蘭微電子即將推出應(yīng)用于開關(guān)電源的內(nèi)置高壓MOSFET、電流模式PWM+PFM控制器——SD486X系列芯片。該系列芯片具有低功耗、低啟動(dòng)
2009-11-11 08:53:41701 德州儀器推出面向高電流DC/DC應(yīng)用的功率MOSFET，可以顯著降低上表面熱阻
采用創(chuàng)新封裝手段的DualCool NexFET功率 MOSFET在標(biāo)準(zhǔn)封裝尺寸下將散熱效率提升80%、允許電流提高5
2010-01-15 08:39:05727 Maxim推出內(nèi)置28V MOSFET的雙向過流保護(hù)器MAX14544/MAX14545
Maxim推出內(nèi)置28V MOSFET的雙向過流保護(hù)器MAX14544/MAX14545，有效避免主機(jī)因過載故障和/或輸出過壓而損壞。器件本身的集成
2010-04-27 10:15:28867 
東芝新推出一系列采用小型SO8封裝的IC光電耦合器TLP2451是一款使用圖騰柱輸出的IGBT / MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)光電耦合器
2012-03-13 11:08:413462 
東芝光耦 IGBT/MOSFET，List of Photocouplers (IC Output) by Peak Output Current (IGBT / MOSFET)
2012-03-16 13:43:011090 
東芝光耦 MOSFET Output，Photorelays (MOSFET Output)
2012-03-16 13:44:59579 
日前，東芝公司宣布，公司已為智能手機(jī)與平板電腦燈移動(dòng)設(shè)備的高電流充電電路開關(guān)推出超緊湊型MOSFET，包括兩種高功耗封裝電池“SSM6J781G”和“SSM6J771G”。
2013-07-30 16:27:391141 
IGBT、MOSFET的過電流保護(hù)
2018-03-19 15:10:477 ---------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------一、簡(jiǎn)述大家都知道，IGBT單管相當(dāng)?shù)拇嗳?，同?b class="flag-6" style="color: red">電流容量的IGBT單管，比同樣電流容量的MOSFET脆弱多了，也就是說，在逆變H橋里頭，MOSFET上去沒有問題，但是IGBT.
2021-11-08 14:21:0528 東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）今日宣布，推出150V N溝道功率MOSFET---“TPH9R00CQH”。
2022-04-01 16:42:3610906 ?東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）為其TCK42xG系列MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器IC 的產(chǎn)品陣容增加面向可穿戴設(shè)備等移動(dòng)設(shè)備的五款新品。該系列的新產(chǎn)品配備了過壓鎖定功能，并根據(jù)輸入電壓控制外部MOSFET的柵極電壓。
2022-06-09 10:00:301635 
東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社(“東芝”)宣布擴(kuò)大其智能柵極驅(qū)動(dòng)光耦產(chǎn)品線，推出一款輸出電流為2.5A的智能柵極驅(qū)動(dòng)光耦---“TLP5222”。這是一種可為MOSFET或IGBT等功率器件提供過流保護(hù)的隔離柵極驅(qū)動(dòng)IC，內(nèi)置保護(hù)操作自動(dòng)恢復(fù)的功能。該產(chǎn)品于今日開始出貨。
2022-08-31 17:58:551219 驅(qū)動(dòng)光耦產(chǎn)品線，近期新增一款輸出電流為2.5A的智能柵極驅(qū)動(dòng)光耦 TLP5222 。它是一款可為MOSFET或IGBT等功率器件提供過流保護(hù)的隔離柵極驅(qū)動(dòng)IC，內(nèi)置保護(hù)操作自動(dòng)恢復(fù)的功能。該器件主要用來實(shí)現(xiàn)逆變器、交流伺服器，光伏逆變器等的智
2023-09-28 17:40:02526 
東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）近日宣布，推出“SSM10N961L”低導(dǎo)通電阻30V N溝道共漏極MOSFET，適用于帶有USB的設(shè)備以及電池組保護(hù)。
2023-11-09 17:39:10460 
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論