日本半導(dǎo)體制造商 ROHM 已正式將適用于工業(yè)裝置、太陽能發(fā)電功率調(diào)節(jié)器等變流器/轉(zhuǎn)換器的碳化硅MOSFET 模組（額定規(guī)格1200V/ 180A）投入量產(chǎn)。
2013-01-30 09:32:42
1331 基本半導(dǎo)體1200V 碳化硅MOSFET采用平面柵碳化硅工藝，結(jié)合元胞鎮(zhèn)流電阻設(shè)計(jì)，開發(fā)出了短路耐受時間長，導(dǎo)通電阻小，閾值電壓穩(wěn)定的1200V系列性能卓越的碳化硅MOSFET。
2019-01-17 15:40:039313 
極快反向恢復(fù)速度的600V-1200V碳化硅肖特基二極管芯片及成品器件 。海飛樂技術(shù)600V碳化硅二極管現(xiàn)貨選型相比于Si半導(dǎo)體材料，SiC半導(dǎo)體材料具有禁帶寬度較大、臨界電場較大、熱導(dǎo)率較高的特點(diǎn)，SiC
2019-10-24 14:25:15
逆變器等中高功率領(lǐng)域，可顯著的減少電路的損耗，提高電路的工作頻率?！ ￡P(guān)斷波形圖（650V/10A產(chǎn)品） 650V/1200V碳化硅肖特基二極管選型
2020-09-24 16:22:14
每個橋臂需要4個MOSFET以及各自的驅(qū)動，增加了系統(tǒng)復(fù)雜度，再比如每個橋臂需要各自的鉗位二極管，增加了系統(tǒng)成本?！ ”疚闹校瑢⒔榻B我們8KW LLC變換器的設(shè)計(jì)方案。使用Cree的1200V 碳化硅
2018-10-17 16:55:50
Nov. 2019IV1D12010T2 – 1200V 10A 碳化硅肖特基二極管特性 封裝外形?最大結(jié)溫為 175°C?高浪涌電流容量?零反向恢復(fù)電流?零正向恢復(fù)電壓?高頻工作?開關(guān)特性不受溫度
2020-03-13 13:42:49
。尤其在高壓工作環(huán)境下，依然體現(xiàn)優(yōu)異的電氣特性，其高溫工作特性，大大提高了高溫穩(wěn)定性，也大幅度提高電氣設(shè)備的整體效率?！ ‘a(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于太陽能逆變器、車載電源、新能源汽車電機(jī)控制器、UPS、充電樁、功率電源等領(lǐng)域?！ ?b class="flag-6" style="color: red">1200V碳化硅MOSFET系列選型
2020-09-24 16:23:17
碳化硅（SiC）等寬帶隙技術(shù)為功率轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)人員開辟了一系列新的可能性。與現(xiàn)有的IGBT器件相比，SiC顯著降低了導(dǎo)通和關(guān)斷損耗，并改善了導(dǎo)通和二極管損耗。對其開關(guān)特性的仔細(xì)分析表明，SiC
2023-02-22 16:34:53
應(yīng)用，處理此類應(yīng)用的唯一方法是使用IGBT器件。
碳化硅或簡稱SiC已被證明是一種材料，可以用來構(gòu)建類似
MOSFET的組件，使電路具有比以往IGBT更高的
效率。如今，SiC受到了很多關(guān)注，不僅因?yàn)樗?/div>
2023-02-24 15:03:59
本文的目的是分析碳化硅MOSFET的短路實(shí)驗(yàn)(SCT)表現(xiàn)。具體而言，該實(shí)驗(yàn)的重點(diǎn)是在不同條件下進(jìn)行專門的實(shí)驗(yàn)室測量，并借助一個穩(wěn)健的有限元法物理模型來證實(shí)和比較測量值，對短路行為的動態(tài)變化進(jìn)行深度評估。
2019-08-02 08:44:07
）新的650V碳化硅器件有助于在幾個方面降低成本。與硅基650V MOSFET相比，碳化硅器件的導(dǎo)通損耗降低了50%，開關(guān)損耗降低了75%，而功率密度提高了三倍，因此，不僅可以實(shí)現(xiàn)更高效率，而且還可以降低磁性
2023-02-27 14:28:47
200V，但是碳化硅肖特基二極管能擁有較短恢復(fù)時間實(shí)踐，同時在正向電壓也減少，耐壓也大大超過200V，典型的電壓有650V、1200V等，另外在反向恢復(fù)造成的損耗方面碳化硅肖特基二極管也有很大優(yōu)勢。在
2020-06-28 17:30:27
。碳化硅壓敏電阻的主要特點(diǎn)自我修復(fù)。用于空氣/油/SF6 環(huán)境?？膳渲脼閱蝹€或模塊化組件。極高的載流量。高浪涌能量等級。100% 活性材料?？芍貜?fù)的非線性特性。耐高壓?；旧鲜菬o感的。碳化硅圓盤壓敏電阻每個
2024-03-08 08:37:49
進(jìn)一步了解碳化硅器件是如何組成逆變器的。
2021-03-16 07:22:13
今天我們來聊聊碳化硅器件的特點(diǎn)
2021-03-16 08:00:04
碳化硅（SiC）即使在高達(dá)1400℃的溫度下，仍能保持其強(qiáng)度。這種材料的明顯特點(diǎn)在于導(dǎo)熱和電氣半導(dǎo)體的導(dǎo)電性極高。碳化硅化學(xué)和物理穩(wěn)定性，碳化硅的硬度和耐腐蝕性均較高。是陶瓷材料中高溫強(qiáng)度好的材料
2021-01-12 11:48:45
，3.3 kW CCM 圖騰柱 PFC 的效率可達(dá)到 99% 以上（圖 4），其中在雙升壓 PFC 設(shè)計(jì)中使用 CoolMOS? 的最佳效率峰值為 98.85%。而且，盡管碳化硅MOSFET的成本較高
2023-02-23 17:11:32
碳化硅的顏色，純凈者無色透明，含雜質(zhì)(碳、硅等)時呈藍(lán)、天藍(lán)、深藍(lán)，淺綠等色，少數(shù)呈黃、黑等色。加溫至700℃時不褪色。金剛光澤。比重,具極高的折射率, 和高的雙折射，在紫外光下發(fā)黃、橙黃色光，無
2019-07-04 04:20:22
的化學(xué)惰性? 高導(dǎo)熱率? 低熱膨脹這些高強(qiáng)度、較持久耐用的陶瓷廣泛用于各類應(yīng)用，如汽車制動器和離合器，以及嵌入防彈背心的陶瓷板。碳化硅也用于在高溫和/或高壓環(huán)境中工作的半導(dǎo)體電子設(shè)備，如火焰點(diǎn)火器、電阻加熱元件以及惡劣環(huán)境下的電子元器件。
2019-07-02 07:14:52
碳化硅作為現(xiàn)在比較好的材料，為什么應(yīng)用的領(lǐng)域會受到部分限制呢？
2021-08-19 17:39:39
碳化硅肖特基二極管主要特點(diǎn)及產(chǎn)品系列 基本半導(dǎo)體B1D系列碳化硅肖特基二極管主要技術(shù)參數(shù)如下： 650V、1200V系列B1D碳化硅肖特基二極管電流范圍從2-40A，封裝涵蓋TO-220，TO-252，TO-263，TO-247及其家族群封裝，產(chǎn)品列表見下：原作者：基本半導(dǎo)體
2023-02-28 16:55:45
?！ 』景雽?dǎo)體自主研發(fā)推出了650V、1200V、1700V系列標(biāo)準(zhǔn)封裝碳化硅肖特基二極管及1200V碳化硅MOSFET產(chǎn)品，具有極高的工作效率，性能優(yōu)越達(dá)到國際先進(jìn)水平，可廣泛應(yīng)用于新能源充電樁、光伏逆變器
2023-02-28 16:34:16
一些高壓、高溫、高效率及高功率密度的應(yīng)用場合。碳化硅(SiC)材料因其優(yōu)越的物理特性，開始受到人們的關(guān)注和研究。自從碳化硅1824年被瑞典科學(xué)家Jns Jacob Berzelius發(fā)現(xiàn)以來，直到
2021-03-25 14:09:37
、車載電源、太陽能逆變器、充電樁、UPS、PFC 電源等領(lǐng)域有廣泛應(yīng)用。附上1200V同系列碳化硅MOSFET B1M160120HC B1M080120HC B1M080120HK B1M032120HC B1M018120HC 參數(shù)選型表：
2021-11-10 09:10:42
Basic Semi代理商 B1D02065E 是一款碳化硅肖特基二極管，與傳統(tǒng)的硅基器件相比，具有更優(yōu)越的性能，零開關(guān)損耗，極低反向電流 ，無反向恢復(fù)電流 ，低電容電荷， 提高效率，降低解決方案
2021-10-27 15:00:42
哪位大神知道CISSOID碳化硅驅(qū)動芯片有幾款,型號是什么
2020-03-05 09:30:32
柵極電壓，在20V柵極電壓下從幾乎300A降低到12V柵極電壓時的130A左右。即使碳化硅MOSFET的短路耐受時間短于IGTB的短路耐受時間，也可以通過集成在柵極驅(qū)動器IC中的去飽和功能來保護(hù)SiC
2019-07-30 15:15:17
69.5%，這使得tgf2023-2-10適合高效率的應(yīng)用。產(chǎn)品型號:TGF2023-2-10產(chǎn)品名稱：碳化硅晶體管TGF2023-2-10產(chǎn)品特性頻率范圍：直流至14千兆赫47.4 dBm的名義
2018-06-12 10:22:42
得tgf2023-2-10適合高效率的應(yīng)用。產(chǎn)品型號:TGF2023-2-10產(chǎn)品名稱：碳化硅晶體管TGF2023-2-10產(chǎn)品特性頻率范圍：直流至14千兆赫47.4 dBm的名義PSAT在3
2018-11-15 11:59:01
TGF2954碳化硅晶體管產(chǎn)品介紹TGF2954報(bào)價TGF2954代理TGF2954TGF2954現(xiàn)貨,王先生 深圳市首質(zhì)誠科技有限公司TGF2954是離散的5.04毫米GaN-on-SiC
2018-11-15 14:01:58
:TGF2955產(chǎn)品名稱：碳化硅晶體管TGF2955產(chǎn)品特性頻率范圍：直流- 12 GHz46.4dbm名義PSAT在3 GHz69%在3 GHz的PAE19.2db標(biāo)稱功率增益在3 GHz拜厄斯：VD = 32V
2018-11-15 14:06:57
基本半導(dǎo)體推出的1200V 80mΩ的碳化硅MOSFET兩種封裝的典型產(chǎn)品B1M080120HC（TO-247-3）和B1M080120HK（TO-247-4）為例，從理論上來解釋TO-247-4中輔助源
2023-02-27 16:14:19
什么是碳化硅（SiC）？它有哪些用途？碳化硅（SiC）的結(jié)構(gòu)是如何構(gòu)成的？
2021-06-18 08:32:43
近年來，因?yàn)樾履茉雌?、光伏及儲能、各種電源應(yīng)用等下游市場的驅(qū)動，碳化硅功率器件取得了長足發(fā)展。更快的開關(guān)速度，更好的溫度特性使得系統(tǒng)損耗大幅降低，效率提升，體積減小，從而實(shí)現(xiàn)變換器的高效高功率密度
2022-03-29 10:58:06
應(yīng)用領(lǐng)域，SiC和GaN形成競爭。隨著碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等新材料陸續(xù)應(yīng)用在二極管、場效晶體管(MOSFET)等組件上，電力電子產(chǎn)業(yè)的技術(shù)大革命已揭開序幕。這些新組件雖然在成本上仍比傳統(tǒng)硅
2021-09-23 15:02:11
的整體系統(tǒng)尺寸，更小的整體成本，高溫下更高的可靠性，同時降低功率損耗。創(chuàng)能動力可提供碳化硅二極管、碳化硅MOSFET、碳化硅功率模組和集成功率模組，用于太陽能逆變器、功率因數(shù)校正、電動車充電樁和高效率
2023-02-22 15:27:51
90A 的 6 件拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，適用于 1200V，以及 50A、100A 和 150A 的混合碳化硅芯片組。 半頂 E2 模塊 SEMITOP E2是允許全面優(yōu)化的無底板模塊。憑借其位于外殼頂部的引腳
2023-02-20 16:29:54
和高性能的碳化硅 MOSFET之間，在某些場合性價比更優(yōu)于超結(jié)MOSFET和碳化硅MOSFET，可幫助客戶在性能和成本之間取得更好的平衡，具有重要的應(yīng)用價值，特別適用于對功率密度提升有需求，同時更強(qiáng)
2023-02-28 16:48:24
員要求的更低的寄生參數(shù)滿足開關(guān)電源（SMPS）的設(shè)計(jì)要求。650V碳化硅場效應(yīng)管器件在推出之后，可以補(bǔ)充之前只有1200V碳化硅場效應(yīng)器件設(shè)計(jì)需求，碳化硅場效應(yīng)管（SiC MOSFET）由于能夠?qū)崿F(xiàn)硅
2023-03-14 14:05:02
）。給出了本設(shè)計(jì)主要參數(shù)指標(biāo)，其中輸出最大電流為35A,輸出電壓范圍在300V-550之間。工作頻率范圍在150KHZ-400KHZ之間。目標(biāo)最高效率超過98.4%，功率密度達(dá)到60瓦/立方英寸。碳化硅
2016-08-05 14:32:43
對于高壓開關(guān)電源應(yīng)用，碳化硅或SiC MOSFET帶來比傳統(tǒng)硅MOSFET和IGBT明顯的優(yōu)勢。在這里我們看看在設(shè)計(jì)高性能門極驅(qū)動電路時使用SiC MOSFET的好處。
2018-08-27 13:47:31
用碳化硅MOSFET設(shè)計(jì)一個雙向降壓-升壓轉(zhuǎn)換器
2021-02-22 07:32:40
采用溝槽型、低導(dǎo)通電阻碳化硅MOSFET芯片的半橋功率模塊系列 產(chǎn)品型號 BMF600R12MCC4 BMF400R12MCC4 汽車級全碳化硅半橋MOSFET模塊Pcore2
2023-02-27 11:55:35
電子系統(tǒng)的效率和功率密度朝著更高的方向前進(jìn)。碳化硅器件的這些優(yōu)良特性，需要通過封裝與電路系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)功率和信號的高效、高可靠連接，才能得到完美展現(xiàn)，而現(xiàn)有的傳統(tǒng)封裝技術(shù)應(yīng)用于碳化硅器件時面臨著一些關(guān)鍵挑戰(zhàn)
2023-02-22 16:06:08
)和1200V 碳化硅隔離全橋DC/DC方案(下圖)因此碳化硅MOSFET在軟開關(guān)橋式高輸入電壓隔離DC/DC電路中優(yōu)勢明顯，簡化拓?fù)?，?shí)現(xiàn)高效和高功率密度。特別是它的超快體二極管特性使無論諧振LLC
2016-08-25 14:39:53
MOSFET 的單通道驅(qū)動核，可以驅(qū)動目前市面上大部分 1700V 以內(nèi)的單管碳化硅 MOSFET， 該驅(qū)動核設(shè)計(jì)緊湊，通用性強(qiáng)?！ ?、電源模塊 Q15P2XXYYD 是青銅劍科技自主研發(fā)的單通道
2023-02-27 16:03:36
面向電動汽車的全新碳化硅功率模塊 碳化硅在電動汽車應(yīng)用中代表著更高的效率、更高的功率密度和更優(yōu)的性能，特別是在800 V 電池系統(tǒng)和大電池容量中，它可提高逆變器的效率，從而延長續(xù)航里程或降低電池成本
2021-03-27 19:40:16
，同時在正向電壓也減少，耐壓也大大超過200V，典型的電壓有650V、1200V等，另外在反向恢復(fù)造成的損耗方面碳化硅肖特基二極管也有很大優(yōu)勢。在開關(guān)電源輸出整流部分如果用碳化硅肖特基二極管可以用實(shí)現(xiàn)
2023-02-20 15:15:50
最近需要用到干法刻蝕技術(shù)去刻蝕碳化硅，采用的是ICP系列設(shè)備，刻蝕氣體使用的是SF6+O2，碳化硅上面沒有做任何掩膜，就是為了去除SiC表面損傷層達(dá)到表面改性的效果。但是實(shí)際刻蝕過程中總是會在碳化硅
2022-08-31 16:29:50
使用絕緣柵雙極晶體管（IGBT）。但隨著半導(dǎo)體技術(shù)的進(jìn)步，碳化硅 （SiC） 金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管 （MOSFET） 能夠以比 IGBT 更高的頻率進(jìn)行開關(guān)，通過降低電阻和開關(guān)損耗來提高效率
2022-11-02 12:02:05
科銳公司(Nasdaq: CREE)將繼續(xù)引領(lǐng)高效率電子電力模組變革，宣布推出業(yè)界首款符合全面認(rèn)證的可應(yīng)用于電力電子模組的裸芯片型及芯片型碳化硅MOSFET功率器件。
2011-12-19 09:03:161682 2016年5月10日，德國慕尼黑訊——英飛凌科技股份公司（FSE： IFX / OTCQX： IFNNY）推出革命性的碳化硅（SiC）MOSFET技術(shù)，使產(chǎn)品設(shè)計(jì)可以在功率密度和性能上達(dá)到前所未有的水平。英飛凌的CoolSiC? MOSFET具備更大靈活性，可提高效率和頻率。
2016-05-10 18:14:091164 Semiconductor Inc.今天新推出兩款1200V碳化硅(SiC) n通道增強(qiáng)型MOSFET，為其日益擴(kuò)展的第一代電源半導(dǎo)體器件組合注入新鮮血液。Littelfuse與Monolith在2015年結(jié)成戰(zhàn)略
2018-03-18 09:19:003708 全球電路保護(hù)領(lǐng)域的領(lǐng)先企業(yè)Littelfuse， Inc.與從事碳化硅技術(shù)開發(fā)的德州公司Monolith Semiconductor Inc.今天新推出兩款1200V碳化硅（SiC） n通道增強(qiáng)型
2018-03-19 09:55:275947 ROHM第三代碳化硅MOSFET特點(diǎn)（相比第二代）ROHM第三代設(shè)計(jì)應(yīng)用于650V和1200V產(chǎn)品之中，包括分立或模組封裝。本報(bào)告深入分析了650V和1200V第三代溝槽MOSFET，并利用光學(xué)顯微鏡和掃描電鏡研究復(fù)雜的碳化硅溝槽結(jié)構(gòu)。
2018-08-20 17:26:299042 的產(chǎn)品帶來高效率，高頻率，小體積，降低系統(tǒng)成本等效益，廣泛應(yīng)用于光伏發(fā)電，新能源汽車，通信基站電源，充電樁，高鐵，電網(wǎng)輸電等領(lǐng)域。
2018-09-24 09:13:007216 的重要補(bǔ)充，也是Littelfuse公司已發(fā)布的1200V碳化硅MOSFET和肖特基二極管的強(qiáng)有力補(bǔ)充。最終用戶將受益于更加緊湊節(jié)能的系統(tǒng)以及潛在更低的總體擁有成本。
2018-10-23 11:34:375600 支持電動和混合動力汽車、數(shù)據(jù)中心和輔助電源等高頻、高效電源控制應(yīng)用 Littelfuse公司，今日宣布推出其首款1700V碳化硅MOSFET LSIC1MO170E1000，擴(kuò)充了其碳化硅MOSFET器件組合。
2018-11-03 11:02:414694 日前，Wolfspeed宣布推出1200V 450A全碳化硅半橋模塊CAB450M12XM3，該產(chǎn)品可最大限度地提高功率密度，同時最大限度地降低環(huán)路電感并實(shí)現(xiàn)簡單的功率總線。XM3適用于電動車充電器，牽引驅(qū)動器和不間斷電源（UPS）等應(yīng)用。
2019-09-14 10:54:001843 作為碳化硅技術(shù)全球領(lǐng)先企業(yè)的科銳（Cree Inc．， 美國納斯達(dá)克上市代碼：CREE）公司，于近日宣布推出Wolfspeed 650V碳化硅MOSFET產(chǎn)品組合，適用于更廣闊的工業(yè)應(yīng)用，助力新一代電動汽車車載充電、數(shù)據(jù)中心和其它可再生能源系統(tǒng)應(yīng)用，提供業(yè)界領(lǐng)先的功率效率。
2020-04-02 15:37:563648 采用新型碳化硅結(jié)型場效應(yīng)功率晶體管的光伏逆變器與采用硅IGBT模塊的傳統(tǒng)光伏逆變器相比，具有開關(guān)頻率高、體積小、效率高的特點(diǎn)。本文對橋式碳化硅模塊的驅(qū)動，以及以碳化硅器件組成的單相光伏逆變器的開關(guān)
2020-04-14 08:00:00
2 該功率MOSFET采用碳化硅（SiC）這種新材料，與常規(guī)的硅（Si）MOSFET、IGBT產(chǎn)品相比，具有高耐壓、高速開關(guān)和低導(dǎo)通電阻特性，有利于降低功耗，精簡系統(tǒng)。
2020-10-19 16:11:223530 
）今日宣布推出最新通過認(rèn)證的700和1200V碳化硅（SiC）肖特基勢壘二極管（SBD）功率器件，為電動汽車（EV）系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員提供了符合嚴(yán)苛汽車質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)的解決方案，同時支持豐富的電壓、電流和封裝選項(xiàng)。 Microchip新推出的器件通過了AEC-Q101認(rèn)證，對于需要在提高系統(tǒng)效率的同時保持高質(zhì)
2020-11-05 10:20:351686 英飛凌科技股份公司（FSE:IFX/OTCQX:IFNNY）推出了1200V碳化硅（SiC）集成功率模塊（IPM），并在今年大規(guī)模推出了SiC解決方案。CIPOS Maxi IPM IM828系列
2021-01-08 11:34:513427 東芝面向工業(yè)應(yīng)用推出一款集成最新開發(fā)的雙通道碳化硅（SiC）MOSFET芯片（具有3300V和800A特征）的模塊---“MG800FXF2YMS3”，該產(chǎn)品將于2021年5月投入量產(chǎn)。
2021-02-25 14:14:40951 
）和氮化鎵（GaN）等第三代半導(dǎo)體材料正憑借其優(yōu)越的性能和巨大的市場潛力，成為全球半導(dǎo)體市場的焦點(diǎn)。借此契機(jī)，東芝推出了新款1200V碳化硅（SiC）MOSFET——“TW070J120B”。 01特征屬性分析 TW070J120B采用第2代內(nèi)置碳化硅SBD芯片設(shè)計(jì)，TO-3P(N)封裝，具有高
2021-06-04 18:21:233224 
隨著對電動公共汽車和其他電氣化重型運(yùn)輸車輛的需求增加，以滿足更低的碳排放目標(biāo)，基于碳化硅的電源管理解決方案正在為此類運(yùn)輸系統(tǒng)提供更高效率。為了進(jìn)一步完善其豐富的碳化硅MOSFET分立和模塊產(chǎn)品組合
2021-10-09 16:17:461644 ?東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）已推出兩款碳化硅(SiC) MOSFET雙模塊：額定電壓為1200V、額定漏極電流為600A的“MG600Q2YMS3”；額定電壓為1700V、額定
2022-02-01 20:22:024606 移動應(yīng)用、基礎(chǔ)設(shè)施與航空航天、國防應(yīng)用中 RF 解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商 Qorvo?（納斯達(dá)克代碼：QRVO）今天宣布推出新一代 1200V 碳化硅 (SiC) 場效應(yīng)晶體管 (FET) 系列，該系
2022-05-25 10:46:531004 東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)近日宣布，推出新款功率器件---第三代碳化硅(SiC)MOSFET[1][2]“TWxxNxxxC系列”。該系列具有低導(dǎo)通電阻，可顯著降低開關(guān)損耗。該系列10款產(chǎn)品包括5款1200V產(chǎn)品和5款650V產(chǎn)品，現(xiàn)已開始出貨。
2022-09-01 15:37:53479 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）推出了全新功率器件“TWxxNxxxC系列”。這是其第三代碳化硅MOSFET[1][2]，具
有低導(dǎo)通電阻和大幅降低的開關(guān)損耗。10種產(chǎn)品分別為
2023-02-20 15:46:150 、900V、1200V、1700V，當(dāng)然還有超高壓3300V，目前正在研發(fā)中，主要應(yīng)用于UPS、快充、微逆、電源、電動工具、消費(fèi)類產(chǎn)品、工控，電源、工控、空調(diào)等、電動工具、儲能等。碳化硅 (SiC
2023-02-21 09:59:541184 
汽車碳化硅模塊是一種用于汽車電力傳動系統(tǒng)的電子器件，由多個碳化硅芯片、散熱器、絕緣材料和連接件等組成。碳化硅芯片作為模塊的核心部件，采用現(xiàn)代半導(dǎo)體技術(shù)制造而成，可以實(shí)現(xiàn)高功率、高效率、高頻率的控制和開關(guān)，適用于電動車的逆變器、充電器、DC-DC轉(zhuǎn)換器等多種應(yīng)用。
2023-02-25 15:03:222180 碳化硅（SiC）技術(shù)的新興機(jī)遇是無限的。只要需要高度可靠的電源系統(tǒng)，SiC MOSFET 就能為許多行業(yè)的許多不同應(yīng)用提供高效率，包括那些必須在惡劣環(huán)境中運(yùn)行的應(yīng)用。
2023-05-19 11:27:34547 MOSFET相比傳統(tǒng)的硅MOSFET具有更高的電子遷移率、更高的耐壓、更低的導(dǎo)通電阻、更高的開關(guān)頻率和更高的工作溫度等優(yōu)點(diǎn)。因此，碳化硅MOSFET可以被廣泛應(yīng)用于能源轉(zhuǎn)換、交流/直流電源轉(zhuǎn)換、汽車和航空航天等領(lǐng)域。
2023-06-02 15:33:151180 。Wolfspeed 1200V碳化硅MOSFET系列針對高功率應(yīng)用優(yōu)化設(shè)計(jì)，適用于光伏與儲能系統(tǒng)、電動汽車充電、高電壓DC/DC轉(zhuǎn)換器、測試設(shè)備、不間斷電
2023-07-06 10:35:14375 逆變器中600V-1200V 碳化硅MOSFET未來十年的復(fù)合年增長率為27%。
2023-07-17 11:33:24278 
碳化硅(SiC)技術(shù)的新興機(jī)遇是無限的。只要需要高度可靠的電源系統(tǒng)，SiC MOSFET就能為許多行業(yè)的許多不同應(yīng)用提供高效率，包括那些必須在惡劣環(huán)境下運(yùn)行的應(yīng)用。
2023-07-21 11:42:14623 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《采用STM32G4并基于碳化硅 MOSFET適用于30kW充電電源的ACDC方案.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-07-31 17:03:4410 碳化硅（SiC）技術(shù)的新興機(jī)遇是無限的。只要需要高度可靠的電源系統(tǒng)，SiC MOSFET就能為許多行業(yè)的許多不同應(yīng)用提供高效率，包括那些必須在惡劣環(huán)境中運(yùn)行的應(yīng)用。
2023-08-16 10:28:21656 點(diǎn)擊“東芝半導(dǎo)體”，馬上加入我們哦！ 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布， 推出業(yè)界首款 [1] 2200V雙碳化硅（SiC）MOSFET模塊—“ MG250YD2YMS3
2023-08-31 17:40:07254 
東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）近日宣布，推出采用有助于降低開關(guān)損耗的4引腳TO-247-4L(X)封裝的碳化硅（SiC）MOSFET---“TWxxxZxxxC系列”，該產(chǎn)品采用東芝最新的[1]第3代碳化硅MOSFET芯片，用于支持工業(yè)設(shè)備應(yīng)用。
2023-09-07 09:59:32734 
MOSFET也已經(jīng)發(fā)展到了第3代，新推出的650V和1200V電壓產(chǎn)品現(xiàn)已量產(chǎn)。其柵極驅(qū)動電路設(shè)計(jì)簡單，可靠性得到進(jìn)一步的提高。 碳化硅MOSFET的優(yōu)勢 相同功率等級的硅MOSFET相比，新一代碳化硅MOSFET導(dǎo)通電阻、開關(guān)損耗大幅降低，適用于更高的工作頻率，
2023-10-17 23:10:02269 
共讀好書 碳化硅是第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要基礎(chǔ)材料，碳化硅功率器件以其優(yōu)異的耐高壓、耐高溫、低損耗等性能，能夠有效滿足電力電子系統(tǒng)的高效率、小型化和輕量化要求。 碳化硅MOSFET具有高頻高效
2024-02-21 18:24:15412 
全球知名的連接和電源解決方案供應(yīng)商Qorvo近日宣布，推出四款采用E1B封裝的1200V碳化硅（SiC）模塊。這些模塊包括兩款半橋配置和兩款全橋配置，其導(dǎo)通電阻RDS(on)最低可達(dá)9.4mΩ。這一創(chuàng)新產(chǎn)品系列專為電動汽車充電站、儲能系統(tǒng)、工業(yè)電源和太陽能應(yīng)用而設(shè)計(jì)。
2024-03-06 11:43:19282 
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