載流子導(dǎo)電的，所以，其反向飽和電流較以少數(shù)載流子導(dǎo)電的PN結(jié)大得多。由于肖特基二極管中少數(shù)載流子的存貯效應(yīng)甚微，所以其頻率響僅為RC時間常數(shù)限制，因而，它是高頻和快速開關(guān)的理想器件。其工作頻率可達(dá)100GHz。并且，MIS（金屬－絕緣體－半導(dǎo)體）肖特基二極管可以用來制作太陽能電池或發(fā)光二極管`
2020-02-08 15:04:50
0.3PF @1MHz低電容ESD保護(hù)二極管可保護(hù)半導(dǎo)體設(shè)備（如移動設(shè)備接口和其他應(yīng)用）免受靜電和噪聲的影響。這些ESD保護(hù)二極管利用了快速恢復(fù)特性，具有低動態(tài)電阻和出色的保護(hù)性能。低電容ESD二極管可優(yōu)化
2020-05-21 11:01:21
10KA(ROHS)ARR-BM600L-CA8 陶瓷放電二極管600V 10KA (ROHS)ARR-BP600M-CA8 陶瓷放電二極管600V 20KA (ROHS) ARR-BP800M-CA8
2020-06-05 11:52:50
少數(shù)載流子的存儲效應(yīng)很小，其頻率響應(yīng)僅受RC時間常數(shù)的限制。因此，它是一種理想的高頻快速開關(guān)器件。 肖特基二極管有什么用？肖特基二極管的最大特點是正向壓降VF比較小，在相同電流情況下，其正向壓降要
2021-10-18 16:45:00
電壓和EMI，使開關(guān)器件的作用得到充分發(fā)揮。 快恢復(fù)二極管MUR860D在直流電路中的作用快恢復(fù)二極管MUR860D具有反向阻斷時耐壓高、漏電流小、正向?qū)?b class="flag-6" style="color: red">通電阻低、電流大的特點。因為是作為開關(guān)
2021-12-07 16:12:41
湊的系統(tǒng)），內(nèi)部體二極管能夠像mosfet一樣處理電流嗎？可以說25A電流，還是應(yīng)該使用外部體二極管？如果我使用外部體二極管;我可以使用快速恢復(fù)二極管嗎？那將是什么缺點。外部SiC SBD是昂貴
2019-05-29 06:12:00
STTH80S06/RURG8060快恢復(fù)二極管，電流80A，電壓600V，TO-247封裝。超快開關(guān)，低反向電流，低熱阻，低開關(guān)和導(dǎo)通損耗。產(chǎn)品適用于開關(guān)電源和太陽能逆變器。由于它的低正向壓降
2020-09-24 15:59:11
MOSFET模型仿真驗證Id_Vds有效性MOSFET模型導(dǎo)通電壓Vgs(th)驗證MOSFET模型導(dǎo)通電阻測試驗證與體二極管I-V特性測試電路搭建MOSFET模型體二極管正向電流與正向電壓關(guān)系I_V性能仿真驗證
2017-04-12 20:43:49
的傳遞函數(shù)導(dǎo)出示例 其1升降壓轉(zhuǎn)換器的傳遞函數(shù)導(dǎo)出示例 其2開關(guān)的導(dǎo)通電阻對傳遞函數(shù)的影響總結(jié)總結(jié)關(guān)鍵詞開關(guān)損耗 傳遞函數(shù) 電源設(shè)計 SiC-SBD 快速恢復(fù)二極管 SJ-MOSFET IGBT 狀態(tài)空間
2018-11-27 16:40:24
面積小（可實現(xiàn)小型封裝），而且體二極管的恢復(fù)損耗非常小?！ ≈饕獞?yīng)用于工業(yè)機(jī)器電源、高效率功率調(diào)節(jié)器的逆變器或轉(zhuǎn)換器中?！ ?. 標(biāo)準(zhǔn)化導(dǎo)通電阻 SiC的絕緣擊穿場強(qiáng)是Si的10倍，所以能夠以低阻抗、薄厚
2023-02-07 16:40:49
1. 器件結(jié)構(gòu)和特征Si材料中越是高耐壓器件，單位面積的導(dǎo)通電阻也越大（以耐壓值的約2~2.5次方的比例增加），因此600V以上的電壓中主要采用IGBT（絕緣柵極雙極型晶體管）。IGBT通過
2019-04-09 04:58:00
1. 器件結(jié)構(gòu)和特征Si材料中越是高耐壓器件，單位面積的導(dǎo)通電阻也越大（以耐壓值的約2~2.5次方的比例增加），因此600V以上的電壓中主要采用IGBT（絕緣柵極雙極型晶體管）。IGBT通過
2019-05-07 06:21:55
電壓后，TVS二極管便發(fā)生雪崩，提供給瞬時電流一個超低電阻通路，其結(jié)果是瞬時電流通過二極管被引開，避開被保護(hù)器件，并且在電壓恢復(fù)正常值之前使被保護(hù)回路一直保持截止電壓。當(dāng)瞬時脈沖結(jié)束以后，TVS二極管
2017-04-06 16:54:25
瞬態(tài)功率可達(dá)200W-30000W，甚至更高；? 工作電壓范圍3.3V~600V，甚至更高TVS二極管憑借PS級響應(yīng)速度、大瞬態(tài)功率、低漏電流和電容、箝位電壓易控制、擊穿電壓偏差小、可靠性高、體積小
2020-10-21 16:54:18
工作；當(dāng)電路出現(xiàn)異常浪涌或電壓并達(dá)到了瞬態(tài)二極管擊穿電壓時，瞬態(tài)二極管迅速由高阻態(tài)變?yōu)?b class="flag-6" style="color: red">低阻態(tài)，瞬間吸收一個瞬時過電流，把異常過電壓鉗位在較低的水平，保護(hù)后級電路的精密器件免受瞬態(tài)高壓尖峰脈沖的沖擊
2022-05-25 14:16:57
許多的電路中起著重要的作用，它是誕生最早的半導(dǎo)體器件之一，其應(yīng)用也非常廣泛。二極管的工作原理 晶體二極管為一個由p型半導(dǎo)體和n型半導(dǎo)體
2010-04-09 21:56:24
導(dǎo)通時 耗盡區(qū)是否消失？2、當(dāng)二極管的正偏電壓未達(dá)到導(dǎo)通電壓時，其電阻很高,因為電壓變化較大，而電流變化較小。當(dāng)正偏電壓大于導(dǎo)通電壓時，二極管導(dǎo)通，其電阻很小，因為電壓變化很小，卻導(dǎo)致電流的很大
2010-03-15 09:15:46
在做模擬電路題目，請問怎么設(shè)置二極管的參數(shù)，需要理想二極管。有時候導(dǎo)通電壓是0V，有時候是0.7V，都是固定的。
2013-12-20 10:12:11
0 引言 微波pin二極管是一種應(yīng)用非常廣泛的微波控制器件，可以用來制作微波開關(guān)、微波衰減器、微波限幅器、微波移相器等。 在各類微波pin二極管電路應(yīng)用中，二極管電阻的溫度特性強(qiáng)烈地影響著微波電路
2019-06-25 06:06:38
載流子的存貯效應(yīng)甚微，所以其頻率響僅為RC時間常數(shù)限制，因而，它是高頻和
快速開關(guān)的理想
器件。
其工作頻率可達(dá)100GHz。并且，MIS(金屬-絕緣
體-半導(dǎo)體)肖特基
二極管可以用來制作太陽能電池或發(fā)光
二極管?！ 】?/div>
2019-03-11 11:24:39
所示的曲線關(guān)系:正向?qū)▔航蹬c導(dǎo)通電流成正比，其浮動壓差為0.2V。從輕載導(dǎo)通電流到額定導(dǎo)通電流的壓差雖僅為0.2V,但對于功率肖特基二極管來說它不僅影響效率也影響肖特基二極管的溫升，所以在價格條件
2018-10-18 18:19:30
。 肖特基二極管的導(dǎo)通電壓非常低。普通二極管在電流流過時，會產(chǎn)生約0.7-1.7伏特的電壓降，不過肖特基二極管的電壓降只有0.15-0.45伏特，因此可以提升系統(tǒng)的效率?！ ⌒ぬ鼗?b class="flag-6" style="color: red">二極管的優(yōu)點是正向壓降
2018-11-05 14:29:49
。啟用輸入可用于關(guān)閉MOSFET和控制器的低電流狀態(tài)。狀態(tài)輸出指示是否MOSFET是開啟或關(guān)閉。特點功率二極管的低損耗替代 控制N溝道MOSFET小號 0V至18V電源“或”或持q1an9搶劫 1μs
2012-11-16 17:11:56
請問各種發(fā)光二極管的導(dǎo)通電壓和電流時多少？
2012-09-11 12:40:19
發(fā)光二極管原理發(fā)光二極管特性發(fā)光二極管電阻計算方法發(fā)光二極管的限流電阻的計算發(fā)光二極管電阻接法
2021-03-04 07:46:09
發(fā)光二極管有2EF系列和TB系列，常用的三色發(fā)光二極管有2EF302、2EF312、2EF322等型號?！ ‰妷嚎刂菩桶l(fā)光二極管 通俗發(fā)光二極管屬于電流控制型器件，在應(yīng)用時需串接恰當(dāng)阻值的限流電阻。電壓
2018-04-03 11:33:11
發(fā)光二極管有2EF系列和TB系列，常用的三色發(fā)光二極管有2EF302、2EF312、2EF322等型號。 電壓控制型發(fā)光二極管 通俗發(fā)光二極管屬于電流控制型器件，在應(yīng)用時需串接恰當(dāng)阻值的限流電阻。電壓
2018-09-07 11:29:24
MDD肖特基二極管具有的優(yōu)勢：肖特基二極管MBR系列極快的開關(guān)速度以及非常低的反向恢復(fù)時間使它們非常適合高頻應(yīng)用，并能最大程度降低開關(guān)損耗。肖特基二極管均具有非常低的正向壓降和比傳統(tǒng)二極管更低的熱
2020-08-28 17:12:29
止。圖 2. 用于降壓轉(zhuǎn)換的同步開關(guān)穩(wěn)壓器，采用 N 溝道 MOSFET 和額外的肖特基二極管，可最大限度地減少干擾。相應(yīng) MOSFET 中的體二極管有一個主要缺點。由于反向恢復(fù)現(xiàn)象，其開關(guān)速度非常低
2020-11-11 09:08:55
、場效應(yīng)器件和特殊的肖特基二極管。以下是碳化硅特性：1）碳化硅單載波器件具有薄漂移區(qū)和低導(dǎo)通電阻，比硅器件小約100-300倍。由于導(dǎo)通電阻小，碳化硅功率器件的正向損耗小。2）碳化硅功率器件由于其高擊穿
2023-02-07 15:59:32
N型半導(dǎo)體一側(cè)，相對較薄，故其正向?qū)ㄩT檻電壓比普通PN結(jié)低。但是也是因為肖特基二極管的耗盡區(qū)較薄，所以反向擊穿電壓比較低。 如果是使用的話，TVS有二極管類，和壓敏電阻類。個人認(rèn)為壓敏電阻類更有
2023-03-16 17:29:45
快恢復(fù)二極管HFD3060H（可完全替換DSEC30-06A），電壓600V，電流30A，快恢復(fù)時間短（20ns），開關(guān)速度快，降低器件的開關(guān)損耗和提高電力電子電路的工作頻率，在高頻電力調(diào)節(jié)系統(tǒng)
2020-09-24 16:10:01
快恢復(fù)二極管FMD4206S，電壓600V，電流20A，快恢復(fù)時間50ns，TO-3PF封裝。開關(guān)速度快，低損耗。低漏電流。適用于高頻整流的低損耗電源用二極管。常應(yīng)用于CCM方式PFC；白色家電
2020-09-24 16:11:08
快恢復(fù)二極管HFD8060P（可完全替換MUR8060PT/STTH100W06C），電壓600V，電流80A，超快恢復(fù)時間，低漏電流，高浪涌特性，開關(guān)特性好，低功耗及射頻干擾?？蓱?yīng)用于低電壓
2020-09-24 16:04:45
元件。肖特基二極管與普通二極管從外觀上如何區(qū)分？括檢波二極管、整流二極管、阻尼二極管、開關(guān)二極管、續(xù)流二極管）是由一個PN結(jié)構(gòu)成的半導(dǎo)體器件，具有單向?qū)щ娞匦浴Ｍㄟ^用萬用表檢測其正、反向電阻值，可以判別
2020-12-15 15:45:54
結(jié)構(gòu)符號用途?特征對電源部的一次側(cè)起到整流作用。容易獲得1A以上、400V/600V的高耐壓。整流二極管 (Rectifier Diode) 顧名思義，是指對商用頻率的交流電進(jìn)行整流的二極管。整流
2019-04-11 02:06:13
正常情況下，要滿足穩(wěn)壓二極管的反向電壓是等于或者大于整流二極管的方向電壓。普通二極管是指工藝材料沒有什么特殊的二極管。其性能也就沒有特點了。能不能代替整流二極管呢？根據(jù)二極管的使用原則，只要其耐壓
2021-05-26 16:49:24
` 肖特基(Schottky)二極管是一種快恢復(fù)二極管，它屬一種低功耗、超高速半導(dǎo)體器件。其顯著的特點為反向恢復(fù)時間極短(可以小到幾納秒)，正向?qū)▔航祪H0.4V左右。肖特基(Schottky
2018-10-22 15:32:15
` ?。?）不同耐壓的MOS管的導(dǎo)通電阻分布。不同耐壓的MOS管，其導(dǎo)通電阻中各部分電阻比例分布也不同。如耐壓30V的MOS管，其外延層電阻僅為總導(dǎo)通電阻的29%，耐壓600V的MOS管的外延層電阻
2018-11-01 15:01:12
） MOSFET,以節(jié)省一個 MOSFET.通過在理想二極管和熱插拔 MOSFET 之間配置檢測電阻器，LTC4228 比 LTC4225 有了改進(jìn)，LTC4228 能更快地從輸入電壓欠壓中恢復(fù)，以保持輸出電壓
2018-09-29 16:41:57
接近極限電流情況下導(dǎo)通壓降是0.8V左右。兩種二極管都是單向?qū)щ姡捎糜谡鲌龊?。區(qū)別是普通硅二極管的耐壓可以做得較高，但是它的恢復(fù)速度低，只能用在低頻的整流上，如果是高頻的就會因為無法快速恢復(fù)而發(fā)生
2017-11-30 13:15:14
一樣，可以制成結(jié)型器件、場效應(yīng)器件、和金屬與半導(dǎo)體接觸的肖特基二極管?！ ?b class="flag-6" style="color: red">其優(yōu)點是： (1)碳化硅單載流子器件漂移區(qū)薄，開態(tài)電阻小。比硅器件小100-300倍。由于有小的導(dǎo)通電阻，碳化硅功率器件
2019-01-11 13:42:03
小型化。然而，必須首先解決一個問題：SiC MOSFET反向操作期間，體二極管雙極性導(dǎo)通會造成導(dǎo)通電阻性能下降。將肖特基勢壘二極管嵌入MOSFET，使體二極管失活的器件結(jié)構(gòu)，但發(fā)現(xiàn)用嵌入式SBD代替
2023-04-11 15:29:18
開關(guān)電源小型化，并降低產(chǎn)品噪音?！ ?、碳化硅肖特基二極管的正向特性 碳化硅肖特基二極管的開啟導(dǎo)通電壓比硅快速恢復(fù)二極管較低，如果要降低VF值，需要減薄肖特基勢壘的高度，但這會使器件反向偏壓時的漏電
2023-02-28 16:34:16
常用的穩(wěn)壓二極管的外形與普通小功率整流二極管的外形基本相似。當(dāng)殼體上的型號標(biāo)記清楚時，可根據(jù)型號加以鑒別。當(dāng)其型號標(biāo)志脫落時，可使用萬用表電阻擋很準(zhǔn)確地將穩(wěn)壓二極管與普通整流二極管區(qū)別開來。具體方法
2021-08-16 17:04:51
肖特基二極管正向?qū)?b class="flag-6" style="color: red">通電壓很低，只有0.4v，反向在擊穿電壓之前不會導(dǎo)通，起到快速反應(yīng)開關(guān)的作用。而穩(wěn)壓二極管正向?qū)?b class="flag-6" style="color: red">通電壓跟普通二級管一樣約為0.7v，反向狀態(tài)下在臨界電壓之前截止，在達(dá)到臨界電壓
2021-11-12 06:28:29
1.穩(wěn)壓二極管正向?qū)?b class="flag-6" style="color: red">通電壓跟普通二級管一樣約為0.7v，反向狀態(tài)下在臨界電壓之前截止，在達(dá)到臨界電壓的條件下會處于導(dǎo)通的狀態(tài)，電壓也不再升高，所以用在重要元器件上，起到穩(wěn)壓作用。穩(wěn)壓二極管主要利用其
2021-11-15 08:33:46
1.穩(wěn)壓二極管正向?qū)?b class="flag-6" style="color: red">通電壓跟普通二級管一樣約為0.7v，反向狀態(tài)下在臨界電壓之前截止，在達(dá)到臨界電壓的條件下會處于導(dǎo)通的狀態(tài)，電壓也不再升高，所以用在重要元器件上，起到穩(wěn)壓作用。穩(wěn)壓二極管主要利用其
2021-11-15 09:13:52
穩(wěn)壓二極管 穩(wěn)壓二極管(又叫齊納二極管)它的電路符號是:此二極管是一種直到臨界反向擊穿電壓前都具有很高電阻的半導(dǎo)體器件.在這臨界擊穿點上,反向電阻降低到一個很少的數(shù)值,在這個低阻區(qū)中電流增加而電壓則
2012-09-10 17:16:56
，還通過優(yōu)化內(nèi)置二極管的特性，改善了超級結(jié)MOSFET特有的軟恢復(fù)指數(shù)※3），可減少引發(fā)誤動作的噪聲干擾。通過減少這些阻礙用戶優(yōu)化電路時的障礙，提高設(shè)計靈活度。該系列產(chǎn)品已經(jīng)以月產(chǎn)10萬個的規(guī)模逐步投入
2020-03-12 10:08:31
，還通過優(yōu)化內(nèi)置二極管的特性，改善了超級結(jié)MOSFET特有的軟恢復(fù)指數(shù)※3），可減少引發(fā)誤動作的噪聲干擾。通過減少這些阻礙用戶優(yōu)化電路時的障礙，提高設(shè)計靈活度。該系列產(chǎn)品已經(jīng)以月產(chǎn)10萬個的規(guī)模逐步投入
2020-03-12 10:08:47
器件是由多數(shù)載流子導(dǎo)電的，所以，其反向飽和電流較以少數(shù)載流子導(dǎo)電的PN結(jié)大得多。由于肖特基二極管中少數(shù)載流子的存貯效應(yīng)甚微，所以其頻率響僅為RC時間常數(shù)限制，因而，它是高頻和快速開關(guān)的理想器件。其工作
2019-01-08 13:56:57
` 1、開關(guān)二極管是利用二極管的單向?qū)щ娦?，在半?dǎo)體PN結(jié)加上正向偏壓后，在導(dǎo)通狀態(tài)下，電阻很?。◣资綆装贇W）；加上反向偏壓后截止，其電阻很大（硅管在100MΩ以上）。利用開關(guān)二極管的這一特性
2019-01-03 13:36:59
肖特基二極管正向?qū)?b class="flag-6" style="color: red">通電壓很低，只有0.4V，反向在擊穿電壓之前不會導(dǎo)通，起到快速反應(yīng)開關(guān)的作用。而穩(wěn)壓二極管正向?qū)?b class="flag-6" style="color: red">通電壓跟普通二級管一樣約為0.7V，反向狀態(tài)下在臨界電壓之前截止，在達(dá)到臨界電壓
2020-09-25 15:38:08
（金屬－絕緣體－半導(dǎo)體）肖特基二極管可以用來制作太陽能電池或發(fā)光二極管。 復(fù)二極管：有0.8-1.1V的正向?qū)▔航担?5-85nS的反向恢復(fù)時間，在導(dǎo)通和截止之間迅速轉(zhuǎn)換，提高了器件的使用頻率并改善了
2015-11-27 18:02:58
MOSFET和額外的肖特基二極管，可最大限度地減少干擾。相應(yīng)MOSFET中的體二極管有一個主要缺點。由于反向恢復(fù)現(xiàn)象，其開關(guān)速度非常低。在反向恢復(fù)時間內(nèi)，電感（L1）導(dǎo)致開關(guān)節(jié)點處的電壓下降到比地電壓低幾
2020-12-16 16:57:38
）和功率因數(shù)校正（PFC）電路中功率開關(guān)器件的續(xù)流二極管、變壓器次級用100V以上的高頻整流二極管、RCD緩沖器電路中用600V～1.2kV的高速二極管以及PFC升壓用600V二極管等，只有使用快速恢復(fù)
2017-10-19 11:33:48
的續(xù)流二極管、變壓器次級用100V以上的高頻整流二極管、RCD緩沖器電路中用600V～1.2kV的高速二極管以及PFC升壓用600V二極管等，只有使用快速恢復(fù)外延二極管（FRED）和超快速恢復(fù)二極管
2020-11-26 17:31:19
的續(xù)流二極管、變壓器次級用100V以上的高頻整流二極管、RCD緩沖器電路中用600V～1.2kV的高速二極管以及PFC升壓用600V二極管等，只有使用快速恢復(fù)外延二極管（FRED）和超快速恢復(fù)二極管
2021-11-16 17:02:37
）電路中功率開關(guān)器件的續(xù)流二極管、變壓器次級用100V以上的高頻整流二極管、RCD緩沖器電路中用600V～1.2kV的高速二極管以及PFC升壓用600V二極管等，只有使用快速恢復(fù)外延二極管（FRED）和超
2021-09-09 15:19:01
請問mosfet搭建的H橋為什么比二極管搭建的H橋功耗要低呢？
2023-03-31 13:56:01
大家知道我們在設(shè)計電路時該如何選擇這個續(xù)流二極管的導(dǎo)通電流值嗎？比如在一個大電感的直流線圈反并聯(lián)一個續(xù)流二極管，這個二極管的電流值該如何選擇啊？
2019-06-20 04:35:56
請問貼片電阻，貼片電容，貼片二極管，穩(wěn)壓二極管，MOS管，MOSFET和封裝形式有那些呢？請一一說明，謝謝各們大師哦?。?！
2020-11-13 14:54:46
我的電路是驗證電容的充電是有一定過程的，如果讓電阻和發(fā)光二極管直接與電源連接，則由于二極管兩端獲得的電壓不夠，所以不能導(dǎo)通?，F(xiàn)在我想是先讓電容充電，等到一定的時候，電容兩端的電壓大于發(fā)光二極管的導(dǎo)通電壓時，發(fā)光二極管就會發(fā)光，這個是在Multisim中模擬的，但是二極管沒有點亮，請問：錯在哪了？
2015-08-12 09:38:27
，所以使用可高速開關(guān)的快速恢復(fù)二極管。需要探討的是耐壓和損耗。施加于輸出二極管的反向電壓考慮到余量為：??Vdr = VIN (max)÷0.7 = 372V÷0.7 = 531V → 600V二極管
2018-11-27 16:51:14
在下面的圖中（假設(shè)二極管為理想二極管,正向?qū)?b class="flag-6" style="color: red">通電阻為0）,為什么二極管D1先導(dǎo)通,請解釋得清楚合理些,不要光說V1比V2電壓高所以二極管D1先導(dǎo)通,請詳細(xì)給出個合理好理解的解釋.
2016-05-24 11:05:43
二極管，配合周圍R13,R12電路，常理上分析，當(dāng)電壓大于二極管導(dǎo)通電壓0.7V時，二極管直接導(dǎo)通，這一堆都起不到過壓過流保護(hù)作用，只有電壓低于0.7V時，電流才會繞過二極管，走R13,R12,二電阻起限流作用。不確定這二個二極管的保護(hù)作用，請教高手解惑，謝謝！
2020-04-08 22:01:04
MOSFET漏源極之間有寄生二極管，漏源極間加反向電壓時器件導(dǎo)通。電力 MOSFET的通態(tài)電阻具有正溫度系數(shù)，對器件并聯(lián)時的均流有利?！ ?、動態(tài)特性；其測試電路和開關(guān)過程波形如圖3所示?！ ￠_通
2023-02-27 11:52:38
?靜電二極管的分類可分為單向和雙向，這兩種具體是怎樣的呢？單向與雙向保護(hù)：單向和雙向ESD二極管器件都能抑制正向和負(fù)向應(yīng)力。依據(jù)ESD二極管維持高阻抗、低泄漏狀態(tài)的電壓范圍，可以最好地理解這兩個術(shù)語
2022-06-08 17:06:58
?一、能夠在期望的靜電應(yīng)力下正常工作；二、在正常電壓范圍內(nèi)具有高阻抗(低泄漏)；三、在正常電壓范圍之外呈低阻抗；四、導(dǎo)通電壓適合應(yīng)用；五、在遭受應(yīng)力期間可快速地從高阻抗轉(zhuǎn)換至低阻抗六、電容對目標(biāo)應(yīng)用而言不太高。靜電二極管規(guī)格書下載：
2022-06-09 11:49:54
摘要新一代CoolMOS? 650V CFD2技術(shù)為具備高性能體二極管的高壓功率MOSFET樹立了行業(yè)新桿標(biāo)。該晶體管將650V的擊穿電壓、超低通態(tài)電阻、低容性損耗特性與改進(jìn)反向恢復(fù)過程中的體二極管
2018-12-03 13:43:55
越好。高壓二極管的正向電阻即是正向壓降。正向壓降是指在規(guī)定的正向電流下，二極管的正向電壓降，是二極管能夠導(dǎo)通的正向最低電壓。在規(guī)定的正向電流下，二極管的正向電壓降，是二極管能夠導(dǎo)通的正向最低
2019-10-12 15:12:19
AN系列是以“漏極-源極間導(dǎo)通電阻RDS(on)和柵極總電荷量Qg比平面MOSFET大幅降低”為目的，最先開發(fā)的SJ-MOSFET。與平面MOSFET相比，RDS(on)降低了50%，Qg降低了40
2018-12-03 14:27:05
。當(dāng)電路反向偏置時，電流停止，直到達(dá)到齊納電壓。這一特性非常重要，因為它允許在承載大電流的同時進(jìn)行可靠的電壓管理。齊納電壓可以根據(jù)需要通過摻雜器件進(jìn)行微調(diào)。雖然齊納二極管的電流-電壓（I-V）曲線
2023-02-02 16:52:23
普通二極管（正導(dǎo)通電壓）眾所周知，公共二極管和晶體管的發(fā)射極結(jié)具有閾值電壓。對于硅器件，導(dǎo)通電壓約為0.65 V。隨著導(dǎo)通電流的變化，這種電壓變化并不顯著。因此，任何硅材料的普通二極管都可以
2023-02-13 17:51:25
MOSFET的首顆器件---SiHP065N60E。Vishay Siliconix N溝道SiHP065N60E的導(dǎo)通電阻比前一代600V E系列MOSFET低30%，為通信、工業(yè)和企業(yè)級電源提供
2017-02-10 15:10:11
1667 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出最新第四代600 V EF系列快速體二極管MOSFET 器件---SiHH070N60EF。
2020-12-23 14:24:541692 （NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出采用薄型PowerPAK? 10 x 12封裝的新型第四代600 V EF系列快速體二極管MOSFET---SiHK045N60EF。Vishay
2022-10-12 15:44:14375 
Vishay Siliconix n 溝道 SiHK045N60EF 導(dǎo)通電阻比前代器件降低 29 %，為通信、工業(yè)和計算應(yīng)用提供高效、高功率密度解決方案，同時柵極電荷下降 60 %，從而使器件導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積，即功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中 600V MOSFET 的重要優(yōu)值系數(shù)（FOM）創(chuàng)業(yè)界新低。
2022-10-14 16:16:12817 
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