Nexperia今天推出650V的功率器件GAN063-650WSA，宣布其進(jìn)入氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)管（GaN）市場(chǎng)。
2019-11-22 15:16:32
1787 電壓或高溫條件的器件非常有利。在高頻、高溫、高功率及惡劣環(huán)境下，仍具有更優(yōu)越的開(kāi)關(guān)性能以及更小的結(jié)溫和結(jié)溫波動(dòng)?！ √蓟?b class="flag-6" style="color: red">二極管廣泛應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源、功率因素校正（PFC）電路、不間斷電源（UPS）、光伏
2020-09-24 16:22:14
二極管三極管與晶閘管場(chǎng)效應(yīng)管解析
2021-02-24 09:22:34
防止場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)接電感負(fù)載時(shí)，在截止瞬間產(chǎn)生感應(yīng)電壓與電源電壓之和擊穿場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)，一般功率場(chǎng)效應(yīng)管 (MOSFET)在漏極與源極之間內(nèi)接一個(gè)快速恢復(fù)二極管，如圖8所示
2011-12-19 16:52:35
功率場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET,功率場(chǎng)控晶體管
2019-04-10 10:02:53
場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)是電壓控制型器件(雙極型是電流控制型器件)，因此在驅(qū)動(dòng)大電流時(shí)無(wú)需推動(dòng)級(jí)，電路較簡(jiǎn)單。
2019-09-30 09:01:58
在介紹功率場(chǎng)效應(yīng)管時(shí)，有如下介紹：Planar HD3e Process for Fast Switching Performance。請(qǐng)問(wèn)其中的HD3E是什么意思？麻煩了解的朋友耽誤一點(diǎn)時(shí)間能說(shuō)明一下？
2016-09-14 09:00:33
功率場(chǎng)效應(yīng)管的驅(qū)動(dòng)
2012-08-20 21:01:05
的基本電路如圖4所示。由電流互感器CT檢測(cè)過(guò)電流，進(jìn)而切斷柵極信號(hào),實(shí)現(xiàn)對(duì)功率場(chǎng)效應(yīng)管的保護(hù)。也可用電阻或霍爾元件替代CT。圖3、過(guò)壓保護(hù)電路圖4、過(guò)流保護(hù)電路另外功率場(chǎng)效應(yīng)管的柵極極易擊穿損壞，柵源
2018-01-31 10:01:49
功率場(chǎng)效應(yīng)管（VMOS）是單極型電壓控制器件。具有驅(qū)動(dòng)功率小、工作速度高、無(wú)二次擊穿問(wèn)題、安全工作區(qū)寬等顯著特點(diǎn)，還具有電流負(fù)溫度系數(shù)、良好的電流自動(dòng)調(diào)節(jié)能力、良好的熱穩(wěn)定性和抗干擾能力等優(yōu)點(diǎn)。其
2018-01-29 11:04:58
時(shí)的漏源電流。 2、UP — 夾斷電壓。是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管中，使漏源間剛截止時(shí)的柵極電壓。 3、UT — 開(kāi)啟電壓。是指增強(qiáng)型絕緣柵場(chǎng)效管中，使漏源間剛導(dǎo)通時(shí)的柵極電壓。 4、gM — 跨導(dǎo)
2021-05-13 06:13:46
場(chǎng)效應(yīng)管與晶體管的比較（1）場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制元件，而晶體管是電流控制元件。在只允許從信號(hào)源取較少電流的情況下，應(yīng)選用場(chǎng)效應(yīng)管；而在信號(hào)電壓較低，又允許從信號(hào)源取較多電流的條件下，應(yīng)選用晶體管。（2
2018-11-05 17:16:04
場(chǎng)效應(yīng)管與晶體管的比較（1）場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制元件，而晶體管是電流控制元件。在只允許從信號(hào)源取較少電流的情況下，應(yīng)選用場(chǎng)效應(yīng)管；而在信號(hào)電壓較低，又允許從信號(hào)源取較多電流的條件下，應(yīng)選用晶體管。（2
2009-04-25 15:43:51
`場(chǎng)效應(yīng)管與晶體管的比較（1）場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制元件，而晶體管是電流控制元件。在只允許從信號(hào)源取較少電流的情況下，應(yīng)選用場(chǎng)效應(yīng)管；而在信號(hào)電壓較低，又允許從信號(hào)源取較多電流的條件下，應(yīng)選用晶體管
2017-05-06 15:56:51
晶閘管的門(mén)控極G只能控制晶閘管的導(dǎo)通而不能控制晶閘管的關(guān)斷。第二點(diǎn)是場(chǎng)效應(yīng)管與晶閘管的輸入電阻不同場(chǎng)效應(yīng)管的直流等效輸入電阻非常高，其阻值可以達(dá)到10九次方歐姆，對(duì)于MOSFET管來(lái)說(shuō)最高可以達(dá)到10
2021-03-16 13:48:28
場(chǎng)效應(yīng)管具有什么特點(diǎn)？場(chǎng)效應(yīng)管的工作原理是什么？
2021-09-29 07:19:20
增強(qiáng)型的管子，試過(guò)FQA24N60，IPW65R110CFD,FCH04160F等功率的管子，都能正常使用，但我今天換了IXFH80N65X2(890W.80A,650V)開(kāi)機(jī)出發(fā)倆次就擊穿，換了三塊電路板，試了三次，每次都這樣，請(qǐng)問(wèn)這樣是什么原因?qū)е碌哪?？`
2017-09-20 09:29:28
場(chǎng)效應(yīng)管及三級(jí)管型號(hào)大全
2012-08-16 16:37:48
型)，它的電路圖符號(hào)： 仔細(xì)看看你會(huì)發(fā)現(xiàn)，這兩個(gè)圖似乎有差別，對(duì)了，這實(shí)際上是兩種不同的增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管，第一個(gè)那個(gè)叫N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管，第二個(gè)那個(gè)叫P溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管，它們的的作用是剛好相反
2018-10-10 15:11:23
GS=0時(shí)的漏源電流。2、UP — 夾斷電壓。是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管中，使漏源間剛截止時(shí)的柵極電壓。3、UT — 開(kāi)啟電壓。是指增強(qiáng)型絕緣柵場(chǎng)效管中，使漏源間剛導(dǎo)通時(shí)的柵極電壓。4、gM
2013-03-27 16:19:17
一部分電路圖，在這里的Q1場(chǎng)效應(yīng)管用作PWM調(diào)制器或開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓控制器的功率開(kāi)關(guān)管?！ ?b class="flag-6" style="color: red">場(chǎng)效應(yīng)管除了以上三大作用之外還可以用作可變電阻，實(shí)現(xiàn)壓控電阻，另外，場(chǎng)效應(yīng)管應(yīng)用場(chǎng)合還有很多，例如高保真音響系統(tǒng)、防反接電路等。原作者：大年君愛(ài)好電子
2023-02-24 16:28:18
根部尺寸5毫米處進(jìn)行，以防止彎斷管腳和引起漏氣等。對(duì)于功率型場(chǎng)效應(yīng)管，要有良好的散熱條件。因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">功率型場(chǎng)效應(yīng)管在高負(fù)荷條件下運(yùn)用，必須設(shè)計(jì)足夠的散熱器，確保殼體溫度不超過(guò)額定值，使器件長(zhǎng)期穩(wěn)定可靠地工作
2012-07-28 14:13:50
不動(dòng)，只有將G-S極間電荷短路放掉才行。（4）用測(cè)電阻法判別無(wú)標(biāo)志的場(chǎng)效應(yīng)管 首先用測(cè)量電阻的方法找出兩個(gè)有電阻值的管腳，也就是源極Ｓ和漏極Ｄ，余下兩個(gè)腳為第一柵極G1和第二柵極G2。把先用兩表筆
2021-05-25 06:58:37
場(chǎng)效應(yīng)管(FET)是一種具有pn結(jié)的正向受控作用的有源器件，它是利用電場(chǎng)效應(yīng)來(lái)控制輸出電流的大小，其輸入端pn一般工作于反偏狀態(tài)或絕緣狀態(tài)，輸入電阻很高，柵極處于絕緣狀態(tài)的場(chǎng)效應(yīng)管，輸入阻抗很大
2019-07-29 06:01:16
場(chǎng)效應(yīng)管的作用 1、場(chǎng)效應(yīng)管可應(yīng)用于放大。由于場(chǎng)效應(yīng)管放大器的輸入阻抗很高，因此耦合電容可以容量較小，不必使用電解電容器。 2、場(chǎng)效應(yīng)管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用于多級(jí)放大器的輸入級(jí)作
2019-05-29 06:18:14
場(chǎng)效應(yīng)管的作用1、場(chǎng)效應(yīng)管可應(yīng)用于放大。由于場(chǎng)效應(yīng)管放大器的輸入阻抗很高，因此耦合電容可以容量較小，不必使用電解電容器。2、場(chǎng)效應(yīng)管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用于多級(jí)放大器的輸入級(jí)作阻抗變換。3、場(chǎng)效應(yīng)管可以用作可變電阻。4、場(chǎng)效應(yīng)管可以方便地用作恒流源。5、場(chǎng)效應(yīng)管可以用作電子開(kāi)關(guān)。
2009-04-25 15:43:23
場(chǎng)效應(yīng)管的作用 1、場(chǎng)效應(yīng)管可應(yīng)用于放大。由于場(chǎng)效應(yīng)管放大器的輸入阻抗很高，因此耦合電容可以容量較小，不必使用電解電容器。 2、場(chǎng)效應(yīng)管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用于多級(jí)放大器的輸入級(jí)
2021-05-13 06:55:31
場(chǎng)效應(yīng)管si2301（p溝道）柵極D1接單片機(jī)引腳，電源接源極（s），輸出端漏極（d）接一個(gè)DCDC然后接負(fù)載。問(wèn)題是，單片機(jī)引腳低電平時(shí)，輸出端(d)確實(shí)為高電壓，但是單片機(jī)引腳高電平時(shí)。輸出端為0.69v，并沒(méi)有完全關(guān)斷。這是場(chǎng)效應(yīng)管的原因還是電路的設(shè)計(jì)問(wèn)題？怎么讓場(chǎng)效應(yīng)管完全關(guān)斷呢？
2017-12-09 18:46:35
的是MOS場(chǎng)效應(yīng)管，簡(jiǎn)稱(chēng)MOS管（即金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET）；此外還有PMOS、NMOS和VMOS功率場(chǎng)效應(yīng)管，以及最近剛問(wèn)世的πMOS場(chǎng)效應(yīng)管、VMOS功率模塊等?！ “礈系腊雽?dǎo)體
2009-04-25 15:38:10
1、結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管分為N溝道和P溝道兩種類(lèi)型。這里的溝道是指導(dǎo)電的主要離子，N溝道為電子，P溝道為空穴。
為使N溝道場(chǎng)效應(yīng)管能夠正常工作，應(yīng)在其柵源之間加負(fù)向電壓，以保證耗盡層承受反向電壓；在漏源之間
2024-01-30 11:51:42
。2、UP — 夾斷電壓。是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管中，使漏源間剛截止時(shí)的柵極電壓。3、UT — 開(kāi)啟電壓。是指增強(qiáng)型絕緣柵場(chǎng)效管中，使漏源間剛導(dǎo)通時(shí)的柵極電壓。4、gM — 跨導(dǎo)。是表示柵源電壓
2009-04-25 15:43:12
。 d. 跨導(dǎo)gm的測(cè)試 根據(jù)轉(zhuǎn)移特性曲線(xiàn)數(shù)值，求出VGS在-0.1v和-0.2v之間時(shí)的跨導(dǎo)： (2)按照本課件圖3-7連接一個(gè)結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管共源放大電路。調(diào)節(jié)Rs使VGSQ=-0.2V，測(cè)量并
2019-09-10 01:34:43
這2圖是2個(gè)場(chǎng)效應(yīng)管的手冊(cè)，里面的功率看得有點(diǎn)亂，有沒(méi)有人能教下怎么看，謝謝
2019-03-10 21:09:56
的管腳排列（底視圖）見(jiàn)圖2?！ OS場(chǎng)效應(yīng)管比較“嬌氣”。這是由于它的輸入電阻很高，而柵-源極間電容又非常小，極易受外界電磁場(chǎng)或靜電的感應(yīng)而帶電，而少量電荷就可在極間電容上形成相當(dāng)高的電壓（U=Q
2009-04-25 15:43:42
場(chǎng)效應(yīng)管的特性是什么場(chǎng)效應(yīng)管的主要參數(shù)有哪些場(chǎng)效應(yīng)管怎么選用？場(chǎng)效應(yīng)管的選用注意事項(xiàng)？
2021-04-20 06:49:52
不動(dòng)，只有將G-S極間電荷短路放掉才行。（4）用測(cè)電阻法判別無(wú)標(biāo)志的場(chǎng)效應(yīng)管首先用測(cè)量電阻的方法找出兩個(gè)有電阻值的管腳，也就是源極Ｓ和漏極Ｄ，余下兩個(gè)腳為第一柵極G1和第二柵極G2。把先用兩表筆測(cè)的源極Ｓ與漏
2008-06-03 14:57:05
，這是出于對(duì)關(guān)閉或導(dǎo)通器件所需電壓的考慮。當(dāng)場(chǎng)效應(yīng)管連接到總線(xiàn)及負(fù)載接地時(shí)，就要用高壓側(cè)開(kāi)關(guān)。通常會(huì)在這個(gè)拓?fù)渲胁捎肞溝道場(chǎng)效應(yīng)管，這也是出于對(duì)電壓驅(qū)動(dòng)的考慮?！ ?b class="flag-6" style="color: red">2）電壓和電流的選擇。額定電壓
2020-07-10 14:51:42
`請(qǐng)問(wèn)場(chǎng)效應(yīng)管的驅(qū)動(dòng)電壓多少？`
2019-08-22 15:55:28
電流增大到一定電流時(shí)三極管導(dǎo)通，使場(chǎng)效應(yīng)管GS電壓下降來(lái)實(shí)現(xiàn)穩(wěn)流。 3也是最重要的一點(diǎn)也是我不理解的點(diǎn)，我對(duì)tl431的了解，tl431是三端可調(diào)穩(wěn)壓管，U0=(1+R2/R3)2.5V，由公式看出
2015-09-22 20:06:06
場(chǎng)效應(yīng)管這種器件也是有PN結(jié)構(gòu)成的，它幾乎只利用半導(dǎo)體中的一種載流子來(lái)導(dǎo)電，故又稱(chēng)單極性晶體管。特點(diǎn)是輸入電阻高，有10^7~10^15歐，所以外部的電壓幾乎全部會(huì)加在管子內(nèi)部，而 不用考慮外部電源
2019-06-25 04:20:03
在分析的時(shí)候，比如此時(shí)輸入端為高電平，如何確定場(chǎng)效應(yīng)管源極（S極）的電平，從而無(wú)法確定Vgs的值大小
2016-01-09 20:11:56
氮化鎵為單開(kāi)關(guān)電路準(zhǔn)諧振反激式帶來(lái)了低電荷（低電容）、低損耗的優(yōu)勢(shì)。和傳統(tǒng)慢速的硅器件，以及分立氮化鎵的典型開(kāi)關(guān)頻率（65kHz）相比，集成式氮化鎵器件提升到的 200kHz。
氮化鎵電源 IC 在
2023-06-15 15:35:02
本文展示氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管并配合LM5113半橋驅(qū)動(dòng)器可容易地實(shí)現(xiàn)的功率及效率。
2021-04-13 06:01:46
框圖如圖2所示?！ ?b class="flag-6" style="color: red">第二代可穿戴設(shè)備背后的傳感器技術(shù) ADPD105/ADPD106/ADPD107功能框圖 ADPD107 用作完整收發(fā)器，驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中的 LED 并測(cè)量光電二極管的返回信號(hào)。目標(biāo)
2018-09-21 11:46:21
和提高可靠性都起到至關(guān)重要的作用，如果場(chǎng)效應(yīng)管的質(zhì)量不過(guò)關(guān)，容易使電器開(kāi)關(guān)電源失控，導(dǎo)致電器損壞。所以為了減少電器的返修率，廠家在生產(chǎn)時(shí)就應(yīng)該選用一款質(zhì)量過(guò)硬的場(chǎng)效應(yīng)管，例如飛虹的這個(gè)FHP730高壓
2019-07-18 20:32:19
AN15261基于CYWUSB6934將無(wú)線(xiàn)USB LS設(shè)計(jì)移植到無(wú)線(xiàn)USB LP。第二代無(wú)線(xiàn)電具有第一代無(wú)線(xiàn)電中不存在的其他強(qiáng)大功能：更高的傳輸比特率，更低的接收靈敏度，更高的最大發(fā)射功率，專(zhuān)用的發(fā)送和接收緩沖器以及自動(dòng)CRC
2019-07-19 09:05:47
(on))：1.9Ω源-漏二極管壓降(VSD)：1.4V漏源擊穿電流(IDSS)：10uA反向恢復(fù)時(shí)間(trr)：320NS工作溫度：-55~+150℃引線(xiàn)數(shù)量：3 用萬(wàn)用表定性判斷場(chǎng)效應(yīng)管1、定性判斷MOS型
2021-12-16 16:59:22
數(shù)量，實(shí)現(xiàn)了高度集成的充電器設(shè)計(jì)。鈺泰半導(dǎo)體ETA80G25采用SSOP10封裝，內(nèi)置650V耐壓，850mΩ D-mode氮化鎵開(kāi)關(guān)管。內(nèi)部開(kāi)關(guān)管漏極連接大面積銅箔散熱，可實(shí)現(xiàn)良好的散熱并滿(mǎn)足絕緣耐壓要求
2021-11-28 11:16:55
FLIR第二代熱像儀ADK有哪些特點(diǎn)？FLIR第二代熱像儀ADK有哪些功能？
2021-07-11 07:27:39
寬禁帶半導(dǎo)體材料氮化鎵（GaN）以其良好的物理化學(xué)和電學(xué)性能成為繼第一代元素半導(dǎo)體硅（Si）和第二代化合物半導(dǎo)體砷化鎵（GaAs）、磷化鎵（GaP）、磷化銦（InP）等之后迅速發(fā)展起來(lái)的第三代半導(dǎo)體
2019-06-25 07:41:00
經(jīng)過(guò)整流橋后輸出最高電壓約為220*1.414≈311（V）?！ 】偨Y(jié)：IGBT 一般在高壓大功率場(chǎng)合上應(yīng)用，而場(chǎng)效應(yīng)管一般在低壓中低電流下應(yīng)用，兩者的應(yīng)用場(chǎng)合不同，一般情況下IGBT和場(chǎng)效應(yīng)管
2021-03-15 15:33:54
P型半導(dǎo)體上。場(chǎng)效應(yīng)管的輸出電流是由輸入的電壓（或稱(chēng)電場(chǎng)）控制，可以認(rèn)為輸入電流極小或沒(méi)有輸入電流，這使得該器件有很高的輸入阻抗，同時(shí)這也是我們稱(chēng)之為場(chǎng)效應(yīng)管的原因。在二極管加上正向電壓（P端接正極
2018-10-27 11:36:33
和漏極接在N型半導(dǎo)體上，同樣對(duì)于P溝道的場(chǎng)效應(yīng)管其源極和漏極則接在P型半導(dǎo)體上。我們知道一般三極管是由輸入的電流控制輸出的電流。但對(duì)于場(chǎng)效應(yīng)管，其輸出電流是由輸入的電壓（或稱(chēng)場(chǎng)電壓）控制，可以認(rèn)為輸入電流極小或沒(méi)有輸入電流，這使得該器件有很高的輸入阻抗，同時(shí)這也是我們稱(chēng)之為場(chǎng)效應(yīng)管的原因。
2011-06-08 10:43:25
的是MOS場(chǎng)效應(yīng)管，簡(jiǎn)稱(chēng)MOS管（即金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET）；此外還有PMOS、NMOS和VMOS功率場(chǎng)效應(yīng)管，以及最近剛問(wèn)世的πMOS場(chǎng)效應(yīng)管、VMOS功率模塊等。按溝道半導(dǎo)體資料
2018-10-29 22:20:31
良好焊接，以利于散熱），適應(yīng)寬電源9.5V～26V，是MPS生產(chǎn)的第二代高集成音頻放大芯片，它集成了以下功能：180mΩ 場(chǎng)效應(yīng)管，快速開(kāi)啟/關(guān)斷，精簡(jiǎn)保護(hù)電路。MP7722 利用單獨(dú)的一個(gè)輸出機(jī)構(gòu)，把
2021-05-19 06:15:50
晶體管的開(kāi)關(guān)?！ ?b class="flag-6" style="color: red">第二部分 N型場(chǎng)效應(yīng)管的主要用途 N型場(chǎng)效應(yīng)管在一些工業(yè)設(shè)備和電子裝置中廣泛被用來(lái)控制信號(hào)的開(kāi)關(guān)和功率的傳遞，可應(yīng)用于功率的放大器，適用于數(shù)字電路以及機(jī)械設(shè)備的控制等等?！ 型
2023-03-08 14:21:22
VMOS場(chǎng)效應(yīng)管（VMOSFET）簡(jiǎn)稱(chēng)VMOS管或功率場(chǎng)效應(yīng)管，其全稱(chēng)為V型槽MOS場(chǎng)效應(yīng)管。它是繼MOSFET之后新發(fā)展起來(lái)的高效、功率開(kāi)關(guān)器件。它不僅繼承了MOS場(chǎng)效應(yīng)管輸入阻抗高（≥108W
2021-05-13 06:33:26
對(duì)稱(chēng)問(wèn)題，所以非線(xiàn)性失真極小。因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制器件，輸出級(jí)所需要的推動(dòng)功率較小，所以推動(dòng)級(jí)也很簡(jiǎn)單，由一只結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管擔(dān)任?！ ?b class="flag-6" style="color: red">功率輸出端通過(guò)輸出變壓器耦臺(tái)輸出，音樂(lè)韻味和電子管功放相似。 二
2019-06-21 04:03:47
VMOS場(chǎng)效應(yīng)管（VMOSFET）簡(jiǎn)稱(chēng)Vmos管或功率場(chǎng)效應(yīng)管，其全稱(chēng)為V型槽MOS場(chǎng)效應(yīng)管。它是繼MOSFET之后新發(fā)展起來(lái)的高效、功率開(kāi)關(guān)器件。它不僅繼承了MOS場(chǎng)效應(yīng)管輸入阻抗高（≥108W
2021-05-13 06:40:51
兄弟姐妹們，做proteus仿真，發(fā)現(xiàn)里面找不著雙柵極場(chǎng)效應(yīng)管3sk系列的怎么辦啊？？？
2012-12-05 22:55:00
場(chǎng)效應(yīng)管性能當(dāng)面不是已經(jīng)超過(guò)了三極管了么，三極管會(huì)不會(huì)被淘汰？為什么總是討論三極管問(wèn)題？我是初學(xué)者，剛學(xué)了場(chǎng)效應(yīng)管，嘿嘿，
2015-11-04 12:54:44
第二代導(dǎo)航衛(wèi)星系統(tǒng)與第一代導(dǎo)航衛(wèi)星系統(tǒng)在體制上的差別主要是：第二代用戶(hù)機(jī)可免發(fā)上行信號(hào)，不再依靠中心站電子高程圖處理或由用戶(hù)提供高程信息，而是直接接收衛(wèi)星單程測(cè)距信號(hào)自己定位，系統(tǒng)的用戶(hù)容量不受限制，并可提高用戶(hù)位置隱蔽性。
2019-08-14 07:06:41
度為1.1 eV，而氮化鎵的禁帶寬度為3.4 eV。由于寬禁帶材料具備高電場(chǎng)強(qiáng)度，耗盡區(qū)窄短，從而可以開(kāi)發(fā)出載流子濃度非常高的器件結(jié)構(gòu)。例如，一個(gè)典型的650V橫向氮化鎵晶體管，可以支持超過(guò)800V
2023-06-15 15:53:16
行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，成為落地量產(chǎn)設(shè)計(jì)的催化劑
氮化鎵芯片是提高整個(gè)系統(tǒng)性能的關(guān)鍵，是創(chuàng)造出接近“理想開(kāi)關(guān)”的電路構(gòu)件，即一個(gè)能將最小能量的數(shù)字信號(hào)，轉(zhuǎn)化為無(wú)損功率傳輸?shù)碾娐窐?gòu)件。
納微半導(dǎo)體利用橫向650V
2023-06-15 14:17:56
兩年多前，德州儀器宣布推出首款600V氮化鎵（GaN）功率器件。該器件不僅為工程師提供了功率密度和效率，且易于設(shè)計(jì)，帶集成柵極驅(qū)動(dòng)和穩(wěn)健的器件保護(hù)。從那時(shí)起，我們就致力于利用這項(xiàng)尖端技術(shù)將功率級(jí)
2020-10-27 09:28:22
帶寬度的半導(dǎo)體材料，和第一代的Si以及第二代的GaAs等前輩相比，其在特性上優(yōu)勢(shì)突出。由于禁帶寬度大、導(dǎo)熱率高，GaN器件可在200℃以上的高溫下工作，能夠承載更高的能量密度，可靠性更高；較大禁帶寬
2019-07-08 04:20:32
、美容儀型號(hào)：HC610N溝道場(chǎng)效應(yīng)管100V6A 6N10SOT23-3L內(nèi)阻80mR型號(hào)：HC160N10LN溝道場(chǎng)效應(yīng)管 100V10A(10N10)TO-252封裝，內(nèi)阻145mR,可用于霧化器
2020-09-23 11:38:52
場(chǎng)效應(yīng)管的作用：放大、調(diào)制、諧振和作開(kāi)關(guān)用，場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制型器件。場(chǎng)效應(yīng)管的好壞判斷：把數(shù)字萬(wàn)用表打到二極管檔，用萬(wàn)用表任意觸碰場(chǎng)效應(yīng)管的三只引腳，好的場(chǎng)效應(yīng)管最終結(jié)果只有一次有讀數(shù)，并且在
2012-05-04 09:51:12
原理圖如圖所示，其中2、4引腳接輸入-和輸入+，5、6引腳接場(chǎng)效應(yīng)管的G級(jí)和D級(jí)，7引腳為差分放大的輸出端，8引腳接地。場(chǎng)效應(yīng)管S級(jí)接12v電壓，分析得知場(chǎng)效應(yīng)管的功能可能是由該未知器件驅(qū)動(dòng)并輸出5v電壓。 請(qǐng)問(wèn)貴公司有沒(méi)有類(lèi)似功能的器件，可否給我推薦一兩個(gè)型號(hào)的類(lèi)似器件？謝謝！：
2018-12-14 09:20:08
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:08 編輯
由于柵極電壓被穩(wěn)壓管鉗位，當(dāng)流過(guò)場(chǎng)效應(yīng)管的電流有增大的趨勢(shì)時(shí)，負(fù)反饋電阻上的電壓增加，使場(chǎng)效應(yīng)管截止趨勢(shì)增加，電流下降，反之亦然，使負(fù)載電阻電流保持恒定轉(zhuǎn)載自http://www.wggk.net/
2012-07-04 17:37:37
情況下，在HF~VHF頻段設(shè)計(jì)的寬帶射頻功放，采用場(chǎng)效應(yīng)管(FET)設(shè)計(jì)要比使用常規(guī)功率晶體管設(shè)計(jì)方便簡(jiǎn)單，正是基于場(chǎng)效應(yīng)管輸入阻抗比較高，且輸入阻抗相對(duì)頻率的變化不會(huì)有太大的偏差，易于阻抗匹配
2019-06-19 06:30:29
）。圖1. 三相電機(jī)驅(qū)動(dòng)方案中使用的功率器件，顯示了兩種短路情況：（a）高端和低端之間的擊穿和（b）感性負(fù)載上的短路。為了支持高壓氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)管的持續(xù)采用，確保高SCWT非常重要。但是，鑒于其固有屬性
2023-02-22 16:27:02
代表絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管。第二位字母代表 材料，D是P型硅，反型層是N溝道；C是N型硅P溝道。例如,3DJ6D是結(jié)型N溝道場(chǎng)效應(yīng)三極管，3DO6C 是絕緣柵型N溝道場(chǎng)效應(yīng)三極管。第二種命名方法是CS
2012-07-11 11:41:15
!三極管收購(gòu),回收連接器,磁珠收購(gòu),收購(gòu)工廠電子元器件,回收高頻管,光纖頭回收中心,電解電容收購(gòu)中心,二極管收購(gòu)中心,傳感器回收,ic回收公司,收購(gòu)數(shù)碼IC,鉭電容回收公司,庫(kù)存場(chǎng)效應(yīng)管收購(gòu)中心,收購(gòu)
2020-07-16 10:36:53
，對(duì)了，這實(shí)際上是兩種不同的增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管，第一個(gè)那個(gè)叫N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管，第二個(gè)那個(gè)叫P溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管，它們的的作用是剛好相反的。前面說(shuō)過(guò)，場(chǎng)效應(yīng)管是用電控制的開(kāi)關(guān)，那么我們就先講一下怎么使用它來(lái)
2021-05-25 06:00:00
組成的推挽推動(dòng)級(jí)，例如電磁爐IGBT管的推動(dòng)電路。如圖1所示。該推動(dòng)級(jí)工作在開(kāi)關(guān)狀態(tài)，輸出功率可以達(dá)5W左右，因?yàn)槭巧錁O輸出，所以輸出阻抗很小（< 10Ω）。無(wú)需功率驅(qū)動(dòng)的場(chǎng)效應(yīng)管為何要用大功率低阻抗的推動(dòng)級(jí)呢？
2019-05-22 08:29:46
。LMG3410和LMG3411系列產(chǎn)品的額定電壓為600 V，提供從低功率適配器到超過(guò)2 kW設(shè)計(jì)的各類(lèi)解決方案。通過(guò)導(dǎo)通電阻選擇器件內(nèi)部氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）的額定值為RDS(on) - 漏極-源極或導(dǎo)通電阻…
2022-11-10 06:36:09
本帖最后由 3T華鉆電子 于 2020-9-22 17:05 編輯
新潔能原廠 NCE65T360F 650V 11A TO-220F 超結(jié)場(chǎng)效應(yīng)管 ，原裝正品，優(yōu)勢(shì)價(jià)格。深圳市華鉆電子
2019-12-31 15:08:03
，氮化鎵器件可以在同一襯底上集成多個(gè)器件，使得單片式電源系統(tǒng)可以更直接、更高效和更具成本效益地在單芯片上進(jìn)行設(shè)計(jì)。集成功率級(jí)諸如EPC23102為設(shè)計(jì)人員提供了一個(gè)比基于分立器件方案的體積小35
2023-06-25 14:17:47
求分享USB3.1第二代應(yīng)用的ESD解決方案
2022-01-14 07:35:38
`海飛樂(lè)技術(shù)現(xiàn)貨替換IXTH80N65X2場(chǎng)效應(yīng)管制造商: IXYS 產(chǎn)品種類(lèi): MOSFET RoHS: 詳細(xì)信息 技術(shù): Si 安裝風(fēng)格: Through Hole 封裝 / 箱體
2020-03-05 11:07:30
用于AC/DC變換器應(yīng)用的新型650V GaNFast半橋IC(氮化鎵)
2023-06-19 07:57:31
純直流場(chǎng)效應(yīng)管功放電路原理圖
2019-11-01 09:10:41
1、結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管分為N溝道和P溝道兩種類(lèi)型。
為使N溝道場(chǎng)效應(yīng)管能夠正常工作，應(yīng)在其柵源之間加負(fù)向電壓，以保證耗盡層承受反向電壓；在漏源之間加正向電壓，以形成漏極電流。N溝道場(chǎng)效應(yīng)管在不加控制電壓
2024-01-30 11:38:27
由MOS場(chǎng)效應(yīng)管和普通電源變壓器構(gòu)成，TK8A50D場(chǎng)效應(yīng)管是目前家用電器的逆變器后級(jí)電路應(yīng)用得比較多的場(chǎng)效應(yīng)管型號(hào)之一。冰箱、空調(diào)、LED等是我們每天都會(huì)應(yīng)用到的電器，如果場(chǎng)效應(yīng)管的質(zhì)量不過(guò)關(guān)，無(wú)法進(jìn)行
2019-08-15 15:08:53
摘要新一代CoolMOS? 650V CFD2技術(shù)為具備高性能體二極管的高壓功率MOSFET樹(shù)立了行業(yè)新桿標(biāo)。該晶體管將650V的擊穿電壓、超低通態(tài)電阻、低容性損耗特性與改進(jìn)反向恢復(fù)過(guò)程中的體二極管
2018-12-03 13:43:55
功率場(chǎng)效應(yīng)管的原理、特點(diǎn)及參數(shù)
功率場(chǎng)效應(yīng)管又叫功率場(chǎng)控晶體管。
一．功率場(chǎng)效應(yīng)管
2009-10-06 22:55:144643 
VMOS場(chǎng)效應(yīng)管,VMOS場(chǎng)效應(yīng)管是什么意思
VMOS場(chǎng)效應(yīng)管（VMOSFET）簡(jiǎn)稱(chēng)VMOS管或功率場(chǎng)效應(yīng)管，其全稱(chēng)為V型槽MOS場(chǎng)效應(yīng)
2010-03-04 09:51:031344 近日，瞻芯電子采用TO263-7封裝的第二代SiC MOSFET中650V 40mΩ產(chǎn)品IV2Q06040D7Z通過(guò)了嚴(yán)苛的車(chē)規(guī)級(jí)可靠性認(rèn)證，該產(chǎn)品采用TO263-7貼片封裝，具有體積較小，安裝簡(jiǎn)便，損耗更低的特點(diǎn)。
2024-01-16 10:16:24770 
3月8日，瞻芯電子開(kāi)發(fā)的3款第二代650V SiC MOSFET產(chǎn)品通過(guò)了嚴(yán)格的車(chē)規(guī)級(jí)可靠性認(rèn)證（AEC-Q101 Qualified）。
2024-03-11 09:24:38287 
近日，瞻芯電子宣布其研發(fā)的三款第二代650V SiC MOSFET產(chǎn)品成功通過(guò)了嚴(yán)格的AEC-Q101車(chē)規(guī)級(jí)可靠性認(rèn)證，這一里程碑式的成就標(biāo)志著瞻芯電子在功率電子領(lǐng)域的持續(xù)創(chuàng)新與技術(shù)突破。
2024-03-12 11:04:24260 瞻芯電子近日宣布成功推出三款第二代650V SiC MOSFET產(chǎn)品，這些產(chǎn)品不僅通過(guò)了嚴(yán)格的車(chē)規(guī)級(jí)可靠性認(rèn)證（AEC-Q101 Qualified），還具備業(yè)界領(lǐng)先的低損耗水平。這些新型MOSFET的推出，標(biāo)志著瞻芯電子在半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域的又一重要突破。
2024-03-13 09:24:13279
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