ST推出新一代高頻功率晶體管。新產(chǎn)品可有效延長如醫(yī)用掃描儀和等離子發(fā)生器等大功率射頻設(shè)備的運(yùn)行時(shí)間，并可提高應(yīng)用性能及降低設(shè)備成本。
2011-05-24 08:52:48
898 英飛凌科技推出用于商業(yè)航空電子設(shè)備和雷達(dá)系統(tǒng)的脈沖應(yīng)用和其他類型工業(yè)放大器的高功率晶體管。基于全新的50V LDMOS工藝技術(shù)，全新推出的器件具備高能效、適用于小型化系統(tǒng)設(shè)計(jì)
2012-07-15 01:23:461266 埃賦隆半導(dǎo)體（Ampleon）今天宣佈推出專為諸如數(shù)位視訊廣播（DVBT）和特高頻（UHF）類比電視等UHF廣播應(yīng)用設(shè)計(jì)的BLF989射頻（RF）功率電晶體。
2018-06-07 11:43:237780 與雙極型晶體管相比，LDMOS管的增益更高，LDMOS管的增益可達(dá)14dB以上，而雙極型晶體管在5~6dB,采用LDMOS管的PA模塊的增益可達(dá)60dB左右。這表明對(duì)于相同的輸出功率需要更少的器件，從而增大功放的可靠性。
2020-04-07 09:00:33
晶體管在5~6dB,采用LDMOS管的PA模塊的增益可達(dá)60dB左右。這表明對(duì)于相同的輸出功率需要更少的器件，從而增大功放的可靠性。
2019-06-26 07:33:30
功率半導(dǎo)體器件以功率金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(功率MOSFET，常簡寫為功率MOS)、絕緣柵雙極晶體管(IGBT)以及功率集成電路(power IC，常簡寫為PIC)為主。
2020-04-07 09:00:54
半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)與晶體管工藝原理
2012-08-20 08:37:00
上次我們學(xué)習(xí)了無源元件，今天我們接著來復(fù)習(xí)一下半導(dǎo)體以及使用了半導(dǎo)體的有源元件-二極管、晶體管、FET。
2021-03-03 08:36:01
目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時(shí)候都更堅(jiān)實(shí)耐用。針對(duì)特高耐用性設(shè)計(jì)的器件可以承受嚴(yán)重的失配，即使在滿輸出電平時(shí)也是如此。現(xiàn)在多家制造商可提供大功率硅橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)晶體管
2019-08-22 06:13:27
請(qǐng)問圖片是意法的什么元件，上面的絲印具體信息是什么，有能替代的嗎，查了資料沒找到這個(gè)型號(hào)，謝謝
2022-05-16 23:20:58
時(shí)，提供更大的便利及更高的工作效率。該平臺(tái)上的所有軟件都經(jīng)過AliOS預(yù)驗(yàn)證，從而簡化了安全要求和設(shè)備現(xiàn)場升級(jí)，讓客戶能夠先于競爭對(duì)手推出新產(chǎn)品。意法半導(dǎo)體亞太區(qū)微控制器、存儲(chǔ)器和安全微控制器及物聯(lián)網(wǎng)
2017-10-17 15:54:18
提供內(nèi)設(shè)端口控制器的雙芯片方案，已獲得完全認(rèn)證為幫助工程師在新開發(fā)產(chǎn)品或在原有產(chǎn)品設(shè)計(jì)中引入最新的USBPower Delivery充電功能和多用途的USB Type-C?連接器，意法半導(dǎo)體新推出
2018-07-13 13:20:19
的硬件和(免費(fèi))注冊(cè)中國，2018年2月9日 —— 橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域的全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼：STM）今天宣布，包括學(xué)生
2018-02-09 14:08:48
提升功能集成度和設(shè)計(jì)靈活性，新增STM32F413/423兩個(gè)產(chǎn)品線意法半導(dǎo)體(ST)先進(jìn)圖像防抖陀螺儀讓下一代智能手機(jī)拍照不抖動(dòng)意法半導(dǎo)體傳感器通過阿里IoT驗(yàn)證，助力設(shè)備廠商更快推出新產(chǎn)品
2018-05-22 11:20:41
有源米勒鉗位選配，提升高速開關(guān)抗干擾能力中國，2018年8月3日——意法半導(dǎo)體的STGAP2S單路電氣隔離柵極驅(qū)動(dòng)器提供26V的最大柵極驅(qū)動(dòng)輸出電壓，準(zhǔn)許用戶選擇獨(dú)立的導(dǎo)通/關(guān)斷輸出或內(nèi)部有源米勒鉗
2018-08-06 14:37:25
意法半導(dǎo)體單片天線匹配 IC系列新增兩款優(yōu)化的新產(chǎn)品，面向BlueNRG-LPS系統(tǒng)芯片(SoC)，以及STM32WB1x 和STM32WB5x*無線MCU。單片天線匹配 IC有助于簡化射頻電路設(shè)計(jì)
2023-02-13 17:58:36
中國，2018年4月10日 ——意法半導(dǎo)體的STLQ020低壓差（LDO）穩(wěn)壓器可以緩解在靜態(tài)電流、輸出功率、動(dòng)態(tài)響應(yīng)和封裝尺寸之間權(quán)衡取舍的難題，為設(shè)計(jì)人員帶來更大的自由設(shè)計(jì)空間。集小尺寸、高性能
2018-04-10 15:13:05
橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼：STM） 推出汽車級(jí)六軸慣性傳感器ASM330LHH ，為先進(jìn)的車載導(dǎo)航
2018-07-17 16:46:16
環(huán)境的嵌入式系統(tǒng)公司意法半導(dǎo)體推出新款STM8 Nucleo開發(fā)板，為8位項(xiàng)目提供開源硬件資源簡單便捷、開箱即用的IoT連接方案——意法半導(dǎo)體STM32蜂窩-云端探索套件經(jīng)銷商到貨
2018-10-11 13:53:03
意法半導(dǎo)體的AlgoBuilder 固件開發(fā)工具能將寫代碼工作從固件開發(fā)中分離出來，讓用戶使用可立即編譯的STM32 *微控制器（MCU）運(yùn)行的函數(shù)庫模塊，在圖形用戶界面上創(chuàng)建傳感器控制算法。以簡化
2018-07-13 13:10:00
： BSI-DSZ-CC-1037-2018 中國，2018年6月1日—— 橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域的全球領(lǐng)先半導(dǎo)體供貨商意法半導(dǎo)體（ STMicroelectronics ，簡稱 ST ；紐約證券交易所代碼： STM ）推出
2018-06-04 11:18:59
；紐約證券交易所代碼：STM）與***模塊設(shè)計(jì)供應(yīng)商佐臻股份有限公司（Jorjin Technologies Inc）于近日聯(lián)合推出Sigfox和低功耗藍(lán)牙(BLE)雙功能無線模塊。 采用了意法半導(dǎo)體
2018-05-09 15:45:36
功率放大器以及商用和工業(yè)系統(tǒng)的功率放大器。意法半導(dǎo)體與遠(yuǎn)創(chuàng)達(dá)的合作協(xié)議將擴(kuò)大意法半導(dǎo)體LDMOS產(chǎn)品的應(yīng)用范圍。協(xié)議內(nèi)容保密，不對(duì)外披露。 相關(guān)新聞MACOM和意法半導(dǎo)體將硅上氮化鎵推入主流射頻市場
2018-02-28 11:44:56
13日 – 針對(duì)重要的醫(yī)療和工業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域，意法半導(dǎo)體采用其經(jīng)過驗(yàn)證的支持單片集成模擬電路（雙極晶體管）、數(shù)字電路（CMOS）和電源（DMOS）電路的BCD8s-SOI制造工藝，推出一款新的尺寸緊湊、性能
2018-08-13 14:18:07
? 意法半導(dǎo)體嵌入式軟件包集成Sigfox網(wǎng)絡(luò)軟件，適用于各種產(chǎn)品，按照物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用開發(fā)人員的需求專門設(shè)計(jì) ? 使用STM32微控制器、超低功耗射頻收發(fā)器、安全單元、傳感器和功率管理器件，加快
2018-03-12 17:17:45
▌峰會(huì)簡介第五屆意法半導(dǎo)體工業(yè)峰會(huì)即將啟程，現(xiàn)我們敬邀您蒞臨現(xiàn)場，直擊智能熱點(diǎn)，共享前沿資訊，通過意法半導(dǎo)體核心技術(shù)，推動(dòng)加快可持續(xù)發(fā)展計(jì)劃，實(shí)現(xiàn)突破性創(chuàng)新~報(bào)名鏈接：https
2023-09-11 15:43:36
新聞意法半導(dǎo)體推出直觀的固件開發(fā)工具，加快物聯(lián)網(wǎng)傳感器設(shè)計(jì)進(jìn)程意法半導(dǎo)體推出新圖形用戶界面配置器，讓STM8微控制器設(shè)計(jì)變得更快捷意法半導(dǎo)體（ST）推出新款STM32微控制器，讓日用品具有像智能手機(jī)一樣的圖形用戶界面`
2018-07-13 15:52:39
和RAM）。例如，對(duì)于內(nèi)存來說太大的單個(gè)層可以分為兩個(gè)步驟。之前的MLPerf Tiny結(jié)果顯示，與標(biāo)準(zhǔn)CMSIS-NN分?jǐn)?shù)相比，意法半導(dǎo)體的推理引擎（Arm的CMSIS-NN的優(yōu)化版本）具有性能優(yōu)勢。STM32CubeAI開發(fā)云還將支持意法半導(dǎo)體即將推出的微控制器，包括內(nèi)部開發(fā)的NPU，即STM32N6。
2023-02-14 11:55:49
及財(cái)務(wù)業(yè)績表現(xiàn)最好的年度之一。 圍繞智能駕駛和物聯(lián)網(wǎng)兩大應(yīng)用領(lǐng)域，通過推出針對(duì)廣大終端市場的獨(dú)特的產(chǎn)品組合，我們實(shí)現(xiàn)了讓意法半導(dǎo)體進(jìn)入可持續(xù)且盈利的成長軌道這一目標(biāo)。 同時(shí)，我們也完善了可持續(xù)發(fā)展
2018-05-29 10:32:58
橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡稱ST;)發(fā)布一款創(chuàng)新的顯示屏背光LED控制器芯片。新產(chǎn)品可簡化手機(jī)與其它便攜電子產(chǎn)品的電路設(shè)計(jì)，為
2011-11-24 14:57:16
？
再者在場效應(yīng)管這種單極性導(dǎo)電半導(dǎo)體中，為什么只是有一種離子導(dǎo)電，而非兩種離子，不像晶體管那種兩種離子導(dǎo)電，請(qǐng)問這是為什么？同樣對(duì)于場效應(yīng)管也有上面的問題？
2024-02-21 21:39:24
;nbsp; 晶體管（transistor）是一種固體半導(dǎo)體器件，可以用于檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制和許多其它功能。晶體管作為一種可變開關(guān)，基于輸入的電壓，控制流出的電流，因此晶體管可做為
2010-08-12 13:57:39
開發(fā)，意法半導(dǎo)體的S2-LP射頻收發(fā)器還可用于STM32開放式開發(fā)環(huán)境（ODE），包括X-NUCLEO-S2868A1/-S2915A1（2018年第四季度末推出）擴(kuò)展板和X-CUBE-SFXS2LP1
2018-10-23 16:55:31
脈沖功率。 在沒有外部調(diào)諧的情況下，所有設(shè)備都在寬帶RF測試夾具中100％屏蔽了大信號(hào)RF參數(shù)。硅雙極匹配50歐姆210W輸出功率經(jīng)過100％大功率射頻測試C級(jí)操作IB0607S10功率晶體管
2021-04-01 10:07:29
于1997年，是一家通過ISO 9001：2008認(rèn)證的射頻功率晶體管，托盤和高功率放大器（HPA）認(rèn)證的制造商。 這些產(chǎn)品基于GaN HEMT和Si LDMOS，VDMOS和雙極技術(shù)。產(chǎn)品型號(hào)
2019-05-14 11:00:13
的高功率晶體管產(chǎn)品組合。我們目前的產(chǎn)品提供超過80％的效率，并利用GaN-on-SiC，Si-LDMOS和Si-VDMOS半導(dǎo)體技術(shù)。我們還致力于制造一些首批Si-bipolar器件，從而支持傳統(tǒng)方案
2019-04-15 15:12:37
半導(dǎo)體元器件晶體管領(lǐng)域。功率半導(dǎo)體元器件的特點(diǎn)除了IGBT外，功率半導(dǎo)體元器件（晶體管領(lǐng)域）的代表產(chǎn)品還有MOSFET、BIPOLAR等，它們主要被用作半導(dǎo)體開關(guān)。根據(jù)其分別可支持的開關(guān)速度
2019-05-06 05:00:17
半導(dǎo)體元器件晶體管領(lǐng)域。功率半導(dǎo)體元器件的特點(diǎn)除了IGBT外，功率半導(dǎo)體元器件（晶體管領(lǐng)域）的代表產(chǎn)品還有MOSFET、BIPOLAR等，它們主要被用作半導(dǎo)體開關(guān)。根據(jù)其分別可支持的開關(guān)速度
2019-03-27 06:20:04
Technologies公司成立于1997年，是一家通過ISO 9001：2008認(rèn)證的射頻功率晶體管，托盤和高功率放大器（HPA）認(rèn)證的制造商。 這些產(chǎn)品基于GaN HEMT和Si LDMOS，VDMOS
2019-05-20 09:16:24
Technologies公司成立于1997年，是一家通過ISO 9001：2008認(rèn)證的射頻功率晶體管，托盤和高功率放大器（HPA）認(rèn)證的制造商。 這些產(chǎn)品基于GaN HEMT和Si LDMOS，VDMOS
2018-11-12 11:14:03
9001：2008認(rèn)證的射頻功率晶體管，托盤和高功率放大器（HPA）認(rèn)證的制造商。 這些產(chǎn)品基于GaN HEMT和Si LDMOS，VDMOS和雙極技術(shù)。相關(guān)
2018-11-12 10:26:20
`MACOM以分立器件、模塊和單元的形式提供廣泛的射頻功率半導(dǎo)體產(chǎn)品，支持頻率從DC到6GHz。高功率晶體管完美匹配民用航空、通訊、網(wǎng)絡(luò)、雷達(dá)、廣播、工業(yè)、科研和醫(yī)療領(lǐng)域。MACOM的產(chǎn)品線借助于
2017-08-14 14:41:32
電子、汽車和無線基站項(xiàng)目意法半導(dǎo)體獲準(zhǔn)使用MACOM的技術(shù)制造并提供硅上氮化鎵射頻率產(chǎn)品預(yù)計(jì)硅上氮化鎵具有突破性的成本結(jié)構(gòu)和功率密度將會(huì)實(shí)現(xiàn)4G/LTE和大規(guī)模MIMO 5G天線中國，2018年2月12日
2018-02-12 15:11:38
MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-EffectTransistor）是金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管的縮寫，也叫場效應(yīng)管，是一種由運(yùn)算器的基礎(chǔ)構(gòu)成
2023-03-08 14:13:33
NPT2020射頻晶體管產(chǎn)品介紹NPT2020報(bào)價(jià)NPT2020代理NPT2020咨詢熱線NPT2020現(xiàn)貨,王先生*** 深圳市首質(zhì)誠科技有限公司, MACOM公司的開關(guān)和衰減器專用PIN二極管
2018-09-26 09:04:23
眾所周知，像硅雙極晶體管等一些晶體管能夠在其中一些半導(dǎo)體單元因短路或負(fù)載失配等原因損壞時(shí)繼續(xù)工作。因此，將一個(gè)器件定義為“耐用晶體管”可能沒有清晰的界限。對(duì)硅LDMOS晶體管的耐用性測試通常是指器件
2019-06-26 07:11:37
應(yīng)用提供高性能射頻以及微波晶體管并不是一個(gè)大挑戰(zhàn)，該公司的產(chǎn)品在特性、封裝以及應(yīng)用工程方面具有明顯優(yōu)勢。飛思卡爾半導(dǎo)體在生產(chǎn)及銷售分立和集成射頻半導(dǎo)體器件方面具有雄厚實(shí)力。該公司采用HV7工藝的第七代
2019-07-05 06:56:41
應(yīng)用提供高性能射頻以及微波晶體管并不是一個(gè)大挑戰(zhàn)，該公司的產(chǎn)品在特性、封裝以及應(yīng)用工程方面具有明顯優(yōu)勢。飛思卡爾半導(dǎo)體在生產(chǎn)及銷售分立和集成射頻半導(dǎo)體器件方面具有雄厚實(shí)力。該公司采用HV7工藝的第七代
2019-07-09 08:17:05
法半導(dǎo)體攜手聯(lián)發(fā)科技，將市場領(lǐng)先的NFC技術(shù)設(shè)計(jì)集成于移動(dòng)平臺(tái)意法半導(dǎo)體（ST）推出新款STM32微控制器，讓日用品具有像智能手機(jī)一樣的圖形用戶界面原貼地址https://www.stmcu.com.cn/news/783`
2018-06-11 15:22:25
的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼：STM）與世界領(lǐng)先的獨(dú)立定位技術(shù)專家TomTom (TOM2)公司，宣布在意法半導(dǎo)體STM32* 開放式開發(fā)
2018-09-07 11:12:27
智能電表芯片單片集成開發(fā)智能電表所需的全部重要功能，能夠滿足多個(gè)智能電網(wǎng)市場的需求。這些電表連接消費(fèi)者和供電公司，提供實(shí)時(shí)電能計(jì)量和用電數(shù)據(jù)分析功能。意法半導(dǎo)體亞太區(qū)功率分立器件和Sub Analog
2018-03-08 10:17:35
超高性能產(chǎn)品。新產(chǎn)品非常適合那些對(duì)高精度、重復(fù)性和耐用性要求極高的應(yīng)用?！?b class="flag-6" style="color: red">意法半導(dǎo)體副總裁，MEMS傳感器產(chǎn)品部總經(jīng)理Andrea Onetti表示，“我們將在未來幾個(gè)月持續(xù)推出新型的工業(yè)級(jí)精密傳感器
2018-05-28 10:23:37
晶體管（transistor）是一種固體半導(dǎo)體器件，可以用于檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制和許多其它功能
2010-08-13 11:36:51
1.3 高功率晶體管的商業(yè)應(yīng)用回顧 1.4 硅器件技術(shù)發(fā)展 1.5 復(fù)合半導(dǎo)體（Ⅲ-Ⅴ族）器件技術(shù)發(fā)展 1.6 FET基本工作原理
2018-01-15 17:57:06
ST意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體擁有48,000名半導(dǎo)體技術(shù)的創(chuàng)造者和創(chuàng)新者，掌握半導(dǎo)體供應(yīng)鏈和先進(jìn)的制造設(shè)備。作為一家半導(dǎo)體垂直整合制造商(IDM)，意法半導(dǎo)體與二十多萬家客戶、成千上萬名合作伙伴一起研發(fā)
2022-12-12 10:02:34
晶閘管）、IGCT（集成門極換流晶閘管）、IEGT（電子注入增強(qiáng)柵晶體管）、IPEM（集成電力電子模塊）、PEBB（電力電子積木）等。圖表2 功率半導(dǎo)體器件分類方式及代表類型（來源：電力電子技術(shù)
2019-02-26 17:04:37
用于高頻電路。砷化鎵組件在高頻、高功率、高效率、低噪聲指數(shù)的電氣特性均遠(yuǎn)超過硅組件，空乏型砷化鎵場效晶體管(MESFET)或高電子遷移率晶體管(HEMT/PHEMT)，在3 V 電壓操作下可以有80
2019-07-29 07:16:49
功率管;根據(jù)半導(dǎo)體材料，有硅和鍺管等。放大器電路由共發(fā)射極、共基極和共集電極組成?！穲鲂?yīng)晶體管“場效應(yīng)”的含義是晶體管的原理是基于半導(dǎo)體的電場效應(yīng)。場效應(yīng)晶體管是根據(jù)場效應(yīng)原理工作的晶體管。場效應(yīng)管
2023-02-03 09:36:05
目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時(shí)候都更堅(jiān)實(shí)耐用。針對(duì)特高耐用性設(shè)計(jì)的器件可以承受嚴(yán)重的失配，即使在滿輸出電平時(shí)也是如此?，F(xiàn)在多家制造商可提供大功率硅橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)晶體管
2019-08-22 08:14:59
： STM ）的射頻和微控制器技術(shù)。 光寶通訊模塊（ ICM ）事業(yè)部總經(jīng)理吳松泉表示：“在與意法半導(dǎo)體合作開發(fā)的項(xiàng)目過程中，光寶看到了 Sigfox 應(yīng)用的強(qiáng)勁成長勢頭。 我們相信，光寶的Sigfox
2018-07-13 11:59:12
的規(guī)則，則可以互換使用NPN和PNP晶體管。雙極晶體管實(shí)際上是兩個(gè)背靠背連接的二極管，基極用作公共連接。PNP 結(jié)點(diǎn)如何工作？PNP晶體管是由夾在兩個(gè)P型半導(dǎo)體之間的N型半導(dǎo)體組成的雙極結(jié)型晶體管
2023-02-03 09:45:56
類型包括硅鍺雙極互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體（BiCMOS）和硅鍺異質(zhì)結(jié)雙極晶體管（SiGe HBTs）。DTRA關(guān)注的其他設(shè)備類型還包括45納米絕緣硅（SOI）芯片、氮化鎵異質(zhì)結(jié)場效應(yīng)晶體管（GaAn HFET）功率半導(dǎo)體和其他抗輻射微電子和光子器件，用于當(dāng)前和未來軍事系統(tǒng)，如衛(wèi)星和導(dǎo)彈。
2012-12-04 19:52:12
?！ ∽詈?，與IGBT相比，功率MOSFET的通態(tài)損耗低，尤其是在低電流時(shí)更為顯著;關(guān)斷能耗低，但導(dǎo)通能耗較高。加快體硅二極管的反向恢復(fù)速度與所用技術(shù)工藝有關(guān)?！ ? 意法半導(dǎo)體的電機(jī)控制功率開關(guān)技術(shù) 為
2018-11-20 10:52:44
什么是微波功率晶體管？如何提高微波功率晶體管可靠性？
2021-04-06 09:46:57
安國半導(dǎo)體主要是在u***主控 sd卡這方面處于領(lǐng)先地位，現(xiàn)在為擴(kuò)大經(jīng)營范圍 特推出新款觸摸按鍵 價(jià)格比義隆合泰都更有優(yōu)勢 性能方面EFT可到4.4kvcs10v也可以過要是感興趣的話可以 聯(lián)系***
2013-10-08 15:48:39
對(duì)于低噪聲放大器、功率放大器與開關(guān)器等射頻前端組件的制造仍力有未逮。氮化鎵GaN氮化鎵并非革命性的晶體管技術(shù)，這種新興技術(shù)逐漸用于替代橫向擴(kuò)散金屬氧化物硅半導(dǎo)體(Si LDMOS)和砷化鎵(GaAs
2016-09-15 11:28:41
晶體管的半導(dǎo)體的電流由空穴（正極性）和電子（負(fù)極性）產(chǎn)生。一般而言的晶體管是指這種由硅構(gòu)成的晶體管。FETField Effect Transistor的簡稱，是指場效應(yīng)晶體管。有接合型FET和MOS型
2019-05-05 01:31:57
求大佬分享一款適用于激光及MRI的寬帶LDMOS晶體管
2021-06-08 06:29:42
(MicrosemiCorporation)擴(kuò)展其基于碳化硅襯底氮化鎵(GaNonSiC)技術(shù)的射頻(RF)晶體管系列，推出新型S波段500WRF器件2729GN-500，新器件瞄準(zhǔn)大功率空中交通控制機(jī)場監(jiān)視雷達(dá)(ASR
2012-12-06 17:09:16
和頻率電子應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)更高的效率而制造的。ST’s vipergan50高電壓轉(zhuǎn)換器我們首先要宣布的是來自意法半導(dǎo)體的消息。最近，它推出了 VIPERGAN50，一種基于 GaN 晶體管的功率轉(zhuǎn)換器，為
2022-06-15 11:43:25
意法半導(dǎo)體擁有最先進(jìn)的平面工藝，并且會(huì)隨著G4不斷改進(jìn)：? 導(dǎo)通電阻約比G3低15%? 工作頻率接近1 MHz? 成熟且穩(wěn)健的工藝? 吞吐量、設(shè)計(jì)簡單性、可靠性、經(jīng)驗(yàn)…? 適用于汽車的高生產(chǎn)率
2023-09-08 06:33:00
電子產(chǎn)品中，近年來逐漸被晶體管和集成電路所取代，但目前在一些高保真音響器材中，仍然使用電子管作為音頻功率放大器件?！ 《?b class="flag-6" style="color: red">晶體管是一種固體半導(dǎo)體器件，可以用于檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制和許多
2016-01-26 16:52:08
導(dǎo)讀：近日，英飛凌宣布推出700瓦L波段射頻功率晶體管。該晶體管具備業(yè)界最高的L波段輸出功率（700瓦），適用于工作頻率范圍為1200 MHz~1400 MHz的雷達(dá)系統(tǒng)。這種新型器件可通過減少
2018-11-29 11:38:26
意法半導(dǎo)體官方的庫怎么搞？求解答
2021-12-15 07:31:43
恩智浦半導(dǎo)體(NXP Semiconductors)（由飛利浦創(chuàng)建的獨(dú)立半導(dǎo)體公司）日前推出了全球首款真正的300W超高頻（ UHF）晶體管，即第六代高壓LDMOS晶體管BLF878。這一新的大功率晶體管是市場
2010-09-17 18:29:31
20 什么是RF LDMOS晶體管
DMOS主要有兩種類型，垂直雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管VDMOSFET（ vertical double-diffused MOSFET）和橫向雙擴(kuò)
2010-03-05 16:22:596177 恩智浦半導(dǎo)體NXP Semiconductors今天宣布推出廣播發(fā)射機(jī)和工業(yè)用600W LDMOS超高頻(UHF)射頻功率晶體管BLF888A。恩智浦
2010-09-30 09:28:38849 2011年9月9日，德克薩斯州奧斯汀市 – 飛思卡爾半導(dǎo)體 (NYSE:FSL)宣布推出高功率射頻LDMOS晶體管，該產(chǎn)品結(jié)合了業(yè)界最高的輸出功率、效率和其同類競爭器件中最強(qiáng)的耐用性，專門面向U
2011-09-13 18:25:061179 意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡稱ST;紐約證券交易所代碼：STM)推出新系列射頻(RF)功率晶體管。
2011-10-12 11:35:111625 日前，射頻功率技術(shù)領(lǐng)先供應(yīng)商飛思卡爾宣布為其Airfast RF功率解決方案推出最新成員：包括三個(gè)LDMOS功率晶體管與一個(gè)氮化鎵（GaN）晶體管，所有產(chǎn)品均超越地面移動(dòng)市場要求。
2013-06-09 10:18:371842 恩智浦半導(dǎo)體（NXP Semiconductors N.V.）（納斯達(dá)克：NXPI）近日宣布推出全新Gen8+ LDMOS RF功率晶體管，作為特別關(guān)注TD-LTE的無線基站第八代LDMOS產(chǎn)品線的擴(kuò)展產(chǎn)品。
2013-06-21 11:09:261534 Ampleon宣布推出全面廣泛的模壓塑料（overmoulded plastic， OMP） RF功率晶體管產(chǎn)品組合，采用眾所周知的非常穩(wěn)固LDMOS技術(shù)。
2016-01-13 15:37:091923 目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時(shí)候都更堅(jiān)實(shí)耐用。針對(duì)特高耐用性設(shè)計(jì)的器件可以承受嚴(yán)重的失配，即使在滿輸出電平時(shí)也是如此?，F(xiàn)在多家制造商可提供大功率硅橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)晶體管
2017-11-23 18:58:37377 目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時(shí)候都更堅(jiān)實(shí)耐用。針對(duì)特高耐用性設(shè)計(jì)的器件可以承受嚴(yán)重的失配，即使在滿輸出電平時(shí)也是如此。現(xiàn)在多家制造 商可提供大功率硅橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS
2017-12-07 06:22:21461 安譜隆半導(dǎo)體（Ampleon）宣布，推出600W的BLF0910H9LS600 LDMOS功率放大器晶體管。這是第一款采用安譜隆最新Gen9HV 50V LDMOS工藝的射頻能量晶體管——該節(jié)點(diǎn)已為
2018-05-02 14:44:003827 安譜隆半導(dǎo)體（Ampleon）今天宣布，推出600W的BLF0910H9LS600 LDMOS功率放大器晶體管。這是第一款采用安譜隆最新Gen9HV 50V LDMOS工藝的射頻能量晶體管——該節(jié)點(diǎn)已為大幅提高效率、功率和增益做了優(yōu)化。
2018-04-26 09:42:001388 安譜隆半導(dǎo)體（Ampleon）今天宣布，推出600W的BLF0910H9LS600 LDMOS功率放大器晶體管。這是第一款采用安譜隆最新Gen9HV 50V LDMOS工藝的射頻能量晶體管——該節(jié)點(diǎn)已為大幅提高效率、功率和增益做了優(yōu)化。
2018-04-25 15:04:004432 ） MOSFET晶體管，此系列器件采用了最新的LDMOS（橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體）技術(shù)。MRFX1K80H運(yùn)用LDMOS技術(shù)來提高寬頻應(yīng)用的輸出功率，同時(shí)維持適當(dāng)?shù)妮敵鲎杩埂?
2018-05-08 18:36:001104 。MRF13750H晶體管基于50V硅技術(shù)LDMOS，突破了半導(dǎo)體射頻功率放大器的極限，使之成為在高功率工業(yè)系統(tǒng)中替代真空管的極具吸引力的產(chǎn)品。
2018-05-08 10:19:001521 安譜隆半導(dǎo)體（Ampleon）推出一款多功能20W單級(jí)射頻功率放大器驅(qū)動(dòng)器晶體管。BLP9G0722-20G是一款高性價(jià)比的28V LDMOS器件，適用于0.4至2.7GHz的廣泛應(yīng)用。
2018-05-14 15:03:005700 關(guān)鍵詞：射頻功率 , LDMOS , BLC2425M10LS500P 埃賦隆半導(dǎo)體（Ampleon）面向工作在2400MHz至2500MHz頻率范圍內(nèi)的脈沖和連續(xù)波（CW）應(yīng)用，推出500W
2019-01-20 16:51:01561 目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時(shí)候都更堅(jiān)實(shí)耐用。針對(duì)特高耐用性設(shè)計(jì)的器件可以承受嚴(yán)重的失配，即使在滿輸出電平時(shí)也是如此?，F(xiàn)在多家制造商可提供大功率硅橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體（LDMOS）晶體管
2020-08-20 18:50:000
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