電力電子將在未來幾年發(fā)展，尤其是對于組件，因為 WBG 半導體技術正變得越來越流行。高工作溫度、電壓和開關頻率需要 GaN 和 SiC 等 WBG 材料的能力。從硅到 SiC 和 GaN 組件的過渡標志著功率器件發(fā)展和更好地利用電力的重要一步。
2022-07-27 10:48:41
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碳化硅 (SiC) MOSFET 和氮化鎵 (GaN) HEMT 等寬帶隙 (WBG) 功率器件的采??用目前正在廣泛的細分市場中全面推進。在許多情況下，WBG 功率器件正在取代它們的硅對應物，并在
2022-07-29 14:09:53807 
在很寬的范圍內實現(xiàn)對器件制造所需的p型和n型的控制。因此，SiC被認為是有望超越硅極限的功率器件材料。SiC具有多種多型（晶體多晶型），并且每種多型顯示不同的物理特性。對于功率器件，4H-SiC被認為是理想的，其單晶4英寸到6英寸之間的晶圓目前已量產(chǎn)。
2022-11-22 09:59:261373 SiC 功率 MOSFET 和肖特基二極管正在快速應用于電力電子轉換半導體 (PECS) 應用，例如電動汽車充電和牽引、儲能系統(tǒng)和工業(yè)電源。SiC 功率 MOSFET 已在電動汽車車載充電器中得到
2023-12-15 09:42:45950 
近年來，SiC功率器件的出現(xiàn)大大提升了半導體器件的性能，這對電力電子行業(yè)的發(fā)展意義重大。據(jù)Yole預測，到2023年SiC功率器件市場規(guī)模預計將達14億美元，其主要的市場增長機會在汽車領域，特別是
2019-07-05 11:56:2833343 電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/梁浩斌）在我們談論第三代半導體的時候，常說的碳化硅功率器件一般是指代SiC MOSFET（金屬-氧化物半導體場效應晶體管），而氮化鎵功率器件最普遍的則是GaN HEMT（高電子
2023-12-27 09:11:361220 介紹 閱讀本文的任何人都不太可能不熟悉絕緣柵雙極晶體管（IGBT）。這種破壞性功率晶體管于20世紀80年代初首次商業(yè)化，對電力電子行業(yè)產(chǎn)生了巨大的積極影響，實現(xiàn)了創(chuàng)新的轉換器設計，提高了系統(tǒng)
2023-02-27 13:48:12
1. 器件結構和特征SiC能夠以高頻器件結構的SBD（肖特基勢壘二極管）結構得到600V以上的高耐壓二極管（Si的SBD最高耐壓為200V左右）。因此，如果用SiC-SBD替換現(xiàn)在主流產(chǎn)品快速PN結
2019-03-14 06:20:14
面積?。蓪崿F(xiàn)小型封裝），而且體二極管的恢復損耗非常小?！ ≈饕獞糜?b class="flag-6" style="color: red">工業(yè)機器電源、高效率功率調節(jié)器的逆變器或轉換器中?！ ?. 標準化導通電阻 SiC的絕緣擊穿場強是Si的10倍，所以能夠以低阻抗、薄厚
2023-02-07 16:40:49
進行半導體元器件的評估時，電氣/機械方面的規(guī)格和性能當然是首先要考慮的，而可靠性也是非常重要的因素。尤其是功率元器件是以處理較大功率為前提的，更需要具備充分的可靠性。SiC-SBD的可靠性SiC作為
2018-11-30 11:50:49
二極管的恢復損耗非常小。主要應用于工業(yè)機器電源、高效率功率調節(jié)器的逆變器或轉換器中。2. 標準化導通電阻SiC的絕緣擊穿場強是Si的10倍，所以能夠以低阻抗、薄厚度的漂移層實現(xiàn)高耐壓。因此，在相同的耐壓值
2019-05-07 06:21:55
）工作頻率的高頻化，使周邊器件小型化（例：電抗器或電容等的小型化）主要應用于工業(yè)機器的電源或光伏發(fā)電的功率調節(jié)器等。2. 電路構成現(xiàn)在量產(chǎn)中的SiC功率模塊是一種以一個模塊構成半橋電路的2in1類型
2019-05-06 09:15:52
，所以被認為是一種超越Si極限的功率器件材料。SiC中存在各種多型體（結晶多系），它們的物性值也各不相同。用于功率器件制作，4H-SiC最為合適
2019-07-23 04:20:21
具有成本效益的大功率高溫半導體器件是應用于微電子技術的基本元件。SiC是寬帶隙半導體材料，與Si相比，它在應用中具有諸多優(yōu)勢。由于具有較寬的帶隙，SiC器件的工作溫度可高達600℃，而Si器件
2018-09-11 16:12:04
/電子設備實現(xiàn)包括消減待機功耗在內的節(jié)能目標。在這種背景下，削減功率轉換時產(chǎn)生的能耗是當務之急。不用說，必須將超過Si極限的物質應用于功率元器件。例如，利用SiC功率元器件可以比IGBT的開關損耗降低85
2018-11-29 14:35:23
）工作頻率的高頻化，使周邊器件小型化（例：電抗器或電容等的小型化）主要應用于工業(yè)機器的電源或光伏發(fā)電的功率調節(jié)器等。2. 電路構成現(xiàn)在量產(chǎn)中的SiC功率模塊是一種以一個模塊構成半橋電路的2in1類型
2019-03-25 06:20:09
與硅相比，SiC有哪些優(yōu)勢？SiC器件與硅器件相比有哪些優(yōu)越的性能？碳化硅器件的缺點有哪些？
2021-07-12 08:07:35
代表，SiC材料、器件已經(jīng)列入國家“十四五”科技規(guī)劃，其具有電壓高、損耗低、耐高溫工作等優(yōu)勢，對于電力電子裝備高效化、小型化具有重要作用。 SiC材料的這些優(yōu)良特性，需要通過封裝來實現(xiàn)功率和信號高效
2023-02-27 14:22:06
眾多電子信息系統(tǒng)的性能。已有文獻報道采用SiC 功率器件制作了寬帶脈沖功率放大器， 并進行了性能測試和環(huán)境試驗， 證實了SiC 功率器件可靠性較高、環(huán)境適應能力較強等特點。
2019-08-12 06:59:10
改進控制技術來降低器件功耗，比如諧振式開關電源。總體來講，從耐壓、電流能力看，可控硅目前仍然是最高的，在某些特定場合，仍然要使用大電流、高耐壓的可控硅。但一般的工業(yè)自動化場合，功率電子器件已越來越多
2018-05-08 10:08:40
半導體相比，損耗更低，高溫環(huán)境條件下工作特性優(yōu)異，有望成為新一代低損耗元件的“碳化硅（SiC）功率元器件”。SiC半導體已經(jīng)開始實際應用，并且還應用在對品質可靠性要求很嚴苛的車載設備上。提起SiC，可能在
2018-11-29 14:39:47
我剛才看了《電力電子應用技術》莫正康，發(fā)現(xiàn)電力電子基本就是使用功率二極管（電力整流管更準確）和普通晶閘管。其他的器件用得很少，只是簡單提提。請問，電力電子元器件比信息電子元器件真的是少很多很多么？除了和信電共同的電阻、電容、電感、傳感器、變壓器等之外。
2014-06-22 22:58:53
【不懂就問】在書上看到的說，電力電子器件工作在開關狀態(tài)，這樣損耗很小，但是不是說功率器件在不停開關過程中有大量損耗嗎？這個矛盾嗎？而且開關電源的功率管工作在飽和區(qū)，而線性電源的功率管工作在線性區(qū)，這個和上面又有什么關系？
2018-01-23 16:10:48
電力電子器件1.1 電力電子器件概述1.2 不可控器件——電力二極管1.3 半控型器件——晶閘管1.4 典型全控型器件 1.5 其他新型電力電子器件 小結
2009-09-16 12:09:44
全球知名半導體制造商ROHM在慕尼黑上海電子展上展出了ROHM所擅長的模擬電源、以業(yè)界領先的SiC（碳化硅）元器件為首的功率元器件、種類繁多的汽車電子產(chǎn)品、以及能夠為IoT（物聯(lián)網(wǎng)）的發(fā)展做出貢獻
2019-04-12 05:03:38
，如何提高它們的效率已成為全球性的社會問題。而功率元器件是提高它們效率的關鍵，SiC和GaN等新材料在進一步提升各種電源效率方面被寄予厚望。ROHM和ApexMicrotechnology在功率電子和模擬
2023-03-29 15:06:13
Verilog數(shù)字VLSI設計教程_[李林 編著][電子工業(yè)出版社][2010][319頁]
2018-02-16 00:28:44
Verilog數(shù)字VLSI設計教程_[李林 編著][電子工業(yè)出版社][2010][319頁]
2018-02-21 11:31:14
本帖最后由 chxiangdan 于 2018-7-27 17:22 編輯
親愛的電子發(fā)燒友小伙伴們！羅姆作為 SiC 功率元器件的領先企業(yè)，自上世紀 90 年代起便著手于 SiC 功率元器件
2018-07-27 17:20:31
項目名稱：微電網(wǎng)結構與控制研究試用計劃：本人從事電力電子開發(fā)與研究已有10年，目前在進行微電網(wǎng)結構與其控制相關項目，我們擁有兩電平和多電平并網(wǎng)逆變器，需要將逆變器功率器件全部更換為SiC MOS，以
2020-04-29 18:26:12
項目名稱：全SiC MMC實驗平臺設計——功率子模塊驅動選型試用計劃：申請理由本人在電力電子領域有三年多的學習和開發(fā)經(jīng)驗，曾設計過基于半橋級聯(lián)型拓撲的儲能系統(tǒng)，通過電力電子裝置實現(xiàn)電池單元的間接
2020-04-21 16:02:34
引言：前段時間，Tesla Model3的拆解分析在行業(yè)內確實很火，現(xiàn)在我們結合最新的市場進展，針對其中使用的碳化硅SiC器件，來了解一下SiC器件的未來需求。我們從前一段時間的報道了解到：目前
2021-09-15 07:42:00
元件來適應略微增加的開關頻率，但由于無功能量循環(huán)而增加傳導損耗［2］。因此，開關模式電源一直是向更高效率和高功率密度設計演進的關鍵驅動力。 基于 SiC 和 GaN 的功率半導體器件 碳化硅
2023-02-21 16:01:16
傳統(tǒng)的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)伴隨著第三代半導體電力電子器件的誕生，以碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)為代表的新型半導體材料走入了我們的視野。SiC和GaN電力電子器件由于本身
2021-09-23 15:02:11
從本文開始進入新的一章。繼SiC概要、SiC-SBD（肖特基勢壘二極管 ）、SiC-MOSFET之后，來介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文作為第一篇，想讓大家了解全SiC
2018-11-27 16:38:04
%的小型化與4kg的輕量化，與未使用SiC功率元器件的第2賽季逆變器相比，實現(xiàn)了43%的小型化和6kg的輕量化。此次文圖瑞Formula E車隊賽車逆變器所搭載的全SiC功率模塊，采用了ROHM獨有
2018-12-04 10:24:29
測量和校核開關電源、電機驅動以及一些電力電子變換器的功率器件結溫，如 MOSFET 或 IGBT 的結溫，是一個不可或缺的過程，功率器件的結溫與其安全性、可靠性直接相關。測量功率器件的結溫常用二種方法：
2021-03-11 07:53:26
（GaN）和碳化硅（SiC）晶體管等化合物半導體器件限制了高頻條件下的開關損耗，加速了電路越來越小的趨勢。事實上，高頻操作導致電子電路的收縮，這要歸功于減小的磁性器件尺寸和增加的功率密度。這一點對于
2023-09-06 06:38:52
`由電氣觀察主辦的“寬禁帶半導體(SiC、GaN)電力電子技術應用交流會”將于7月16日在浙江大學玉泉校區(qū)舉辦。寬禁帶半導體電力電子技術的應用、寬禁帶半導體電力電子器件的封裝、寬禁帶電力電子
2017-07-11 14:06:55
）工作頻率的高頻化，使周邊器件小型化（例：電抗器或電容等的小型化）主要應用于工業(yè)機器的電源或光伏發(fā)電的功率調節(jié)器等。2. 電路構成現(xiàn)在量產(chǎn)中的SiC功率模塊是一種以一個模塊構成半橋電路的2in1類型
2019-03-12 03:43:18
雖然電動和混合動力電動汽車（EV]從作為功率控制器件的標準金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）到基于碳化硅（SiC）襯底和工藝技術的FET的轉變代表了提高EV的效率和整體系統(tǒng)級特性的重要步驟
2019-08-11 15:46:45
半導體的低阻值，可以高速工作，高溫工作，能夠大幅度削減從電力傳輸?shù)綄嶋H設備的各種功率轉換過程中的能量損耗。SiC功率元器件在節(jié)能和小型化方面功效卓著，其產(chǎn)品已經(jīng)開始實際應用，并且還應用在對品質可靠性
2017-07-22 14:12:43
SiC-MOSFET 是碳化硅電力電子器件研究中最受關注的器件。成果比較突出的就是美國的Cree公司和日本的ROHM公司。在國內雖有幾家在持續(xù)投入，但還處于開發(fā)階段, 且技術尚不完全成熟。從國內
2019-09-17 09:05:05
1. 器件結構和特征SiC能夠以高頻器件結構的SBD（肖特基勢壘二極管）結構得到600V以上的高耐壓二極管（Si的SBD最高耐壓為200V左右）。因此，如果用SiC-SBD替換現(xiàn)在主流產(chǎn)品快速PN結
2019-05-07 06:21:51
、陰抗匹配等系統(tǒng)級功能。PEBB最重要的特點就是其通用性?；谛滦筒牧系?b class="flag-6" style="color: red">電力電子器件SiC（碳化硅）是目前發(fā)展最成熟的寬禁帶半導體材料，可制作出性能更加優(yōu)異的高溫(300℃～500℃)、高頻、高功率
2017-11-07 11:11:09
已經(jīng)制造出了在26GHz頻率下工作的甚高頻MESFET；ABB公司正在研制用于工業(yè)和電力系統(tǒng)的高壓、大功率SiC整流器和其他SiC低頻功率器件。理論分析表明，SiC功率器件非常接近于理想的功率器件
2017-05-25 14:10:51
`<p><font face="Verdana">電阻電容電感(電子工業(yè)技術詞典)<
2008-06-16 09:42:18
在電力電子行業(yè)的發(fā)展過程中，半導體技術起到了決定性作用。其中，功率半導體器件一直被認為是電力電子設備的關鍵組成部分。隨著電力電子技術在工業(yè)、醫(yī)療、交通、消費等行業(yè)的廣泛應用，功率半導體器件直接影響
2021-03-25 14:09:37
、InP化合物半導體材料之后的第三代半導體材料?！ ≡诠?b class="flag-6" style="color: red">電子、高溫大功率器件和高頻微波器件應用方面有著廣闊的前景。SiC功率器件在C波段以上受頻率的限制，也使其使用受到一定的限制;GaN功率管因其
2017-06-16 10:37:22
電壓、電流供應電力的電源是不可或缺的。在這種“按所需方式供應電力”的范圍中，半導體也發(fā)揚著重要的作用，從“處置電力(功率)”的含義動身，其中心半導體部件被稱為功率元器件或功率半導體?！ ≡?b class="flag-6" style="color: red">功率元器件
2012-11-26 16:05:09
大功率的電子元器件怎么理解？大功率的電子元器件有哪些？
2019-02-15 06:36:33
本帖最后由 我愛方案網(wǎng) 于 2022-7-1 10:30 編輯
進入低碳互聯(lián)時代，隨著可再生能源技術和電子工業(yè)的進步，電力能源、智慧交通、數(shù)字化工廠等對系統(tǒng)高能效要求越來越重要，加之政策持續(xù)
2022-07-01 10:28:37
電子工業(yè)技術詞典-電工基礎
2008-09-17 21:13:10
0 1.電力電子器件一般工作在________狀態(tài)?！ ?.在通常情況下，電力電子器件功率損耗主要為________，而當器件開關頻率較高時，功率損耗主要為________?！ ?.電力電子器件組成
2009-01-12 11:31:4662
展會名稱：
2007中國國際電子工業(yè)（蘇州）
2007-01-08 22:33:26401 國際電子工業(yè)聯(lián)接協(xié)會首個功率轉換標準IPC-9592正式發(fā)布
IPC（國際電子工業(yè)聯(lián)接協(xié)會）宣布發(fā)布首套功率轉換標準IPC-9592 —“計算機和遠程通信業(yè)功率轉換設備要求”
2008-10-31 07:32:152034 電子工業(yè)的絲網(wǎng)印刷傳統(tǒng)的絲網(wǎng)印刷主要是印制一些看得見的產(chǎn)品，如Ｔ恤衫，零售攤點廣告牌等。然而，絲網(wǎng)印刷還有不少“看不見”
2009-07-01 14:09:201621 SiC功率器件的封裝技術要點
具有成本效益的大功率高溫半導體器件是應用于微電子技術的基本元件。SiC是寬帶隙半導體材料，與S
2009-11-19 08:48:432355 該講義共分7章： 第1章為靜電基本概念，主要介紹靜電的一些基礎知識； 第2章為電子工業(yè)中的靜電問題，介紹了靜電對電子工業(yè)的危害及存在的靜電源、靜電敏感器件分級標準； 第3章為靜電防護原理，闡述了電子工業(yè)靜電防護的基本原理和方法； 第4章為防靜電工作
2011-02-12 17:30:590 據(jù)權威媒體分析，SiC和GaN器件將大舉進入電力電子市場，預計到2020年，SiC和GaN功率器件將分別獲得14%和8%市場份額。未來電力電子元器件市場發(fā)展將更多地集中到SiC和GaN的技術創(chuàng)新上。
2013-09-18 10:13:112464 本文檔內容介紹了基于瑞薩電子工業(yè)以太網(wǎng)通信芯片手冊。
2017-09-15 10:29:349 器件。 碳化硅（SiC）是第三代半導體材料，具有禁帶寬度大、臨界擊穿場強高、熱導率高等優(yōu)點，是制作高壓、大功率半導體器件的理想材料。碳化硅電力電子器件，特別是SiC MOSFET器件是下一代高效電力電子器件技術的核心。 碳化硅電力電子器件研究團隊基于微電子所4英寸硅工藝平臺，
2017-11-08 15:14:3637 引言SiC功率器件已經(jīng)成為高效率、高電壓及高頻率的功率轉換應用中Si功率器件的可行替代品。正如預期的優(yōu)越材料
2018-03-20 11:43:024444 SiC電力電子器件主要包括功率二極管和三極管（晶體管、開關管）。SiC功率器件可使電力電子系統(tǒng)的功率、溫度、頻率、抗輻射能力、效率和可靠性倍增，帶來體積、重量以及成本的大幅減低。SiC功率器件應用領域可以按電壓劃分：
2018-06-05 17:21:096462 
使用SiC的新功率元器件技術
2018-06-26 17:56:005775 SiC（碳化硅）是一種由Si（硅）和C（碳）構成的化合物半導體材料。SiC臨界擊穿場強是Si的10倍，帶隙是Si的3倍，熱導率是Si的3倍，所以被認為是一種超越Si極限的功率器件材料。SiC中存在
2018-07-15 11:05:419257 
隨著我國新能源汽車市場的不斷擴大，充電樁市場發(fā)展前景廣闊。SiC材料的功率器件可以實現(xiàn)比Si基功率器件更高的開關頻繁，可以提供高功率密度、超小的體積，因此SiC功率器件在充電樁電源模塊中的滲透率不斷增大。
2019-06-18 17:24:501774 
安森美半導體是功率電子領域的市場領導者之一，在SiC功率器件領域的地位正在迅速攀升。
2019-07-25 08:50:504203 通過使用SiC功率元器件，大陸集團旗下的Vitesco將能夠進一步提高電動汽車用電力電子器件的效率。
2020-06-06 11:12:422875 2020年7月4日 華潤微電子（CR MICRO）正式向市場投入1200V 和650V 工業(yè)級SiC肖特基二極管功率器件產(chǎn)品系列，與此同時宣布國內首條6英寸商用SiC晶圓生產(chǎn)線正式量產(chǎn)。 華潤微電子
2020-07-04 22:28:507770 上電力電子器件可分為電真空器件和半導體器件兩類。自20世紀50年代以來，真空管僅還在頻率很高（如微波）的大功率高頻電源中在使用，而電力半導體器件已取代了汞弧整流器
2021-01-07 15:31:1237189 電力電子器件的損耗包括哪些 電力電子器件的損耗主要包括有開通、關斷、通態(tài)損耗。 在通常情況下，電力電子器件功率損耗主要為通態(tài)損耗，而當器件開關頻率較高時，功率損耗主要為開關損耗。另外，si的二極管
2021-01-07 15:40:0330903 的 3 倍，而且在器件制造時可以在較寬的范圍內實現(xiàn)必要的 P 型、N 型控制，所以被認為是一種超越 Si 極限的用于制造功率器件的材料。SiC 存在各種多型體（結晶多系），它們的物性值也各不相同。最適合于制造功率器件的是 4H-SiC，現(xiàn)在 4inch～6inch 的單晶晶圓已經(jīng)實現(xiàn)了量產(chǎn)。
2021-04-20 16:43:0957 電子工業(yè)：嵌入式調制解調器
2021-05-17 16:34:046 前言 近年來，電力電子領域最重要的發(fā)展是所謂的寬禁帶（WBG）材料的興起，即碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）。WBG材料的特性有望實現(xiàn)更小、更快、更高效的電力電子產(chǎn)品。 WBG功率器件已經(jīng)對從普通
2021-08-13 15:22:002206 隨著 SiC MOSFET 等新型功率晶體管越來越多地用于電力電子系統(tǒng)，使用特殊的驅動器已成為必要。通過提供對 IGBT 和 MOSFET 的可靠控制，隔離式柵極驅動器專為碳化硅 (SiC) 和氮化
2022-08-10 15:22:11813 
碳化硅（SiC）被認為是未來功率器件的革命性半導體材料;許多SiC功率器件已成為卓越的替代電源開關技術，特別是在高溫或高電場的惡劣環(huán)境中。
2022-11-06 18:50:471289 碳化硅（SiC）功率器件具有提高效率、動態(tài)性能和可靠性的顯著優(yōu)勢電子和電氣系統(tǒng)?；仡櫫?b class="flag-6" style="color: red">SiC功率器件發(fā)展的挑戰(zhàn)和前景
2022-11-11 11:06:141503 近年來，SiC功率器件結構設計和制造工藝日趨完善，已經(jīng)接近其材料特性決定的理論極限，依靠Si器件繼續(xù)完善來提高裝置與系統(tǒng)性能的潛力十分有限。本文首先介紹了SiC功率半導體器件技術發(fā)展現(xiàn)狀及市場前景，其次闡述了SiC功率器件發(fā)展中存在的問題，最后介紹了SiC功率半導體器件的突破。
2022-11-24 10:05:102020 SiC功率元器件具有優(yōu)于Si功率元器件的更高耐壓、更低導通電阻、可更高速工作,且可在更高溫條件下工作。接下來將針對SiC的開發(fā)背景和具體優(yōu)點進行介紹。通過將SiC應用到功率元器件上，實現(xiàn)以往Si功率元器件無法實現(xiàn)的低損耗功率轉換。不難發(fā)現(xiàn)這是SiC使用到功率元器件上的一大理由。
2023-02-09 11:50:19448 
繼SiC概要、SiC-SBD（肖特基勢壘二極管 ）、SiC-MOSFET之后，來介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文作為第一篇，想讓大家了解全SiC功率模塊具體是什么樣的產(chǎn)品，都有哪些機型。
2023-02-08 13:43:21685 
業(yè)的產(chǎn)值有望超過 60 億美元。 Yole 表示，EV/混合動力汽車市場將成為 SiC 功率元件的最佳市場，預計超過 70% 的收入將來自該領域。如下圖所示，根據(jù) Yole 的預測，除汽車以外，能源、交通、工業(yè)、消費者、通信和基礎設施等也都將為 SiC 的發(fā)展貢獻力量。 總結而言，SiC 基器件擁
2023-02-20 17:05:161106 前面對SiC的物理特性和SiC功率元器件的特征進行了介紹。SiC功率元器件具有優(yōu)于Si功率元器件的更高耐壓、更低導通電阻、可更高速工作,且可在更高溫條件下工作。接下來將針對SiC的開發(fā)背景和具體優(yōu)點進行介紹。
2023-02-22 09:15:30345 
電力電子器件(Power Electronic Device)是指可直接用于處理電能的主電路中，實現(xiàn)電能的變換或控制的電子器件。廣義上電力電子器件可分為電真空器件和半導體器件兩類，目前往往專指電力
2023-04-04 15:31:433956 
碳化硅（SiC）器件是一種新興的技術，具有傳統(tǒng)硅所缺乏的多種特性。SiC具有比Si更寬的帶隙，允許更高的電壓阻斷，并使其適用于高功率和高電壓應用。此外，SiC還具有比Si更低的熱阻，這意味著它可以更有效地散熱，具有更高的可靠性。
2023-04-13 11:01:161469 SiC（碳化硅）功率器件以其耐高溫、耐高壓、低開關損耗等特性，能有效實現(xiàn)電力電子系統(tǒng)的高效率、小型化、輕量化、高功率密度等要求，受到了新能源汽車、光伏發(fā)電、軌道交通、智能電網(wǎng)等領域的追捧。
2023-06-09 15:20:53502 
基于SiC器件的電力電子變流器研究
2023-06-20 09:36:23410 
范圍內控制必要的p型、n型，所以被認為是一種超越Si極限的功率器件材料。SiC中存在各種多型體（結晶多系），它們的物性值也各不相同。用于功率器件制作，4H-SiC最為
2023-08-21 17:14:581144 
下，消費者對電動汽車的接受度也在不斷提高。 本文討論了在電動汽車電力電子系統(tǒng)中快速采用碳化硅（SiC）和寬帶隙半導體開關的好處，以及晶圓級襯底制造的價值?；?b class="flag-6" style="color: red">SiC的電力電子設備使電動汽車能夠實現(xiàn)更長的行駛里程、更快的充電速度和更低的系
2023-09-18 09:05:48279 高速數(shù)字設計（電子工業(yè)出版社）
2022-12-30 09:22:1924 萊迪思半導體近日宣布榮獲電子工業(yè)獎（EIA）。
2023-11-13 14:55:51304 隨著科技的不斷進步，電力電子設備在我們的日常生活和工業(yè)生產(chǎn)中發(fā)揮著越來越重要的作用。然而，隨著電力電子設備向著更高效、更小型化以及更可靠的方向發(fā)展，傳統(tǒng)的硅基功率器件已經(jīng)逐漸暴露出其局限性。此時，碳化硅（SiC）功率器件作為一種新興的電力電子器件，以其獨特的優(yōu)勢逐漸受到人們的關注。
2023-12-06 09:53:18381 功率半導體作為半導體行業(yè)的重要分支，在現(xiàn)代電子工業(yè)中扮演著至關重要的角色。隨著科技的不斷進步，功率半導體的應用范圍日益廣泛，涵蓋了電力、交通、通信、家電等眾多領域。本文將詳細探討功率半導體行業(yè)的特點，分析行業(yè)發(fā)展的現(xiàn)狀，并預測其未來發(fā)展趨勢。
2024-01-25 09:51:57306 
廣州海谷電子工業(yè)儀表類產(chǎn)品手冊
2024-01-26 14:02:500 隨著現(xiàn)代科技的飛速發(fā)展，半導體材料在電子工業(yè)中的地位日益凸顯。其中，碳化硅（SiC）因其出色的物理和化學性質，在高溫、高頻、大功率電子器件領域具有廣闊的應用前景。SiC晶片作為SiC器件
2024-02-05 09:37:27522 
和硅器件相比,SiC器件有著耐高溫、擊穿電壓 大、開關頻率高等諸多優(yōu)點,因而適用于更高工作頻 率的功率器件。但這些優(yōu)點同時也給SiC功率器件的互連封裝帶來了挑戰(zhàn)。
2024-03-07 14:28:43106 
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