65W氮化鎵電源原理圖
2022-10-04 22:09:30
氮化鎵(GaN)功率集成電路集成與應用
2023-06-19 12:05:19
的存在。1875年，德布瓦博德蘭（Paul-émile Lecoq de Boisbaudran）在巴黎被發(fā)現(xiàn)鎵，并以他祖國法國的拉丁語 Gallia (高盧)為這種元素命名它。純氮化鎵的熔點只有30
2023-06-15 15:50:54
被譽為第三代半導體材料的氮化鎵GaN。早期的氮化鎵材料被運用到通信、軍工領域，隨著技術的進步以及人們的需求，氮化鎵產品已經走進了我們生活中，尤其在充電器中的應用逐步布局開來，以下是采用了氮化鎵的快
2020-03-18 22:34:23
的挑戰(zhàn)絲毫沒有減弱。氮化鎵（GaN）等新技術有望大幅改進電源管理、發(fā)電和功率輸出的諸多方面。預計到2030年，電力電子領域將管理大約80％的能源，而2005年這一比例僅為30％1。這相當于30億千瓦時以上
2020-11-03 08:59:19
能源并占用更小空間，所面臨的挑戰(zhàn)絲毫沒有減弱。氮化鎵(GaN)等新技術有望大幅改進電源管理、發(fā)電和功率輸出的諸多方面。預計到2030年，電力電子領域將管理大約80%的能源，而2005年這一比例僅為30
2018-11-20 10:56:25
在所有電力電子應用中，功率密度是關鍵指標之一，這主要由更高能效和更高開關頻率驅動。隨著基于硅的技術接近其發(fā)展極限，設計工程師現(xiàn)在正尋求寬禁帶技術如氮化鎵（GaN）來提供方案。
2020-10-28 06:01:23
氮化鎵充電器從最開始量產至今，已過去了四年多，售價也從原本數(shù)百元天價到逐漸走向親民，近日發(fā)現(xiàn)，聯(lián)想悄然地發(fā)動氮化鎵快充價格戰(zhàn)，65W 雙口氮化鎵快充直接將價格拉低至 59.9 元，一瓦已經不足一元
2022-06-14 11:11:16
現(xiàn)在越來越多充電器開始換成氮化鎵充電器了，氮化鎵充電器看起來很小，但是功率一般很大，可以給手機平板，甚至筆記本電腦充電。那么氮化鎵到底是什么，氮化鎵充電器有哪些優(yōu)點，下文簡單做個分析。一、氮化鎵
2021-09-14 08:35:58
氮化鎵功率半導體技術解析基于GaN的高級模塊
2021-03-09 06:33:26
氮化鎵為單開關電路準諧振反激式帶來了低電荷（低電容）、低損耗的優(yōu)勢。和傳統(tǒng)慢速的硅器件，以及分立氮化鎵的典型開關頻率（65kHz）相比，集成式氮化鎵器件提升到的 200kHz。
氮化鎵電源 IC 在
2023-06-15 15:35:02
更?。篏aNFast? 功率芯片，可實現(xiàn)比傳統(tǒng)硅器件芯片 3 倍的充電速度，其尺寸和重量只有前者的一半，并且在能量節(jié)約方面，它最高能節(jié)約 40% 的能量。
更快：氮化鎵電源 IC 的集成設計使其非常
2023-06-15 15:32:41
`從研發(fā)到商業(yè)化應用，氮化鎵的發(fā)展是當下的顛覆性技術創(chuàng)新，其影響波及了現(xiàn)今整個微波和射頻行業(yè)。氮化鎵對眾多射頻應用的系統(tǒng)性能、尺寸及重量產生了明確而深刻的影響，并實現(xiàn)了利用傳統(tǒng)半導體技術無法實現(xiàn)
2017-08-15 17:47:34
本文展示氮化鎵場效應晶體管并配合LM5113半橋驅動器可容易地實現(xiàn)的功率及效率。
2021-04-13 06:01:46
從將PC適配器的尺寸減半，到為并網應用創(chuàng)建高效、緊湊的10 kW轉換，德州儀器為您的設計提供了氮化鎵解決方案。LMG3410和LMG3411系列產品的額定電壓為600 V，提供從低功率適配器到超過2 kW設計的各類解決方案。
2019-08-01 07:38:40
的數(shù)十億次的查詢，便可以獲得數(shù)十億千瓦時的能耗。
更有效地管理能源并占用更小空間，所面臨的挑戰(zhàn)絲毫沒有減弱。氮化鎵（GaN）等新技術有望大幅改進電源管理、發(fā)電和功率輸出的諸多方面。預計到2030年
2019-03-14 06:45:11
激光器是20世紀四大發(fā)明之一，半導體激光器是采用半導體芯片加工工藝制備的激光器，具有體積小、成本低、壽命長等優(yōu)勢，是應用最多的激光器類別。氮化鎵激光器（LD）是重要的光電子器件，基于GaN材料
2020-11-27 16:32:53
氮化鎵電源設計從入門到精通，這個系列直播共分為八講，本篇第六講將為您介紹EMC優(yōu)化和整改技巧，助您完成電源工程師從入門到精通的蛻變。前期回顧（點擊下方內容查看上期直播）：- 第一講：元器件選型
2021-12-29 06:31:58
射頻半導體技術的市場格局近年發(fā)生了顯著變化。 數(shù)十年來，橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)技術在商業(yè)應用中的射頻半導體市場領域起主導作用。如今，這種平衡發(fā)生了轉變，硅基氮化鎵(GaN-on-Si
2018-08-17 09:49:42
GaN如何實現(xiàn)快速開關？氮化鎵能否實現(xiàn)高能效、高頻電源的設計？
2021-06-17 10:56:45
氮化鎵 (GaN) 可為便攜式產品提供更小、更輕、更高效的桌面 AC-DC 電源。Keep Tops 氮化鎵（GaN）是一種寬帶隙半導體材料。 當用于電源時，GaN 比傳統(tǒng)硅具有更高的效率、更小
2023-08-21 17:06:18
AN011: NV612x GaNFast功率集成電路(氮化鎵)的熱管理
2023-06-19 10:05:37
`Cree的CGHV96100F2是氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）在碳化硅（SiC）基板上。 該GaN內部匹配（IM）FET與其他技術相比，具有出色的功率附加效率。 氮化鎵與硅或砷化
2020-12-03 11:49:15
Cree的CMPA801B025是氮化鎵（GaN）高電子遷移率基于晶體管（HEMT）的單片微波集成電路（MMIC）。 氮化鎵與硅或砷化鎵相比具有更好的性能，包括更高的擊穿電壓，更高的飽和電子漂移速度
2020-12-03 11:46:10
深圳市尊信電子技術有限公司專業(yè)開發(fā)設計電子產品方案鈺泰，智融，賽芯微一級代理吉娜：*** 微信：mphanfan歡迎行業(yè)客戶聯(lián)系，獲取datasheet、報價、樣片等更多產品信息氮化鎵技術的普及，使
2021-11-28 11:16:55
GaN功率半導體(氮化鎵)的系統(tǒng)集成優(yōu)勢
2023-06-19 09:28:46
功率氮化鎵電力電子器件具有更高的工作電壓、更高的開關頻率、更低的導通電阻等優(yōu)勢，并可與成本極低、技術成熟度極高的硅基半導體集成電路工藝相兼容，在新一代高效率、小尺寸的電力轉換與管理系統(tǒng)、電動機
2018-11-05 09:51:35
本帖最后由 kuailesuixing 于 2018-2-28 11:36 編輯
整合意法半導體的制造規(guī)模、供貨安全保障和電涌耐受能力與MACOM的硅上氮化鎵射頻功率技術，瞄準主流消費
2018-02-12 15:11:38
可以做得更大，成長周期更短。MACOM現(xiàn)在已經在用8英寸晶圓生產氮化鎵器件，與很多仍然用4英寸設備生產碳化硅基氮化鎵的廠商不同。MACOM的氮化鎵技術用途廣泛，在雷達、軍事通信、無線和有線寬帶方面都有
2017-09-04 15:02:41
多個方面都無法滿足要求。在基站端，由于對高功率的需求，氮化鎵（GaN）因其在耐高溫、優(yōu)異的高頻性能以及低導通損耗、高電流密度的物理特性，是目前最有希望的下一代通信基站功率放大器（PA）芯片材料。5G采用
2017-07-18 16:38:20
測試背景地點：國外某知名品牌半導體企業(yè)，深圳氮化鎵實驗室測試對象：氮化鎵半橋快充測試原因：因高壓差分探頭測試半橋上管Vgs時會炸管，需要對半橋上管控制信號的具體參數(shù)進行摸底測試測試探頭：麥科信OIP
2023-01-12 09:54:23
`明佳達優(yōu)勢供應NV6115氮化鎵MOS+NCP1342主控芯片PWM控制器絲印1342AMDCD。產品信息1、NV6115氮化鎵MOS絲?。篘V6115芯片介紹：NV6115氮化鎵MOS，是針對
2021-01-08 17:02:10
QPD1004氮化鎵晶體管產品介紹QPD1004報價QPD1004代理QPD1004咨詢熱線QPD1004現(xiàn)貨,王先生 深圳市首質誠科技有限公司QPD1004是25W（p3db），50歐姆輸入匹配
2018-07-30 15:25:55
QPD1018氮化鎵晶體管產品介紹QPD1018報價QPD1018代理QPD1018咨詢熱線QPD1018現(xiàn)貨,王先生 深圳市首質誠科技有限公司QPD1018內部匹配離散GaN-on-SiC
2018-07-27 09:06:34
）1.1脈沖條件脈沖寬度：120μsec，占空比10％筆記Tc（op）= + 25°CSG36F30S-D基站用晶體管SGN350H-R氮化鎵晶體管SGN1214-220H-R氮化鎵晶體管
2021-03-30 11:14:59
）1.1脈沖條件脈沖寬度：120μsec，占空比10％筆記Tc（op）= + 25°CSG36F30S-D基站用晶體管SGN350H-R氮化鎵晶體管SGN1214-220H-R氮化鎵晶體管
2021-03-30 11:24:16
TGF2977-SM氮化鎵晶體管產品介紹TGF2977-SM報價TGF2977-SM代理TGF2977-SM咨詢熱線TGF2977-SM現(xiàn)貨,王先生 深圳市首質誠科技有限公司TGF2977-SM是5
2018-07-25 10:06:15
由于換了三星手機，之前的充電器都不支持快充了，一直想找一款手機電腦都能用的快充充電器，「倍思GaN2 Pro氮化鎵充電器」就是這樣一款能滿足我的充電器，這篇文章就來說下這款充電器的選購過程
2021-09-14 08:28:31
Canaccord Genuity預計，到2025年，電動汽車解決方案中每臺汽車的半導體構成部分將增加50％或更多。本文將探討氮化鎵（GaN）電子器件，也涉及到一點碳化硅（SiC），在不增加汽車成本的條件下
2018-07-19 16:30:38
氮化鎵(GaN)的重要性日益凸顯，增加。因為它與傳統(tǒng)的硅技術相比，不僅性能優(yōu)異，應用范圍廣泛，而且還能有效減少能量損耗和空間的占用。在一些研發(fā)和應用中，傳統(tǒng)硅器件在能量轉換方面，已經達到了它的物理
2023-06-15 15:47:44
氮化鎵(GaN)是一種“寬禁帶”(WBG)材料。禁帶，是指電子從原子核軌道上脫離出來所需要的能量，氮化鎵的禁帶寬度為 3.4ev，是硅的 3 倍多，所以說氮化鎵擁有寬禁帶特性（WBG）。
硅的禁帶寬
2023-06-15 15:53:16
目前，以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等“WBG（Wide Band Gap，寬禁帶，以下簡稱為：WBG）”以及基于新型材料的電力半導體，其研究開發(fā)技術備受矚目。根據(jù)日本環(huán)保部提出的“加快
2023-02-23 15:46:22
氮化鎵(GaN)功率芯片，將多種電力電子器件整合到一個氮化鎵芯片上，能有效提高產品充電速度、效率、可靠性和成本效益。在很多案例中，氮化鎵功率芯片，能令先進的電源轉換拓撲結構，從學術概念和理論達到
2023-06-15 14:17:56
通過SMT封裝，GaNFast? 氮化鎵功率芯片實現(xiàn)氮化鎵器件、驅動、控制和保護集成。這些GaNFast?功率芯片是一種易于使用的“數(shù)字輸入、電源輸出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
兩年多前，德州儀器宣布推出首款600V氮化鎵（GaN）功率器件。該器件不僅為工程師提供了功率密度和效率，且易于設計，帶集成柵極驅動和穩(wěn)健的器件保護。從那時起，我們就致力于利用這項尖端技術將功率級
2020-10-27 09:28:22
氮化鎵南征北戰(zhàn)縱橫半導體市場多年，無論是吊打碳化硅，還是PK砷化鎵。氮化鎵憑借其禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導率大、電子飽和漂移速度高、抗輻射能力強和良好的化學穩(wěn)定性等優(yōu)越性質，確立了其在制備寬波譜
2019-07-31 06:53:03
氮化鎵，由鎵（原子序數(shù) 31）和氮（原子序數(shù) 7）結合而來的化合物。它是擁有穩(wěn)定六邊形晶體結構的寬禁帶半導體材料。禁帶，是指電子從原子核軌道上脫離所需要的能量，氮化鎵的禁帶寬度為 3.4eV，是硅
2023-06-15 15:41:16
=rgb(51, 51, 51) !important]射頻氮化鎵技術是5G的絕配，基站功放使用氮化鎵。氮化鎵（GaN）、砷化鎵（GaAs）和磷化銦（InP）是射頻應用中常用的半導體材料。[color
2019-07-08 04:20:32
傳統(tǒng)的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)伴隨著第三代半導體電力電子器件的誕生，以碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)為代表的新型半導體材料走入了我們的視野。SiC和GaN電力電子器件由于本身
2021-09-23 15:02:11
明佳達電子優(yōu)勢供應氮化鎵功率芯片NV6127+晶體管AON6268絲印6268，只做原裝，價格優(yōu)勢，實單歡迎洽談。產品信息型號1：NV6127絲印：NV6127屬性：氮化鎵功率芯片封裝：QFN芯片
2021-01-13 17:46:43
客戶希望通過原廠FAE盡快找到解決方案，或者將遇到技術挫折歸咎為芯片本身設計問題，盡管不排除芯片可能存在不適用的領域，但是大部分時候是應用層面的問題，和芯片沒有關系。這種情況對新興的第三代半導體氮化鎵
2023-02-01 14:52:03
高頻150W PFC-LLC與GaN功率ic(氮化鎵)
2023-06-19 08:36:25
的測試，讓功率半導體設備更快上市并盡量減少設備現(xiàn)場出現(xiàn)的故障。為幫助設計工程師厘清設計過程中的諸多細節(jié)問題，泰克與電源行業(yè)專家攜手推出“氮化鎵電源設計從入門到精通“8節(jié)系列直播課，氮化鎵電源設計從入門到
2020-11-18 06:30:50
如何帶工程師完整地設計一個高效氮化鎵電源，包括元器件選型、電路設計和PCB布線、電路測試和優(yōu)化技巧、磁性元器件的設計和優(yōu)化、環(huán)路分析和優(yōu)化、能效分析和優(yōu)化、EMC優(yōu)化和整改技巧、可靠性評估和分析。
2021-06-17 06:06:23
我經常感到奇怪，我們的行業(yè)為什么不在加快氮化鎵 (GaN) 晶體管的部署和采用方面加大合作力度；畢竟，大潮之下，沒人能獨善其身。每年，我們都看到市場預測的前景不太令人滿意。但通過共同努力，我們就能
2022-11-16 06:43:23
如何實現(xiàn)小米氮化鎵充電器是一個c to c 的一個充電器拯救者Y7000提供了Type-c的端口，但這個口不可以充電，它是用來轉VGA,HDMI,DP之類了，可以外接顯示器，拓展塢之類的。要用氮化鎵
2021-09-14 06:06:21
導讀：將GaN FET與它們的驅動器集成在一起可以改進開關性能，并且能夠簡化基于GaN的功率級設計。氮化鎵 (GaN) 晶體管的開關速度比硅MOSFET快很多，從而有可能實現(xiàn)更低的開關損耗。然而，當
2022-11-16 06:23:29
如何設計GaN氮化鎵 PD充電器產品？
2021-06-15 06:30:55
的性能已接近理論極限[1-2]，而且市場對更高功率密度的需求日益增加。氮化鎵(GaN)晶體管和IC具有優(yōu)越特性，可以滿足這些需求。
氮化鎵器件具備卓越的開關性能，有助消除死區(qū)時間且增加PWM頻率，從而
2023-06-25 13:58:54
OPPO公司分享了這一應用的優(yōu)勢，一顆氮化鎵可以代替兩顆硅MOS，體積更小、更節(jié)省空間，且阻抗比單顆硅MOS更低，可降低在此路徑上的熱量消耗，降低充電溫升，提升充電的恒流持續(xù)時間。不僅如此，氮化鎵有
2023-02-21 16:13:41
氮化鎵完整方案有深圳市展嶸電子有限公司提供，包括45W、69W單口、多口全協(xié)議輸出適配器，更有87W適配器+移動電源超級快充二合一方案?？傆幸豢钸m合您。目前包括小米、OPPO、realme、三星
2021-04-16 09:33:21
氮化鎵(GaN)和射頻(RF)能量應用為工業(yè)市場帶來重大變革。以前分享過氮化鎵如何改變烹飪、等離子體照明和醫(yī)療過程，接下來在日常生活中的射頻能量系列中分享下氮化鎵如何用于工業(yè)加熱和干燥。從工業(yè)角度
2018-01-18 10:56:28
第 1 步 – 柵極驅動選擇 驅動GaN增強模式高電子遷移率晶體管（E-HEMT）的柵極與驅動硅（Si）MOSFET的柵極有相似之處，但有一些有益的差異。 驅動氮化鎵E-HEMT不會消除任何
2023-02-21 16:30:09
兩年多前，德州儀器宣布推出首款600V氮化鎵（GaN）功率器件。該器件不僅為工程師提供了功率密度和效率，且易于設計，帶集成柵極驅動和穩(wěn)健的器件保護。從那時起，我們就致力于利用這項尖端技術將功率級
2022-11-10 06:36:09
氮化鎵(GaN)是一種全新的使能技術，可實現(xiàn)更高的效率、顯著減小系統(tǒng)尺寸、更輕和于應用中取得硅器件無法實現(xiàn)的性能。那么，為什么關于氮化鎵半導體仍然有如此多的誤解？事實又是怎樣的呢？
關于氮化鎵技術
2023-06-25 14:17:47
請問半橋上管氮化鎵這樣的開爾文連接正確嗎？
2024-01-11 07:23:47
射頻半導體技術的市場格局近年發(fā)生了顯著變化。數(shù)十年來，橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)技術在商業(yè)應用中的射頻半導體市場領域起主導作用。如今，這種平衡發(fā)生了轉變，硅基氮化鎵(GaN-on-Si)技術成為接替?zhèn)鹘y(tǒng)LDMOS技術的首選技術。
2019-09-02 07:16:34
日前，在廣州舉行的2013年LED外延芯片技術及設備材料最新趨勢專場中，晶能光電硅襯底LED研發(fā)副總裁孫錢博士向與會者做了題為“硅襯底氮化鎵大功率LED的研發(fā)及產業(yè)化”的報告，與同行一道分享了硅襯底
2014-01-24 16:08:55
納微集成氮化鎵電源解決方案及應用
2023-06-19 11:10:07
氮化鎵GaN是什么？
2021-06-16 08:03:56
candence中的Spice模型可以修改器件最基本的物理方程嗎？然后提取參數(shù)想基于candence model editor進行氮化鎵器件的建模，有可能實現(xiàn)嗎？求教ICCAP軟件呢？
2019-11-29 16:04:02
雖然低電壓氮化鎵功率芯片的學術研究，始于 2009 年左右的香港科技大學，但強大的高壓氮化鎵功率芯片平臺的量產，則是由成立于 2014 年的納微半導體最早進行研發(fā)的。納微半導體的三位聯(lián)合創(chuàng)始人
2023-06-15 15:28:08
了當時功率半導體界的一項大膽技術：氮化鎵（GaN）。對于強大耐用的射頻放大器在當時新興的寬帶無線網絡、雷達以及電網功率切換應用中的使用前景，他們表達了樂觀的看法。他們稱氮化鎵器件為“迄今為止最堅固耐用
2023-02-27 15:46:36
就可以實現(xiàn)。正是由于我們推出了LMG3410—一個用開創(chuàng)性的氮化鎵 (GaN) 技術搭建的高壓、集成驅動器解決方案，相對于傳統(tǒng)的、基于硅材料的技術，創(chuàng)新人員將能夠創(chuàng)造出更加小巧、效率更高、性能更佳
2022-11-16 07:42:26
就可以實現(xiàn)。正是由于我們推出了LMG3410—一個用開創(chuàng)性的氮化鎵 (GaN) 技術搭建的高壓、集成驅動器解決方案，相對于傳統(tǒng)的、基于硅材料的技術，創(chuàng)新人員將能夠創(chuàng)造出更加小巧、效率更高、性能更佳
2018-08-30 15:05:50
氮化鎵用途和性質 第三代半導體材料以氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）、氧化鋅（ZnO）、金剛石為代表，是5G時代的主要材料，其中氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）的市場和發(fā)展空間最大。 氮化鎵作為
2023-02-03 14:38:46
1702 氮化鎵（GaN）是一種直接帶隙半導體，寬帶隙為3.4 eV（電子伏特），比砷化鎵（GaAs）寬2.4倍，比硅寬3倍。具有禁帶寬度大、擊穿電場高、飽和電子速率大、熱導率高、化學性質穩(wěn)定和抗輻射能
2023-02-06 15:30:162381 硅基氮化鎵是一個正在走向成熟的顛覆性半導體技術，硅基氮化鎵技術是一種將氮化鎵器件直接生長在傳統(tǒng)硅基襯底上的制造工藝。在這個過程中，由于氮化鎵薄膜直接生長在硅襯底上，可以利用現(xiàn)有硅基半導體制造基礎設施實現(xiàn)低成本、大批量的氮化鎵器件產品的生產。
2023-02-06 16:44:262277 
。 氮化鎵的用途十分廣泛，不僅是上面提到的幾個領域，就連新能源汽車領域也逐漸開始采用氮化鎵技術，氮化鎵可應用于多種新能源車元器件，包括LED前照燈、逆變器電池、車載充電器和無線電池充電等等，而整輛汽車可以裝載200到300顆的氮
2023-02-10 16:33:51631 當前軍事與航天領域是氮化鎵技術最大的市場。最早就是在美國國防部的推動下，開始了氮化鎵技術的研究，慢慢地就行成了現(xiàn)在GaN器件的市場。據(jù)統(tǒng)計，軍事和航天領域占據(jù)了GaN器件總市場的40%，最大應用市場
2023-02-12 16:57:22391 硅基氮化鎵是一種新型復合材料，它是由硅和氮化鎵結合而成的，具有良好的熱穩(wěn)定性和電磁屏蔽性和抗拉強度，可以用于制造功率器件和襯底，如電子元件、電子器件和電子零件等。它具有低溫制備、低成本、低污染等優(yōu)點，可以滿足不同應用領域的需求。
2023-02-14 15:14:17772 氮化鎵是一種半導體材料，具有良好的電子特性，可以用于改善電子器件的性能。氮化鎵的主要用途是制造半導體器件，如晶體管、集成電路和光電器件。
2023-02-15 18:01:011814 氮化鎵用途有哪些 氮化鎵是一種半導體材料，具有優(yōu)良的電學和光學性質，因此廣泛用于以下領域： 1. 發(fā)光二極管(LED)：氮化鎵是LED的主要工藝材料之一，可用于制造藍、綠、白光LED，廣泛應用于照明
2023-06-02 15:34:467189
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工商網監(jiān)
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