Nov. 2019IV1D12010T2 – 1200V 10A 碳化硅肖特基二極管特性 封裝外形?最大結(jié)溫為 175°C?高浪涌電流容量?零反向恢復(fù)電流?零正向恢復(fù)電壓?高頻工作?開關(guān)特性不受溫度
2020-03-13 13:42:49
鑒于大功率發(fā)光二極管工作電壓僅為3V。通過全橋整流將220V交流電變成直流電，在全橋上的電壓降約為1．8V，只驅(qū)動一只發(fā)光二極管工作的電能利用效率僅為60％。必須把3只以上發(fā)光二極管串聯(lián)起來工作
2021-04-22 06:03:09
極快反向恢復(fù)速度的600V-1200V碳化硅肖特基二極管芯片及成品器件 。海飛樂技術(shù)600V碳化硅二極管現(xiàn)貨選型相比于Si半導(dǎo)體材料，SiC半導(dǎo)體材料具有禁帶寬度較大、臨界電場較大、熱導(dǎo)率較高的特點，SiC
2019-10-24 14:25:15
電壓或高溫條件的器件非常有利。在高頻、高溫、高功率及惡劣環(huán)境下，仍具有更優(yōu)越的開關(guān)性能以及更小的結(jié)溫和結(jié)溫波動。 碳化硅二極管廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、功率因素校正（PFC）電路、不間斷電源（UPS）、光伏
2020-09-24 16:22:14
改善?！ ?4、什么是砷化鎵二極管? 說實話，我聽說砷化鎵材料早于碳化硅，但是后來就較少聽說了。目前砷化鎵在LED上似乎有些應(yīng)用，但是功率器件上卻還比較少?！ ?5、二極管適合并聯(lián)么? 理論上來說硅二極管
2012-07-15 15:28:24
?二極管的參數(shù)是選用二極管的決定性因素之一，二極管的壓降的其中的一種。? 二極管在正向?qū)ǖ臅r候，流過電流的時候會產(chǎn)生壓降。一般情況下，這個壓降和正向電流以及溫度有關(guān)。通常硅二極管，電流越大，壓降越大。溫度越高，壓降越小。但是碳化硅二極管卻是溫度越高，壓降越大。二極管規(guī)格書下載：
2021-03-22 17:25:26
硅 IGBT 和二極管與多電平配置等新拓撲相結(jié)合，可提供最佳的性價比。混合碳化硅結(jié)合了高速硅IGBT和碳化硅肖特基續(xù)流二極管，也是一個不錯的選擇，與純硅解決方案相比，可將功率損耗降低多達50
2023-02-20 16:29:54
一、PN結(jié)：大功率TVS和小功率TVS兩者之間的PN結(jié)不一樣，大功率TVS二極管有很大的散熱片，而小功率TVS二極管沒有；二、結(jié)電容：大功率TVS的結(jié)電容可高達上百pF；小功率TVS的結(jié)電容可以做到
2022-05-24 16:18:18
`一文解析大功率TVS二極管與小功率TVS二極管的區(qū)別TVS二極管采購的路上，還在為這些問題煩惱：TVS管種類那么多，它們之間有什么關(guān)系區(qū)別呢？TVS管型號那么多，如何選擇合適型號的TVS管呢
2018-09-27 17:36:26
【作者】：周龍早;龍海敏;吳豐順;安兵;吳懿平;【來源】：《電子工藝技術(shù)》2010年02期【摘要】：對大功率發(fā)光二極管的散熱路徑及其相應(yīng)的熱阻進行了分析和計算。利用商業(yè)計算流體力學(xué)軟件對大功率
2010-04-24 09:17:43
PN結(jié)器件優(yōu)越的指標是正向?qū)妷旱?，具有低的?dǎo)通損耗?！ 〉栊ぬ鼗?b class="flag-6" style="color: red">二極管也有兩個缺點，一是反向耐壓VR較低，一般只有100V左右;二是反向漏電流IR較大?！ ?b class="flag-6" style="color: red">二、碳化硅半導(dǎo)體材料和用它制成的功率
2019-01-11 13:42:03
應(yīng)用領(lǐng)域。更多規(guī)格參數(shù)及封裝產(chǎn)品請咨詢我司人員！附件是海飛樂技術(shù)碳化硅二極管選型表，歡迎大家選購！碳化硅（SiC）半導(dǎo)體材料是自第一代元素半導(dǎo)體材料（Si、Ge）和第二代化合物半導(dǎo)體材料（GaAs
2019-10-24 14:21:23
Toshiba研發(fā)出一種SiC金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET)，其將嵌入式肖特基勢壘二極管（SBD）排列成格子花紋（check-pattern embedded SBD），以降低導(dǎo)通電
2023-04-11 15:29:18
由于碳化硅具有不可比擬的優(yōu)良性能，碳化硅是寬禁帶半導(dǎo)體材料的一種，主要特點是高熱導(dǎo)率、高飽和以及電子漂移速率和高擊場強等，因此被應(yīng)用于各種半導(dǎo)體材料當中，碳化硅器件主要包括功率二極管和功率開關(guān)管
2020-06-28 17:30:27
超過40%，其中以碳化硅材料（SiC）為代表的第三代半導(dǎo)體大功率電力電子器件是目前在電力電子領(lǐng)域發(fā)展最快的功率半導(dǎo)體器件之一。根據(jù)中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會統(tǒng)計，2019年中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)市場規(guī)模達7562億元
2021-01-12 11:48:45
碳化硅的顏色，純凈者無色透明，含雜質(zhì)(碳、硅等)時呈藍、天藍、深藍，淺綠等色，少數(shù)呈黃、黑等色。加溫至700℃時不褪色。金剛光澤。比重,具極高的折射率, 和高的雙折射，在紫外光下發(fā)黃、橙黃色光，無
2019-07-04 04:20:22
650 V CoolSiC?混合分立器件，該器件包含一個50A TRENCHSTOP? 快速開關(guān) IGBT 和一個 CoolSiC 肖特基二極管，能夠提升性價比并帶來高可靠性。這種組合為硬開關(guān)拓撲
2021-03-29 11:00:47
商用。 碳化硅肖特基二極管從2001年開始商用，至今已有20年商用積累，并在部分高中端電源市場批量應(yīng)用，逐步向通用市場滲透，具備廣闊的市場前景?！ ?b class="flag-6" style="color: red">碳化硅材料在禁帶寬度和臨界擊穿場強等關(guān)鍵特性上具有
2023-02-28 16:55:45
?！ ∠鄬?yīng)的，硅材料的禁帶寬度較低，在較低的溫度下硅器件本征載流子濃度較高，而高的漏電流會造成熱擊穿，這限制了器件在高溫環(huán)境和大功率耗散條件下工作?！ ?b class="flag-6" style="color: red">碳化硅肖特基二極管與硅快速恢復(fù)二極管 耐壓
2023-02-28 16:34:16
ASEMI大功率快恢復(fù)二極管DH40-18A電流和耐壓是多少？-Z
2021-07-13 14:01:11
SIC碳化硅二極管
2016-11-04 15:50:11
小輕薄，小尺寸，大能量B1D04065E PD快充用碳化硅肖特基二極管。特性：?極低反向電流? 無反向恢復(fù)電流? 溫度無關(guān)開關(guān)? VF上的正溫度系數(shù)? 卓越的浪涌電流能力? 低電容電荷優(yōu)勢：?基本上
2021-11-06 09:26:20
阻。盡管普通二極管的“慣性”較大，但是在超過200V的工作電壓場合，普通的PIN二極管占主導(dǎo)地位?！ ≡从诠杌男ぬ鼗?b class="flag-6" style="color: red">二極管，近年來開發(fā)出來新的基于碳化硅(SiC)的肖特基二極管用于一些效率很關(guān)鍵的電力
2019-01-02 13:57:40
科技有限公司TGF2023-2-10對碳化硅器件由DC至14 GHz的離散10毫米甘。在3 GHz的tgf2023-2-10通常提供47.4 dBm的功率增益為19.8 dB的飽和輸出功率。最大功率附加效率為
2018-06-12 10:22:42
反向恢復(fù)的幾種方法為解決功率二極管反向恢復(fù)問題已經(jīng)出現(xiàn)了很多種方案。一種思路是從器件本身出發(fā)，尋找新的材料力圖從根本上解決這一問題，比如碳化硅二極管的出現(xiàn)帶來了器件革命的曙光，它幾乎不存在反向恢復(fù)
2017-08-17 18:13:40
越大，壓降越大。溫度越高，壓降越小。但是碳化硅二極管卻是溫度越高，壓降越大。 5.什么是二極管的反向漏電流？ 二極管在反向截止的時候，并不是完全理想的截止。在承受反壓得時候，會有些微小的電流從
2017-05-22 14:07:53
什么是碳化硅（SiC）？它有哪些用途？碳化硅（SiC）的結(jié)構(gòu)是如何構(gòu)成的？
2021-06-18 08:32:43
應(yīng)用領(lǐng)域，SiC和GaN形成競爭。隨著碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等新材料陸續(xù)應(yīng)用在二極管、場效晶體管(MOSFET)等組件上，電力電子產(chǎn)業(yè)的技術(shù)大革命已揭開序幕。這些新組件雖然在成本上仍比傳統(tǒng)硅
2021-09-23 15:02:11
相較于硅，碳化硅（SiC）肖特基二極管采用全新的技術(shù)，提供更出色的開關(guān)性能和更高的可靠性。SiC無反向恢復(fù)電流，且具有不受溫度影響的開關(guān)特性和出色的散熱性能，因此被視為下一代功率半導(dǎo)體。安森美半導(dǎo)體
2018-10-29 08:51:19
相較于硅，碳化硅（SiC）肖特基二極管采用全新的技術(shù)，提供更出色的開關(guān)性能和更高的可靠性。SiC無反向恢復(fù)電流，且具有不受溫度影響的開關(guān)特性和出色的散熱性能，因此被視為下一代功率半導(dǎo)體。
2020-07-30 07:14:58
早于碳化硅，但是后來就較少聽說了。目前砷化鎵在LED上似乎有些應(yīng)用，但是功率器件上卻還比較少。15. 二極管適合并聯(lián)么?理論上來說硅二極管，由于導(dǎo)通壓降隨溫度上升而下降，所以是不適合并聯(lián)的，但是現(xiàn)在
2014-04-26 13:42:10
小，可靠性不高等缺點。但是目前已有很大改善?！ ?4. 什么是砷化鎵二極管? 砷化鎵材料早于碳化硅，目前砷化鎵在LED上似乎有些應(yīng)用，但是功率器件上卻還比較少?！ ?5. 二極管適合并聯(lián)么
2016-11-14 20:04:40
大功率適配器為了減小對電網(wǎng)的干擾，都會采用PFC電路、使用氮化鎵的充電器，基本也離不開碳化硅二極管，第三代半導(dǎo)體材料幾乎都是同時出現(xiàn)，強強聯(lián)手避免短板。創(chuàng)能動力推出的碳化硅二極管
2023-02-22 15:27:51
通過光熱反射技術(shù)測量大功率二極管激光器腔面溫度,并取得了初步結(jié)果。由于是非接觸探測,故而比較真實反映了正在工作的大功率二極管激光器腔面溫度。通過實驗及分析表明,有源區(qū)是產(chǎn)生熱最多的地方,通過測量
2010-05-04 08:04:08
來制成發(fā)光二極管，在電路及儀器中作為指示燈，或者組成文字或數(shù)字顯示。磷砷化鎵二極管發(fā)紅光，磷化鎵二極管發(fā)綠光，碳化硅二極管發(fā)黃光。它是半導(dǎo)體二極管的一種，可以把電能轉(zhuǎn)化成光能；常簡寫為LED。發(fā)光二極管
2012-07-12 15:40:31
的混合碳化硅分立器件（Hybrid SiC Discrete Devices）將新型場截止IGBT技術(shù)和碳化硅肖特基二極管技術(shù)相結(jié)合，為硬開關(guān)拓撲打造了一個兼顧品質(zhì)和性價比的完美方案?！ ≡撈骷鹘y(tǒng)
2023-02-28 16:48:24
MOSFET之所以有如此的大吸引力，在于與它們具有比硅器件更出眾的可靠性，在持續(xù)使用內(nèi)部體二極管的連續(xù)導(dǎo)通模式（CCM）功率因數(shù)校正（PFC）設(shè)計，例如圖騰功率因數(shù)校正器的硬開關(guān)拓撲中，碳化硅
2023-03-14 14:05:02
以及低體二極管反向恢復(fù)的優(yōu)勢能簡化拓撲設(shè)計，提高了隔離DC/DC變換器的功率密度（圖4）。方案每個開關(guān)采用兩顆1000V、65毫歐碳化硅MOSFET(C3M0065100K)并聯(lián)，總共有８顆碳化硅在
2016-08-05 14:32:43
相較于硅，碳化硅（SiC）肖特基二極管采用全新的技術(shù)，提供更出色的開關(guān)性能和更高的可靠性。SiC無反向恢復(fù)電流，且具有不受溫度影響的開關(guān)特性和出色的散熱性能，因此被視為下一代功率半導(dǎo)體。
2019-07-25 07:51:59
導(dǎo) 讀 追求更低損耗、更高可靠性、更高性價比是碳化硅功率器件行業(yè)的共同目標。為不斷提升產(chǎn)品核心競爭力，基本半導(dǎo)體成功研發(fā)第三代碳化硅肖特基二極管，這是基本半導(dǎo)體系列標準封裝碳化硅肖特基二極管
2023-02-28 17:13:35
砷化鎵功率二極管是寬帶隙半導(dǎo)體器件，其性能僅為碳化硅（SiC）的70%左右。本文對10kW LLC轉(zhuǎn)換器中GaAs、SiC和超快硅二極管的性能進行基準測試，該轉(zhuǎn)換器也常用于高效電動汽車充電
2023-02-21 16:27:41
、反向恢復(fù)時間短的半導(dǎo)體二極管）主要用于各種功率轉(zhuǎn)換器的開關(guān)功率器件（如IGBT或MOSFET），以起到續(xù)流效果。碳化硅肖特基二極管4.1 碳化硅肖特基二極管基本型肖特基二極管，也稱為熱載流二極管，通過
2023-02-07 15:59:32
和 1200V SiC 功率芯片集成在同一塊 DBC 板上，使半橋模塊面積僅為 TO-247 單管大小，極大地減小了驅(qū)動回路和功率回路的寄生電感參數(shù)。阿肯色大學(xué)則針對碳化硅芯片開發(fā)了相關(guān)的 SiC CMOS 驅(qū)動
2023-02-22 16:06:08
)和1200V 碳化硅隔離全橋DC/DC方案(下圖)因此碳化硅MOSFET在軟開關(guān)橋式高輸入電壓隔離DC/DC電路中優(yōu)勢明顯，簡化拓撲，實現(xiàn)高效和高功率密度。特別是它的超快體二極管特性使無論諧振LLC
2016-08-25 14:39:53
二極管是半導(dǎo)體器器件中結(jié)構(gòu)最為簡單的器件，但它是一種十分重要的基礎(chǔ)器件。從某種意義上講，是任何其他器件替代不了的。例如，自大功率器件IGBT問世后，在很大范圍內(nèi)代替了大功率晶體管GTR。但卻無其它
2016-11-14 20:01:52
μs以內(nèi)起作用。采用二極管或電阻串檢測短路，短路保護最短時間限制在1.5μs左右?！ ?）高dv/dt及di/dt對系統(tǒng)影響 在高壓大電流條件下進行開關(guān)動作時，器件開關(guān)會產(chǎn)生高dv/dt及di/dt
2023-02-27 16:03:36
碳化硅（SiC）等寬帶隙技術(shù)為功率轉(zhuǎn)換器設(shè)計人員開辟了一系列新的可能性。與現(xiàn)有的IGBT器件相比，SiC顯著降低了導(dǎo)通和關(guān)斷損耗，并改善了導(dǎo)通和二極管損耗。對其開關(guān)特性的仔細分析表明，SiC
2023-02-22 16:34:53
的瞬變電壓，以及感應(yīng)雷所產(chǎn)生的過電壓。 TVS二極管根據(jù)環(huán)境需要，大功率TVS管和小功率TVS管可以這樣區(qū)分選擇： 1、結(jié)電容：小功率TVS管結(jié)電容可做到0.3pF以下；大功率TVS管寄結(jié)電容高達上百
2020-08-14 16:55:28
穩(wěn)壓二極管的功率一般不是很大。常用穩(wěn)壓二極管包括1W、2W等，其功率由允許溫升決定。事實上，它是穩(wěn)定電壓和電流的產(chǎn)物。例如穩(wěn)壓二極管1n4742a，其最大功率僅為1W，其穩(wěn)壓值為12V，因此通過它
2021-12-21 11:16:32
是寬禁帶半導(dǎo)體材料的一種，主要特點是高熱導(dǎo)率、高飽和以及電子漂移速率和高擊場強等，因此被應(yīng)用于各種半導(dǎo)體材料當中，碳化硅器件主要包括功率二極管和功率開關(guān)管。功率二極管包括結(jié)勢壘肖特基（JBS）二極管
2023-02-20 15:15:50
大功率的NMOS管接直流電機，一定要接續(xù)流二極管嗎？不接會不會燒？航模用的。
2019-05-21 04:35:43
什么是二極管的正向?qū)▔航担?b class="flag-6" style="color: red">二極管在正向?qū)ǎ鬟^電流的時候會產(chǎn)生壓降。這個壓降和正向電流以及溫度有關(guān)。通常硅二極管，電流越大，壓降越大。溫度越高，壓降越小。但是碳化硅二極管卻是溫度越高，壓降越大。5.
2020-09-18 17:00:12
采芯網(wǎng)轉(zhuǎn)載：大功率肖特基二極管（SBD）是貴金屬A為正極，以N型半導(dǎo)體B為負極，利用二者接觸面上形成的勢壘具有整流特性而制成的金屬半導(dǎo)體器件。大功率肖特基二極管的結(jié)構(gòu)和特點使其適合于在低壓、大電流
2016-12-06 18:25:12
C6D06065G為650 V 分立碳化硅肖特基二極管。第 6 代 650 V、6 A 碳化硅肖特基二極管。具有碳化硅 (SiC) 的性能優(yōu)勢肖特基勢壘二極管，電力電子系統(tǒng)可以期待滿足比硅基解決方案
2022-05-29 19:36:12
C3D06065E為650 V 分立碳化硅肖特基二極管。第 6 代 650 V、6 A 碳化硅肖特基二極管。具有碳化硅 (SiC) 的性能優(yōu)勢肖特基勢壘二極管，電力電子系統(tǒng)可以期待滿足比硅基解決方案
2022-05-29 19:45:27
C4D02120E是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設(shè)計，比標準肖特基勢壘二極管
2022-06-02 18:25:12
C4D02120A是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設(shè)計，比標準肖特基勢壘二極管
2022-06-02 18:29:57
C4D05120E是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設(shè)計，比標準肖特基勢壘二極管
2022-06-02 18:35:42
C4D08120E是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設(shè)計，比標準肖特基勢壘二極管
2022-06-02 18:44:47
C4D08120A是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設(shè)計，比標準肖特基勢壘二極管
2022-06-02 18:48:49
E4D10120A是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設(shè)計，比標準肖特基勢壘二極管
2022-06-02 18:54:09
C4D10120E是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設(shè)計，比標準肖特基勢壘二極管
2022-06-03 18:14:54
C4D10120A是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設(shè)計，比標準肖特基勢壘二極管
2022-06-03 18:25:26
C4D15120H是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設(shè)計，比標準肖特基勢壘二極管
2022-06-03 18:30:26
C4D15120D是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設(shè)計，比標準肖特基勢壘二極管
2022-06-03 18:37:08
E4D20120D是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設(shè)計，比標準肖特基勢壘二極管
2022-06-03 18:54:14
C4D20120H是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設(shè)計，比標準肖特基勢壘二極管
2022-06-03 19:01:56
C4D20120D是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設(shè)計，比標準肖特基勢壘二極管
2022-06-03 19:07:00
C4D20120A是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設(shè)計，比標準肖特基勢壘二極管
2022-06-03 19:12:16
E4D20120G是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設(shè)計，比標準肖特基勢壘二極管
2022-06-03 19:18:42
C4D30120D是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設(shè)計，比標準肖特基勢壘二極管
2022-06-03 19:34:40
C4D40120D是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設(shè)計，比標準肖特基勢壘二極管
2022-06-03 19:46:36
G2S06505A 650V 5A 碳化硅肖特基功率二極管 TO-220
2016-06-17 15:42:45
4 因為本征載流子激發(fā)導(dǎo)致器件性能失效。碳化硅材料在發(fā)生雪崩擊穿前所能夠忍受的極限電場是硅材料和砷化鎵(GaAs)的5~20倍12。這一高極限電場可以用來制造高壓、大功率器件。?大功率碳化硅二極管
2018-11-20 15:28:07
1412 長期以來，在制造半導(dǎo)體器件的材料中，硅（Si）材料一直居于統(tǒng)治地位。隨著電子科技的不斷發(fā)展和進步，半導(dǎo)體器件的性能也需要不斷提高，硅基器件的性能開始逐漸接近極限。
2020-10-02 17:24:003262 
碳化硅肖特基
二極管（SiCSBD）是一種單極型器件，采用結(jié)勢壘肖特基
二極管結(jié)構(gòu)（JBS），因此相比于傳統(tǒng)的硅快恢復(fù)
二極管（SiFRD），
碳化硅肖特基
二極管具有理想的反向恢復(fù)特性?？梢杂行Ы档头聪蚵╇?/div>
2020-11-17 15:55:056028 當下，隨著USB-PD快充技術(shù)的普及和氮化鎵技術(shù)的成熟，大功率快充電源市場逐漸興起，碳化硅二極管也開始在消費類電源市場中嶄露頭角，被部分100W大功率氮化鎵快充產(chǎn)品選用。 碳化硅（SiC）是第三代
2021-08-20 09:23:534142 
高技術(shù)耐火原料中，碳化硅為應(yīng)用最廣泛、最經(jīng)濟的一種，可以稱為金鋼砂或耐火砂。 碳化硅基于SiC的肖特基二極管具有高能效、高功率密度、小尺寸和高可靠性，可以在電力電子技術(shù)領(lǐng)域打破硅的極限，成為新能源及電力電子的首選器件。 碳
2023-02-05 16:34:591313 碳化硅二極管是用碳化硅為原料制作而成的二極管。碳化硅二極管，號稱反向恢復(fù)時間為零，是高效PFC boost電路的專用升壓二極管。以碳化硅二極管為代表的第三代半導(dǎo)體材料的發(fā)展開始受到重視，并在智能
2023-02-10 17:45:171730 碳化硅二極管是一種由碳化硅材料制成的半導(dǎo)體器件，它具有較高的強度、輕量、耐磨性和耐腐蝕性。碳化硅二極管的工作原理是，當電壓通過碳化硅二極管時，電子會從N極流向P極，從而產(chǎn)生電流。碳化硅二極管可以用于汽車電子控制系統(tǒng)，以及其他電子設(shè)備中，用于控制電流和電壓。
2023-02-15 15:13:42642 碳化硅二極管是一種由碳化硅材料制成的半導(dǎo)體器件，它具有較高的強度、輕量、耐磨性和耐腐蝕性。
2023-02-15 15:21:40629 我們拿慧制敏造出品的KNSCHA碳化硅功率器件：碳化硅二極管和碳化硅MOSFET展開說明。碳和硅進過化合先合成碳化硅，然后碳化硅打磨成為粉末，碳化硅粉末經(jīng)過碳化硅單晶生長成為碳化硅晶錠；碳化硅
2023-02-21 10:04:111693 
SiC碳化硅二極管起步電壓為650V，電流6A到10A，主要用于UPS、快充、微逆、電源、電動工具、消費類產(chǎn)品、工控。碳化硅二極管料號為：KN3D06065F（650V碳化硅二極管，電流6A，貼片
2023-02-21 10:12:241680 
什么是第三代半導(dǎo)體？我們把SiC碳化硅功率器件和氮化鎵功率器件統(tǒng)稱為第三代半導(dǎo)體，這個是相對以硅基為核心的第二代半導(dǎo)體功率器件的。今天我們著重介紹SiC碳化硅功率器件，也就是SiC碳化硅二極管
2023-02-21 10:16:472090 我們拿慧制敏造碳化硅半導(dǎo)體出品的KNSCHA碳化硅二極管封裝接下來我們來看一下碳化硅二極管的貼片封裝，常見的有有TO-263和TO-252封裝，隨著近些年電源對于功率密度要求不斷提高，碳化硅功率器件
2023-02-21 13:38:161795 
碳化硅二極管是什么 碳化硅二極管是一種半導(dǎo)體器件，它由碳化硅材料制成。碳化硅具有高的耐壓能力和高的溫度耐受性，因此碳化硅二極管具有較低的反向漏電流、高溫下穩(wěn)定性良好、響應(yīng)速度快等特點，廣泛用于高功率、高頻率、高溫、高壓等領(lǐng)域，如電源、變頻器、太陽能、電動汽車等。
2023-06-02 14:10:32747 碳化硅肖特基二極管是一種基于碳化硅材料的半導(dǎo)體器件，具有高速、高溫、高功率特性。其原理基于肖特基效應(yīng)，即在金屬與半導(dǎo)體接觸處形成一個肖特基勢壘，使得半導(dǎo)體中的載流子向金屬一側(cè)偏移，形成整流效應(yīng)。
2023-06-07 17:10:34801 今天鑫環(huán)電子就為大家講解一下碳化硅二極管的應(yīng)用領(lǐng)域及優(yōu)勢。??一、太陽能逆變器。??碳化硅二極管是太陽能發(fā)電用二極管的基本原材料，碳化硅二極管在各項技術(shù)指標上都優(yōu)于普通雙極二極管技術(shù)。碳化硅二極管
2022-12-14 11:36:05843 
大功率電源PFC電路推薦，瑞森半導(dǎo)體碳化硅二極管，可提升大功率電源的功率密度和效率，減少體積和降低成本，同時實現(xiàn)更高的環(huán)保效率。
2023-08-18 11:05:26238 
大功率電源PFC電路推薦，瑞森半導(dǎo)體碳化硅二極管，可提升大功率電源的功率密度和效率，減少體積和降低成本，同時實現(xiàn)更高的環(huán)保效率。
2023-08-18 11:21:40355 
碳化硅（SiC）是一種優(yōu)良的寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有高擊穿電場、高熱導(dǎo)率、低介電常數(shù)等特點，因此在高溫、高頻、大功率應(yīng)用領(lǐng)域具有顯著優(yōu)勢。碳化硅功率器件是利用碳化硅材料制成的電力電子器件，主要包括
2024-01-09 09:26:49379 已全部加載完成
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