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電子發(fā)燒友網>電源/新能源>功率器件>什么是氮化鎵(GaN)?什么是高電子遷移率晶體管?

什么是氮化鎵(GaN)?什么是高電子遷移率晶體管?

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2022-06-16 17:11:06

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Wolfspeed 的 CGHV35120F 是專為高效率而設計的氮化 (GaN) 電子遷移率晶體管 (HEMT);高增益; 和寬帶寬能力;這使得 CGHV35120F 非常適合 2.9
2022-06-20 11:28:40

CGHV37400F氮化 (GaN) 電子遷移率晶體管 (HEMT)

Wolfspeed 的 CGHV37400F 是專為高效設計的氮化 (GaN) 電子遷移率晶體管 (HEMT);高增益和寬帶寬能力;這使得 CGHV37400F 非常適合 3.3 – 3.7
2022-06-22 10:13:50

CGHV40030F氮化 (GaN) 電子遷移率晶體管 (HEMT)

Wolfspeed 的 CGHV40030 是無與倫比的;專為高效率而設計的氮化 (GaN) 電子遷移率晶體管 (HEMT);高增益和寬帶寬能力。該設備可部署為L;S 和 C 波段放大器
2022-06-22 10:58:47

CGHV40030P氮化 (GaN) 電子遷移率晶體管 (HEMT)

Wolfspeed 的 CGHV40030 是無與倫比的;專為高效率而設計的氮化 (GaN) 電子遷移率晶體管 (HEMT);高增益和寬帶寬能力。該設備可部署為L;S 和 C 波段放大器
2022-06-22 11:01:14

CGHV40050F氮化 (GaN) 電子遷移率晶體管 (HEMT)

Wolfspeed 的 CGHV40050 是無與倫比的;氮化 (GaN) 電子遷移率晶體管 (HEMT)。CGHV40050;從 50 伏電壓軌運行;提供通用的;適用于各種射頻和微波應用的寬帶
2022-06-23 09:16:15

CGHV40050P氮化 (GaN) 電子遷移率晶體管 (HEMT)

Wolfspeed 的 CGHV40050 是無與倫比的;氮化 (GaN) 電子遷移率晶體管 (HEMT)。CGHV40050;從 50 伏電壓軌運行;提供通用的;適用于各種射頻和微波應用的寬帶
2022-06-23 09:19:21

CGHV40050F-AMP氮化 (GaN) 電子遷移率晶體管 (HEMT)測試板

Wolfspeed 的 CGHV40050 是無與倫比的;氮化 (GaN) 電子遷移率晶體管 (HEMT)。CGHV40050;從 50 伏電壓軌運行;提供通用的;適用于各種射頻和微波應用的寬帶
2022-06-23 09:21:42

CGHV40100P氮化 (GaN) 電子遷移率晶體管 (HEMT)

Wolfspeed 的 CGHV40100 是無與倫比的;氮化 (GaN) 電子遷移率晶體管 (HEMT)。CGHV40100;從 50 伏電壓軌運行;提供通用的;適用于各種射頻和微波應用的寬帶
2022-06-23 14:23:02

CGHV40100F氮化 (GaN) 電子遷移率晶體管 (HEMT)

Wolfspeed 的 CGHV40100 是無與倫比的;氮化 (GaN) 電子遷移率晶體管 (HEMT)。CGHV40100;從 50 伏電壓軌運行;提供通用的;適用于各種射頻和微波應用的寬帶
2022-06-23 14:28:12

CGHV40100F-AMP氮化 (GaN) 電子遷移率晶體管 (HEMT)測試板

Wolfspeed 的 CGHV40100 是無與倫比的;氮化 (GaN) 電子遷移率晶體管 (HEMT)。CGHV40100;從 50 伏電壓軌運行;提供通用的;適用于各種射頻和微波應用的寬帶
2022-06-23 14:30:42

CGHV40180F氮化 (GaN) 電子遷移率晶體管 (HEMT)

Wolfspeed 的 CGHV40180 是一款氮化 (GaN) 電子遷移率晶體管 (HEMT)。它具有無與倫比的輸入,可在 DC-2.0 GHz 范圍內提供最佳的瞬時寬帶性能。GaN與硅或砷
2022-06-24 09:19:36

CGHV40180P氮化 (GaN) 電子遷移率晶體管 (HEMT)

Wolfspeed 的 CGHV40180 是一款氮化 (GaN) 電子遷移率晶體管 (HEMT)。它具有無與倫比的輸入,可在 DC-2.0 GHz 范圍內提供最佳的瞬時寬帶性能。GaN與硅或砷
2022-06-24 09:22:17

CGHV40180F-AMP3氮化 (GaN) 電子遷移率晶體管 (HEMT)測試板

Wolfspeed 的 CGHV40180 是一款氮化 (GaN) 電子遷移率晶體管 (HEMT)。它具有無與倫比的輸入,可在 DC-2.0 GHz 范圍內提供最佳的瞬時寬帶性能。GaN與硅或砷
2022-06-24 09:24:49

CGHV40200PP氮化 (GaN) 電子遷移率晶體管 (HEMT)

Wolfspeed 的 CGHV40200PP 是無與倫比的;氮化 (GaN) 電子遷移率晶體管 (HEMT)。CGHV40200PP;從 50 伏電壓軌運行;提供通用的;適用于各種射頻和微波
2022-06-24 09:54:07

CGHV40320D-GP4氮化 (GaN) 電子遷移率晶體管 (HEMT)

Wolfspeed 的 CGHV40320D 是一種氮化 (GaN) 電子遷移率晶體管 (HEMT)。GaN與硅或砷化相比具有優(yōu)越的性能;包括更高的擊穿電壓;更高的飽和電子漂移速度;和更高
2022-06-24 10:20:20

CGHV50200F氮化 (GaN) 電子遷移率晶體管 (HEMT)

Wolfspeed 的 CGHV50200F 是一款專為高效設計的氮化 (GaN) 電子遷移率晶體管 (HEMT);高增益和寬帶寬能力;這使得 CGHV50200F 成為對流散射通信的理想選擇
2022-06-27 09:17:27

CGHV50200F-AMP氮化 (GaN) 電子遷移率晶體管 (HEMT)測試板

Wolfspeed 的 CGHV50200F 是一款專為高效設計的氮化 (GaN) 電子遷移率晶體管 (HEMT);高增益和寬帶寬能力;這使得 CGHV50200F 成為對流散射通信的理想選擇
2022-06-27 09:19:25

CGHV59070F氮化 (GaN) 電子遷移率晶體管 (HEMT)

Wolfspeed 的 CGHV59070 是內部匹配的;氮化 (GaN) 電子遷移率晶體管 (HEMT)。CGHV59070;從 50 伏電壓軌運行;提供一般用途;適用于各種射頻和微波
2022-06-27 14:09:43

CGHV59070P氮化 (GaN) 電子遷移率晶體管 (HEMT)

Wolfspeed 的 CGHV59070 是內部匹配的;氮化 (GaN) 電子遷移率晶體管 (HEMT)。CGHV59070;從 50 伏電壓軌運行;提供一般用途;適用于各種射頻和微波
2022-06-27 14:11:15

CGHV59070F-AMP氮化 (GaN) 電子遷移率晶體管 (HEMT)測試板

Wolfspeed 的 CGHV59070 是內部匹配的;氮化 (GaN) 電子遷移率晶體管 (HEMT)。CGHV59070;從 50 伏電壓軌運行;提供一般用途;適用于各種射頻和微波
2022-06-27 14:13:07

CGHV60040D-GP4氮化 (GaN) 電子遷移率晶體管 (HEMT)

Wolfspeed 的 CGHV60040D 是一種氮化 (GaN) 電子遷移率晶體管 (HEMT)。GaN與硅或砷化相比具有優(yōu)越的性能;包括更高的擊穿電壓;更高的飽和電子漂移速度;和更高
2022-06-27 14:39:51

CGHV60075D5-GP4氮化 (GaN) 電子遷移率晶體管 (HEMT)

Wolfspeed 的 CGHV60075D5 是一種氮化 (GaN) 電子遷移率晶體管 (HEMT)。GaN與硅或砷化相比具有優(yōu)越的性能;包括更高的擊穿電壓;更高的飽和電子漂移速度;和更高
2022-06-27 14:47:32

CGHV60170D-GP4氮化 (GaN) 電子遷移率晶體管 (HEMT)

Wolfspeed 的 CGHV60170D 是一種氮化 (GaN) 電子遷移率晶體管 (HEMT)。GaN與硅或砷化相比具有優(yōu)越的性能;包括更高的擊穿電壓;更高的飽和電子漂移速度;和更高
2022-06-27 14:54:41

CGHV96050F1氮化 (GaN) 電子遷移率晶體管 (HEMT)

Wolfspeed 的 CGHV96050F1 是一種基于碳化硅 (SiC) 襯底的氮化 (GaN) 電子遷移率晶體管 (HEMT)。與其他技術相比,這種 GaN 內部匹配 (IM) FET
2022-06-27 15:56:57

CGHV96050F1-AMP氮化 (GaN) 電子遷移率晶體管 (HEMT)測試板

Wolfspeed 的 CGHV96050F1 是一種基于碳化硅 (SiC) 襯底的氮化 (GaN) 電子遷移率晶體管 (HEMT)。與其他技術相比,這種 GaN 內部匹配 (IM) FET
2022-06-27 15:58:55

CGHV96050F2氮化 (GaN) 電子遷移率晶體管 (HEMT)

Wolfspeed 的 CGHV96050F2 是碳化硅 (SiC) 襯底上的氮化 (GaN) 電子遷移率晶體管 (HEMT)。與其他技術相比,這種 GaN 內部匹配 (IM) FET 可提供
2022-06-27 16:09:25

CGHV96050F2-AMP氮化 (GaN) 電子遷移率晶體管 (HEMT)測試板

Wolfspeed 的 CGHV96050F2 是碳化硅 (SiC) 襯底上的氮化 (GaN) 電子遷移率晶體管 (HEMT)。與其他技術相比,這種 GaN 內部匹配 (IM) FET 可提供
2022-06-27 16:11:00

CGHV96130F氮化 (GaN) 電子遷移率晶體管 (HEMT)

Wolfspeed 的 CGHV96130F 是碳化硅 (SiC) 基板上的氮化 (GaN) 電子遷移率晶體管 (HEMT)。與其他技術相比,這種 GaN 內部匹配 (IM) FET 可提供
2022-06-27 16:24:32

CMPA0060025D氮化 (GaN) 電子遷移率晶體管 (HEMT)

Wolfspeed 的 CMPA0060025 是一種基于氮化 (GaN) 電子遷移率晶體管 (HEMT) 的單片微波集成電路 (MMIC)。GaN與硅或砷化相比具有優(yōu)越的性能;包括更高的擊穿
2022-06-27 16:34:19

CMPA0060025F氮化 (GaN) 電子遷移率晶體管 (HEMT)

Wolfspeed 的 CMPA0060025 是一種基于氮化 (GaN) 電子遷移率晶體管 (HEMT) 的單片微波集成電路 (MMIC)。GaN與硅或砷化相比具有優(yōu)越的性能;包括更高的擊穿
2022-06-27 16:37:17

CMPA0060025F1氮化 (GaN) 電子遷移率晶體管 (HEMT)

Wolfspeed 的 CMPA0060025 是一種基于氮化 (GaN) 電子遷移率晶體管 (HEMT) 的單片微波集成電路 (MMIC)。GaN與硅或砷化相比具有優(yōu)越的性能;包括更高的擊穿
2022-06-27 16:39:15

CMPA0060025F-AMP氮化 (GaN) 電子遷移率晶體管 (HEMT)測試板

Wolfspeed 的 CMPA0060025 是一種基于氮化 (GaN) 電子遷移率晶體管 (HEMT) 的單片微波集成電路 (MMIC)。GaN與硅或砷化相比具有優(yōu)越的性能;包括更高的擊穿
2022-06-27 16:41:13

CMPA0060025F1-AMP氮化 (GaN) 電子遷移率晶體管 (HEMT)測試板

Wolfspeed 的 CMPA0060025 是一種基于氮化 (GaN) 電子遷移率晶體管 (HEMT) 的單片微波集成電路 (MMIC)。GaN與硅或砷化相比具有優(yōu)越的性能;包括更高的擊穿
2022-06-27 16:43:10

CMPA1D1E025F氮化 (GaN) 電子遷移率晶體管 (HEMT)

Wolfspeed 的 CMPA1D1E025F 是基于氮化 (GaN) 電子遷移率晶體管 (HEMT) 的單片微波集成電路 (MMIC),位于碳化硅襯底上;使用 0.25-μm 柵極長度制造
2022-06-27 17:23:50

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