源漏
極的鋁引線可重迭到柵區(qū),這是因?yàn)橛幸唤^緣層將柵區(qū)與
源漏電極引線隔開,從而可使結(jié)面積減少30%~40%。 硅柵工藝還可提高集成度,這不僅是因?yàn)閿U(kuò)散自對(duì)準(zhǔn)
作用可使單元面積大為縮小,而且因?yàn)楣钖殴に嚳梢?/div>
2012-12-10 21:37:15
在通孔板上建立電路數(shù)小時(shí)后,我發(fā)現(xiàn)使用P-MOSFET時(shí)Vgs并不容易。經(jīng)過(guò)搜索,我發(fā)現(xiàn)我需要使用N-MOSFET或BJT(NPN)將源極電壓帶到柵極,以便關(guān)斷MOSFET。對(duì)我來(lái)說(shuō)非常重要的是,當(dāng)
2018-08-23 10:30:01
各位大神,可否用IR2113 驅(qū)動(dòng)共源集MOSfet ,且mosfet關(guān)斷時(shí),源集漏集電壓最高為700V。
2017-08-16 16:03:26
目前想設(shè)計(jì)一個(gè)關(guān)于MOSFET的DG極驅(qū)動(dòng)方案,存在問(wèn)題為MOSFET可以正常開通,但無(wú)法關(guān)斷,帶負(fù)載時(shí)GS極始終存在4V電壓無(wú)法關(guān)斷MOSFET 。
電路圖如下:
空載時(shí),GS極兩端電壓:
是可以
2023-12-17 11:22:00
如附件圖片,請(qǐng)問(wèn)下圖中的三極管起到什么作用主要是
2017-07-13 14:06:14
圖中右面是比較常見的電流串聯(lián)負(fù)反饋放大電路做成的電流源 左面也是,但是對(duì)于這個(gè)三極管的具體作用,樓主不太清楚,以及發(fā)光二極管并聯(lián)電容的作用是什么
2018-11-02 09:28:21
功率MOSFET的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)為什么要在柵極和源極之間并聯(lián)一個(gè)電阻呢?
2021-03-10 06:19:21
柵極(Gate),漏極(Drain)和源極(Source)。功率MOSFET為電壓型控制器件,驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單,驅(qū)動(dòng)的功率小,而且開關(guān)速度快,具有高的工作頻率。常用的MOSFET的結(jié)構(gòu)有橫向雙擴(kuò)散型
2016-10-10 10:58:30
`功率Mosfet參數(shù)介紹V(BR)DSS(有時(shí)候叫做BVDSS)是指在特定的溫度和柵源短接情況下,流過(guò)漏極電流達(dá)到一個(gè)特定值時(shí)的漏源電壓。這種情況下的漏源電壓為雪崩擊穿電壓。V(BR)DSS是正
2012-01-12 16:12:20
極)及D(漏極),如圖1d所示。從圖1中可以看出柵極G與漏極D及源極S是絕緣的,D與S之間有兩個(gè)PN結(jié)。一般情況下,襯底與源極在內(nèi)部連接在一起。圖1是N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)的基本結(jié)構(gòu)圖
2011-12-19 16:52:35
轉(zhuǎn)換器拓?fù)鋱D,其中Cgs、Cgd和 Cds分別為開關(guān)管MOSFET的柵源極、柵漏極和漏源極的雜散電容,Lp、Lkp、Lks和Cp分別為變壓器的初級(jí)電感、初級(jí)電感的漏感、次級(jí)電感的漏感和原邊線圈的雜散
2018-10-10 20:44:59
同步源和PLL源有什么異同?作用是什么?
2021-05-07 06:17:21
復(fù)合三極管有什么作用?主要運(yùn)用于什么電路呢?
2023-04-28 15:41:48
轉(zhuǎn)換器,以及作為續(xù)流二極管和極性保護(hù)二極管使用。國(guó)內(nèi)大小電流肖特基二極管的主要作用是整流、檢波、續(xù)流、保護(hù)等。賽特微電子所生產(chǎn)研發(fā)的小電流肖特基二極管大部分屬于貼片系列,體積小、效率高、低損耗、腳位平直
2020-08-28 17:12:29
本文將介紹使用源-測(cè)量單元測(cè)量二極管的泄漏電流以及MOSFET的亞閾區(qū)電流(sub-thresh old current)。
2021-04-14 06:56:04
極驅(qū)動(dòng)器的優(yōu)勢(shì)和期望,開發(fā)了一種測(cè)試板,其中測(cè)試了分立式IGBT和SiC-MOSFET。標(biāo)準(zhǔn)電壓源驅(qū)動(dòng)器也在另一塊板上實(shí)現(xiàn),見圖3?! D3.帶電壓源驅(qū)動(dòng)器(頂部)和電流源驅(qū)動(dòng)器(底部)的半橋
2023-02-21 16:36:47
封裝MOSFET等效模型和寄生電感 參照小節(jié)A中討論的關(guān)斷瞬態(tài)順序,源極電感LS主要在瞬態(tài)階段3影響到MOSFET開關(guān)特性。柵極驅(qū)動(dòng)路徑顯示為紅色,漏電流在藍(lán)色環(huán)路上流動(dòng)。快速電流瞬態(tài)過(guò)程中,LS
2018-10-08 15:19:33
開關(guān)電源中的mos管源極加個(gè)小磁環(huán)有什么作用?
2023-05-09 14:58:23
重要了。一個(gè)好的MOSFET驅(qū)動(dòng)電路有以下幾點(diǎn)要求:(1)開關(guān)管開通瞬時(shí),驅(qū)動(dòng)電路應(yīng)能提供足夠大的充電電流使MOSFET柵源極間電壓迅速上升到所需值,保證開關(guān)管能快速開通且不存在上升沿的高頻振蕩。(2
2017-01-09 18:00:06
通;P溝道MOSFET通過(guò)施加給定的負(fù)的柵-源極電壓導(dǎo)通。MOSFET的柵控決定了它們?cè)赟MPS轉(zhuǎn)換器中的應(yīng)用。例如,N溝道MOSFET更適用于以地為參考的低側(cè)開關(guān),特別是用于升壓、SEPIC、正向和隔離
2021-04-09 09:20:10
康華光主編的模電中講到N型的增強(qiáng)型MOSFET、耗盡型MOSFET、JFET。關(guān)于漏極飽和電流的問(wèn)題,耗盡型MOSFET、JFET中都有提到,都是在柵源電壓等于0的時(shí)候,而增強(qiáng)型MOSFET在柵源
2019-04-08 03:57:38
你好,我打算使用FQD7P20TMCT-ND和FDD7N20TMCT-ND。為了驅(qū)動(dòng)這些MOSFET,我正在使用MD1822K6-GCT-ND。我的問(wèn)題是我需要在門到源之間安裝二極管和電阻,如下
2018-10-26 14:46:14
柵極與源極之間加一個(gè)電阻,這個(gè)電阻起到什么作用?一是為場(chǎng)效應(yīng)管提供偏置電壓;二是起到瀉放電阻的作用:保護(hù)柵極G-源極S;
2019-05-23 07:29:18
參考。 其它措施 考慮到驅(qū)動(dòng)信號(hào)振蕩主要出現(xiàn)在橋臂一側(cè)MOSFET的關(guān)斷階段,即柵源極為零電位時(shí),由PNP三極管的工作原理,在驅(qū)動(dòng)芯片與驅(qū)動(dòng)電阻之間外接PNP三極管,當(dāng)驅(qū)動(dòng)芯片提供高電平時(shí),三極管不導(dǎo)
2018-08-27 16:00:08
SiCMOSFET具有出色的開關(guān)特性,但由于其開關(guān)過(guò)程中電壓和電流變化非常大,因此如Tech Web基礎(chǔ)知識(shí) SiC功率元器件“SiC MOSFET:橋式結(jié)構(gòu)中柵極-源極間電壓的動(dòng)作-前言”中介
2022-09-20 08:00:00
勒電荷(Qgd)影響器件開關(guān)損耗,并決定著消除Cdv/dt打開的開關(guān)能力,它的存在使效率大大降低,并有可能毀壞MOSFET?! exFET技術(shù)改進(jìn)的主要作用是它具有更低和更平的功率損耗-頻率曲線
2012-12-06 14:32:55
℃的工作溫度、漏極和源極不發(fā)生雪崩擊穿時(shí),所能施加的最大的額定電壓,測(cè)試的電路如圖1所示。功率MOSFET的耐壓由結(jié)構(gòu)中低摻雜層的外延層epi厚度N-決定。功率MOSFET的N+源極和P-體區(qū)形成的結(jié)
2023-02-20 17:21:32
主要參數(shù)包括:漏源擊穿電壓Udss(1000V以下),漏極連續(xù)電流額定值Id和漏極脈沖峰值Idm,漏源通態(tài)電阻Rds,柵源電壓Ugs,跨導(dǎo)Gfs,極間電容。
2019-04-27 12:21:31
Q:為什么二極管在交流源和直流源同時(shí)作用下可以等效成一個(gè)動(dòng)態(tài)電阻?我們看這個(gè)電路。對(duì)于這樣一個(gè)電路我們?cè)趺捶治觯渴紫瓤粗绷?b class="flag-6" style="color: red">源的作用是什么?在看交流源的作用是什么?于是我們從伏安特性中可以看到。Q點(diǎn)
2022-01-03 07:45:54
TL431的主要作用是使得電路獲得更穩(wěn)定的電壓,TL431是一種較為精密的可控穩(wěn)壓源,有著較為特殊的動(dòng)態(tài)阻抗。其動(dòng)態(tài)響應(yīng)速度快,輸出噪聲低,價(jià)格低廉。注意上述一句話概括,就是便宜,精密可控穩(wěn)壓源TL431。
2019-05-24 07:49:44
認(rèn)作業(yè)應(yīng)該有所幫助。因而,最終選定MOSFET。到此,至于柵極驅(qū)動(dòng)調(diào)整電路和電流檢測(cè)電阻將在“主要部件的選定-MOSFET相關(guān) 其2”中說(shuō)明。關(guān)鍵要點(diǎn):?選定開關(guān)晶體管(MOSFET)主要考量漏極-源
2018-11-27 16:58:28
管。作為注意事項(xiàng),由于脈沖電流會(huì)流過(guò)R5,因此請(qǐng)確認(rèn)使用的電阻能承受脈沖電流。電流檢測(cè)電阻 R8和MOSFET源極相接的電阻中,源極端和電源IC的CS引腳相接,另一端則是和GND相接。MOSFET OFF
2018-11-27 16:58:07
半導(dǎo)體連接。這種MOSFET中使用的襯底是P型半導(dǎo)體,電子是這種MOSFET中的主要電荷載流子。其中,源極和漏極被重?fù)诫s。N溝道耗盡型MOSFET結(jié)構(gòu)與增強(qiáng)型N溝道MOSFET結(jié)構(gòu)相同,只是其工作方式
2022-09-13 08:00:00
運(yùn)放正負(fù)12伏供電,運(yùn)放輸出端連接mosfet的G極。mosfet的D連接500v直流高壓,mosfet的S極連接一個(gè)20歐姆電阻到地,20歐姆電阻連接運(yùn)放反饋端,我想把運(yùn)放個(gè)mosfet進(jìn)行隔離,求方案。求器件。整個(gè)原理其實(shí)就是運(yùn)放控制mosfet實(shí)現(xiàn)電流源。
2018-08-02 08:55:51
兩層電源板,板子設(shè)計(jì)中有4個(gè)MOSFET管串聯(lián),由于只有兩層,四個(gè)MOSFET管的3個(gè)源級(jí)要過(guò)大電流,所以用銅連接在一起;四個(gè)MOSFET管柵極串聯(lián)的線走在器件源級(jí)和漏極之間(請(qǐng)看圖片),不知道這樣的柵極走線會(huì)不會(huì)受影響?
2018-07-24 16:19:28
(即施加到柵極的電壓相對(duì)于施加到源極的電壓)達(dá)到某個(gè)特定值(稱為閾值電壓)以上,MOSFET才會(huì)傳導(dǎo)大量電流。您需要確保FET的閾值電壓低于驅(qū)動(dòng)電路的輸出電壓。像通常的物理現(xiàn)象一樣,MOSFET的導(dǎo)
2019-10-25 09:40:30
N溝道MOSFET的柵極和源極間加上正電壓時(shí),其開關(guān)導(dǎo)通。導(dǎo)通時(shí),電流可經(jīng)開關(guān)從漏極流向源極。漏極和源極之間存在一個(gè)內(nèi)阻,稱為導(dǎo)通電阻RDS(ON)。必須清楚MOSFET的柵極是個(gè)高阻抗端,因此,總是
2011-08-17 14:18:59
請(qǐng)您介紹一下驅(qū)動(dòng)器源極引腳是如何降低開關(guān)損耗的。首先,能否請(qǐng)您對(duì)使用了驅(qū)動(dòng)器源極引腳的電路及其工作進(jìn)行說(shuō)明?Figure 4是具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的MOSFET的驅(qū)動(dòng)電路示例。它與以往驅(qū)動(dòng)電路
2020-07-01 13:52:06
發(fā)生振蕩而誤導(dǎo)通。同時(shí)它還可以作為功率MOSFET關(guān)斷時(shí)的能量泄放回路。該驅(qū)動(dòng)電路的導(dǎo)通速度主要與被驅(qū)動(dòng)的S2柵極、源極等效輸入電容的大小、S1的驅(qū)動(dòng)信號(hào)的速度以及S1所能提供的電流大小有關(guān)。由仿真
2023-02-27 11:52:38
1中的t1),源極電壓(VGS)正接近MOSFET的閾值電壓,VTH和漏電流為零。因此,在此期間的功率損耗為零。在t2時(shí)段,MOSFET的寄生輸入電容(CISS)開始充電,而漏極電流開始流經(jīng)
2022-11-16 08:00:15
Figure 4 是具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的 MOSFET 的驅(qū)動(dòng)電路示例。它與以往驅(qū)動(dòng)電路(Figure 2)之間的區(qū)別只在于驅(qū)動(dòng)電路的返回線是連接到驅(qū)動(dòng)器源極引腳這點(diǎn)。從電路圖中可以一目了然地看出
2020-11-10 06:00:00
在本文中,我們將通過(guò)雙脈沖測(cè)試來(lái)確認(rèn)驅(qū)動(dòng)器源極引腳的效果。驅(qū)動(dòng)器源極引腳的效果:雙脈沖測(cè)試比較為了比較沒(méi)有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的MOSFET和有驅(qū)動(dòng)源極引腳的MOSFET的實(shí)際開關(guān)工作情況,我們按照右圖
2022-06-17 16:06:12
MOSFET的基本結(jié)構(gòu)。SIC MOSFET是一種由碳化硅材料制成的傳導(dǎo)類型晶體管。與傳統(tǒng)的硅MOSFET相比,SIC MOSFET具有更高的遷移率和擊穿電壓,以及更低的導(dǎo)通電阻和開關(guān)損耗。這些特性使其成為高溫高頻率應(yīng)用中的理想選擇。 SIC MOSFET在電路中具有以下幾個(gè)主要的作用: 1. 電源開關(guān)
2023-12-21 11:27:13686
評(píng)論
查看更多