電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/李寧遠(yuǎn)）在高功率應(yīng)用中，通常需要專用驅(qū)動(dòng)器來驅(qū)動(dòng)功率晶體管，不使用專用驅(qū)動(dòng)器一般都會(huì)導(dǎo)致電路功耗過高。大多數(shù)功率MOSFET和IGBT由柵極驅(qū)動(dòng)器IC驅(qū)動(dòng)，尤其是IGBT，幾乎
2021-11-03 09:33:56
3665 IGBT驅(qū)動(dòng)光耦TLP250功率驅(qū)動(dòng)模塊在IRF840 MOSFET中的應(yīng)用
2012-06-06 11:56:597045 日前，德州儀器 (TI) 宣布推出一款面向絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)與MOSFET的隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器，其速度比同等光學(xué)柵極驅(qū)動(dòng)器快40%。
2012-10-11 14:04:331610 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極性三極管)和MOSFET(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件。
2023-11-24 15:51:59683 
描述此參考設(shè)計(jì)在單個(gè) 24 伏直流輸入電源中提供絕緣閘極雙極型晶體管 (IGBT) 柵極驅(qū)動(dòng)器所需的加強(qiáng)版隔離式正負(fù)電壓軌。此參考設(shè)計(jì)采用反激式隔離型控制拓?fù)?，提供符?IEC61800-5 標(biāo)準(zhǔn)
2018-09-25 10:21:35
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT和MOS組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR
2012-07-25 09:49:08
IGBT 102變壓器隔離驅(qū)動(dòng)模塊原理圖紙 我公司中頻電源用變壓器隔離驅(qū)動(dòng)模塊原理圖紙，采用變壓器隔離比光耦有完全隔離的優(yōu)勢(shì)。u 單管大功率 IGBT 模塊驅(qū)動(dòng)器。變壓器信號(hào)耦合，延遲小，工作頻率高
2013-01-17 13:54:30
`大家一起上傳IGBT并聯(lián)應(yīng)用 功率器件交流群：215670829（500人） `
2013-03-25 11:19:45
隔離措施，以提高系統(tǒng)抗干擾措施，可采用帶光電隔離的MOSFET驅(qū)動(dòng)芯片TLP250。光耦TLP250是一種可直接驅(qū)動(dòng)小功率MOSFET和IGBT的功率型光耦，由日本東芝公司生產(chǎn)，其最大驅(qū)動(dòng)能力達(dá)1.5A
2012-06-14 20:30:08
現(xiàn)有IGBT 型號(hào)為H20R1202 要設(shè)計(jì)他的驅(qū)動(dòng)電路，在哪里找資料？或者有沒有設(shè)計(jì)過IGBT驅(qū)動(dòng)電路的，能分享嗎？現(xiàn)在有一個(gè)驅(qū)動(dòng)MOSFET 的電路，可以用在IGBT的驅(qū)動(dòng)上嗎？
2016-04-01 09:34:58
和可靠性，因此。如何選擇斬波電路和斬波器件十分重要。IGBT是近代新發(fā)展起來的全控型功率半導(dǎo)體器件，它是由MOSFET（場(chǎng)效應(yīng)晶體管）與GTR（大功率達(dá)林頓晶體管）結(jié)合，并由前者擔(dān)任驅(qū)動(dòng)，因此具有
2018-10-17 10:05:39
IGBT的特點(diǎn)可以從其全稱中了解一二：絕緣柵雙極晶體管。所謂絕緣柵，是指IGBT與MOSFET類似，作為控制的門級(jí)和功率電路部分是絕緣的，之間沒有通過導(dǎo)體或半導(dǎo)體電氣連接。門級(jí)只要出現(xiàn)一定的電壓，在
2023-02-16 15:36:56
引言IGBT在以變頻器及各類電源為代表的電力電子裝置中得到了廣泛應(yīng)用。IGBT集雙極型功率晶體管和功率MOSFET的優(yōu)點(diǎn)于一體，具有電壓控制、輸入阻抗大、驅(qū)動(dòng)功率小、控制電路簡(jiǎn)單、開關(guān)損耗小、通斷
2021-09-09 09:02:46
Supply；SMPS) 的性能在很大程度上依賴于功率半導(dǎo)體器件的選擇，即開關(guān)管和整流器。雖然沒有萬全的方案來解決選擇IGBT還是MOSFET的問題，但針對(duì)特定SMPS應(yīng)用中的IGBT 和 MOSFET
2018-08-27 20:50:45
，逆變器，變頻器，電鍍電解電源，超音頻感應(yīng)加熱等領(lǐng)域。開關(guān)電源(SMPS) 的性能在很大程度上依賴于功率半導(dǎo)體器件的選擇，即開關(guān)管和整流器。雖然沒有萬全的方案來解決選擇IGBT還是MOSFET的問題，但
2021-06-16 09:21:55
MOSFET轉(zhuǎn)換到IGBT，必須對(duì)柵極驅(qū)動(dòng)電路進(jìn)行調(diào)節(jié)。 傳導(dǎo)損耗需謹(jǐn)慎 在比較額定值為600V的器件時(shí)，IGBT的傳導(dǎo)損耗一般比相同芯片大小的600 V MOSFET少。這種比較應(yīng)該是在集電極和漏極
2020-06-28 15:16:35
MOSFET驅(qū)動(dòng)器的主要用途有哪些？MOSFET或IGBT哪一種驅(qū)動(dòng)器最適合您的應(yīng)用呢？
2021-11-08 06:11:40
這個(gè)損耗看成器件的感性關(guān)斷損耗。3）開關(guān)損耗：開通損耗：考慮二極管反向恢復(fù)后：關(guān)斷損耗：驅(qū)動(dòng)損耗：十、功率MOSFET的選擇原則與步驟1）選擇原則：a.根據(jù)電源規(guī)格，合理選擇MOSFET 器件（見下
2021-08-29 18:34:54
：考慮二極管反向恢復(fù)后：關(guān)斷損耗：驅(qū)動(dòng)損耗：功率MOSFET的選擇原則與步驟（1）：選擇原則（A）：根據(jù)電源規(guī)格，合理選擇MOSFET 器件（見下表）：（B）：選擇時(shí)，如工作電流較大，則在相同的器件額定
2021-09-05 07:00:00
功率器件，如IGBT，Power MOSFET和Bipolar Power Transistor等等，都需要有充分的保護(hù)，以避免如欠壓，缺失飽和，米勒效應(yīng)，過載，短路等條件所造成的損害。本在線
2018-11-05 15:38:56
以適合更高功率的驅(qū)動(dòng)器。此參考設(shè)計(jì)還利用推挽式拓?fù)涞牧硪粋€(gè)優(yōu)點(diǎn)，即可以從單個(gè)控制器并行控制多個(gè)變壓器，從而生成三相 IGBT 逆變器所需的所有隔離式電壓軌。最后，用于更高功率驅(qū)動(dòng)器的更大 IGBT
2015-03-23 14:35:34
以適合更高功率的驅(qū)動(dòng)器。此參考設(shè)計(jì)還利用推挽式拓?fù)涞牧硪粋€(gè)優(yōu)點(diǎn)，即可以從單個(gè)控制器并行控制多個(gè)變壓器，從而生成三相 IGBT 逆變器所需的所有隔離式電壓軌。最后，用于更高功率驅(qū)動(dòng)器的更大 IGBT
2015-04-27 17:31:57
IGBT/功率 MOSFET 是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和其它系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個(gè)器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對(duì)于IGBT，它們被稱為
2018-10-25 10:22:56
Sanket Sapre摘要IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和其它系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個(gè)器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對(duì)
2018-11-01 11:35:35
利用3525做一個(gè)24v的隔離電源，為igbt驅(qū)動(dòng)供電，驅(qū)動(dòng)用3120來隔離，mc33153來做保護(hù)，請(qǐng)各位大神給講講原理，不太懂電源的推挽輸出，還有mc33153和3120的連接部分
2016-05-08 21:02:46
控人機(jī)界面方案商的工程師（熟悉通信互聯(lián)，并不熟悉執(zhí)行部分和元器件構(gòu)成），本文提供IGBT和MOSFET基礎(chǔ)知識(shí)和工程選型要領(lǐng)。一般認(rèn)為IGBT個(gè)大功率大，MOSFET適合開關(guān)和小電流驅(qū)動(dòng)，其實(shí)IGBT
2022-06-28 10:26:31
智能功率模塊 （IPM） 是一種功率半導(dǎo)體模塊，它將運(yùn)行 IGBT 所需的所有電路集成到單個(gè)封裝中。它包括所需的驅(qū)動(dòng)電路和保護(hù)功能，以及IGBT。通過這種方式，可以從現(xiàn)有的IGBT技術(shù)中獲得最佳
2023-02-24 15:29:54
概述：IRS26302DJBPF美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體公司生產(chǎn)的一款高速功率MOSFET和IGBT驅(qū)動(dòng)器，它把功率MOSFET/IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器與三個(gè)高側(cè)及三個(gè)低側(cè)參考輸出通道集成在一起，在最高20V
2021-05-18 07:25:34
，SiC-MOSFET在25℃時(shí)的變動(dòng)很小，在25℃環(huán)境下特性相近的產(chǎn)品，差距變大，溫度增高時(shí)SiC MOSFET的導(dǎo)通電阻變化較小。與IGBT的區(qū)別：關(guān)斷損耗特性前面多次提到過，SiC功率元器件的開關(guān)特性優(yōu)異，可處理
2018-12-03 14:29:26
，SiC-MOSFET能夠在IGBT不能工作的高頻條件下驅(qū)動(dòng)，從而也可以實(shí)現(xiàn)無源器件的小型化。與600V~900V的Si-MOSFET相比，SiC-MOSFET的優(yōu)勢(shì)在于芯片面積?。蓪?shí)現(xiàn)小型封裝），而且體
2019-05-07 06:21:55
應(yīng)用中使用的功率IGBT和MOSFET。 輸出級(jí)的高工作電壓范圍提供了柵極控制設(shè)備所需的驅(qū)動(dòng)電壓。 該光電耦合器提供的電壓和電流使其非常適合直接驅(qū)動(dòng)額定功率高達(dá)800 V / 50 A的IGBT。對(duì)于
2019-10-30 15:23:17
;IGBT集中應(yīng)用于焊機(jī),逆變器,變頻器,電鍍電解電源,超音頻感應(yīng)加熱等領(lǐng)域 開關(guān)電源 (Switch Mode Power Supply；SMPS) 的性能在很大程度上依賴于功率半導(dǎo)體器件的選擇，即
2017-04-15 15:48:51
本文通過故意損壞IGBT/MOSFET功率開關(guān)來研究柵極驅(qū)動(dòng)器隔離柵的耐受性能。在高度可靠、高性能的應(yīng)用中，如電動(dòng)/混合動(dòng)力汽車，隔離柵級(jí)驅(qū)動(dòng)器需要確保隔離柵在所有情況下完好無損。隨著
2021-01-22 06:45:02
Supply；SMPS) 的性能在很大程度上依賴于功率半導(dǎo)體器件的選擇，即開關(guān)管和整流器。雖然沒有萬全的方案來解決選擇IGBT還是MOSFET的問題，但針對(duì)特定SMPS應(yīng)用中的IGBT 和 MOSFET進(jìn)行
2019-03-06 06:30:00
描述TIDA-00195 參考設(shè)計(jì)包括一個(gè) 22kW 功率級(jí)以及 TI 全新的增強(qiáng)型隔離式 IGBT 柵極驅(qū)動(dòng)器 ISO5852S（適用于各種應(yīng)用中的電機(jī)控制）。此設(shè)計(jì)可對(duì)三相逆變器（其中整合了額定
2018-12-27 11:41:40
引用:IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極性三極管)和MOSFET(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率
2023-02-10 15:33:01
的問題，如果從系統(tǒng)的電壓、電流、切換功率等因素作為考慮，可以總結(jié)出以下幾點(diǎn)：詳細(xì)的講解，見附件。。。。。。MOSFET和IGBT 硬件驅(qū)動(dòng)電路對(duì)比講解1、MOSFE作為大功率器件的驅(qū)動(dòng)方案 2、IGBT作為大功率器件的驅(qū)動(dòng)方案`
2021-03-02 13:47:10
`描述此參考設(shè)計(jì)在單個(gè) 24 伏直流輸入電源中提供絕緣閘極雙極型晶體管 (IGBT) 柵極驅(qū)動(dòng)器所需的加強(qiáng)版隔離式正負(fù)電壓軌。此參考設(shè)計(jì)采用反激式隔離型控制拓?fù)洌峁┓?IEC61800-5 標(biāo)準(zhǔn)
2015-04-27 18:16:34
電機(jī)驅(qū)動(dòng)市場(chǎng)特別是家電市場(chǎng)對(duì)系統(tǒng)的能效、尺寸和穩(wěn)健性的要求越來越高。 為滿足市場(chǎng)需求，意法半導(dǎo)體針對(duì)不同的工況提供多種功率開關(guān)技術(shù)，例如， IGBT和最新的超結(jié)功率MOSFET?！ ”疚脑趯?shí)際
2018-11-20 10:52:44
電子技術(shù)的能量變換與管理應(yīng)用中，越來越成為各種主回路的首選功率開關(guān)器件，因此如何安全可靠地驅(qū)動(dòng)igbt工作，也成為越來越多的設(shè)計(jì)工程師面臨需要解決的課題?！ ≡谑褂?b class="flag-6" style="color: red">igbt構(gòu)成的各種主回路之中，大功率
2012-12-08 12:34:45
是由光耦和功率緩沖器構(gòu)成，如hcpl-3150 等，如圖1所示。它將普通控制信號(hào)的ttl/cmos輸入電平信號(hào)轉(zhuǎn)變?yōu)檎?fù)十幾伏的igbt門極驅(qū)動(dòng)輸出電平，正負(fù)電平的幅值取決于隔離電源。圖1
2012-07-09 15:36:02
測(cè)量和校核開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)以及一些電力電子變換器的功率器件結(jié)溫，如 MOSFET 或 IGBT 的結(jié)溫，是一個(gè)不可或缺的過程，功率器件的結(jié)溫與其安全性、可靠性直接相關(guān)。測(cè)量功率器件的結(jié)溫常用二種方法：
2021-03-11 07:53:26
描述 TIDA-00448 參考設(shè)計(jì)是帶有雙極性閘極電壓的隔離式 IGBT 閘極驅(qū)動(dòng)程序，旨在用于驅(qū)動(dòng)所需高峰值閘極電流高達(dá) 40 A 的大功率 IGBT。TI 的 NexFET 電源塊就在此范圍內(nèi)
2018-09-04 09:20:51
電源? 低噪聲燈絲電源? IGBT 柵極驅(qū)動(dòng)電源3 說明VPS8703 是一款專門為小體積、低待機(jī)功耗的微功率隔離電源而設(shè)計(jì)的變壓器驅(qū)動(dòng)器，其外圍只需匹配簡(jiǎn)單的輸入輸出濾波電容、隔離變壓器和整流
2022-11-11 14:44:13
電動(dòng)汽車、風(fēng)能/太陽能逆變等所需的核心器件。2、IGBT特性簡(jiǎn)介圖 1 功率MOSFET和IGBT結(jié)構(gòu)示意圖IGBT是通過在功率MOSFET的漏極上追加一層P+層而構(gòu)成的，其理想等效電路如下圖所示：圖 2
2015-12-24 18:13:54
適合更高功率的驅(qū)動(dòng)器。此參考設(shè)計(jì)還利用推挽式拓?fù)涞牧硪粋€(gè)優(yōu)點(diǎn)，即可以從單個(gè)控制器并行控制多個(gè)變壓器，從而生成三相 IGBT 逆變器所需的所有隔離式電壓軌。最后，用于更高功率驅(qū)動(dòng)器的更大 IGBT 需要
2018-09-20 08:49:06
將減小元件尺寸，從而減小成本、系統(tǒng)尺寸和重量；這些是汽車和能源等市場(chǎng)中的主要優(yōu)勢(shì)。新型功率開關(guān)還將促使其控制元件發(fā)生變化，其中包括柵極驅(qū)動(dòng)器。本文將探討GaN和SiC開關(guān)與IGBT/MOSFET的一些
2018-10-16 06:20:46
頻率將減小元件尺寸，從而減小成本、系統(tǒng)尺寸和重量；這些是汽車和能源等市場(chǎng)中的主要優(yōu)勢(shì)。新型功率開關(guān)還將促使其控制元件發(fā)生變化，其中包括柵極驅(qū)動(dòng)器。本文將探討GaN和SiC開關(guān)與IGBT/MOSFET
2018-10-16 21:19:44
減小元件尺寸，從而減小成本、系統(tǒng)尺寸和重量；這些是汽車和能源等市場(chǎng)中的主要優(yōu)勢(shì)。新型功率開關(guān)還將促使其控制元件發(fā)生變化，其中包括柵極驅(qū)動(dòng)器。本文將探討GaN和SiC開關(guān)與IGBT/MOSFET的一些
2018-10-24 09:47:32
在高度可靠、高性能的應(yīng)用中，如電動(dòng)/混合動(dòng)力汽車，隔離柵級(jí)驅(qū)動(dòng)器需要確保隔離柵在所有情況下完好無損。隨著Si-MOSFET/IGBT不斷改進(jìn)，以及對(duì)GaN和SiC工藝技術(shù)的引進(jìn)，現(xiàn)代功率轉(zhuǎn)換器/逆變器的功率密度不斷提高。
2019-08-09 07:03:09
本文通過故意損壞IGBT/MOSFET功率開關(guān)來研究柵極驅(qū)動(dòng)器隔離柵的耐受性能。
2021-06-17 07:24:06
IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和其它系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個(gè)器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對(duì)于IGBT，它們被稱為集電極
2021-01-27 07:59:24
選取最小值，以提高其耐短路能力)。1.2 對(duì)電源的要求 對(duì)于全橋或半橋電路來說，上下管的驅(qū)動(dòng)電源要相互隔離，由于IGBT是電壓控制器件，所需要的驅(qū)動(dòng)功率很小，主要是對(duì)其內(nèi)部幾百至幾千皮法的輸入電容
2016-11-28 23:45:03
選取最小值，以提高其耐短路能力)。1.2 對(duì)電源的要求 對(duì)于全橋或半橋電路來說，上下管的驅(qū)動(dòng)電源要相互隔離，由于IGBT是電壓控制器件，所需要的驅(qū)動(dòng)功率很小，主要是對(duì)其內(nèi)部幾百至幾千皮法的輸入電容
2016-10-15 22:47:06
硅IGBT與碳化硅MOSFET驅(qū)動(dòng)兩者電氣參數(shù)特性差別較大，碳化硅MOSFET對(duì)于驅(qū)動(dòng)的要求也不同于傳統(tǒng)硅器件，主要體現(xiàn)在GS開通電壓、GS關(guān)斷電壓、短路保護(hù)、信號(hào)延遲和抗干擾幾個(gè)方面，具體如下
2023-02-27 16:03:36
的效率。要做到這一點(diǎn)，電機(jī)控制電路必須很快地開關(guān)流向電機(jī)線圈的電流，在開關(guān)上面需要達(dá)到最小的切換時(shí)間或?qū)щ娖陂g的損失。 要滿足這些需求需要使用MOSFET和IGBT。這兩種半導(dǎo)體器件都可以用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)
2016-01-27 17:22:21
IGBT的驅(qū)動(dòng)與保護(hù)電路研究：對(duì)電力電子功率器件IGBT的開關(guān)特性、驅(qū)動(dòng)波形、功率、布線、隔離等方面的要求和保護(hù)方法進(jìn)行了分析和討論,介紹了IGBT的幾種基本驅(qū)動(dòng)電路和一種典
2009-05-31 12:33:15
64 IGBT和MOSFET器件的隔離驅(qū)動(dòng)技術(shù):介紹了絕緣柵大功率器件各種不同的驅(qū)動(dòng)技術(shù)以及當(dāng)前市場(chǎng)上的各類成品驅(qū)動(dòng)器的性能特點(diǎn)。關(guān)鍵詞院MOSFET IGBT 隔離驅(qū)動(dòng) 光電耦合器 脈沖變壓器
2009-06-20 08:37:4656 功率MOSFET的隔離式柵極驅(qū)動(dòng)電路
2009-04-02 23:36:182182 
本文針對(duì)10 kW三相IGBT全橋變換器設(shè)計(jì)了一種隔離驅(qū)動(dòng)電源，提供4路相互隔離的輸出，每路輸出均提供+15 V/-9 V電源。電源功率較小，考慮成本和效率，采用單端反激式結(jié)構(gòu)。
2011-08-19 11:35:1211058 
Diodes公司 （Diodes Incorporated） 新推出的DGD21xx系列包括六款半橋柵極驅(qū)動(dòng)器及六款高/低側(cè)600V柵極驅(qū)動(dòng)器，可在半橋或全橋配置下輕易開關(guān)功率MOSFET與IGBT。
2016-03-14 18:13:231402 本文介紹了MOSFET/IGBT 半橋驅(qū)動(dòng)芯片IR2111 的使用情況, 分析了其工作電路中外圍各元器件的作用, 同時(shí)指出了在使用過程中應(yīng)注意的一些問題和現(xiàn)象, 并對(duì)不同公司的MOSFET/IGBT 驅(qū)動(dòng)芯片作了簡(jiǎn)要介紹。
2016-06-15 17:36:420 ， 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大；MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、
2017-06-01 08:38:169 PowerMOSFET和BipolarPowerTransistor等功率器件，都需要有充分的保護(hù)以避免欠壓、米勒效應(yīng)、缺失飽和、過載、短路造成的損害。本文通過Avago參與的八大問答討論隔離驅(qū)動(dòng)
2017-10-26 16:52:4614 本文主要對(duì)逆變器等功率裝置的IGBT驅(qū)動(dòng)電路進(jìn)行研究，從門極驅(qū)動(dòng)電壓、門極驅(qū)動(dòng)電阻、驅(qū)動(dòng)電路功率與IGBT的關(guān)系以及驅(qū)動(dòng)保護(hù)等方面分析了驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)。最后設(shè)計(jì)了以基于光電耦合器HCPL316J的驅(qū)動(dòng)電路，計(jì)算了電路的參數(shù)。通過驅(qū)動(dòng)實(shí)驗(yàn)和短路保護(hù)實(shí)驗(yàn)，驗(yàn)證了設(shè)計(jì)的正確性。
2018-06-01 11:33:5669 IGBT（絕緣柵雙極性晶體管）是一種電壓控制型功率器件，它所需驅(qū)動(dòng)功率小，控制電路簡(jiǎn)單，導(dǎo)通壓降低，且具有較大的安全工作區(qū)和短路承受能力。因此，目前IGBT已在中功率以上的電力電子系統(tǒng)中（如變頻器
2019-01-11 11:19:5749 通過故意損壞IGBT/MOSFET功率開關(guān)來研究柵極驅(qū)動(dòng)器隔離柵的耐受性能。
2019-04-16 17:07:394941 
MOSFET以及IGBT絕緣柵雙極性大功率管等器件的源極和柵極之間是絕緣的二氧化硅結(jié)構(gòu)，直流電不能通過，因而低頻的表態(tài)驅(qū)動(dòng)功率接近于零。但是柵極和源極之間構(gòu)成了一個(gè)柵極電容Cgs，因而在高頻率的交替
2019-07-03 16:26:554307 
、全控型器件和不可控型器件，其中晶閘管為半控型器件，承受電壓和電流容量在所有器件中最高；電力二極管為不可控器件，結(jié)構(gòu)和原理簡(jiǎn)單，工作可靠；還可以分為電壓驅(qū)動(dòng)型器件和電流驅(qū)動(dòng)型器件，其中GTO、GTR為電流驅(qū)動(dòng)型器件，IGBT、電力MOSFET為電壓驅(qū)動(dòng)型器件
2022-12-08 14:48:341066 本應(yīng)用筆記介紹了MOSFET / IGBT驅(qū)動(dòng)器理論及其應(yīng)用。該文檔介紹了MOSFET和IGBT技術(shù)，驅(qū)動(dòng)器的類型，隔離技術(shù)以及MOSFET / IGBT驅(qū)動(dòng)器的IXYS系列以及一些實(shí)際考慮因素
2021-05-26 17:04:022922 
Bernhard Strzalkowski博士 ADI公司
本文通過故意損壞IGBT/MOSFET功率開關(guān)來研究柵極驅(qū)動(dòng)器隔離柵的耐受性能。
在高度可靠、高性能的應(yīng)用中，如電動(dòng)/混合動(dòng)力汽車
2021-01-20 15:00:2413 摘要
IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和其它系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個(gè)器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對(duì)于IGBT，它們被稱為
2021-01-28 08:13:3820 IGBT及MOSFET隔離驅(qū)動(dòng)為可靠驅(qū)動(dòng)絕緣柵器件，目前已有很多成熟電路。當(dāng)驅(qū)動(dòng)信號(hào)與功率器件不需要隔離時(shí)，驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)是比較簡(jiǎn)單的，目前也有了許多優(yōu)秀的驅(qū)動(dòng)集成電路。
2021-02-08 17:38:007374 
ROHM不僅提供電機(jī)驅(qū)動(dòng)器IC，還提供適用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)的非隔離型柵極驅(qū)動(dòng)器，以及分立功率器件IGBT和功率MOSFET。 我們將先介紹羅姆非隔離型柵極驅(qū)動(dòng)器，再介紹ROHM超級(jí)結(jié)MOSFET
2021-08-09 14:30:512409 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/李寧遠(yuǎn)）在高功率應(yīng)用中，通常需要專用驅(qū)動(dòng)器來驅(qū)動(dòng)功率晶體管，不使用專用驅(qū)動(dòng)器一般都會(huì)導(dǎo)致電路功耗過高。大多數(shù)功率MOSFET和IGBT由柵極驅(qū)動(dòng)器IC驅(qū)動(dòng)，尤其是IGBT，幾乎
2021-11-08 09:28:072297 速度比較快，因此關(guān)斷過程中不會(huì)產(chǎn)生負(fù)壓，但值得一提的是，在干擾較重的情況下，這一現(xiàn)象是有助于提高可靠性的。本文將針對(duì)IGBT以及MOSFET器件的隔離驅(qū)動(dòng)技術(shù)進(jìn)行大致的介紹，幫助大家理解。...
2022-02-11 14:53:527 的柵極輸入供應(yīng)所需的峰值充電電流，來打開器件。該目標(biāo)通過向功率半導(dǎo)體的柵極提供正壓(V OH )來實(shí)現(xiàn)。若要關(guān)閉MOSFET或IGBT，需拉起驅(qū)動(dòng)器件的柵極至0電壓(V OL )或更低。 許多功率控制應(yīng)用采用兩個(gè)或兩個(gè)以上串聯(lián)功率半導(dǎo)體的“圖騰柱”上橋和下橋連接。上橋N溝道MOSFET漏極連接至電源
2022-12-07 19:30:07510 IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制器件，用作電源電路和電機(jī)驅(qū)動(dòng)器等系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個(gè)設(shè)備的電氣隔離控制端子。 MOSFET的其他端子是源極和漏極，對(duì)于IGBT，它們被稱為集電極
2023-01-30 17:17:121151 
智能功率模塊（IPM）是一種功率半導(dǎo)體模塊，可將操作IGBT所需的所有電路集成到一個(gè)封裝中。它包括所需的驅(qū)動(dòng)電路和保護(hù)功能，以及IGBT。這樣，可以通過可用的IGBT技術(shù)獲得最佳性能。
2023-02-02 14:39:142429 
非隔離型柵極驅(qū)動(dòng)器與功率元器件
2023-02-08 13:43:24355 
本文的關(guān)鍵要點(diǎn)?IPM是“Intelligent Power Module”的縮寫，IPM是集成了IGBT、MOSFET等元器件單體（分立產(chǎn)品）與驅(qū)動(dòng)電路、保護(hù)電路等電路的模塊的統(tǒng)稱。
2023-02-13 09:30:151495 
IGBT在MOSFET基礎(chǔ)上升級(jí)，市場(chǎng)空間增速快。IGBT作為半導(dǎo)體功率器件中的全控器件，由BJT(雙極型三極管)和MOSFET(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)
管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件
2023-02-15 16:26:3234 隔離驅(qū)動(dòng)IGBT的意義在于，它可以將低電壓的控制信號(hào)轉(zhuǎn)換為高電壓的控制信號(hào)，從而控制IGBT晶體管的開關(guān)，從而實(shí)現(xiàn)高效的電力控制。
2023-02-15 16:47:24788 式功率半導(dǎo)體器件。
上次從IGBT的名稱入手，搞清楚了IGBT柵極和雙極性所包含的背后意義。這次我們從IGBT的定義出發(fā)，來看看為什么說IGBT是由BJT和
MOSFET組成的器件？它們之間有什么區(qū)別和聯(lián)系？在應(yīng)用的時(shí)候，什么時(shí)候能選擇IGBT、什么時(shí)候選擇BJT、什么時(shí)候又選擇MOSFET管
呢？
2023-02-22 14:51:281 MOSFET之間驅(qū)動(dòng)參數(shù)的實(shí)際差異。 參考資料：《IGBT以及MOSFET的驅(qū)動(dòng)參數(shù)的計(jì)算方法》concept 1.模塊所需驅(qū)動(dòng)功率的計(jì)算2.門級(jí)電荷說明3.峰值驅(qū)動(dòng)電流公式4.輸出電壓擺幅的變化5.最大開
2023-02-22 14:45:3912 說明：IGBT 功率器件損耗與好多因素相關(guān)，比如工作電流，電壓，驅(qū)動(dòng)電阻。在出設(shè)計(jì)之前評(píng)估電路的損耗有一定的必要性。在確定好功率器件的驅(qū)動(dòng)參數(shù)后（驅(qū)動(dòng)電阻大小，驅(qū)動(dòng)電壓等），開關(guān)器件的損耗基本上
2023-02-22 14:05:543 ， 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流
密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大；MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的
優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。
2023-02-23 09:52:070 SLM27517 單通道，高速，低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器器件可以有效地驅(qū)動(dòng)MOSFET和IGBT功率開關(guān)。使用設(shè)計(jì)其固有地最小化擊穿電流，可以源匯高峰值電流脈沖轉(zhuǎn)換為電容性負(fù)載軌對(duì)軌驅(qū)動(dòng)能力非常小傳播延遲通常
2023-02-23 15:42:222 半導(dǎo)體功率器件主要包括功率二極管、功率三極管、晶閘管、MOSFET、IGBT等。其中MOSFET和IGBT屬于電壓控制型開關(guān)器件，具有開關(guān)速度快、易于驅(qū)動(dòng)、損耗低等優(yōu)勢(shì)。IGBT全稱是絕緣柵極
2023-05-18 09:51:583451 
森國(guó)科隆重推出IGBT分立器件新品，兼具功率MOSFET易于驅(qū)動(dòng)、控制簡(jiǎn)單、開關(guān)頻率高和功率雙極型晶體管(BJT)低飽和壓降、大電流運(yùn)輸能力及低損耗的優(yōu)點(diǎn)。
2023-07-26 17:34:13355 
、MOSFET和SiCMOSFET等功率開關(guān)。該板預(yù)裝了兩個(gè)CoolSiCSiCMOSFETIMZA120R020M1H，一個(gè)額外的柵極驅(qū)動(dòng)IC用于隔離從上橋臂到邏輯控制側(cè)
2023-07-31 17:55:56430 
驅(qū)動(dòng)光耦產(chǎn)品線，近期新增一款輸出電流為2.5A的智能柵極驅(qū)動(dòng)光耦 TLP5222 。它是一款可為MOSFET或IGBT等功率器件提供過流保護(hù)的隔離柵極驅(qū)動(dòng)IC，內(nèi)置保護(hù)操作自動(dòng)恢復(fù)的功能。該器件主要用來實(shí)現(xiàn)逆變器、交流伺服器，光伏逆變器等的智
2023-09-28 17:40:02526 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《隔離驅(qū)動(dòng)IGBT等功率器件的技巧.doc》資料免費(fèi)下載
2023-11-14 14:21:590 因IGBT具有電流拖尾效應(yīng)，在關(guān)斷時(shí)要求更好的抗干擾性，需要負(fù)壓驅(qū)動(dòng)。MOSFET速度比較快，關(guān)斷時(shí)可以沒有負(fù)壓，但在干擾較重時(shí)，負(fù)壓關(guān)斷對(duì)于提高可靠性有很大好處。
2023-11-14 15:07:324 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《現(xiàn)代IGBT/MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器 提供隔離功能的最大功率限制.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-11-22 16:48:150 IGBT是一種高性能功率半導(dǎo)體器件，常用于驅(qū)動(dòng)大功率負(fù)載的電路中。 一、IGBT的工作原理 IGBT是由MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）和BJT（雙極型晶體管）兩個(gè)器件構(gòu)成。它結(jié)合
2024-01-12 14:43:521681 意法半導(dǎo)體（下文為ST）的功率MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器旨在提供穩(wěn)健性、可靠性、系統(tǒng)集成性和靈活性的完美結(jié)合。
2024-02-27 09:05:36578 
（典型值），采用SOW-18（寬體）封裝， 高達(dá)5000Vrms的隔離電壓，適用于于驅(qū)動(dòng)MOSFET、IGBT、SiC MOSFET等功率器件。BTD25350功
2023-11-30 09:42:59
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