國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 推出具備低導(dǎo)通電阻的AUIRFR4292和AUIRFS6535車(chē)用功率MOSFET，適用于汽油和柴油發(fā)動(dòng)機(jī)壓電噴射系統(tǒng)。
2012-08-15 11:25:08
1422 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠(chǎng)商 – 國(guó)際整流器公司 （International Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng)IR） 近日推出具有超低導(dǎo)通電阻 （RDS（on）） 的 StrongIRFET功率MOSFET系列，適合各種工業(yè)應(yīng)用，包括電
2012-12-04 22:17:341235 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠(chǎng)商 – 國(guó)際整流器公司 （International Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng)IR） 宣布推出汽車(chē)級(jí)COOLiRFET ? MOSFET系列，為重載應(yīng)用提供基準(zhǔn)導(dǎo)通電阻
2013-05-20 15:13:301738 ? 1、超級(jí)結(jié)構(gòu) 高壓功率MOSFET管早期主要為平面型結(jié)構(gòu)，采用厚低摻雜的N-外延層epi，保證器件具有足夠擊穿電壓，低摻雜N-外延層epi尺寸越厚，耐壓額定值越大，但是，導(dǎo)通電阻隨電壓
2023-10-07 09:57:362774 
日前發(fā)布的MOSFET導(dǎo)通電阻比市場(chǎng)上排名第二的產(chǎn)品低43%，降低壓降并減小傳導(dǎo)損耗，從而實(shí)現(xiàn)更高功率密度。
2020-08-17 11:53:14846 SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點(diǎn)，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 08:19:34
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點(diǎn)，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 06:19:23
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高電壓功率MOSFET，根據(jù)P&S的超結(jié)原理。報(bào)價(jià)設(shè)備提供了快速切換的所有好處并且導(dǎo)通電阻低，使其特別適用于需要更多高效，更緊湊，LED照明，高
性能適配器等。
2023-09-15 08:16:02
監(jiān)測(cè)直流電池堆，電壓是0-300V，電流可達(dá)200A。想用單片機(jī)的ADC監(jiān)測(cè)電壓大小，精度為0.5%*300V（也就是1.5V），是否有什么好的方案。
2017-05-31 11:51:33
請(qǐng)問(wèn)一下有沒(méi)有300V直流轉(zhuǎn)12V和電流達(dá)到500mA以上的芯片？謝謝了
2018-12-27 14:55:50
獨(dú)立高側(cè)和低側(cè)參考輸出通道。該輸出驅(qū)動(dòng)器有一個(gè)高脈沖電流緩沖級(jí)，適用于最小的驅(qū)動(dòng)器跨導(dǎo)，同時(shí)浮動(dòng)通道可以用來(lái)驅(qū)動(dòng)工作在高達(dá)600V高側(cè)配置的N溝道功率MOSFET或 IGBT。這些器件可為兩種通道提供
2008-11-13 20:40:15
`IR推出一系列新型HEXFET?功率MOSFET,其中包括能夠提供業(yè)界最低導(dǎo)通電阻(RDS(on))的IRFH6200TRPbF。<br/>【關(guān)鍵詞】：功率損耗,導(dǎo)通電阻
2010-05-06 08:55:20
. 總所周知，IR不僅是全球功率半導(dǎo)體領(lǐng)先供應(yīng)商，還是管理方案領(lǐng)先供應(yīng)商。其推出的AUIRF8736M2 DirectFET2功率MOSFET,采用COOLiRFET硅技術(shù),40V
2018-09-28 15:57:04
國(guó)際整流器公司（International Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng)IR）近日推出一款新型60V DirectFET 功率 MOSFET－IRF6648。該器件的最大導(dǎo)通電阻為7.0 mΩ(VGS
2018-11-26 16:09:23
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:51 編輯
小弟在選擇MOSFET型號(hào)，要求耐壓300V左右，Id>7.5A，導(dǎo)通電阻越小越好，哪位大俠給推薦一款,萬(wàn)分感謝！
2012-08-17 15:19:08
。問(wèn)題4：PWM芯片的供電電壓為5V，去驅(qū)動(dòng)通用驅(qū)動(dòng)電壓的功率MOSFET，有什么問(wèn)題？問(wèn)題分析：檢查數(shù)據(jù)表中不同的VGS的導(dǎo)通電阻，發(fā)現(xiàn)對(duì)應(yīng)的導(dǎo)通電阻變大，因此功率MOSFET的損耗將增加，溫度升高，同時(shí)系統(tǒng)的效率降低。極端情況下在低溫的時(shí)候，一些VTH偏上限的器件可能不能正常開(kāi)通。
2016-12-21 11:39:07
NCP45521的典型（熱插拔）電路是一種負(fù)載開(kāi)關(guān)，可通過(guò)軟啟動(dòng)為浪涌電流限制提供高效電源域切換的元件和面積減少解決方案。除了具有超低導(dǎo)通電阻的集成控制功能外，這些器件還通過(guò)故障保護(hù)和電源良好信號(hào)提供系統(tǒng)保護(hù)和監(jiān)控
2020-04-17 10:09:17
型區(qū)。在功率MOSFET的內(nèi)部，由許多這樣的單元，也稱(chēng)“晶胞”，并聯(lián)而成。硅片的面積越大，所能加工的單元越多，器件的導(dǎo)通電阻越小，能夠通過(guò)的電流就越大；同樣，在單位的面積的硅片上，能夠加工的晶胞越多
2016-10-10 10:58:30
R60xxMNx系列不僅保持了ROHM獨(dú)有的PrestoMOS高速trr性能，還大大降低了導(dǎo)通電阻和Qg。在搭載變頻器的空調(diào)等電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用案例中，與使用IGBT的情況相比，輕負(fù)載時(shí)的功率損耗可減少約56
2018-12-04 10:23:36
超級(jí)結(jié)MOSFET是與平面MOSFET相比，導(dǎo)通電阻和柵極電荷（Qg）顯著降低的MOSFET。ROHM的600V超級(jí)結(jié)MOSFET具有高速、低噪聲、高效率的特性，并已擴(kuò)展為系列化產(chǎn)品，現(xiàn)已發(fā)展到
2018-12-05 10:00:15
A。盡管導(dǎo)通電阻很低 ，并且具有最佳的 SOA 電流能力，在 40 V/Tp=1 ms下具有8.1 A 電流，如圖 2 所示?！鲌D 2：PSMNR90-50SLH MOSFET 的 40 V/1
2022-10-28 16:18:03
的設(shè)計(jì)而言，它大幅降低了MOSFET導(dǎo)通電阻，并保持了出色的開(kāi)關(guān)性能。 英飛凌推出的OptiMOS 3系列進(jìn)一步改進(jìn)了設(shè)計(jì)，使更高電壓等級(jí)的器件能夠受益于這種技術(shù)。在150 V 至250 V的電壓
2018-12-07 10:21:41
MOSFET模型仿真驗(yàn)證Id_Vds有效性MOSFET模型導(dǎo)通電壓Vgs(th)驗(yàn)證MOSFET模型導(dǎo)通電阻測(cè)試驗(yàn)證與體二極管I-V特性測(cè)試電路搭建MOSFET模型體二極管正向電流與正向電壓關(guān)系I_V性能仿真驗(yàn)證
2017-04-12 20:43:49
，SiC-MOSFET在25℃時(shí)的變動(dòng)很小，在25℃環(huán)境下特性相近的產(chǎn)品，差距變大，溫度增高時(shí)SiC MOSFET的導(dǎo)通電阻變化較小。與IGBT的區(qū)別：關(guān)斷損耗特性前面多次提到過(guò)，SiC功率元器件的開(kāi)關(guān)特性?xún)?yōu)異，可處理
2018-12-03 14:29:26
與IGBT相比，SiC MOSFET具備更快的開(kāi)關(guān)速度、更高的電流密度以及更低的導(dǎo)通電阻，非常適用于電網(wǎng)轉(zhuǎn)換、電動(dòng)汽車(chē)、家用電器等高功率應(yīng)用。但是，在實(shí)際應(yīng)用中，工程師需要考慮SiC MOSFET
2019-07-09 04:20:19
說(shuō)明一下，DMOS是平面型的MOSFET，是常見(jiàn)的結(jié)構(gòu)。Si的功率MOSFET，因其高耐壓且可降低導(dǎo)通電阻，近年來(lái)超級(jí)結(jié)（Super Junction）結(jié)構(gòu)的MOSFET（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“SJ-MOSFET
2018-11-30 11:35:30
電阻低，通道電阻高，因此具有驅(qū)動(dòng)電壓即柵極－源極間電壓Vgs越高導(dǎo)通電阻越低的特性。下圖表示SiC-MOSFET的導(dǎo)通電阻與Vgs的關(guān)系。導(dǎo)通電阻從Vgs為20V左右開(kāi)始變化（下降）逐漸減少，接近
2018-11-30 11:34:24
度的漂移層實(shí)現(xiàn)高耐壓?！ ∫虼?，在相同的耐壓值情況下，SiC可以得到標(biāo)準(zhǔn)化導(dǎo)通電阻（單位面積導(dǎo)通電阻）更低的器件?！ ±?00V時(shí)，SiC-MOSFET的芯片尺寸只需要Si-MOSFET的35分之1
2023-02-07 16:40:49
情況下，SiC可以得到標(biāo)準(zhǔn)化導(dǎo)通電阻（單位面積導(dǎo)通電阻）更低的器件。例如900V時(shí)，SiC-MOSFET的芯片尺寸只需要Si-MOSFET的35分之1、SJ-MOSFET的10分之1，就可以實(shí)現(xiàn)相同
2019-04-09 04:58:00
情況下，SiC可以得到標(biāo)準(zhǔn)化導(dǎo)通電阻（單位面積導(dǎo)通電阻）更低的器件。例如900V時(shí)，SiC-MOSFET的芯片尺寸只需要Si-MOSFET的35分之1、SJ-MOSFET的10分之1，就可以實(shí)現(xiàn)相同
2019-05-07 06:21:55
導(dǎo)通電阻，提供出色的開(kāi)關(guān)性能，并在雪崩和換向模式下承受高能量脈沖。 這些器件非常適合于高效開(kāi)關(guān)模式電源，基于半橋拓?fù)涞挠性?b class="flag-6" style="color: red">功率因數(shù)校正。推薦產(chǎn)品：TSD5N65M；TSU5N65M；TSD5N50MR
2020-04-30 15:13:55
電壓。導(dǎo)通電阻表示功率MOSFET完全開(kāi)后的電阻，和上述的線(xiàn)性區(qū)工作狀態(tài)并不相同。功率MOSFET的內(nèi)部二極管導(dǎo)通的反向工作狀態(tài)，因?yàn)槠銼、D極的電壓為二極管的壓降，因此并沒(méi)有線(xiàn)性區(qū)的過(guò)程，也就
2017-04-06 14:57:20
狀態(tài)之間轉(zhuǎn)換，并且具有更低的導(dǎo)通電阻。例如，900 伏 SiC MOSFET 可以在 1/35 大小的芯片內(nèi)提供與 Si MOSFET 相同的導(dǎo)通電阻（圖 1）。圖 1：SiC MOSFET（右側(cè)）與硅
2017-12-18 13:58:36
電氣技師和電子制造工程師用接地導(dǎo)通電阻測(cè)試儀驗(yàn)證電器和消費(fèi)產(chǎn)品（由交流電壓供電）上的裸露金屬是否適當(dāng)?shù)剡B接到了其機(jī)殼底座。當(dāng)電器內(nèi)部發(fā)生故障電流時(shí)，如果電器沒(méi)有適當(dāng)?shù)剡B接到已接地的機(jī)殼底座，就存在
2017-09-30 09:38:49
電源型產(chǎn)品，皆有提供。 BD9E100FJ-LB、BD9E101FJ-LB是ROHM推出的內(nèi)置低導(dǎo)通電阻功率MOSFET的同步整流降壓型開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器，具有非常寬的輸入電壓范圍。采用電流控制模式，具有高速
2019-04-01 22:19:17
ROHM推出內(nèi)置耐壓高達(dá)80V的MOSFET的DC/DC轉(zhuǎn)換器用IC“BD9G341AEFJ”。80V耐壓是內(nèi)置功率晶體管的非隔離型DC/DC轉(zhuǎn)換器IC的業(yè)界最高水平，在ROHM的DC/DC
2018-10-19 16:47:06
ROHM推出內(nèi)置耐壓高達(dá)80V的MOSFET的DC/DC轉(zhuǎn)換器用IC“BD9G341AEFJ”。80V耐壓是內(nèi)置功率晶體管的非隔離型DC/DC轉(zhuǎn)換器IC的業(yè)界最高水平，在ROHM的DC/DC轉(zhuǎn)換器
2018-12-04 10:10:43
系列Hybrid MOS是同時(shí)具備超級(jí)結(jié)MOSFET（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“SJ MOSFET”）的高速開(kāi)關(guān)和低電流時(shí)的低導(dǎo)通電阻、IGBT的高耐壓和大電流時(shí)的低導(dǎo)通電阻這些優(yōu)異特性的新結(jié)構(gòu)MOSFET。下面為
2018-11-28 14:25:36
所示。Q1為放電管，使用N溝道增強(qiáng)型
MOSFET,實(shí)際的工作中，根據(jù)不同的應(yīng)用，會(huì)使用多個(gè)
功率MOSFET并聯(lián)工作，以減小
導(dǎo)通電阻，增強(qiáng)散熱性能。RS為電池等效內(nèi)阻，LP為電池引線(xiàn)電感?！ ≌９ぷ?/div>
2018-09-30 16:14:38
如題，AD8422僅支持最大+-40V的共模電壓，如何使用AD8422實(shí)現(xiàn)高達(dá)300V共模電壓的差分信號(hào)檢測(cè)？
2023-11-20 06:00:47
”這個(gè)參數(shù)的影響。下面以“升降壓轉(zhuǎn)換器的傳遞函數(shù)導(dǎo)出示例 其2”的ton≠ton’ 的升降壓轉(zhuǎn)換器為基礎(chǔ)，按照同樣步驟來(lái)推導(dǎo)。右側(cè)電路圖在上次給出的升降壓轉(zhuǎn)換器簡(jiǎn)圖上標(biāo)出了作為開(kāi)關(guān)的MOSFET的導(dǎo)通電阻
2018-11-30 11:48:22
導(dǎo)讀：近日，德州儀器 （TI） 宣布推出 14 款采用 TO-220 及 SON 封裝的功率 MOSFET,其支持 40V 至 100V 輸入電壓，進(jìn)一步壯大了 TI 普及型 NexFET 產(chǎn)品
2018-11-29 17:13:53
` ?。?）不同耐壓的MOS管的導(dǎo)通電阻分布。不同耐壓的MOS管，其導(dǎo)通電阻中各部分電阻比例分布也不同。如耐壓30V的MOS管，其外延層電阻僅為總導(dǎo)通電阻的29%，耐壓600V的MOS管的外延層電阻
2018-11-01 15:01:12
測(cè)量MOS管的導(dǎo)通電阻除了在選定開(kāi)關(guān)時(shí)有用，還在哪些方面有重要的意義？
2012-05-17 10:44:16
和突然，因?yàn)橥ǔ５挠^點(diǎn)都認(rèn)為，MOSFET的導(dǎo)通電阻具有正的溫度系數(shù)，因此可以并聯(lián)工作。當(dāng)多個(gè)并聯(lián)工作的功率MOSFET其中的一個(gè)溫度上升時(shí)，由于其具有正的溫度系數(shù)，導(dǎo)通電阻也增加，因此流過(guò)的電流減小
2016-09-26 15:28:01
各位大大，最近在做雙向逆變，想問(wèn)一下用2變比的高頻變壓器，高壓側(cè)600V降壓到300v，升壓的時(shí)候可以從300V升壓超過(guò)600V嗎，有人說(shuō)高頻變壓器可以升壓超過(guò)原來(lái)高壓側(cè)輸入的電壓，請(qǐng)問(wèn)有懂這個(gè)的能說(shuō)一下能實(shí)現(xiàn)升壓超過(guò)2變比的嗎
2018-03-17 15:26:54
電路顯示LT3750電路將400F電容充電至300V的目標(biāo)電壓。 T1和R1，R2電阻的1:10匝數(shù)比將目標(biāo)電壓設(shè)置為300V，而R4功率電阻將峰值充電初級(jí)電流設(shè)置為7.5A
2019-10-09 08:47:35
并提高可靠性。東芝實(shí)驗(yàn)證實(shí)，與現(xiàn)有SiC MOSFET相比，這種設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)在不影響可靠性的情況下[1]，可將導(dǎo)通電阻[2]（RonA）降低約20%。功率器件是管理各種電子設(shè)備電能，降低功耗以及實(shí)現(xiàn)碳中和
2023-04-11 15:29:18
最后一個(gè)字母“I”識(shí)別（例如BSC010N04LSI）。圖1：英飛凌新一代MOSFET具有更低的導(dǎo)通電阻RDS(on) 導(dǎo)通電阻是MOSFET最重要的參數(shù)之一，但其他參數(shù)通常具備同等重要性，有時(shí)對(duì)于
2018-12-06 09:46:29
誰(shuí)能告訴我這張圖里的vcc代表的是什么.300v直流嗎，那樣的話(huà)ss8050集電結(jié)不是300v,ss8050不要爆了嗎.
2016-07-31 18:29:22
，Si-MOSFET在這個(gè)比較中，導(dǎo)通電阻與耐壓略遜于IGBT和SiC-MOSFET，但在低～中功率條件下，高速工作表現(xiàn)更佳。平面MOSFET與超級(jí)結(jié)MOSFETSi-MOSFET根據(jù)制造工藝可分為平面
2018-11-28 14:28:53
MOSFET的結(jié)構(gòu)高壓的功率MOSFET的外延層對(duì)總的導(dǎo)通電阻起主導(dǎo)作用，要想保證高壓的功率MOSFET具有足夠的擊穿電壓，同時(shí)，降低導(dǎo)通電阻，最直觀的方法就是：在器件關(guān)斷時(shí)，讓低摻雜的外延層保證要求的耐壓
2018-10-17 16:43:26
大蝦們好，我是搞弱電的，強(qiáng)電基本不懂?，F(xiàn)在要得到300V直流電壓用來(lái)給閃光燈用的閃光電容充電，以前的方案是使用繞線(xiàn)的隔離變壓器，中間用MOSFET及線(xiàn)性光耦控制閃光電容充電電壓；現(xiàn)在的方案
2016-10-19 10:34:33
`AP15N10 N溝道100V（D-S）MOSFET一般說(shuō)明AP15N10是N通道邏輯增強(qiáng)型電源場(chǎng)效應(yīng)晶體管是使用高單元密度的DMOS來(lái)生產(chǎn)的溝槽技術(shù)。這種高密度工藝特別適合于最小化導(dǎo)通電阻。這些
2021-07-08 09:35:56
使用COOLMOS技術(shù)的MOSFET?！ ?b class="flag-6" style="color: red">IR公司也推出了SUPPER220，SUPPER247封裝的超級(jí)MOSFET，額定電流分別為35A，59A，導(dǎo)通電阻分別為 0.082Ω，0.045Ω，150
2023-02-27 11:52:38
%。特性方面的定位是標(biāo)準(zhǔn)特性。低噪聲SJ-MOSFET：EN系列SJ-MOSFET具有“導(dǎo)通電阻低，開(kāi)關(guān)速度快”的特征，但存在其高速性導(dǎo)致噪聲比平面型大的課題。為改善這個(gè)問(wèn)題開(kāi)發(fā)了EN系列。該系列產(chǎn)品融合了
2018-12-03 14:27:05
IR推出150V和200V MOSFET 具有極低的閘電荷
國(guó)際整流器公司（International Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng)IR） 推出一系列150V和200V HEXFET功率MOSFET，為開(kāi)
2009-08-18 12:00:511176 Vishay Siliconix推出業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻功率MOSFET
Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出新款20V P溝道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用緊湊的2mm x 2mm占位
2009-11-25 09:51:011089 TI 推出具備最低導(dǎo)通電阻的完全整合型負(fù)載開(kāi)關(guān)
TI 宣布推出一
2010-01-08 17:36:28846 TI推出具備板載功率MOSFET的全集成型雙路功率驅(qū)動(dòng)器
日前，德州儀器 (TI) 宣布推出一款具備集成型功率 MOSFET、保護(hù)模塊以及監(jiān)控特性的數(shù)字雙路同步降壓功率驅(qū)動(dòng)器，
2010-02-23 09:26:57667 TI推出具有同步MOSFET控制輸出的全新環(huán)保型相移全橋控制器
日前，德州儀器 (TI) 宣布推出一款具備同步 MOSFET 控制輸出與輕負(fù)載電源管理功能的相移全橋 PWM 控制器 UCC289
2010-03-01 08:39:27848 IR推出一系列新型HEXFET功率MOSFET
國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 推出一系列新型HEXFET® 功率MOSFET，其中包括能夠提供業(yè)界最低導(dǎo)通電阻 (RDS(on)) 的IRFH620
2010-03-12 10:28:391444 IR智能電源開(kāi)關(guān)為24V汽車(chē)應(yīng)用提供超低導(dǎo)通電阻
國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng)IR)推出 AUIPS7111S 高側(cè)智能電源開(kāi)關(guān)。該產(chǎn)品具有超低的導(dǎo)
2010-03-19 09:14:551003 IR推出智能電源開(kāi)關(guān)AUIPS7111S
IR推出AUIPS7111S 高側(cè)智能電源開(kāi)關(guān)。該產(chǎn)品具有超低的導(dǎo)通電阻（RDS(on)），適用于卡車(chē)引擎罩接線(xiàn)盒等嚴(yán)苛的 24V 汽車(chē)環(huán)
2010-03-22 12:16:321289 導(dǎo)通電阻,導(dǎo)通電阻的結(jié)構(gòu)和作用是什么?
傳統(tǒng)模擬開(kāi)關(guān)的結(jié)構(gòu)如圖1所示，它由N溝道MOSFET與P溝道MOSFET并聯(lián)構(gòu)成，可使正負(fù)信號(hào)傳輸，如果將不同VI
2010-03-23 09:27:474912 IR推出汽車(chē)專(zhuān)用MOSFET系列低導(dǎo)通電阻
全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠(chǎng)商 – 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 推出首款汽車(chē)專(zhuān)用 MOSFET 系
2010-04-09 11:50:32746 IR推出二款DirectFET MOSFET芯片組
國(guó)際整流器公司(International Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 推出 IRF6706S2PbF 和 IRF6798MPbF DirectFET MOSFET 芯片組，為 12V 輸入同步降壓應(yīng)用 (包括服務(wù)器、臺(tái)
2010-04-20 10:24:32900 
英飛凌科技股份公司近日推出全新的650V CoolMOS C6/E6高性能功率MOSFET系列。該產(chǎn)品系列將現(xiàn)代超級(jí)結(jié)（SJ）器件的優(yōu)勢(shì)（如低導(dǎo)通電阻和低容性開(kāi)關(guān)損耗）與輕松控制的開(kāi)關(guān)行為、及
2010-07-05 08:48:261672 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠(chǎng)商國(guó)際整流器公司 (InternaTIonal Rectifier) 推出全新HEXFET功率MOSFET系列。該器件采用業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)SOT-23封裝，具有超低導(dǎo)通電阻 (RDS(on)) ，適用于電池充電
2010-07-22 09:29:411162 IR)推出新系列-30 V器件，采用 IR最新的SO-8封裝 P 溝道 MOSFET硅組件，適用于電池充電和放電開(kāi)關(guān)，以及直流應(yīng)用的系統(tǒng)/負(fù)載開(kāi)關(guān)。新款 P 溝道器件的導(dǎo)通電阻 (RDS (on)) 為 4.6 mΩ至59
2010-09-15 18:11:341531 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠(chǎng)商 - 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 宣布拓展了車(chē)用DirectFET®2 功率MOSFET
2010-10-29 09:07:321354 飛兆半導(dǎo)體推出了導(dǎo)通電阻RDS(ON)小于1mΩ的30V MOSFET，這款全新飛兆半導(dǎo)體器件FDMS7650是最大RDS(ON)值為0.99mΩ (VGS = 10 V, ID = 36A)的N溝道器件，它是業(yè)界采用5×6mm POWER56封裝且RDS(ON)
2010-12-29 09:09:391534 功率MOSFET具有導(dǎo)通電阻低、負(fù)載電流大的優(yōu)點(diǎn)，因而非常適合用作開(kāi)關(guān)電源的整流組件
2011-01-13 10:57:001590 
IR推出采用新型WideLead TO-262封裝的車(chē)用MOSFET系列，與傳統(tǒng)的TO-262封裝相比，可減少 50%引線(xiàn)電阻，并提高30%電流
2011-05-24 08:54:351452 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 擴(kuò)展其封裝系列，推出新款的 PQFN 2mm x 2mm封裝。新的封裝采用IR最新的HEXFET MOSFET硅技術(shù)
2011-06-16 09:35:042537 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng)IR)近日推出新的車(chē)用MOSFET系列，適合要求低導(dǎo)通電阻的一系列應(yīng)用，包括傳統(tǒng)內(nèi)燃機(jī) (ICE) 平臺(tái)以及微型和混合動(dòng)力汽車(chē)平臺(tái)上的重載應(yīng)用。
2011-07-12 08:40:54966 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 近日推出車(chē)用 MOSFET 系列，可為一系列應(yīng)用提供基準(zhǔn)導(dǎo)通電阻 (Rds(on)) ，包括電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng) (EPS) 、集成式起動(dòng)發(fā)電機(jī) (ISA) 泵和電機(jī)控制
2011-09-15 09:27:391312 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠(chǎng)商 – 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 近日推出全新數(shù)字功率平臺(tái)，該產(chǎn)品可大幅提升多種應(yīng)用的能效，包括高性能服務(wù)器、臺(tái)式電腦及運(yùn)
2011-09-22 08:51:37983 -300V大脈寬可調(diào)電路主要由四部分組成：(1)脈沖形成級(jí)；(2)脈沖整形級(jí)；(3)功率放大級(jí)；(4)電平轉(zhuǎn)換級(jí)。
2012-04-17 15:20:121521 
東芝公司（Toshiba Corporation）推出了一種低導(dǎo)通電阻功率MOSFET，該產(chǎn)品也成為其專(zhuān)為汽車(chē)應(yīng)用打造的TO-220SIS封裝系列中的最新成員。新產(chǎn)品“TK80A04K3L”還實(shí)現(xiàn)了低漏電電流和175℃的保證工作溫度。該產(chǎn)品不但非常適用于汽車(chē)應(yīng)用，還適用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器
2013-01-22 10:25:30963 瑞薩電子宣布推出新款低導(dǎo)通電阻MOSFET產(chǎn)品，包括經(jīng)過(guò)最佳化的μPA2766T1A，做為網(wǎng)路伺服器與儲(chǔ)存系統(tǒng)之電源供應(yīng)器內(nèi)的ORing FET使用。
2013-03-06 09:50:10938 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠(chǎng)商 – 國(guó)際整流器公司 （International Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng)IR） 宣布推出AUIRF8736M2 DirectFET2 功率MOSFET，適合需要在緊湊的占位面積內(nèi)提供高功率密度的重載汽車(chē)應(yīng)用，包括電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)、剎車(chē)系統(tǒng)、水泵等。
2013-10-16 14:16:131404 日前，Vishay宣布，推出具有業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻的新款P溝道MOSFET---Si7157DP，擴(kuò)充其TrenchFET? P溝道Gen III功率MOSFET。Vishay Siliconix
2014-01-22 10:33:221381 了高效率的解決方案。這顆器件具有業(yè)內(nèi)最低的優(yōu)值系數(shù) （FOM 即柵極電荷與導(dǎo)通電阻乘積），該參數(shù)是600V MOSFET在功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用的關(guān)鍵指標(biāo)。
2017-02-10 15:10:111667 MOSFET的導(dǎo)通電阻
2018-08-14 00:12:0012629 安森美半導(dǎo)體NTBG020N090SC1 SiC MOSFET是一款使用全新的技術(shù)碳化硅 （SiC） MOSFET，它具有出色的開(kāi)關(guān)性能和更高的可靠性。此外，該SiC MOSFET具有低導(dǎo)通電阻
2020-06-15 14:19:403728 對(duì)于功率半導(dǎo)體來(lái)說(shuō)，當(dāng)導(dǎo)通電阻降低時(shí)短路耐受時(shí)間※2就會(huì)縮短，兩者之間存在著矛盾權(quán)衡關(guān)系，因此在降低SiC MOSFET的導(dǎo)通電阻時(shí)，如何兼顧短路耐受時(shí)間一直是一個(gè)挑戰(zhàn)。
2020-06-22 15:54:12771 IR推出新系列邏輯電平柵極驅(qū)動(dòng)溝道HEXFET功率MOSFET。該器件具有基準(zhǔn)通態(tài)電阻 （RDS（on）） 和高封裝電流額定值，適用于高功率DC電機(jī)和電動(dòng)工具、工業(yè)電池及電源應(yīng)用。
2020-08-30 08:33:00702 在功率半導(dǎo)體器件中，MOSFET以高速、低開(kāi)關(guān)損耗、低驅(qū)動(dòng)損耗在各種功率變換，特別是高頻功率變換中起著重要作用。在低壓領(lǐng)域，MOSFET沒(méi)有競(jìng) 爭(zhēng)對(duì)手，但隨著MOS的耐壓提高，導(dǎo)通電阻隨之
2022-03-17 09:35:332872 東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社(“東芝”)近日宣布，推出新款功率器件---第三代碳化硅(SiC)MOSFET[1][2]“TWxxNxxxC系列”。該系列具有低導(dǎo)通電阻，可顯著降低開(kāi)關(guān)損耗。該系列10款產(chǎn)品包括5款1200V產(chǎn)品和5款650V產(chǎn)品，現(xiàn)已開(kāi)始出貨。
2022-09-01 15:37:53479 ROHM | 開(kāi)發(fā)出具有業(yè)界超低導(dǎo)通電阻的Nch MOSFET
2023-05-03 11:31:44372 
列產(chǎn)品的參考資料，助力您快速了解產(chǎn)品各項(xiàng)信息。 點(diǎn)擊下載產(chǎn)品參考資料 與Pch MOSFET相比，由于Nch MOSFET具有更低的導(dǎo)通電阻，并且在各種電路中具有更出色的易用性，因而目前在市場(chǎng)上更受歡迎
2023-05-17 13:35:02471 
近日，昕感科技在新能源領(lǐng)域取得重大突破，推出了一款具有業(yè)界領(lǐng)先超低導(dǎo)通電阻的SiC MOSFET器件新產(chǎn)品（N2M120007PP0）。該產(chǎn)品的導(dǎo)通電阻達(dá)到了驚人的7mΩ，電壓規(guī)格為1200V，將為新能源領(lǐng)域提供更為高效、可靠的功率半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)解決方案。
2024-01-04 14:37:57316 
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論