功率MOSFET管
自1976年開發(fā)出功率MOSFET以來，由于半導(dǎo)體工藝技術(shù)的發(fā)展，它的性能不斷提高：如高壓功率MOSFET其工作電
2009-11-07 09:23:12
1870 美高森美公司(MicrosemiCorporation) 宣布擴(kuò)展其RF功率產(chǎn)品線，推出了DRF1400功率MOSFET。
2012-06-05 15:02:241182 Microchip Technology Inc.(美國微芯科技公司)宣布，推出全新電源轉(zhuǎn)換控制器系列及其首個(gè)功率MOSFET器件系列。
2012-11-19 17:28:111073 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司 （International Rectifier，簡稱IR） 近日推出具有超低導(dǎo)通電阻 （RDS（on）） 的 StrongIRFET功率MOSFET系列，適合各種工業(yè)應(yīng)用，包括電
2012-12-04 22:17:341235 東芝公司（Toshiba Corporation）（TOKYO:6502）今天宣布將推出采用DIP8封裝的IC耦合器，可直接驅(qū)動中等容量的IGBT或功率MOSFET。
2013-01-11 09:39:451311 聯(lián)大控股宣布，其旗下詮鼎推出基于東芝（TOSHIBA）的車載以太網(wǎng)橋接解決方案。
2019-04-17 11:18:091712 東芝推出采用薄型SO6L封裝的兩款光耦---“TLP5705H”和“TLP5702H”，可在小型IGBT／MOSFET中用作絕緣柵極驅(qū)動IC。
2021-11-30 15:24:191319 
東芝電子推出適用于高電壓汽車電池的常開型（NO）1-Form-A光繼電器---“TLX9160T”。
2022-01-20 15:13:431472 
東芝電子宣布，推出兩款全新碳化硅（SiC）MOSFET雙模塊---“MG600Q2YMS3”和“MG400V2YMS3”。
2022-01-26 13:35:212210 
東芝將進(jìn)一步擴(kuò)大其MOSFET產(chǎn)品線，通過減少損耗提高設(shè)備電源效率，進(jìn)而幫助其降低功耗。
2022-03-31 11:13:271196 
中國上海， 2023 年 2 月 3 日 ——東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）宣布推出采用新型L-TOGL?（大型晶體管輪廓鷗翼式引腳）封裝的車載40V N溝道功率MOSFET
2023-02-06 10:01:471034 
東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出額定電流為20A的12V共漏極N溝道MOSFET“SSM14N956L”，該器件可用于移動設(shè)備鋰離子（Li-ion）電池組中的電池保護(hù)電路。該產(chǎn)品于今日開始支持批量出貨。
2023-05-22 14:33:12512 
中國上海， 2023 年 6 月 13 日 ——東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出采用最新一代工藝制造[1]的TK055U60Z1，進(jìn)一步擴(kuò)充了N溝道功率MOSFET系列產(chǎn)品
2023-06-13 16:38:50712 
X-H工藝制造而成的100V N溝道功率MOSFET“TPH3R10AQM”。新款產(chǎn)品適用于數(shù)據(jù)中心和通信基站所用的工業(yè)設(shè)備電源線路上的開關(guān)電路和熱插拔電路[1]等應(yīng)用。該產(chǎn)品于今日開始支持批量出貨。 ? ? TPH3R10AQM具有業(yè)界領(lǐng)先的[2]3.1mΩ最大漏極-源極導(dǎo)通電阻，比東芝目前100V產(chǎn)品“
2023-07-03 14:48:14477 
點(diǎn)擊“東芝半導(dǎo)體”，馬上加入我們哦！ 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布， 推出采用有助于降低開關(guān)損耗的4引腳TO-247-4L(X)封裝的碳化硅（SiC）MOSFET
2023-09-04 15:13:401134 
? 中國上海， 2023 年 11 月 7 日 ——東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出“SSM10N961L”低導(dǎo)通電阻30V N溝道共漏極MOSFET，適用于帶有USB的設(shè)備
2023-11-09 15:19:57664 
。尤其在高壓工作環(huán)境下，依然體現(xiàn)優(yōu)異的電氣特性，其高溫工作特性，大大提高了高溫穩(wěn)定性，也大幅度提高電氣設(shè)備的整體效率?！ ‘a(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于太陽能逆變器、車載電源、新能源汽車電機(jī)控制器、UPS、充電樁、功率電源等領(lǐng)域?！ ?200V碳化硅MOSFET系列選型
2020-09-24 16:23:17
意法半導(dǎo)體最先進(jìn)的40V功率MOSFET可以完全滿足EPS (電動助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng))和EPB (電子駐車制動系統(tǒng)) 等汽車安全系統(tǒng)的機(jī)械、環(huán)境和電氣要求。 這些機(jī)電系統(tǒng)必須符合汽車AEC Q101規(guī)范，具體而言，低壓MOSFET必須耐受高溫和高尖峰電流。
2019-08-09 07:28:08
支持以相當(dāng)于240fps錄制高速高清視頻東京—東芝公司（TOKYO：6502）推出一款800萬像素的BSI [1] CMOS圖像傳感器“T4KA3”,該傳感器使智能手機(jī)和平板電腦能夠以業(yè)界最高的[2]幀率，即相當(dāng)于240幀/秒（fps），錄制高清（HD）視頻。樣品出貨即日啟動。
2020-04-27 06:44:29
東芝推出了TZ1041MBG，希望滿足市場對能夠支持多個(gè)外部傳感器的物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備日益增長的需求，其提供一個(gè)利用藍(lán)牙的擴(kuò)展集線器功能的多功能通信環(huán)境。
2020-05-18 06:20:47
的情況下，功率因數(shù)值大于0.8-0.9,LED輸出電流精度為+/-5%. LED照明設(shè)備具有功耗低、壽命長等特點(diǎn)，正在取代白熾燈。東芝正在開發(fā)可控制大功率LED,支持調(diào)光和高PF,并且輸出電流精度
2018-09-26 16:05:07
東芝推出的三相無刷電機(jī)控制預(yù)驅(qū)IC“TC78B027FTG”的特性是什么
2021-07-09 08:00:42
之前拍攝的照片就要作廢。不過等到東芝研發(fā)的全新相機(jī)模塊推出之后，我們就能在拍照完畢后，直接在照片上調(diào)整焦點(diǎn)了。http://www.hds668.com東芝研發(fā)全新相機(jī)模塊可在拍攝后直接調(diào)整照片焦點(diǎn)
2012-12-31 09:17:23
日本電子產(chǎn)品制造企業(yè)東芝(Toshiba Corp.)周五公布，將在年底前推出使用谷歌(Google Inc.)Android操作系統(tǒng)的平板電腦，因東芝希望在蘋果(Apple Inc.)iPad引領(lǐng)
2011-03-03 16:36:39
中國上海，2023年2月28日 ——東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布推出車載直流無刷電機(jī)柵極驅(qū)動IC ^[1]^ ---“TB9083FTG”，該IC適用于電動轉(zhuǎn)向助力系統(tǒng)（EPS
2023-02-28 14:11:51
通過對同步交流對交流(DC-DC)轉(zhuǎn)換器的功耗機(jī)制進(jìn)行詳細(xì)分析，可以界定必須要改進(jìn)的關(guān)鍵金屬氧化物半導(dǎo)體場效晶體管(MOSFET)參數(shù)，進(jìn)而確保持續(xù)提升系統(tǒng)效率和功率密度。分析顯示，在研發(fā)功率
2019-07-04 06:22:42
SiN)及半導(dǎo)體三種材料制成的器件。所謂功率MOSFET(Power MOSFET)是指它能輸出較大的工作電流(幾安到幾十安)，用于功率輸出級的器件。
2021-04-23 07:04:52
功率MOSFET的概念是什么 MOSFET的耗散功率如何計(jì)算 同步整流器的功耗如何計(jì)算
2021-03-11 07:32:50
`功率Mosfet參數(shù)介紹V(BR)DSS（有時(shí)候叫做BVDSS）是指在特定的溫度和柵源短接情況下，流過漏極電流達(dá)到一個(gè)特定值時(shí)的漏源電壓。這種情況下的漏源電壓為雪崩擊穿電壓。V(BR)DSS是正
2012-01-12 16:12:20
半導(dǎo)體相比，損耗更低，高溫環(huán)境條件下工作特性優(yōu)異，有望成為新一代低損耗元件的“碳化硅（SiC）功率元器件”。SiC半導(dǎo)體已經(jīng)開始實(shí)際應(yīng)用，并且還應(yīng)用在對品質(zhì)可靠性要求很嚴(yán)苛的車載設(shè)備上。提起SiC，可能在
2018-11-29 14:39:47
` 本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:02 編輯
因能源效率標(biāo)準(zhǔn)和最終系統(tǒng)要求的推動，在不影響功率密度的高能的情況下，能縮減應(yīng)用電源的外形尺寸且有效解決方案是當(dāng)下電源設(shè)計(jì)人
2012-04-28 10:21:32
`IR推出一系列新型HEXFET?功率MOSFET,其中包括能夠提供業(yè)界最低導(dǎo)通電阻(RDS(on))的IRFH6200TRPbF。<br/>【關(guān)鍵詞】：功率損耗,導(dǎo)通電
2010-05-06 08:55:20
功率MOSFET有二種類型：N溝通和P溝道，在系統(tǒng)設(shè)計(jì)的過程中，選擇N管還是P管，要針對實(shí)際的應(yīng)用具體來選擇。下面先討論這二種溝道的功率MOSFET的特征，然后再論述選擇的原則。
2021-03-02 08:40:51
RF 功率 MOSFET的最大應(yīng)用是無線通訊中的RF功率放大器。直到上世紀(jì)90年代中期，RF功率MOSFET還都是使用硅雙極型晶體管或GaAs MOSFET。到90年代后期，的出現(xiàn)改變了這一
家公司已經(jīng)建立了SiC技術(shù)作為其功率器件生產(chǎn)的基礎(chǔ)。此外，幾家領(lǐng)先的功率模塊和功率逆變器制造商已為其未來基于SiC的產(chǎn)品的路線圖奠定了基礎(chǔ)。碳化硅（SiC）MOSFET即將取代硅功率開關(guān);性能和可靠性
2019-07-30 15:15:17
說明一下，DMOS是平面型的MOSFET，是常見的結(jié)構(gòu)。Si的功率MOSFET，因其高耐壓且可降低導(dǎo)通電阻，近年來超級結(jié)（Super Junction）結(jié)構(gòu)的MOSFET（以下簡稱“SJ-MOSFET
2018-11-30 11:35:30
設(shè)計(jì)，且高溫下的導(dǎo)通電阻也很低?！摂?shù)據(jù)是ROHM在相同條件下測試的結(jié)果，僅供參考。此處表示的特性本公司不做任何保證。4. 驅(qū)動門極電壓和導(dǎo)通電阻SiC-MOSFET的漂移層阻抗比Si-MOSFET低，但是
2019-05-07 06:21:55
` 本帖最后由 CHIPSPOWER-Anne 于 2016-10-25 10:26 編輯
東芝新推出了一款步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動芯片，TB67S109AFNAG。各位做機(jī)器人的朋友可以考慮測試下試試
2016-10-25 10:13:51
MOSFET不能完全開通，系統(tǒng)不能正常工作。另一方面，溫度越高，VTH的電壓就會越低，功率MOSFET在高負(fù)載或高溫環(huán)境下VTH的電壓就會降低，在感應(yīng)VGS尖峰電壓的作用下，就增加了柵極誤觸發(fā)的可能性，導(dǎo)致
2019-08-08 21:40:31
功率MOSFET的電流感知有哪幾種方法？SenseFET方法檢測電流的工作原理是什么？影響電流檢測準(zhǔn)確性的原因有哪些？
2021-04-21 07:16:38
某一個(gè)30A單相的設(shè)計(jì)實(shí)例，進(jìn)一步闡明這些概念?！ ∮?jì)算MOSFET的耗散功率 為了確定一個(gè)MOSFET是否適合于某特定應(yīng)用，你必須計(jì)算一下其功率耗散，它主要包含阻性和開關(guān)損耗兩部分
2021-01-11 16:14:25
使用功率 MOSFET 也有兩年多時(shí)間了，這方面的技術(shù)文章看了不少，但實(shí)際應(yīng)用選型方面的文章不是很多。在此，根據(jù)學(xué)到的理論知識和實(shí)際經(jīng)驗(yàn)，和廣大同行一起分享、探討交流下功率 MOSFET 的選型
2019-11-17 08:00:00
導(dǎo)讀：近日，德州儀器 （TI） 宣布推出 14 款采用 TO-220 及 SON 封裝的功率 MOSFET,其支持 40V 至 100V 輸入電壓，進(jìn)一步壯大了 TI 普及型 NexFET 產(chǎn)品
2018-11-29 17:13:53
最大的連續(xù)漏極電流ID的計(jì)算公式： 其中，RDS(ON)_TJ(max)為在最大工作結(jié)溫TJ下，功率MOSFET的導(dǎo)通電阻；通常，硅片允許的最大工作結(jié)溫為150℃。熱阻RqJC的測量可以參見文章：功率
2016-08-15 14:31:59
1）。圖1.與最新一代IGBT相比，TW070J120B SiC MOSFET的開關(guān)速度明顯更快，可在功率轉(zhuǎn)換器中提供更高的效率在 3 相 400 V PFC 中仿真，SiC MOSFET
2023-02-22 16:34:53
請問：驅(qū)動功率MOSFET，IBGT，SiC MOSFET的PCB布局需要考慮哪些因素？
2019-07-31 10:13:38
Vishay推出第三代TrenchFET功率MOSFET，采用TurboFET技術(shù)
日前，Vishay Intertechnology推出兩款 20V 和兩款 30V n 通道器件，從而擴(kuò)展其第三代 TrenchFET 功率MOSFET 系列。這些器件首次采用 T
2008-12-08 11:55:09635 
Vishay推出的P溝道功率MOSFET SiA433EDJ
日前，VishayIntertechnology,Inc.宣布，推出新款20VP溝道功率MOSFET——SiA433EDJ。器件采用緊湊的2mm×2mm占位面積的熱增強(qiáng)PowerPAKSC-70封裝，具
2009-11-25 17:56:52711 小信號應(yīng)用60V功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出采用SOT-923封裝的60V N溝道功率MOSFET --- SiM400。該器件為業(yè)界最小的60V功率MOSFET，比SC-70和SC-90等封裝能節(jié)約更多
2009-12-31 09:59:441421 TI推出顯著降低上表面熱阻的功率MOSFET
日前，德州儀器 (TI) 宣布面向高電流 DC/DC 應(yīng)用推出業(yè)界第一個(gè)通過封裝頂部散熱的標(biāo)準(zhǔn)尺寸功率 MOSFET 產(chǎn)品系列。相對其它標(biāo)準(zhǔn)
2010-01-14 09:01:43654 TI推出顯著降低上表面熱阻的功率MOSFET DualCool NexFET
日前，德州儀器 (TI) 宣布面向高電流 DC/DC 應(yīng)用推出業(yè)界第一個(gè)通過封裝頂部散熱的標(biāo)準(zhǔn)尺寸功率 MOSFET 產(chǎn)品系列。相
2010-01-26 16:55:08783 
TI推出具備板載功率MOSFET的全集成型雙路功率驅(qū)動器
日前，德州儀器 (TI) 宣布推出一款具備集成型功率 MOSFET、保護(hù)模塊以及監(jiān)控特性的數(shù)字雙路同步降壓功率驅(qū)動器，
2010-02-23 09:26:57667 CISSOID引入了新系列P通道高溫功率MOSFET晶體管
CISSOID，在高溫半導(dǎo)體解決方案的領(lǐng)導(dǎo)者，介紹了 VENUS，他們的新系列高溫 30V 的 P通道功率 MOSFET 晶體管保證操
2010-02-23 10:42:591542 英飛凌推出可擴(kuò)展的全套高溫8位MCU系列
在紐必堡舉行的2010年嵌入式技術(shù)展會上，英飛凌科技股份公司宣布推出可擴(kuò)展的全套高溫8位微控制器(MCU)系列。該系列可在高
2010-03-10 10:56:54674 IR推出一系列新型HEXFET功率MOSFET
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出一系列新型HEXFET® 功率MOSFET，其中包括能夠提供業(yè)界最低導(dǎo)通電阻 (RDS(on)) 的IRFH620
2010-03-12 10:28:391444 Toshiba推出高性能功率MOSFET TK系列
Toshiba推出新系列的功率MOSFET，這些功率MOSFET改善效率和具有快速開關(guān)速度，應(yīng)用工作電壓高達(dá)650V, 電流20A。新的TK系列器件適合用于各
2010-03-30 10:37:181447 Vishay推出500V N溝道功率MOSFET：SiHF8N50L-E3
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款500V N溝道功率MOSFET——SiHF8N50L-E3。與前一代器件相比，該器件的
2010-04-07 10:52:52777 英飛凌科技股份公司(FSE：IFX / OTCQX：IFNNY)宣布推出汽車封裝類型的合格100%無鉛功率MOSFET
2011-12-08 10:42:451013 意法半導(dǎo)體推出打破高壓功率MOSFET晶體管世界記錄的MDmesh V功率MOSFET晶體管，MDmesh V系列已是市場上性能最高的功率MOSFET晶體管，擁有最低的單位面積通態(tài)電阻
2011-12-27 17:29:101277 
東芝光耦 IGBT/MOSFET，List of Photocouplers (IC Output) by Peak Output Current (IGBT / MOSFET)
2012-03-16 13:43:011090 
東芝光耦 MOSFET Output，Photorelays (MOSFET Output)
2012-03-16 13:44:59579 
日前，東芝公司宣布，公司已為智能手機(jī)與平板電腦燈移動設(shè)備的高電流充電電路開關(guān)推出超緊湊型MOSFET，包括兩種高功耗封裝電池“SSM6J781G”和“SSM6J771G”。
2013-07-30 16:27:391141 
東京—東芝公司（TOKYO：6502）今天宣布推出采用低高度SO6L封裝的軌對軌輸出柵極驅(qū)動光電耦合器，用于直接驅(qū)動中低等功率絕緣柵雙極晶體管（IGBT）及功率金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（power MOSFET）。
2014-10-08 18:19:061449 東京—東芝公司（TOKYO：6502）旗下半導(dǎo)體&存儲產(chǎn)品公司今天宣布，推出單通道高邊N溝道功率金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）柵極驅(qū)動器“TPD7104F”。
2014-11-05 18:54:361787 Diodes公司 （Diodes Incorporated） 新推出的DGD21xx系列包括六款半橋柵極驅(qū)動器及六款高/低側(cè)600V柵極驅(qū)動器，可在半橋或全橋配置下輕易開關(guān)功率MOSFET與IGBT。
2016-03-14 18:13:231402 賓夕法尼亞、MALVERN — 2017 年 2 月10 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出第四代600V E系列功率
2017-02-10 15:10:111667 東芝宣布推出新一代超結(jié)功率MOSFET，新器件進(jìn)一步提高電源效率。在這個(gè)連小學(xué)生做作業(yè)都講求高效率的年代，還有什么是高效率不能解決的呢？
2018-09-13 15:54:155102 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）近日宣布，推出車載直流無刷電機(jī)（BLDC電機(jī)）無傳感器預(yù)驅(qū)動器IC“TB9062FNG”，該IC適用于車載電動泵等汽車應(yīng)用。樣品現(xiàn)已上市，批量生產(chǎn)定于今年12月開始。
2019-05-16 16:00:492135 新產(chǎn)品是東芝首款采用緊湊型SOP Advance（WF）封裝的車用100V N溝道功率MOSFET。封裝采用可焊錫側(cè)翼端子結(jié)構(gòu)，安裝在電路板上時(shí)能夠進(jìn)行自動目視檢查，從而有助于提高可靠性。
2019-12-26 09:26:463093 各行業(yè)所需高溫半導(dǎo)體解決方案的領(lǐng)導(dǎo)者CISSOID近日宣布，將繼續(xù)致力于應(yīng)對汽車和工業(yè)市場的挑戰(zhàn)，并推出用于電動汽車的三相碳化硅（SiC）MOSFET智能功率模塊（IPM）平臺。
2020-03-07 09:31:30950 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（東芝）宣布，在其TOLL（TO-無引線）封裝的DTMOSVI系列中推出650V超級結(jié)功率MOSFET-
2021-03-15 15:44:231117 
后，SiC在汽車中的用量開始增加，現(xiàn)在已經(jīng)有不少廠商都推出了車規(guī)級的SiC產(chǎn)品。 東芝作為先進(jìn)的半導(dǎo)體制造商，在SiC產(chǎn)品方面布局多年，目前已經(jīng)推出了SiC MOSFET、SiC SBD，及SiC MOSFET模塊等多種類型的產(chǎn)品。在PCIM Aisa 2021展上，東芝電子元件（上海）有限
2021-10-12 15:41:192707 的能力主要通過實(shí)踐培養(yǎng)起來的。 近日，東芝針對汽車應(yīng)用推出了XPW4R10ANB、XPW6R30ANB、XPN1300ANC三款100V N溝道功率MOSFET產(chǎn)品，進(jìn)一步擴(kuò)充了產(chǎn)品線。這些產(chǎn)品符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)，應(yīng)用于汽車設(shè)計(jì)中，有助于縮小汽車設(shè)備體積，滿足當(dāng)前市
2021-10-25 14:16:291658 
的能力主要通過實(shí)踐培養(yǎng)起來的。 新品 近日，東芝針對汽車應(yīng)用推出了XPW4R10ANB、XPW6R30ANB、XPN1300ANC三款100V N溝道功率MOSFET產(chǎn)品，進(jìn)一步擴(kuò)充了產(chǎn)品線。這些產(chǎn)品符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)，應(yīng)用于汽車設(shè)計(jì)中，有助于縮小汽車設(shè)備體積，滿足當(dāng)
2021-11-26 15:22:501827 
東芝拓展650V超結(jié)結(jié)構(gòu)N溝道功率MOSFET新品 景嘉微發(fā)布JH920 東芝拓展新一代超級結(jié)結(jié)構(gòu)N溝道功率MOSFET“DTMOSVI系列”的產(chǎn)品線 東芝電子元件及存儲裝置株式會社 （“東芝
2022-03-18 17:35:264581 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出150V N溝道功率MOSFET---“TPH9R00CQH”。該器件采用最新一代[1]“U-MOSX-H”工藝，適用于工業(yè)設(shè)備開關(guān)電源，其中
2022-04-01 09:12:422802 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出150V N溝道功率MOSFET---“TPH9R00CQH”。
2022-04-01 16:42:3610906 如今，市場對于高效率電源的需求日益增漲，在此背景下，東芝拓展了新一代650V超結(jié)結(jié)構(gòu)N溝道功率MOSFET“DTMOSVI系列”，推出TK090E65Z、TK090E65Z、TK110E65Z
2022-04-26 14:11:291092 ?東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）為其TCK42xG系列MOSFET 柵極驅(qū)動器IC 的產(chǎn)品陣容增加面向可穿戴設(shè)備等移動設(shè)備的五款新品。該系列的新產(chǎn)品配備了過壓鎖定功能，并根據(jù)輸入電壓控制外部MOSFET的柵極電壓。
2022-06-09 10:00:301635 
隨著科技的不斷革新發(fā)展，MOSFET產(chǎn)品也經(jīng)過技術(shù)的迭代升級有了更加優(yōu)越的表現(xiàn)。但如何提升器件性能的同時(shí)進(jìn)一步降低器件的自身損耗依舊是亟待解決的問題。為此東芝半導(dǎo)體拓展了MOSFET產(chǎn)品線，推出
2022-08-26 11:01:07794 東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)宣布擴(kuò)大其智能柵極驅(qū)動光耦產(chǎn)品線，推出一款輸出電流為2.5A的智能柵極驅(qū)動光耦---“TLP5222”。這是一種可為MOSFET或IGBT等功率器件提供過流保護(hù)的隔離柵極驅(qū)動IC，內(nèi)置保護(hù)操作自動恢復(fù)的功能。該產(chǎn)品于今日開始出貨。
2022-08-31 17:58:551219 東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)近日宣布，推出新款功率器件---第三代碳化硅(SiC)MOSFET[1][2]“TWxxNxxxC系列”。該系列具有低導(dǎo)通電阻，可顯著降低開關(guān)損耗。該系列10款產(chǎn)品包括5款1200V產(chǎn)品和5款650V產(chǎn)品，現(xiàn)已開始出貨。
2022-09-01 15:37:53479 Vishay?七款新型二極管和 MOSFET 功率模塊 靈活的器件采用 PressFit 引腳壓合技術(shù) 在小型封裝中內(nèi)置各種電路配置 Vishay? 針對車載充電應(yīng)用專門推出七款新型二極管
2022-11-25 15:20:05926 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）宣布，推出采用新型L-TOGLTM（大型晶體管輪廓鷗翼式引腳）封裝的車載40V N溝道功率MOSFET---“XPQR3004PB”和“XPQ1R004PB
2023-02-04 18:31:452676 東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布，推出150V N溝道功率MOSFET——“TPH9R00CQ5”，其采用最新一代[1]U-MOSX-H工藝，可用于工業(yè)設(shè)備開關(guān)電源，涵蓋數(shù)據(jù)中心和通信基站等電源應(yīng)用。該產(chǎn)品于今日開始支持批量出貨。
2023-03-31 10:05:32727 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）宣布，推出采用最新一代工藝制造[1]的TK055U60Z1，進(jìn)一步擴(kuò)充了N溝道功率MOSFET系列產(chǎn)品線。
2023-06-16 09:03:30228 
摘要：碳化硅（SiC）由于其優(yōu)異的電學(xué)及熱學(xué)特性而成為一種很有發(fā)展前途的寬禁帶半導(dǎo)體材料。SiC材料制作的功率MOSFET很適合在大功率領(lǐng)域中使用，高溫柵氧的可靠性是大功率MOSFET中最應(yīng)注意
2023-04-04 10:12:34663 
點(diǎn)擊“東芝半導(dǎo)體”，馬上加入我們哦！ 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布， 推出采用東芝最新一代U-MOS X-H工藝制造而成的100V N溝道功率MOSFET“TPH3R10AQM
2023-06-29 17:40:01368 
東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出兩款采用東芝新型S-TOGLTM（小型晶體管輪廓鷗翼式引腳）封裝與U-MOS IX-H工藝芯片的車載40V N溝道功率MOSFET——“XPJR6604PB”和“XPJ1R004PB”。兩款產(chǎn)品于今日開始支持批量出貨。
2023-08-22 11:03:21557 
東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）宣布，推出兩款采用東芝新型S-TOGL（小型晶體管輪廓鷗翼式引腳）封裝與U-MOS IX-H工藝芯片的車載40V N溝道功率MOSFET——“XPJR6604PB”和“XPJ1R004PB”。兩款產(chǎn)品已于8月17日開始支持批量出貨。
2023-08-24 11:19:10600 
東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）近日宣布，推出采用有助于降低開關(guān)損耗的4引腳TO-247-4L(X)封裝的碳化硅（SiC）MOSFET---“TWxxxZxxxC系列”，該產(chǎn)品采用東芝最新的[1]第3代碳化硅MOSFET芯片，用于支持工業(yè)設(shè)備應(yīng)用。
2023-09-07 09:59:32734 
MOSFET也已經(jīng)發(fā)展到了第3代，新推出的650V和1200V電壓產(chǎn)品現(xiàn)已量產(chǎn)。其柵極驅(qū)動電路設(shè)計(jì)簡單，可靠性得到進(jìn)一步的提高。 碳化硅MOSFET的優(yōu)勢 相同功率等級的硅MOSFET相比，新一代碳化硅MOSFET導(dǎo)通電阻、開關(guān)損耗大幅降低，適用于更高的工作頻率，
2023-10-17 23:10:02269 
汽車電子MOSFET發(fā)展的一個(gè)最終方向是提高感測、控制和保護(hù)功率開關(guān)的性能。功率器件正集成到智能化車載系統(tǒng)中?，F(xiàn)在在最低功率級別，MOSFET可以與功率器件上的感測元件一起使用。
2023-10-20 11:44:58148 
東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）近日宣布，推出“SSM10N961L”低導(dǎo)通電阻30V N溝道共漏極MOSFET，適用于帶有USB的設(shè)備以及電池組保護(hù)。
2023-11-09 17:39:10460 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，在新一代[1]具有超結(jié)結(jié)構(gòu)的DTMOSVI系列中推出高速二極管型功率MOSFET——DTMOSVI（HSD），
2024-02-22 18:22:41977 
東芝電子元件及存儲裝置株式會社（以下簡稱“東芝”）近日宣布，其最新研發(fā)的DTMOSVI系列高速二極管型功率MOSFET已正式推出。該系列產(chǎn)品特別適用于數(shù)據(jù)中心和光伏功率調(diào)節(jié)器等關(guān)鍵應(yīng)用的開關(guān)電源，展現(xiàn)了東芝在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的深厚實(shí)力與持續(xù)創(chuàng)新。
2024-03-12 10:27:36255
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