功率MOSFET市場(chǎng)為歐美IDM半導(dǎo)體廠商所掌控,諸如Vishay、TI、凌力爾特在電源管理應(yīng)用市場(chǎng),而飛兆、英飛凌等公司的高壓MOSFET廣泛應(yīng)用于工業(yè)、汽車等市場(chǎng)。甚至,隨著高壓功
2010-09-10 08:44:403691 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)宣布,發(fā)布新款40V和60V N溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiR640DP和SiR662DP
2011-04-01 10:41:591527 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)宣布,推出免費(fèi)的在線工具PowerCAD Simulation,可以讓工程師又快又方便地對(duì)采用Vishay Siliconix穩(wěn)壓器IC的電路進(jìn)行測(cè)試和優(yōu)化。
2012-04-10 09:32:33623 Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)宣布,推出新款8V N溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiA436DJ。
2012-06-28 12:50:441092 Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)宣布,其E系列600V功率MOSFET新增采用8種封裝的17款新器件
2012-10-22 13:45:241159 Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)宣布,推出在40℃下功率高達(dá)20kW(可根據(jù)需要提供更高的功率值),能夠在-25℃~+250℃溫度范圍內(nèi)工作,可用于極端環(huán)境中應(yīng)用的新款不銹鋼功率電
2012-10-29 11:33:551050 Vishay具有業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻的新款12V和20V 的N溝道和P溝道TrenchFET?功率MOSFET。采用業(yè)內(nèi)最小0.8mm x 0.8mm x 0.4mm MICRO FOOT?封裝的CSP規(guī)格尺寸
2012-11-29 16:37:311694 Vishay推出新款通過AEC-Q101認(rèn)證的40V N溝道TrenchFET功率MOSFET---SQM200N04-1m1L。
2012-12-07 14:08:381449 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)宣布,推出新款100V N溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiB456DK和SiA416DJ,將Vishay的ThunderFET?應(yīng)用到更小的封裝尺寸上。
2013-01-09 11:42:301462 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)宣布,發(fā)布新款采用熱增強(qiáng)型PowerPAK? SO-8封裝的新款N溝道TrenchFET?功率
2013-04-23 11:47:111791 。 Vishay Siliconix的LITTLE FOOT功率MOSFET將強(qiáng)大的功率處理能力封裝在纖巧的表面貼裝封裝中。標(biāo)準(zhǔn)概述的8引腳SOIC封裝(圖1)具有銅引線框架,可最大程度地提高熱傳遞,同時(shí)保持
2021-05-25 11:30:075231 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)宣布,推出新系列600V和650V n溝道功率MOSFET---E系列器件。新產(chǎn)品在10V下具有64mΩ~190mΩ的超低最大導(dǎo)通電阻,以及22A~47A的額定電流范圍
2011-10-13 09:09:311168 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)宣布,推出免費(fèi)的在線工具PowerCAD Simulation,可以讓工程師又快又方便地對(duì)采用Vishay Siliconix穩(wěn)壓器IC的電路進(jìn)行測(cè)試和優(yōu)化。
2012-04-05 15:06:54655 Vishay提供豐富的MOSFET技術(shù)支持各級(jí)功率轉(zhuǎn)換,涵蓋高壓輸入到低壓輸出的各種最新高科技系統(tǒng)。
2020-12-24 15:08:34802 Vishay 宣布,推出最新第四代600 V E系列功率MOSFET器件---SiHK045N60E。Vishay Siliconix n 溝道SiHK045N60E導(dǎo)通電阻比前一代600
2022-02-21 11:18:05934 ---SiZF5300DT和SiZF5302DT,將高邊和低邊TrenchFET? Gen V MOSFET組合在3.3 mm x 3.3 mm PowerPAIR? 3x3FS單體封裝中。Vishay Siliconix SiZF5300DT和SiZF5302DT適用于計(jì)算和通信應(yīng)用功率轉(zhuǎn)換,在提高能效的同時(shí),減少元器件數(shù)量并
2023-01-30 10:09:49529 額定功率更高的IGBT,VO3120可用于驅(qū)動(dòng)離散功率級(jí),以驅(qū)動(dòng)IGBT柵極。推薦產(chǎn)品:VO3120-X007T;VO3120Vishay其它相關(guān)產(chǎn)品請(qǐng) 點(diǎn)擊此處 了解特征:最小峰值輸出電流
2019-10-30 15:23:17
Si9241AEY是一個(gè)單片總線收發(fā)器提供汽車雙向串行通信診斷應(yīng)用程序。該裝置具有過電壓保護(hù)和VBAT短路。收發(fā)信管腳受到保護(hù)可以驅(qū)動(dòng)超過VBAT電壓。Si9241AEY建立在Vishay
2020-07-25 14:28:42
65.9A9.1V至301V的出色鉗位能力具有10 /1000μs波形的600W峰值脈沖功率,重復(fù)率(占空比):0.01%溫度范圍為-55°C至+150°C應(yīng)用:用于敏感電子設(shè)備保護(hù),防止感應(yīng)負(fù)載切換和IC,MOSFET,用于消費(fèi),計(jì)算機(jī),工業(yè)和電信的傳感器單元的信號(hào)線感應(yīng)引起的瞬態(tài)電壓。`
2019-09-07 11:48:12
`Vishay SQ2361MOSFET 符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn)并經(jīng) 100% Rg 和 UIS 測(cè)試。SQ2361 汽車用 P 溝道 60V 功率 MOSFET 的 ESD 保護(hù)典型值達(dá)
2019-07-09 17:30:39
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2012-03-25 22:16:19
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2012-03-25 22:18:31
,工程師們已定義一套FOM以應(yīng)用于新的低壓功率MOSFET技術(shù)研發(fā)。由此產(chǎn)生的30伏特(V)技術(shù)以超級(jí)接面(Superjunction)為基礎(chǔ)概念,是DC-DC轉(zhuǎn)換器的理想選擇;相較于橫向和分裂閘極
2019-07-04 06:22:42
XLLGA-3到D2Pak和TO-220封裝不等。MOSFET額定電壓范圍從12 V至200 V以上。功率MOSFET用于便攜式設(shè)備如手機(jī)和平板電腦。它們也用于計(jì)算機(jī)、服務(wù)器、電動(dòng)工具和汽車。選擇合適
2018-10-18 09:13:03
SiN)及半導(dǎo)體三種材料制成的器件。所謂功率MOSFET(Power MOSFET)是指它能輸出較大的工作電流(幾安到幾十安),用于功率輸出級(jí)的器件。
2021-04-23 07:04:52
功率MOSFET的概念是什么 MOSFET的耗散功率如何計(jì)算 同步整流器的功耗如何計(jì)算
2021-03-11 07:32:50
功率放大器的需求將進(jìn)一步提高。RF 功率 MOSFET在無線電通訊領(lǐng)域也有應(yīng)用,其頻率已延伸至低微波段且輸出功率可達(dá)百W以上。它同時(shí)也應(yīng)用于電視(特別是數(shù)字電視)功率放大器、雷達(dá)系統(tǒng)和軍事通訊中。隨著
2019-07-08 08:28:02
利用功率MOSFET手冊(cè),利用Saber軟件里的自建模工具對(duì)功率MOSFET進(jìn)行建模,并仿真驗(yàn)證其性能。淘寶上搜索“功率MOSFET建?!保瑒t可看到課程鏈接。建模主要包含以下內(nèi)容:Saber軟件中
2017-04-12 20:43:49
lOmΩ;工作頻率<br/>范圍從直流到達(dá)數(shù)兆赫;保護(hù)措施越來越完善;并開發(fā)出各種貼片式功率MOSFET(如<br/>SILIConix最近開發(fā)
2010-08-12 13:58:43
FPGA仿真工具。該軟件具備先進(jìn)的圖形化設(shè)計(jì)工具,代碼修改,Verilog編譯仿真和波形分析。軟件只有4.5M,但可以實(shí)現(xiàn)小型系統(tǒng)的設(shè)計(jì),仿真和測(cè)試。軟件生成標(biāo)準(zhǔn)的Verilog代碼,可以直接用于
2015-04-02 11:26:26
本視頻將演示如何發(fā)布數(shù)據(jù)至DigiPCBA平臺(tái)用于ECAD-MCAD協(xié)同設(shè)計(jì)!寶藏級(jí)的在線設(shè)計(jì)協(xié)同工具分享給大家,大家點(diǎn)擊鏈接就可以在線注冊(cè)了!地址:https://digipcba.com/?hmsr=HQbbs
2021-04-01 10:24:48
使用功率 MOSFET 也有兩年多時(shí)間了,這方面的技術(shù)文章看了不少,但實(shí)際應(yīng)用選型方面的文章不是很多。在此,根據(jù)學(xué)到的理論知識(shí)和實(shí)際經(jīng)驗(yàn),和廣大同行一起分享、探討交流下功率 MOSFET 的選型
2019-11-17 08:00:00
怎么安裝適用于Linux *的OpenVINO?工具包的英特爾?發(fā)布版?
2021-09-23 08:33:34
` 最新QQ密碼尋回軟件,牛人免費(fèi)發(fā)布做技術(shù)研究終極qq密碼尋回者,2013年3月最新發(fā)布收關(guān)之作,以后不再更新免費(fèi)測(cè)試版。采用最新技術(shù),極佳的qq密碼尋回工具,密保版可以找回密保資料。請(qǐng)自覺用于正規(guī)渠道使用,若用于違法用途請(qǐng)自覺刪除。試用軟件聯(lián)系QQ33871040 `
2013-03-16 15:16:40
供電,其中輸入電壓V在直接來自總線電壓。這可能會(huì)有很大的電壓變化,包括由于應(yīng)用環(huán)境而導(dǎo)致的高壓尖峰。耗盡型MOSFET可用于在線性穩(wěn)壓器電路中實(shí)現(xiàn)浪涌保護(hù),如圖5所示。MOSFET 以源極跟隨器配置連接
2023-02-21 15:46:31
INTEWORK-VBA(Vehicle Bus Analyzer) 車輛總線監(jiān)控分析及仿真工具,是由經(jīng)緯恒潤(rùn)自主研發(fā)的一款專業(yè)、易用的車載
2021-03-05 10:42:54
Vishay Intertechnology 控股的Siliconix 公司日前宣布推出采用反向?qū)б齌O-252 DPAK 封裝的新型TrenchFET 功率MOSFET 系列產(chǎn)品。憑借反向成型的接腳,采取「SUR」封裝的TrenchFET 能使該產(chǎn)品反向
2010-09-05 10:26:5964 Vishay新型功率MOSFET采用反向?qū)б齌O-252DPAK封裝
2010-11-12 22:27:3332 Vishay推出第三代TrenchFET功率MOSFET,采用TurboFET技術(shù)
日前,Vishay Intertechnology推出兩款 20V 和兩款 30V n 通道器件,從而擴(kuò)展其第三代 TrenchFET 功率MOSFET 系列。這些器件首次采用 T
2008-12-08 11:55:09635 日前,Vishay Intertechnology宣布推出業(yè)界首款采用 MICRO FOOT 芯片級(jí)封裝的 TrenchFET 功率 MOSFET --- Si8422DB,該器件具有背面絕緣的特點(diǎn)。
Si8422DB 針對(duì)手機(jī)、PDA、數(shù)碼相機(jī)、MP3 播放器
2009-01-26 23:24:221152 Vishay Siliconix推出業(yè)界性能最先進(jìn)的P溝道功率MOSFET
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出新款20V P溝道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用緊湊的2mm x 2mm占位面積的熱增強(qiáng)Pow
2009-11-23 17:10:23650 Vishay Siliconix推出業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻功率MOSFET
Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)宣布,推出新款20V P溝道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用緊湊的2mm x 2mm占位
2009-11-25 09:51:011089 Vishay推出的P溝道功率MOSFET SiA433EDJ
日前,VishayIntertechnology,Inc.宣布,推出新款20VP溝道功率MOSFET——SiA433EDJ。器件采用緊湊的2mm×2mm占位面積的熱增強(qiáng)PowerPAKSC-70封裝,具
2009-11-25 17:56:52711 小信號(hào)應(yīng)用60V功率MOSFET
日前,Vishay Intertechnology, Inc.推出采用SOT-923封裝的60V N溝道功率MOSFET --- SiM400。該器件為業(yè)界最小的60V功率MOSFET,比SC-70和SC-90等封裝能節(jié)約更多
2009-12-31 09:59:441421 Vishay推出4款MOSFET
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出4款新的600V FET">MOSFET --- SiHP22N60S
2010-01-27 09:31:291277 Vishay發(fā)布新款集成功率光敏
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出兩款新的集成功率光敏,分別是輸出電流為0.9A的VO2223和輸出電流為1A的VO2223A,擴(kuò)
2010-03-26 11:38:56722 Vishay推出500V N溝道功率MOSFET:SiHF8N50L-E3
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新款500V N溝道功率MOSFET——SiHF8N50L-E3。與前一代器件相比,該器件的
2010-04-07 10:52:52777
Vishay Intertechnology, Inc宣布,對(duì)其ThermaSim在線MOSFET熱仿真工具進(jìn)行了改進(jìn)
2010-06-25 10:20:43905 Vishay Intertechnology, Inc.宣布,擴(kuò)充其用于功率電子的重載Vishay ESTA HDMKP電容器,增添新容值和新封裝形式。
HDMKP電容器具有從900V至2700V(dc)的6種標(biāo)準(zhǔn)電壓。其前一代產(chǎn)品的容值
2010-06-25 15:38:30474 Vishay Intertechnology, Inc.宣布,擴(kuò)充其用于功率電子的重載Vishay ESTA HDMKP電容器,增添新容值和新封裝形式。
HDMKP電容器具有從900V至2700V(dc)的6種標(biāo)準(zhǔn)電壓。其前一代產(chǎn)品的容值
2010-06-28 08:36:54574 日前,長(zhǎng)期為軍工和航天客戶提供高可靠性分立和IC器件的供應(yīng)商Vishay Intertechnology, Inc.宣布,該公司旗下子公司Vishay Siliconix位于加州Santa Clara的工廠已經(jīng)通過了DSCC的
2010-07-07 18:08:29710 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新款600V、47A N溝道功率MOSFET --- SiHG47N60S,該MOSFET在10V柵極驅(qū)動(dòng)下具有0.07Ω的
2010-11-09 08:59:571559 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出首款采用PowerPAIR 6mmx3.7mm封裝和TrenchFET Gen III技術(shù)的非對(duì)稱雙通道TrenchFET功率MOSFET ---
2010-11-25 08:43:23923 Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新款雙芯片20V P溝道第三代TrenchFET功率MOSFET---SiA923EDJ。新器件采用2mm x 2mm占位面積的熱增強(qiáng)型PowerPAK SC-70封裝,
2011-03-02 10:19:301341 日前,Vishay Intertechnology, Inc.發(fā)布占位面積為1.6mmx1.6mm、高度小于0.8mm的新款8V P溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiB437EDKT。此外,SiB437EDKT是唯一能在1.2V下導(dǎo)通的此類器件。
2011-08-18 09:42:40850 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)宣布,推出業(yè)內(nèi)采用最小的0.8mm x 0.8mm芯片級(jí)封裝的N溝道和P溝道功率
2011-10-21 08:53:05873 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)宣布, Vishay Siliconix推出新款n溝道功率MOSFET通過JAN認(rèn)證的,分別是60V 2N6660JANTX/JANTXV和90V 2N6661JANTX/JANTXV
2011-11-01 09:26:351491 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)宣布,引入兩款在尺寸和導(dǎo)通電阻上設(shè)立了新的行業(yè)基準(zhǔn)的p溝道30V器件---Si8497DB和Si8487DB,擴(kuò)充其MICRO FOOT TrenchFET Gen III功率MOSFET家族。
2012-02-20 08:34:13630 Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)宣布,該公司的SiZ710DT 20 V n溝道PowerPAIR?功率MOSFET榮獲功率器件/電壓轉(zhuǎn)換器類別的2012中國(guó)年度電子成就獎(jiǎng)。
2012-04-26 16:39:57646 Mouser Electronics開始供應(yīng)Vishay Siliconix第一款採(cǎi)用業(yè)界最小的晶片級(jí)封裝,并將導(dǎo)通電阻降至 1.2V 的 MOSFET。
2012-11-26 09:28:421014 Vishay 推出新款8V和20V N溝道和P溝道TrenchFET?功率MOSFET---Si8424CDB、Si8425DB。
2013-01-15 09:05:541383 新的E系列器件采用Vishay Siliconix超級(jí)結(jié)技術(shù),導(dǎo)通電阻低至30m?、電流達(dá)6A~105A,在8種封裝中實(shí)現(xiàn)低FOM和高功率密度。
2013-06-04 15:57:241063 ? 1212-8S封裝的-30V---SiSS27DN器件,擴(kuò)充其TrenchFET? Gen III P溝道功率MOSFET。
2013-07-15 11:32:40783 年度Top-10電源產(chǎn)品獎(jiǎng)。Si7655DN是業(yè)內(nèi)首款采用3.3mm x 3.3mm封裝的20V P溝道MOSFET,在4.5V柵極驅(qū)動(dòng)下的最大導(dǎo)通電阻只有4.8mΩ,也是采用新版本Vishay Siliconix PowerPAK? 1212封裝的首款器件。
2013-10-10 15:08:061138 Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)宣布,推出采用PowerPAK? ChipFET?和PowerPAK 1212-8S封裝的新器件,擴(kuò)充其TrenchFET? P溝道Gen III功率MOSFET。
2013-12-02 09:49:211075 x 2.0mm x 0.4mm CSP MICRO FOOT?封裝尺寸的-20V器件---Si8851EDB,擴(kuò)展其TrenchFET? P溝道Gen III功率MOSFET。Vishay
2013-12-05 10:30:05898 的采用非對(duì)稱PowerPAK? SO-8L封裝的新款40V雙芯片N溝道TrenchFET?功率MOSFET---SQJ940EP和SQJ942EP。Vishay Siliconix 的這兩款器件可用于車載
2013-12-13 15:07:13843 日前,Vishay宣布,推出具有業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻的新款P溝道MOSFET---Si7157DP,擴(kuò)充其TrenchFET? P溝道Gen III功率MOSFET。Vishay Siliconix
2014-01-22 10:33:221381 Vishay發(fā)布采用PowerPAIR? 3mm x 3mm封裝,使用TrenchFET? Gen IV技術(shù)的新款30V非對(duì)稱雙片TrenchFET 功率MOSFET
2014-02-10 15:16:51890 半導(dǎo)體與電子元器件業(yè)頂尖工程設(shè)計(jì)資源與全球授權(quán)分銷商貿(mào)澤電子(Mouser Electronics)宣布贊助兩款在線免費(fèi)電路設(shè)計(jì)工具:EasySim在線仿真工具和EasyPCB布線設(shè)計(jì)工具。
2014-04-16 12:02:351381 Vishay宣布,推出業(yè)內(nèi)首批通過AEC-Q101認(rèn)證的采用雙片不對(duì)稱功率封裝的12V MOSFET---SQJ202EP和20V MOSFET---SQJ200EP,可在汽車應(yīng)用的高效同步降壓
2016-07-11 14:33:171004 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,光電子產(chǎn)品部發(fā)布新的在線工具,加速家用娛樂系統(tǒng)設(shè)計(jì)工程師耗時(shí)的計(jì)算工作。使用遙控功能的所有產(chǎn)品都需要一個(gè)有精確尺寸的窗口,來確保
2016-09-28 15:39:191097 MOSFET的首顆器件---SiHP065N60E。Vishay Siliconix N溝道SiHP065N60E的導(dǎo)通電阻比前一代600V E系列MOSFET低30%,為通信、工業(yè)和企業(yè)級(jí)電源提供
2017-02-10 15:10:111667 MPLAB? REAL ICE?在線仿真器功率監(jiān)視器(AC244008)包含功率模塊和一個(gè)外部電源,從而使MPLAB REAL ICE在線仿真器能夠監(jiān)視目標(biāo)板或器件的電流和電壓。
2018-06-11 08:29:0016 功率監(jiān)視器(AC244008)通過MPLAB REAL ICE在線仿真器監(jiān)視目標(biāo)板或目標(biāo)器件的電流和電壓。工具包由功率監(jiān)視板、電源和本使用說明書組成
2018-06-05 14:29:0020 ;功率MOSFET所用的MICRO FOOTreg;封裝的占板面積比僅次于它的最小芯片級(jí)器件最高可減少36%,而導(dǎo)通電阻則與之相當(dāng)甚至更低。 Si8802DB和Si8805EDB可用于手持設(shè)備中的負(fù)載切換,包括智能手機(jī)、平板電腦、便攜式媒體播放器和移動(dòng)計(jì)算設(shè)備。在
2019-01-01 16:29:01380 Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出具有1.5?低導(dǎo)通電阻的新款±15V精密單片4路單刀單擲(SPST)CMOS模擬開關(guān)--- Vishay Siliconix DG1411、DG1412和DG1413。
2020-01-09 15:00:141020 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出了一款符合AEC-Q101要求的N通道60 V MOSFET--- SQJ264EP,這是采用PowerPAK? SO-8L
2020-12-15 16:09:501556 Vishay/Siliconix SiR186LDP N溝道60V (D-S) MOSFET采用TrenchFET? Gen IV功率MOSFET技術(shù)。
2021-04-21 17:50:211274 MPLAB REAL ICE在線仿真器跟蹤接口工具包用戶指南免費(fèi)下載。
2021-05-12 10:14:3913 新型 30 V n 溝道 TrenchFET?第五代功率 MOSFET,提升隔離和非隔離拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)功率密度和能效。 Vishay Siliconix?SiSS52DN?采用熱增強(qiáng)型 3.3 mm
2021-05-28 17:25:572153 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都)面向汽車和工業(yè)設(shè)備等電子電路設(shè)計(jì)者和系統(tǒng)設(shè)計(jì)者,在ROHM官網(wǎng)上公開了一款在線仿真工具“ROHM Solution Simulator”,利用該仿真
2022-01-18 14:55:125633 Vishay 推出最新第四代 600 V E 系列功率 MOSFET 器件。Vishay Siliconix n 溝道 SiHK045N60E 導(dǎo)通電阻比前一代 600 V E 系列 MOSFET
2022-02-26 13:25:351341 在線電路仿真工具
Autodesk Circuits – Circuits.Io
PartSim –Partsim.Com
EveryCircuit
2022-10-12 11:50:1113591 N 溝道器件實(shí)現(xiàn)高功率密度,降低導(dǎo)通和開關(guān)損耗,提高能效 ? 賓夕法尼亞、 MALVERN — 202 2 年 10 月 12 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.
2022-10-12 15:44:14375 Vishay Siliconix n 溝道 SiHK045N60EF 導(dǎo)通電阻比前代器件降低 29 %,為通信、工業(yè)和計(jì)算應(yīng)用提供高效、高功率密度解決方案,同時(shí)柵極電荷下降 60 %,從而使器件導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積,即功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中 600V MOSFET 的重要優(yōu)值系數(shù)(FOM)創(chuàng)業(yè)界新低。
2022-10-14 16:16:12817 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《用于Vishay NTC熱敏電阻的Altium Designer仿真模型.zip》資料免費(fèi)下載
2022-11-30 09:34:262 scratc,更輕量化,上手更容易,是一個(gè)在線的電路仿真工具。
2022-12-02 14:23:085863 中。 Vishay Siliconix SiZF5300DT 和 SiZF5302DT 適用于計(jì)算和通信應(yīng)用功率轉(zhuǎn)換,在提高能效的同時(shí),減少元器件數(shù)量并簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)。 日前發(fā)布的雙通道 MOSFET 可用來取代兩個(gè) PowerPAK 1212 封裝分立器件,節(jié)省 50% 基板空間,同時(shí)
2023-02-04 06:10:04502 英國(guó)Pickering公司作為用于電子測(cè)試和驗(yàn)證的模塊化信號(hào)開關(guān)和仿真解決方案的全球供應(yīng)商,于今日發(fā)布了一款全新的免費(fèi)在線使用的微波開關(guān)設(shè)計(jì)工具Microwave Switch Design
2023-06-15 14:22:19321 電腦上,但在保存文件時(shí)不能對(duì)文件名進(jìn)行任何修改。如果您不能或不允許使用宏設(shè)置的 Excel 文件,Vishay 建議使用在線 ? NTCRT 計(jì)算工具 ? 。 此計(jì)算工具可用于確定Vis hayNTC
2023-07-05 20:05:09295 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《Elxflash在線工具.zip》資料免費(fèi)下載
2023-07-24 15:07:290 品英Pickering作為用于電子測(cè)試和驗(yàn)證的模塊化信號(hào)開關(guān)和仿真解決方案的全球供應(yīng)商,于近日發(fā)布了一款全新的免費(fèi)在線使用的微波開關(guān)設(shè)計(jì)工具Microwave Switch Design Tool
2023-08-31 14:19:45310 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《在線設(shè)計(jì)和仿真工具入門指南.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-09-20 09:45:090 Vishay 推出多功能新型 30 V N 溝道 TrenchFET 第五代功率 MOSFET,進(jìn)一步提高工業(yè)、計(jì)算機(jī)、消費(fèi)電子和通信應(yīng)用的功率密度,增強(qiáng)熱性能。
2024-02-22 17:11:08355 Vishay近期發(fā)布五款新型半橋IGBT功率模塊,其改良設(shè)計(jì)的INT-A-PAK封裝備受矚目。這五款器件,包括VS-GT100TS065S、VS-GT150TS065S等,均運(yùn)用Vishay領(lǐng)先
2024-03-08 11:45:51266 近日,全球知名的半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商Vishay宣布推出新型80V對(duì)稱雙通道N溝道功率MOSFET,型號(hào)為SiZF4800LDT。這款新產(chǎn)品將高邊和低邊TrenchFET? Gen IV
2024-03-12 10:32:0294 全球知名半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商Vishay日前宣布推出其最新型的多功能30V N溝道TrenchFET?第五代功率MOSFET——Vishay Siliconix SiSD5300DN。這款新型功率
2024-03-12 10:38:14104 Elite Power仿真工具是安森美(onsemi)推出的一款基于PLECS的具有獨(dú)特功能的領(lǐng)先在線仿真工具,適用于軟/硬開關(guān)應(yīng)用,使工程師在開發(fā)周期的早期階段,
2024-03-20 09:58:3884
評(píng)論
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