美高森美公司(Microsemi Corporation，紐約納斯達(dá)克交易所代號：MSCC) 推出新一代1200V非穿通型(non-punch through，NPT) IGBT系列中的首款產(chǎn)品。
2012-05-18 09:25:34
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福祿克過程儀器為其 Thermalert 4.0 點溫式高溫計系列增添了新成員：短波長測溫儀和各種接口選件。
2019-11-22 17:29:411237 IGBT在半橋式電機(jī)控制中的使用IGBT的特性和功能在直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。IGBT，也就是絕緣柵雙極型晶體管，是由
2015-12-30 09:27:49
(C)和發(fā)射極(E)。圖1所示為n溝道增強(qiáng)型垂直式IGBT的結(jié)構(gòu)和功能，具有非穿通式NPT結(jié)構(gòu)，柵極為平面式。目前，除了圖1所示的非穿通式結(jié)構(gòu)外，穿通式PT(PunchThrough)結(jié)構(gòu)的IGBT也得到了應(yīng)用，最初的IGBT就是基于后者形成的。文章來源：中國電力電子網(wǎng)
2012-06-01 11:04:33
系列)和APT公司(GT系列)開發(fā)了命名為霹靂型IGBT的新器件，由二維集成轉(zhuǎn)向三維集成。其額定電壓達(dá)到600V，額定電流為0～100A。其硬開關(guān)工作頻率可達(dá)150kHz，諧振逆變軟開關(guān)電路可達(dá)
2012-06-19 11:17:58
IGBT(絕緣柵雙極型晶體管），是由 BJT(雙極結(jié)型晶體三極管) 和 MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管) 組成的復(fù)合全控型-電壓驅(qū)動式-功率半導(dǎo)體器件,其具有自關(guān)斷的特征。簡單講，是一個非通即斷的開關(guān)
2021-09-09 07:16:43
PT型IGBT。 3開關(guān)安全工作區(qū)（SSOA） 開關(guān)字全工作區(qū)如圖3所示。由圖2和圖3可見，SSOA和RBSOA相似，都是矩形的。所不同的是RBSOA只考慮關(guān)斷時承受高電壓大電感電流的能力
2017-03-16 21:43:31
2.8V,時間高0.8V，多么可怕。這里使用艾克思科技的IGBT-1200A型測試儀來測試，CM400HA-24HA型IGBT來說明問題，器件參數(shù)如下圖所示。圖2 IGBT外形圖和參數(shù)圖測試器件為
2015-03-11 13:15:10
` 誰知道igbt是電壓型還是電流型？`
2019-10-25 15:55:28
美高森美MSAD165-16整流模塊能用ASEMI的 MDA165-16代替嗎?
2017-05-27 14:54:59
AGM Micro發(fā)布了兼容STM32的MCU產(chǎn)品系列，推出具有低延遲高靈活性的功能模塊MCU產(chǎn)品系列。AGM32產(chǎn)品系列對32位MCU的廣大客戶群提供國產(chǎn)替代和新智能應(yīng)用市場的開拓。
此次AGM
2023-12-29 11:18:08
本帖最后由 yy5230 于 2023-12-29 12:02 編輯
AGM Micro發(fā)布兼容STM32的MCU產(chǎn)品系列，推出具有低延遲高靈活性的功能模塊MCU產(chǎn)品系列。AGM的FPGA
2023-12-29 10:52:29
ASEMI MDA165-16能代替美高森美的MSAD165-16嗎？
2017-06-05 17:17:49
附加值。Bourns 的消費性產(chǎn)品系列由微調(diào)電位器、面板控制裝置、芯片電阻器、旋轉(zhuǎn)式電位器、滑動電阻以及開關(guān)等組成。這些產(chǎn)品完全適用于各種不同的消費性產(chǎn)品，如煙霧警報器、動力工具、車庫門開門器、立體聲
2017-08-23 15:29:04
UB232R，USB Mini-B FT232R評估板。 UB232R是FTDI產(chǎn)品系列中最小的USB串行開發(fā)模塊。為了最大限度地減小模塊尺寸，UB232R使用標(biāo)準(zhǔn)USB mini-B連接器。它是
2020-07-30 10:21:46
【不懂就問】說MOS管是壓控型器件，而IGBT是流控型器件導(dǎo)致了他們工作原理和結(jié)構(gòu)的完全不一樣那么既然都是可以當(dāng)作開通關(guān)斷或者放大作用的管子且門極驅(qū)動的話，都要接上電阻來控制開短的快慢，為什么要分電壓電流型呢？電路中根據(jù)U=IR，只要有回路，壓流是共存的，這怎么分得開呢？
2018-07-04 10:10:27
編輯：llMSAD165-16美高森美同款A(yù)SEMI原裝品質(zhì)型號：MSAD165-16品牌：ASEMI封裝：MDA電性參數(shù)：165A 1600V電流：165A電壓：1600V操作溫度：-40
2021-09-06 08:38:34
MediaTek MT2523產(chǎn)品系列(MT2523D/MT2523G)基于一個高度集成的封裝系統(tǒng)(SIP)，其中包括一個微控制器單元、低功耗GNSS(MT2523G)、雙模式藍(lán)牙和電源管理單元
2021-07-22 06:40:42
功率分立和模塊解決方案的少數(shù)供應(yīng)商之一。美高森美的SP6LI產(chǎn)品系列采用專為高電流SiC MOSFET功率模塊而設(shè)計的最低雜散電感封裝之一，具有五種標(biāo)準(zhǔn)模塊，在外殼溫度(Tc)為80°C的情況下，提供從
2018-10-23 16:22:24
NCP1081SPCGEVB，高功率PoE-PD分路器評估板。 NCP1081是安森美半導(dǎo)體高功率HIPO以太網(wǎng)供電設(shè)備（PoE-PD）產(chǎn)品系列的成員，代表了一種強(qiáng)大，靈活且高度集成的解決方案
2020-05-20 11:08:19
NCP1083QBCGEVB，高功率PoE-PD模塊評估板。 NCP1083是安森美半導(dǎo)體大功率HIPO以太網(wǎng)供電設(shè)備（PoE-PD）產(chǎn)品系列的成員，代表了一種強(qiáng)大，靈活且高度集成的解決方案，適用于
2020-05-20 09:49:36
電壓能力相結(jié)合。IGBT將用于控制輸入的隔離柵極FET和作為單個器件中開關(guān)的雙極型功率晶體管組合在一起。安森美半導(dǎo)體推出TO247-4L IGBT系列，具有強(qiáng)大且經(jīng)濟(jì)實惠的Field StopII
2020-07-07 08:40:25
??ST擴(kuò)展了STM32L4產(chǎn)品系列及其性能。最新的STM32L4+系列單片機(jī)在繼承了原有L4優(yōu)越的超低功耗特性的同時，還提供了更加優(yōu)越的性能（最高頻率可達(dá)120 MHz）、更大容量的內(nèi)置存儲器
2021-08-03 08:15:22
創(chuàng)新型IC設(shè)計與驗證解決方案供應(yīng)商Synplicity有限公司日前宣布為HAPS(High-performance ASIC Prototyping System)產(chǎn)品系列增添新成員HAPS-51
2018-11-20 15:49:49
江湖，不問世事，英飛凌目前所有的IGBT產(chǎn)品均不使用PT技術(shù)。初代盟主——IGBT2特征：平面柵，非穿通結(jié)構(gòu)(NPT)NPT-IGBT于1987年出山，很快在90年代成為江湖霸主。NPT與PT不同在
2021-05-26 10:19:23
) IGBT與非穿通(NPT)型IGBT(圖3 a與b)，過渡到目前國際最新的溝槽柵場截止(Trench+FS)技術(shù)(圖3 c)。針對焊機(jī)產(chǎn)品的1200V系列正是采用了這一最新技術(shù)。相對于PT和NPT
2014-08-13 09:01:33
搞清楚IGBT、BJT、MOSFET之間的關(guān)系，就必須對這三者的內(nèi)部結(jié)構(gòu)和工作原理有大致的了解，下面我將用最簡單易懂的語言來為大家逐一講解。BJT：雙極性晶體管，俗稱三極管。內(nèi)部結(jié)構(gòu)（以PNP型BJT為例
2023-02-10 15:33:01
(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小
2012-06-19 11:36:58
]的結(jié)構(gòu)如圖6所示。 這種結(jié)構(gòu)使IGBT既有MOS FET可以獲得較大直流電流的優(yōu)點，又具有雙極型晶體管較大電流處理能力、高阻塞電壓的優(yōu)點。這種器件可以連接在開關(guān)電路中，就像NPN型的雙極型晶體管
2012-03-31 11:21:58
。600V／8A、10A、15A非穿通型IGBT采用D2Pak以及TO-220全絕緣封裝，絕緣能力保證不低于2kV，薄型硅非穿通技術(shù)有效降低了關(guān)斷能耗，設(shè)有“方形”反向偏壓安全工作區(qū)及10μs短路能力
2018-08-29 10:20:50
于2001年獨立提出。其用于場終止的緩沖層是通過在區(qū)熔硅背面預(yù)擴(kuò)散一個結(jié)深非常深的N型區(qū)得到，如圖 8所示。其特點是緩沖層比較深，摻雜過渡緩變，IGBT關(guān)斷軟度好，因此稱為軟穿通。圖 8 SPT技術(shù)
2015-12-24 18:23:36
作者：Fabio Necco和Roy Davis安森美半導(dǎo)體的650V汽車認(rèn)證裸片IGBT針對正在開發(fā)汽車牽引逆變器先進(jìn)方案的電源模塊制造商。IGBT產(chǎn)品系列PCGAXX0T65DF8包括160
2019-07-17 07:51:53
工業(yè)系統(tǒng)通常由微控制器和FPGA器件等組成，美高森美（Microsemi? ）基于 SmartFusion?2 SoC FPGA的馬達(dá)控制解決方案是使用高集成度器件為工業(yè)設(shè)計帶來更多優(yōu)勢的一個范例。
2019-10-10 07:15:34
安森美半導(dǎo)體收購了Fairchild半導(dǎo)體，匯集兩大著名行業(yè)領(lǐng)袖，創(chuàng)建為一家非凡的公司，和新的全球前10大非存儲器半導(dǎo)體供應(yīng)商。而且，由于公司的投資策略一直是基于為客戶增加價值，所以該交易最鼓舞
2018-10-22 09:04:41
器件系列的產(chǎn)品演示，該產(chǎn)品采用的技術(shù)使單個圖像傳感器能從低于1勒克斯的光照連續(xù)工作至明亮的光線條件。該系列的最新成員–KAE-04471和KAE-02152圖像傳感器–通過采用大的7.4 μm像素提供
2018-10-24 09:01:40
安森美半導(dǎo)體電源方案部（PSG）加速了擴(kuò)展分立器件、集成電路(IC)、模塊和驅(qū)動器產(chǎn)品陣容，針對汽車應(yīng)用中的高電源能效方案。公司電源方案部的汽車認(rèn)證的器件數(shù)現(xiàn)已超過4,000，是該行業(yè)中最大的供應(yīng)商
2018-10-25 08:53:48
的陣容–行業(yè)最廣泛和最深度的電源產(chǎn)品陣容。這樣一個擴(kuò)展的陣容提供更多的選擇，同時也提供了可用的工具幫助為您的特定應(yīng)用選擇適當(dāng)?shù)?b class="flag-6" style="color: red">器件系列。有利的是，我們現(xiàn)在有一系列強(qiáng)大的工具，視乎您所在的設(shè)計流程，每個
2018-10-31 09:17:40
持續(xù)擴(kuò)大小型化分立元件產(chǎn)品系列的一部分?！?b class="flag-6" style="color: red">器件 采用SOD-723 1.4mm x 0.6mm封裝的器件包括業(yè)內(nèi)最低正向電壓（Vf）和反向漏電流（Ir）性能的肖特基二極管，以及ESD保護(hù)程度最高
2008-06-12 10:01:54
的技術(shù)面加以探討，為業(yè)界提供實質(zhì)建議。要有效降低ESD所帶來的損害，除了可選擇在制程中直接控制ESD之外，也可以在電子元件中加強(qiáng)抵抗ESD的裝置。安森美半導(dǎo)體長期投入于研發(fā)ESD保護(hù)技術(shù)，通過先進(jìn)的ESD保護(hù)技術(shù)和完整的產(chǎn)品系列，使電子元件具備優(yōu)異的電路保護(hù)性能。
2019-05-30 06:50:43
外部器件的高性價比方案。安森美半導(dǎo)體還將展出新的NCD570x系列門極驅(qū)動器，具有高驅(qū)動電流以提供寶貴的、更高的系統(tǒng)能效，和充分集成多種保護(hù)功能的能力以增強(qiáng)安全性。安森美半導(dǎo)體的汽車產(chǎn)品陣容不斷擴(kuò)展
2018-10-30 09:06:50
安森美半導(dǎo)體的特色新品(FNP)清單重點介紹最新發(fā)布的一些器件。每一更新包括最新產(chǎn)品的產(chǎn)品類別、其獨特之處的概要和了解更多詳細(xì)信息的鏈接。無論您正在研發(fā)最新的設(shè)計還是僅僅出于對新產(chǎn)品的好奇，這些更新
2018-10-22 09:08:52
納斯達(dá)克上市代號：ONNN)擴(kuò)充高性能電荷耦合器件(CCD)圖像傳感器產(chǎn)品陣容，推出針對工業(yè)成像應(yīng)用的最新器件。安森美半導(dǎo)體先進(jìn)的CCD圖像傳感器系列新增860萬像素先進(jìn)攝影系統(tǒng)H型(APS-H)光學(xué)制式KAI-08670圖像傳感器，提供最嚴(yán)格應(yīng)用所要求的關(guān)鍵成像性能。
2020-04-26 09:46:34
` 推動高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor，美國納斯達(dá)克上市代號：ONNN)宣布推出數(shù)款新汽車產(chǎn)品系列，專門為發(fā)展迅速的汽車市場而設(shè)計，配合汽車電子成分持續(xù)升高，用于燃油
2013-01-07 16:46:18
穿通（Punch-through：PT）IGBT最初商業(yè)化的IGBT采用的是外延材料，該外延材料是通過在P+襯底上外延N型緩沖層和N-高阻層得到。這種IGBT在高壓截止?fàn)顟B(tài)下，內(nèi)部耗盡層會穿通整個
2015-12-24 18:13:54
隨著功率電子和半導(dǎo)體技術(shù)的快速進(jìn)步，各類電力電子應(yīng)用都開始要求用專門、專業(yè)的半導(dǎo)體開關(guān)器件，以實現(xiàn)成本和性能的共贏。與傳統(tǒng)的非穿通（NPT） IGBT相比，場截止（FS） IGBT進(jìn)一步降低
2018-09-30 16:10:52
1 功率分立產(chǎn)品概述
2 IGBT 產(chǎn)品系列
3 HV MOSFET 產(chǎn)品系列
4 SiC MOSFET 產(chǎn)品系列
5 整流器及可控硅產(chǎn)品系列
6 能源應(yīng)用
2023-09-07 08:01:40
達(dá)100%。DRAM內(nèi)存行業(yè)更是長期處于供不應(yīng)求的狀態(tài)，今年二季度平均價格上漲已超過10%。以下為2017年第四季度各大半導(dǎo)體原廠貨期狀況：2、分立器件產(chǎn)品包括高/低壓/小信號Mosfet、IGBT、ESD
2017-11-24 13:13:30
和Tvjop=125°C、cos（?）=1。除了標(biāo)準(zhǔn)操作，這種設(shè)計還必須具備結(jié)實耐用性，能夠承受故障。功率半導(dǎo)體數(shù)據(jù)表中的參數(shù)值是硬短路電流（ISC）的規(guī)范。短路魯棒性盡管場終止型IGBT相對于非穿通型
2018-12-07 10:16:11
IGBT作為集MOS和BJT優(yōu)點于一身的存在，在經(jīng)歷了這些年的技術(shù)發(fā)展，從穿通型IGBT（PT-IGBT）、非穿通型IGBT（NPT-IGBT）、溝道型IGBT和場截止型IGBT（FS-IGBT
2020-12-11 16:54:35
問一下哪個產(chǎn)品或者產(chǎn)品系列的可以實現(xiàn)mesh network,多對多，全網(wǎng)絡(luò)拓?fù)洌梢蕴l？
2018-11-13 15:39:07
問一下哪個產(chǎn)品或者產(chǎn)品系列的可以實現(xiàn)mesh network,多對多，全網(wǎng)絡(luò)拓?fù)?，可以跳頻？？
2018-11-13 15:41:45
-發(fā)射極飽和電壓（VCE(SAT)）的負(fù)溫度系數(shù)會帶來較高的熱逸潰風(fēng)險。1999年，半導(dǎo)體行業(yè)通過采用同質(zhì)原料和工藝創(chuàng)新，改善了IGBT的制造成本，結(jié)果成就了“非穿通型”（NPT）IGBT。這些器件支持
2018-12-03 13:47:00
SKII系列模塊三菱CM 系列三社，東芝，松下，等各品牌各系列模塊，長期 高價大量回收各種IGBT IPM GTR 整流條，可控硅，達(dá)林頓，場效應(yīng)等模塊?？缮祥T回收。 專業(yè)從事電子元器件回收、IC回收
2020-08-07 14:07:29
IGBT（Insulated-Gate Bipolar Transistor）是電源應(yīng)用中相當(dāng)常見的器件，可用于交流電的電機(jī)控制輸出。由安森美半導(dǎo)體（ON Semiconductor）所推出
2019-07-18 06:12:00
中興通訊動力產(chǎn)品部介紹 2
ZXUPS產(chǎn)品簡介 3
中興不間斷電源系統(tǒng)產(chǎn)品系列 4
ZXUPS技術(shù)特點 6
ZXUPS產(chǎn)品系列主要技術(shù)指標(biāo) 9
2010-08-26 16:27:39
86 安森美半導(dǎo)體擴(kuò)充計算機(jī)和游戲機(jī)應(yīng)用的電源管理產(chǎn)品系列
全球領(lǐng)先的高性能、高能效硅方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體推出24款新的30伏(V)、N溝道溝槽(Trench)金屬氧化物半導(dǎo)
2009-11-04 14:56:31600 IGBT晶體管基礎(chǔ)知識
在技術(shù)講解之前的。回答下列的重要問題，將有助于為特定的應(yīng)用選擇適當(dāng)?shù)?b class="flag-6" style="color: red">IGBT。 非穿通（NPT）和穿通(
2009-11-06 16:57:132776 電腦鎖產(chǎn)品系列/產(chǎn)品組成 產(chǎn)品系列 &n
2009-12-28 14:43:01722 安森美時鐘管理產(chǎn)品系列增加新的時鐘和數(shù)據(jù)驅(qū)動IC
應(yīng)用于綠色電子產(chǎn)品的首要高性能、高能效硅方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體(宣布擴(kuò)充公司的時鐘驅(qū)動器系列，推出NB7L
2010-02-01 13:42:09866 全新IC產(chǎn)品系列 — SENZero，新器件可在待機(jī)或遠(yuǎn)程關(guān)斷模式下斷開檢測電阻與高壓母線的連接。SENZero器件能夠消除檢測電阻的待機(jī)功耗并降低系統(tǒng)總功耗，有助于滿足注重節(jié)能的產(chǎn)
2010-08-20 09:34:56664 美高森美面向可再生能源應(yīng)用的產(chǎn)品包括SmartFusion和IGLOO FPGA;模擬及混合信號器件如旁路二極管/開關(guān)、MOSFET、FRED和IGBT;DC-DC轉(zhuǎn)換器，以及脈寬調(diào)制(PWM)模塊
2011-03-21 11:04:26412 全球領(lǐng)先的高性能功率和便攜產(chǎn)品供應(yīng)商飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor) 為100V和150V PowerTrench? MOSFET系列器件增添了工業(yè)類型封裝選擇
2011-06-03 09:30:30653 日前，德州儀器 (TI) 宣布推出PurePath? Wireless 音頻產(chǎn)品系列的第二款器件，為消費類、便攜式以及高端音頻帶來最新應(yīng)用
2011-06-15 09:44:332426 安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)持續(xù)為簡化及加快計算平臺設(shè)計而擴(kuò)充其產(chǎn)品系列。
2011-09-22 09:05:24472 美高森美公司日前宣布，該公司的耐輻射型 RT ProASIC3 FPGA產(chǎn)品系列現(xiàn)可以陶瓷四方扁平封裝(CQFP)形式供貨。
2012-02-15 09:33:53396 美高森美公司宣布擴(kuò)展其60 W以太網(wǎng)供電(PoE)中跨(midspan)產(chǎn)品系列，立即提供24端口產(chǎn)品PD-9524G.
2012-03-18 10:40:39615 致力于提供幫助功率管理、安全、可靠與高性能半導(dǎo)體技術(shù)產(chǎn)品的領(lǐng)先供應(yīng)商美高森美公司（Microsemi Corporation，紐約納斯達(dá)克交易所代號：MSCC） 推出新一代1200V非穿通型（non-punch throu
2012-05-18 10:52:17444 
功率、安全性、可靠度和效能差異化半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商美高森美公司（Microsemi） 宣佈其新一代1200V非貫穿型（non-punch through，NPT）系列的叁款IGBT新產(chǎn)品
2012-09-13 10:08:171624 
美高森美公司 （Microsemi ）宣布提供符合美國國防后勤機(jī)構(gòu)（DLA）要求的全新肖特基二極管產(chǎn)品系列，適用于需要高功率密度和優(yōu)良散熱性能（通常為0.2-0.85 C/W）的航空航天和國防領(lǐng)域
2013-03-20 09:35:501604 美高森美公司宣布提供下一代650V非穿通型（NPT）絕緣柵雙極晶體管（IGBT）產(chǎn)品，備有45A、70A和95A額定電流型款。美高森美全新NPTIGBT產(chǎn)品系列專為嚴(yán)苛環(huán)境工作而設(shè)計，尤其適用于太陽能逆變器、焊接機(jī)和開關(guān)電源等工業(yè)產(chǎn)品。
2013-08-19 16:08:18862 貼裝卷包片式電阻陣列增添073--- PRA073和074--- PRA074小外形尺寸。新的PRA073和PRA074提供最多8個不同歐姆值的電阻，是業(yè)內(nèi)尺寸最小的此類器件，具有0.01%的嚴(yán)格公差比和1ppm/℃的TCR Tracking。
2013-12-06 17:10:28956 全球行業(yè)領(lǐng)先的嵌入式市場閃存解決方案創(chuàng)新廠商 Spansion 公司（NYSE：CODE）今日為其Spansion? FM4 MCU系列增添了96款新產(chǎn)品。
2014-10-31 09:44:131025 Spansion公司今日為其Spansion? FM4 MCU系列增添了96款新產(chǎn)品。新款MCU基于ARM? Cortex?-M4F內(nèi)核，工作頻率高達(dá)200MHz，并支持各種可實現(xiàn)增強(qiáng)型人機(jī)接口（HMI）和機(jī)器間（M2M）通信的片上外設(shè)。
2014-11-03 16:24:28898 
全面介紹MXCHIP 無線產(chǎn)品系列，wifi，zigbee以及bluetooth
2015-12-01 17:22:5312 致力于在功耗、安全、可靠和性能方面提供差異化半導(dǎo)體技術(shù)方案的領(lǐng)先供應(yīng)商美高森美公司（Microsemi Corporation，紐約納斯達(dá)克交易所代號：MSCC） 宣布提供其基于感應(yīng)傳感技術(shù)的傳感器接口集成電路 （IC）系列的全新器件LX3302。
2015-12-24 11:28:29942 致力于在功耗、安全、可靠和性能方面提供差異化半導(dǎo)體技術(shù)方案的領(lǐng)先供應(yīng)商美高森美公司（Microsemi Corporation，紐約納斯達(dá)克交易所代號：MSCC） 宣布其IEEE 1588產(chǎn)品系列增添
2016-02-29 09:39:45827 TinySwitch-3產(chǎn)品系列設(shè)計指，有需要的下來看看
2016-08-16 19:37:4913 恩智浦2009年MCU產(chǎn)品系列總覽，又需要的下來看看。
2016-12-15 15:05:5822 美高森美公司（Microsemi） 發(fā)布專門用于高電流、低導(dǎo)通阻抗（RDSon） 碳化硅 （SiC） MOSFET功率模塊的極低電感封裝。這款全新封裝專為用于公司SP6LI 產(chǎn)品系列而開發(fā)，經(jīng)設(shè)計提
2018-06-01 13:08:00713 Serval-T 新器件結(jié)合了PLL、Cu PHY和CPU，使用運營商以太網(wǎng)交換器件提供獨特的接入網(wǎng)絡(luò)解決方案 美高森美公司(Microsemi)發(fā)布全新Serval-T 以太網(wǎng)交換器件產(chǎn)品系列
2018-05-22 14:24:00926 本視頻介紹串行EEPROM器件和串行SRAM存儲器的產(chǎn)品系列的優(yōu)點、封裝、總線選擇及質(zhì)量體系。
2018-06-06 01:45:004898 高頻寬帶產(chǎn)品系列
2018-06-07 13:46:003492 
美高森美公司（Microsemi）宣布提供全新成本優(yōu)化PolarFire 現(xiàn)場可編程邏輯器件（FPGA） 產(chǎn)品系列，在中等密度范圍FPGA器件中具備了業(yè)界最低功耗、 12.7 Gbps
2018-07-22 12:54:00853 C2000產(chǎn)品系列簡介
2018-08-20 02:08:004843 其Adaptec Series 8獲獎產(chǎn)品系列新增兩款全新適配器產(chǎn)品。8405E和8805E為服務(wù)器存儲客戶提供了具有獨立磁盤冗余陣列(RAID)的入門級系統(tǒng)，通過內(nèi)置緩存實現(xiàn)加速性能，并具有出色的可靠性
2018-08-20 15:28:01188 致力于亞太地區(qū)市場的領(lǐng)先半導(dǎo)體元器件分銷商---大聯(lián)大控股宣布，其旗下詮鼎推出東芝（Toshiba）針對ADAS的產(chǎn)品系列。
2018-11-08 11:24:336672 等應(yīng)用，以能效、尺寸、成本、可靠性等取勝本視頻將介紹安森美半導(dǎo)體應(yīng)用于汽車、工業(yè)和消費類的主要產(chǎn)品系列，包括應(yīng)用于可變頻驅(qū)動、自動空調(diào)、泵的工業(yè)SPM?2/3系列、SIP IPM；應(yīng)用于汽車的高壓IPM APM? 27系列和中壓IPM，以及低于400 W和4 KW的消費類IPM等。
2019-03-04 06:40:005528 
安森美的電源產(chǎn)品包括絕緣柵雙極晶體管（IGBT），這是一種三端半導(dǎo)體器件，具有寬泛的雙極電流承載能力。其產(chǎn)品組合包括650V ~ 1200V用于牽引驅(qū)動應(yīng)用的高功率IGBT器件。
2019-03-25 14:23:003152 IGBT的結(jié)構(gòu)多種多樣，但從縱向結(jié)構(gòu)來看可歸為穿通型，非穿通型。這兩類IGBT的劃分依據(jù)為：臨界擊穿電壓下Pbase-Ndrift結(jié)耗盡層的擴(kuò)展是否穿透了N-基區(qū)。
2020-04-10 10:21:379419 
AGM Micro發(fā)布了兼容STM32的MCU產(chǎn)品系列，推出具有低延遲高靈活性的功能模塊MCU產(chǎn)品系列。AGM32產(chǎn)品系列對32位MCU的廣大客戶群提供國產(chǎn)替代和新智能應(yīng)用市場的開拓。
2022-03-07 09:48:281730 
中微愛芯MCU產(chǎn)品系列介紹PIN,GD.SMT等多個型號
2022-08-19 15:26:5911 本文（上）回顧了氮化鎵的發(fā)展歷程，并介紹了意法半導(dǎo)體MasterGaN產(chǎn)品系列和解決方案；本文（下）將介紹意法半導(dǎo)體VIPerGaN產(chǎn)品系列和解決方案。
2022-09-20 09:07:261509 今年1月，我們宣布對Agilex產(chǎn)品系列進(jìn)行擴(kuò)容，以便讓更多用戶能夠體驗到廣受贊譽的Agilex FPGA產(chǎn)品的優(yōu)勢。我們非常期待在一年一度的IFTD大會上與客戶和合作伙伴進(jìn)一步分享這一全新FPGA產(chǎn)品系列，并詳細(xì)介紹這些產(chǎn)品在加快可編程創(chuàng)新速度方面帶來的機(jī)遇。
2023-09-19 16:27:44441 
英飛凌新推出的IGBT7單管系列市場熱度不減，本文為大家整理針對該產(chǎn)品系列的常見問題，一看就懂，牢牢碼住!直播回放鏈接獲取IGBT7都通過了哪些可靠性測試？答：IGBT不論單管和模塊都需要通過
2024-03-05 08:17:27111 
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