近日全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商國(guó)際整流器公司(簡(jiǎn)稱(chēng)IR)推出針對(duì)感應(yīng)加熱、不間斷電源(UPS)太陽(yáng)能和焊接應(yīng)用而設(shè)計(jì)的可靠、高效 1200V 絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 系列。
2011-09-07 09:24:54
1813 國(guó)際整流器公司(International Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng)IR)推出600V絕緣柵雙極晶體管(IGBT)系列，適合在10kHz以下工作的電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用，包括冰箱和空調(diào)的壓縮機(jī)。
2012-09-05 11:09:19999 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國(guó)際整流器公司 （International Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng) IR） 推出 IRGR4045DPbF 和 IRGS4045DPbF，以此拓展絕緣柵雙極型晶體管 （IGBT） 系列。全新 600V 超高速溝道
2012-10-17 09:27:03919 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國(guó)際整流器公司 （International Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng)IR） 推出新一代絕緣柵雙極型晶體管 （IGBT） 技術(shù)平臺(tái)。全新第八代 （Gen8） 1200V IGBT技術(shù)平臺(tái)采用
2012-11-17 10:40:171504 絕緣柵雙極晶體管（Insulated Gate Bipolar Transistor，IGBT）是一種功率半導(dǎo)體，具有MOSFET 的高速、電壓相關(guān)柵極開(kāi)關(guān)特性以及 BJT 的最小導(dǎo)通電阻（低飽和電壓）特性。
2024-02-27 16:08:49581 
全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 近日擴(kuò)充堅(jiān)固耐用、可靠的超高速 600 V 溝道絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 系列，為不間斷電源 (UPS) 、太陽(yáng)能
2011-11-16 08:54:111023 如果平衡電阻與發(fā)射極串聯(lián)，則雙極晶體管（BJT）可以并聯(lián)連接。隨著溫度的升高，BJT通常會(huì)變得更具導(dǎo)電性。以下MMBT2222A數(shù)據(jù)表中的示例顯示了該器件的典型增益如何隨溫度在允許的工作范圍內(nèi)變化而
2018-10-26 14:45:42
:dodo1999@vip.163.com雙極晶體管陣列 (BJT)DMMT5401-7晶體管, PNP, 最大直流集電極電流 200 mA, SOT-26封裝, 300 MHz, 6引腳規(guī)格 TRANS
2020-02-25 11:39:26
晶體管的代表形狀晶體管分類(lèi)圖：按照該分類(lèi)，掌握其種類(lèi)1. 按結(jié)構(gòu)分類(lèi)根據(jù)工作原理不同分類(lèi)，分為雙極晶體管和單極晶體管。雙極晶體管雙是指Bi（2個(gè)）、極是指Polar（極性）。雙極晶體管，即流經(jīng)構(gòu)成
2019-04-10 06:20:24
。與MOSFET同樣能通過(guò)柵極電壓控制進(jìn)行高速工作，還同時(shí)具備雙極晶體管的高耐壓、低導(dǎo)通電阻特征。工作上與MOSFET相同，通過(guò)給柵極施加電壓形成通道來(lái)流過(guò)電流。結(jié)構(gòu)上MOSFET（以Nch為例）是相同N型的源極
2018-11-28 14:29:28
創(chuàng)建通道來(lái)導(dǎo)通。另外，柵極通過(guò)源極及漏極與氧化膜被絕緣，因此不會(huì)流過(guò) “導(dǎo)通”意義上的電流。但是，需要被稱(chēng)為“Qg”的電荷。 關(guān)于MOSFET，將再次詳細(xì)介紹。 IGBT為雙極晶體管與MOSFET
2020-06-09 07:34:33
絕緣柵雙極晶體管IGBT又叫絕緣柵雙極型晶體管。一．絕緣柵雙極晶體管IGBT的工作原理： 半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)分析略。本講義附加了相關(guān)資料，供感興趣
2009-05-12 20:44:23
絕緣柵雙極晶體管基礎(chǔ)IGBT結(jié)構(gòu)及工作原理IGBT是強(qiáng)電流、高壓應(yīng)用和快速終端設(shè)備用垂直功率MOSFET的自然進(jìn)化。由于實(shí)現(xiàn)一個(gè)較高的擊穿電壓BVDSS需要一個(gè)源漏通道，而這個(gè)通道卻具有很高的電阻率
2009-05-24 16:43:05
絕緣柵雙極晶體管晶體管的發(fā)展1947年的圣誕前某一天，貝爾實(shí)驗(yàn)室中，布拉頓平穩(wěn)地用刀片在三角形金箔上劃了一道細(xì)痕，恰到好處地將頂角一分為二，分別接上導(dǎo)線，隨即準(zhǔn)確地壓進(jìn)鍺晶體表面的選定部位。電流表
2012-08-02 23:55:11
絕緣柵雙極型晶體管檢測(cè)方法
2009-12-10 17:18:39
絕緣柵雙級(jí)晶體管IGBT
2012-08-20 09:46:02
電極-發(fā)射極電流與幾乎零柵流驅(qū)動(dòng)器。典型的 IGBT絕緣柵雙極性晶體管，即 IGBT，結(jié)合了 MOSFET 的絕緣柵(因此得名第一部分)技術(shù)和傳統(tǒng)雙極性晶體管的輸出性能特性，因此得名第二部分。這種混合
2022-04-29 10:55:25
超高速10萬(wàn)轉(zhuǎn)電機(jī)（1對(duì)極）控制方式討論
2021-08-27 08:22:31
您好，為了模擬ADS軟件中基于雙極晶體管的電路，我們將基板與發(fā)射器連接，還是允許空氣？謝謝 以上來(lái)自于谷歌翻譯 以下為原文hello,to simulate a circuit based
2018-12-18 16:11:14
概述：EXB840是一款高速型混合IC驅(qū)動(dòng)器，它為高密度安裝的SIL-13腳封裝。驅(qū)動(dòng)隔離柵雙極性晶體管電壓600V，電流150A；驅(qū)動(dòng)隔離柵雙極性晶體管電壓1200V，電流75A。驅(qū)動(dòng)電路信號(hào)延遲
2021-05-18 07:52:37
EXB850是FujiElectric公司生產(chǎn)的一款I(lǐng)GBT混合IC驅(qū)動(dòng)器。 它為高密度SIL-13腳封裝。驅(qū)動(dòng)隔離柵雙極性晶體管電壓600V，電流150A；驅(qū)動(dòng)隔離柵雙極性晶體管電壓1200V，電流75A。驅(qū)動(dòng)電路信號(hào)延遲
2021-04-22 07:35:50
概述：EXB851是一款高速型混合IC驅(qū)動(dòng)器，它為高密度安裝的SIL-13腳封裝。驅(qū)動(dòng)隔離柵雙極性晶體管電壓600V，電流150A；驅(qū)動(dòng)隔離柵雙極性晶體管電壓1200V，電流75A。驅(qū)動(dòng)電路信號(hào)延遲
2021-05-18 06:24:06
什么是IGBT(絕緣柵雙極晶體管)？IGBT是 "Insulated Gate Bipolar Transistor"的首字母縮寫(xiě)，也被稱(chēng)作絕緣柵雙極晶體管。IGBT被歸類(lèi)為功率
2019-05-06 05:00:17
什么是IGBT(絕緣柵雙極晶體管)？IGBT是 "Insulated Gate Bipolar Transistor"的首字母縮寫(xiě)，也被稱(chēng)作絕緣柵雙極晶體管。IGBT被歸類(lèi)為功率
2019-03-27 06:20:04
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)...
2022-02-16 06:48:11
MAPRST0912-50硅雙極晶體管產(chǎn)品介紹MAPRST0912-50報(bào)價(jià)MAPRST0912-50代理MAPRST0912-50咨詢(xún)熱線MAPRST0912-50現(xiàn)貨,王先生
2018-08-09 09:57:23
2）。然后，門(mén)重新控制了薄體?！ D2.鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管 此外，從平面移動(dòng)到3D可降低亞閾值斜率和Ioff電流。體積將增加，漏電流將小于平面設(shè)計(jì)?！ ‰p柵極與三柵鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管 雙柵極
2023-02-24 15:20:59
MRF422硅雙極晶體管產(chǎn)品介紹MRF422報(bào)價(jià)MRF422代理MRF422MRF422現(xiàn)貨,王先生 深圳市首質(zhì)誠(chéng)科技有限公司MRF422主要用于高功率線性放大器的設(shè)計(jì)，從2到30 MHz優(yōu)勢(shì)產(chǎn)品
2018-10-09 12:10:05
的切換速度可達(dá)100GHz以上。雙極晶體管 雙極晶體管（bipolar transistor）指在音頻電路中使用得非常普遍的一種晶體管。雙極則源于電流系在兩種半導(dǎo)體材料中流過(guò)的關(guān)系。雙極晶體管根據(jù)
2010-08-13 11:36:51
源電流IDSS是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管中，柵極電壓UGS＝0時(shí)的漏源電流。（2）夾斷電壓夾斷電壓UP是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管中，使漏源間剛截止時(shí)的柵極電壓。如同4-25所示為N溝道
2019-04-04 10:59:27
Bipolar Transistor)全稱(chēng)為絕緣柵雙極晶體管，作為逆變焊機(jī)中高頻逆變的主要開(kāi)關(guān)器件，其性能的優(yōu)劣將直接影響焊機(jī)整體表現(xiàn)。隨著國(guó)內(nèi)工藝水平和設(shè)計(jì)能力的提升，國(guó)產(chǎn)IGBT開(kāi)始進(jìn)入焊機(jī)領(lǐng)域。本文主要
2014-08-13 09:01:33
GaAs-GaAlAs，放大倍數(shù)可以大于1000，響應(yīng)時(shí)間長(zhǎng)于納秒，常用作光電探測(cè)器和光放大。場(chǎng)效應(yīng)光電晶體管（FET）響應(yīng)迅速（約50皮秒），但缺點(diǎn)是光敏面積和增益小，常用作超高速光電探測(cè)器。還有許多其他平面
2023-02-03 09:36:05
達(dá)林頓晶體管是一對(duì)雙極晶體管，連接在一起，從低基極電流提供非常高的電流增益。輸入晶體管的發(fā)射極始終連接到輸出晶體管的基極;他們的收藏家被綁在一起。結(jié)果，輸入晶體管放大的電流被輸出晶體管進(jìn)一步放大
2023-02-16 18:19:11
運(yùn)動(dòng)的少子擴(kuò)散引起的散粒噪聲，所以噪聲低。場(chǎng)效應(yīng)晶體管有哪幾種分類(lèi)場(chǎng)效應(yīng)管分為結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（JFET）和絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管（MOS管）兩大類(lèi)。按溝道材料型和絕緣柵型各分N溝道和P溝道兩種；按導(dǎo)電方式：耗盡
2019-05-08 09:26:37
基于FPGA的超高速FFT硬件實(shí)現(xiàn)介紹了頻域抽取基二快速傅里葉運(yùn)算的基本原理；討論了基于FPGA達(dá)4 096點(diǎn)的大點(diǎn)數(shù)超高速FFT硬件系統(tǒng)設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)方法，當(dāng)多組大點(diǎn)數(shù)進(jìn)行FFT運(yùn)算時(shí)，利用FPGA
2009-06-14 00:19:55
。對(duì)于NPN，它是灌電流?！ ∵_(dá)林頓晶體管開(kāi)關(guān) 這涉及使用多個(gè)開(kāi)關(guān)晶體管，因?yàn)橛袝r(shí)單個(gè)雙極晶體管的直流增益太低而無(wú)法切換負(fù)載電壓或電流。在配置中，一個(gè)小輸入雙極結(jié)型晶體管（BJT）晶體管參與打開(kāi)和關(guān)閉
2023-02-20 16:35:09
IGBT是由哪些部分組成的？絕緣柵雙極型晶體管IGBT有哪些特點(diǎn)？如何去使用絕緣柵雙極型晶體管IGBT呢？
2021-11-02 06:01:06
絕緣柵雙極晶體管（IGBT）有哪些應(yīng)用呢？如何去實(shí)現(xiàn)絕緣柵雙極晶體管（IGBT）的電磁兼容設(shè)計(jì)呢？
2022-01-14 07:02:41
異質(zhì)結(jié)雙極晶體管
2012-08-20 08:57:47
與普通的ADC相比，超高速的ADC有哪些性能？超高速ADC的主要應(yīng)用領(lǐng)域是什么？如何去挑選一個(gè)超高速的ADC？
2021-06-22 06:19:40
=0.65V/10k=65μA)IB=Ii-IR2=Ii-65μA 即Ii在65μA以下時(shí)，IB沒(méi)有電流流過(guò)，VO [VCE(sat)]上升。因此，在低電流區(qū)域不能測(cè)定VO。關(guān)于數(shù)字晶體管的開(kāi)關(guān)動(dòng)作
2019-04-22 05:39:52
的開(kāi)關(guān)動(dòng)作關(guān)于數(shù)字晶體管的用語(yǔ)選定方法①使TR達(dá)到飽和的IC/IB的比率是IC/IB=20/1②輸入電阻：R1是±30% E-B間的電阻：R2/R1=±20%③VBE是0.55~0.75V數(shù)字晶體管具有
2019-04-09 21:49:36
單電源9V超高速比較器，有推薦的朋友嗎？
2020-06-18 22:46:24
晶體管的代表形狀晶體管分類(lèi)圖：按照該分類(lèi)，掌握其種類(lèi)1. 按結(jié)構(gòu)分類(lèi)根據(jù)工作原理不同分類(lèi)，分為雙極晶體管和單極晶體管。雙極晶體管雙是指Bi（2個(gè)）、極是指Polar（極性）。雙極晶體管，即流經(jīng)構(gòu)成
2019-05-05 01:31:57
求購(gòu)雙極晶體管BD249C，NPN，30個(gè)，要求現(xiàn)貨。2-4天能到北京
2019-07-23 05:27:32
半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)器件時(shí) IGBT（絕緣柵雙極晶體管）集合了BJT 和MOSFET的優(yōu)點(diǎn)?？墒撬灾贿m合較低頻率、大電流裝置。試問(wèn)頻率的高低判斷標(biāo)準(zhǔn)是多少呀？？
2011-05-16 22:00:58
柵雙極晶體管（IGBT）實(shí)現(xiàn)此類(lèi)拓?fù)?。本文中，我們將重點(diǎn)介紹直接驅(qū)動(dòng)GaN晶體管的優(yōu)點(diǎn)，包括更低的開(kāi)關(guān)損耗、更佳的壓擺率控制和改進(jìn)的器件保護(hù)。
2020-10-27 06:43:42
導(dǎo)讀：近日，英飛凌宣布推出700瓦L波段射頻功率晶體管。該晶體管具備業(yè)界最高的L波段輸出功率（700瓦），適用于工作頻率范圍為1200 MHz~1400 MHz的雷達(dá)系統(tǒng)。這種新型器件可通過(guò)減少
2018-11-29 11:38:26
請(qǐng)問(wèn)超高速SerDes在芯片設(shè)計(jì)中的挑戰(zhàn)是什么？
2021-06-17 08:49:37
編輯人：LL ASEMI-SFP2006超高速開(kāi)關(guān)二極管的工作原理是什么
2018-11-02 11:09:07
N溝絕緣柵雙極晶體管JT075N065WED75A 650V用途●逆變器●UPS電源●T0-247產(chǎn)品特性●低柵極電荷●Trench FS技術(shù),●通態(tài)壓降, Vce(sat), typ =1.75V @ Ic= 75A andTc= 25°C●RoHS產(chǎn)品
2023-01-09 10:53:35
JT050N065WED 50A 650V N溝道絕緣柵雙極晶體管用途●逆變器●UPS電源產(chǎn)品特性●低柵極電荷●TrenchFS技術(shù),●通態(tài)壓降, Ve(sat), typ= .1.6V@Ic=50AandTc= 25°C●RoHS產(chǎn)品
2023-01-09 10:59:37
絕緣柵雙極晶體管（IGBT)
基礎(chǔ)知識(shí)絕緣柵雙極晶體管（Insulated-gate Bipolar Transistor——IGBT）GTR和MOSFET復(fù)合，結(jié)合二者的優(yōu)點(diǎn)1986年投
2009-04-14 22:13:396003 
絕緣柵雙極晶體管IGBT又叫絕緣柵雙極型晶體管。
一．絕緣柵雙極晶
2009-05-12 20:42:001282 
IR全新堅(jiān)固耐用的1200V控制集成電路
電源管理技術(shù)領(lǐng)先供應(yīng)商國(guó)際整流器公司(International Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng)IR)推出用于工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制的額定1200VIR2214和
2009-07-06 08:42:28798 絕緣柵雙極晶體管原理、特點(diǎn)及參數(shù)
絕緣柵雙極晶體管IGBT又叫絕緣柵雙極型晶體管。
2009-10-06 22:56:595421 
絕緣柵雙極晶體管絕緣柵雙極晶體管（Insulate-Gate Bipolar Transistor—IGBT）綜合了電力晶體管（Giant Transistor—GTR）和電力場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Power MOSFET）的優(yōu)點(diǎn)，具有
2009-11-05 11:40:14604
雙極晶體管
2009-11-07 10:44:021352 IR針對(duì)汽車(chē)應(yīng)用推出1200V絕緣IGBT AUIRG7CH80K6B-M
國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 推出采用焊前金屬 (Solderable Front Metal，SFM) 的 1200V 絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) AUIRG7
2009-11-19 08:49:32697 超高速充電電池
超高速充電電池 “十
2009-11-28 17:25:44664 IGBT絕緣柵極雙極晶體管過(guò)壓保護(hù)電路
IGBT的柵極過(guò)壓的
2010-02-17 17:13:011795 
絕緣柵雙極晶體管(IGBT),IGBT是什么意思
IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)是MOS結(jié)構(gòu)雙極器件，屬于具有功率MOSFET的高速性能與雙極的低電阻性能的功率器件
2010-03-04 15:54:154927 異質(zhì)結(jié)雙極晶體管,異質(zhì)結(jié)雙極晶體管是什么意思
異質(zhì)結(jié)雙極晶體管（Hetero-junction Bipolar Transistor,簡(jiǎn)稱(chēng)HBT)基區(qū)(base)異質(zhì)結(jié)SiGe外延(圖1)：其原理是在基
2010-03-05 10:56:554866 雙極晶體管,雙極晶體管是什么意思
雙極晶體管
雙極型晶體管內(nèi)部電流由兩種載流子形成，它是利用電流來(lái)控制。場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制器
2010-03-05 11:48:465920 什么是絕緣柵極雙極性晶體管
絕緣柵雙極晶體管(IGBT)本質(zhì)上是一個(gè)場(chǎng)效應(yīng)晶體管,只是在漏極和漏區(qū)之間多了一個(gè)P型層.根據(jù)國(guó)際電工委員會(huì)IEC/TC(CO)1
2010-03-05 15:49:224082 思科推出新一代超高速路由器
3月10日消息，據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，思科星期二推出了超高速互聯(lián)網(wǎng)硬件并且許諾說(shuō)這種產(chǎn)品將通過(guò)以驚人的速度傳送海量數(shù)據(jù)提高美國(guó)的競(jìng)
2010-03-10 09:02:38584 Maxim推出雙通道與四通道超高速DisplayPort無(wú)源開(kāi)關(guān)
Maxim推出具有獨(dú)立AUX和HPD控制的雙通道(MAX4998)和四通道(MAX14998*)超高速DisplayPort 無(wú)源開(kāi)關(guān)。器件
2010-04-09 12:19:21600 
華潤(rùn)上華已開(kāi)發(fā)完成1200V Trench NPT IGBT(溝槽非穿通型絕緣柵雙極晶體管)工藝平臺(tái)，各項(xiàng)參數(shù)均達(dá)到設(shè)計(jì)要求，成功進(jìn)入Trench IGBT代工市場(chǎng)。
2011-03-31 09:23:061469 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 近日推出針對(duì)感應(yīng)加熱、不間斷電源(UPS)太陽(yáng)能和焊接應(yīng)用而設(shè)計(jì)的可靠、高效 1200V 絕緣柵雙極晶體管
2011-09-07 17:59:471385 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 近日推出一對(duì)高效、可靠的超高速溝道絕緣柵雙極晶體管 (IGBTs) ，該產(chǎn)品為焊接、高功率整流等感應(yīng)加熱
2011-09-28 09:08:05916 國(guó)際整流器公司 （International Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng)IR） 推出新一代絕緣閘雙極電晶體 （IGBT） 技術(shù)平臺(tái)。全新第八代 （Gen8） 1200V IGBT技術(shù)平臺(tái)利用IR新一代溝道閘極場(chǎng)截止技術(shù)，為工業(yè)及節(jié)能
2012-11-21 09:39:40994 國(guó)際整流器公司 （International Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng)IR） 近日擴(kuò)充600V絕緣柵雙極晶體管 （IGBT） 系列，這些經(jīng)過(guò)優(yōu)化的新器件尤為適合不間斷電源 （UPS）、太陽(yáng)能、感應(yīng)加熱、工業(yè)電機(jī)和焊接應(yīng)用。
2013-02-19 10:58:47995 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國(guó)際整流器公司 （International Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng)IR） 宣布推出堅(jiān)固可靠的超高速1400V溝道絕緣柵雙極晶體管 （IGBT） IRG7PK35UD1PbF，新器件為電磁爐和微波爐等軟開(kāi)關(guān)應(yīng)用作出了優(yōu)化。
2014-03-10 09:50:221531 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國(guó)際整流器公司 （International Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng)IR） 推出高性能600V超高速溝道場(chǎng)截止絕緣柵雙極晶體管 （IGBT） IR66xx系列。堅(jiān)固可靠的新系列器件提供極低的導(dǎo)通損耗和開(kāi)關(guān)損耗，旨在為焊接應(yīng)用做出優(yōu)化。
2014-08-19 16:31:532356 2014年10月21日，北京——全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國(guó)際整流器公司 （International Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng)IR） 推出多款堅(jiān)固可靠的650V IRGP47xx器件，藉以擴(kuò)充絕緣柵雙極晶體管 （IGBT） 系列。
2014-10-21 15:27:421975 絕緣柵雙極晶體管（Insulate-Gate Bipolar Transistor—IGBT）綜合了電力晶體管（Giant Transistor—GTR）和電力場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Power MOSFET）的優(yōu)點(diǎn)，具有良好的特性，應(yīng)用領(lǐng)域很廣泛；IGBT也是三端器件：柵極，集電極和發(fā)射極。
2017-11-29 15:39:2115139 
本文將介紹雙極型晶體管的基本結(jié)構(gòu)。雙極晶體管是雙極型結(jié)型晶體管（BJT）的簡(jiǎn)稱(chēng)，在電力半導(dǎo)體中，也稱(chēng)作大功率晶體管（GTR），在現(xiàn)代電力電子變換器中大多已經(jīng)被MOSFET或者IGBT所代替。了解雙極晶體管有助于深入理解現(xiàn)代功率器件的結(jié)構(gòu)。
2018-03-05 16:12:1422939 
等。 在前期高速絕緣柵雙極晶體管（ IGBT）的基礎(chǔ)上提出一種高速集電極溝槽絕緣柵雙極晶體管（ CT-IGBT）。該器件溝槽集電極與漂
2018-04-24 16:12:51
10 據(jù)外媒報(bào)道，最近，日本羅姆半導(dǎo)體公司（ROHM）宣布新增兩款車(chē)用級(jí)1200V耐壓絕緣柵雙極型晶體管（IGBT），此類(lèi)晶體管非常適合用于電子壓縮機(jī)內(nèi)的逆變器，以及正溫度系數(shù)（PTC）加熱器中的開(kāi)關(guān)電路。
2019-05-27 08:41:501492 本期介紹：本期ROHM君想與大家一同學(xué)習(xí)絕緣柵雙極晶體管——IGBT，認(rèn)識(shí)其原理及其應(yīng)用。IGBT是一種功率開(kāi)關(guān)晶體管，它結(jié)合了MOSFET和BJT的優(yōu)點(diǎn)，用于電源和電機(jī)控制電路 該絕緣柵雙極晶體管
2022-12-08 16:01:261314 N溝絕緣柵雙極晶體管JT05N065RED/VED/SED/FED規(guī)格書(shū)免費(fèi)下載。
2022-12-02 10:48:050 N溝絕緣柵雙極晶體管JT010N065SED/CED/FED規(guī)格書(shū)免費(fèi)下載。
2022-12-02 10:49:360 N溝絕緣柵雙極晶體管JT015N065FED規(guī)格書(shū)免費(fèi)下載。
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2022-12-02 10:53:130 N溝絕緣柵雙極晶體管JT040K065WED/AED規(guī)格書(shū)
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2022-12-02 10:55:030 N溝絕緣柵雙極晶體管JT075N065WED規(guī)格書(shū)免費(fèi)下載。
2022-12-02 10:56:112 N溝絕緣柵雙極晶體管JT075N120GPED規(guī)格書(shū)免費(fèi)下載。
2022-12-02 10:57:050 絕緣柵雙極晶體管也簡(jiǎn)稱(chēng)為IGBT ，是傳統(tǒng)雙極結(jié)型晶體管(BJT) 和場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)的交叉體，使其成為理想的半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)器件。
2023-09-06 15:12:291491 
絕緣柵雙極晶體管(IGBTs)簡(jiǎn)史
2023-11-24 14:45:34406 
這是絕緣柵雙極晶體管（IGBT）的實(shí)用指南。您將從實(shí)際的角度學(xué)習(xí)如何使用它——而無(wú)需深入研究它內(nèi)部的物理外觀。IGBT通常被描述為復(fù)雜而先進(jìn)的東西。但是，當(dāng)你剝離物理解釋并開(kāi)始練習(xí)時(shí)，將其放入電路中是很簡(jiǎn)單的。
2024-02-11 10:57:00533 
智能電源和智能感知技術(shù)的領(lǐng)先企業(yè)安森美(onsemi，美國(guó)納斯達(dá)克股票代號(hào)：ON)，宣布推出采用了新的場(chǎng)截止第 7 代 (FS7) 絕緣柵雙極晶體管(IGBT) 技術(shù)的1200V SPM31智能功率模塊 (IPM)。
2024-02-27 11:38:59346
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