功率半導(dǎo)體器件種類眾多，按集成度可分為功率IC、功率模塊和功率分立器件三大類，其中功率分立器件中MOSFET、功率二極管、IGBT占比較大，是最主要的品類。
2020-11-25 16:45:50
2363 電機(jī)控制器的功率模塊，即IGBT器件和續(xù)流二極管，在開(kāi)關(guān)和導(dǎo)通電流會(huì)產(chǎn)生損耗，損失的能量會(huì)轉(zhuǎn)化成熱能，表現(xiàn)為功率模塊發(fā)熱。
2023-07-12 15:53:142509 
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是絕緣柵雙極晶體管的簡(jiǎn)稱，其由雙極結(jié)型晶體管(BJT)和金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)組成，是一種復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式開(kāi)關(guān)功率半導(dǎo)體器件，是實(shí)現(xiàn)電能轉(zhuǎn)換的核心器件，也是目前MOS-雙極型功率器件的主要發(fā)展方向之一。
2023-09-22 16:54:103340 
功率電子器件是PCS的核心組成部分，主要實(shí)現(xiàn)電能的轉(zhuǎn)換和控制。而IGBT就是最為常用的功率器件，今天我們主要來(lái)學(xué)習(xí)IGBT。
2023-11-22 09:42:50514 
我國(guó)擁有著最大的功率半導(dǎo)體市場(chǎng)，國(guó)內(nèi)廠商在IGBT等高端器件在技術(shù)上與國(guó)際大公司相比還有著一些差距。從市場(chǎng)上看，雖然英飛凌、 三菱和富士電機(jī)等國(guó)際廠商目前占有絕對(duì)的市場(chǎng)優(yōu)勢(shì)，但國(guó)內(nèi)IGBT也在國(guó)產(chǎn)進(jìn)程中呈顯出強(qiáng)勢(shì)崛起的姿態(tài)。
2021-10-09 08:00:003151 0前言家用逆變焊機(jī)因其體較小，操作方便，市場(chǎng)接受度逐步提高。因市電220V輸入的特點(diǎn)，一般采用600V/650V規(guī)格的IGBT作為逆變主功率器件。IGBT (Insulated Gate
2014-08-13 09:25:59
IGBT功率模塊是電壓型控制，輸入阻抗大，驅(qū)動(dòng)功率小，控制電路簡(jiǎn)單，開(kāi)關(guān)損耗小，通斷速度快，工作頻率高，元件容量大等優(yōu)點(diǎn)。
2020-03-24 09:01:13
和可靠性，因此。如何選擇斬波電路和斬波器件十分重要。IGBT是近代新發(fā)展起來(lái)的全控型功率半導(dǎo)體器件，它是由MOSFET（場(chǎng)效應(yīng)晶體管）與GTR（大功率達(dá)林頓晶體管）結(jié)合，并由前者擔(dān)任驅(qū)動(dòng)，因此具有
2018-10-17 10:05:39
回顧一下IGBT的工作原理，首先Gate控制MOSFET導(dǎo)通，產(chǎn)生Drain-to-Source的電流，而這個(gè)電流同時(shí)也是BJT的基區(qū)電流(Ib)，而Ib*Rb就是BJT的Vbe，所以只要
2023-02-08 16:50:03
引起機(jī)械、化學(xué)、電氣等方面的問(wèn)題越來(lái)越嚴(yán)重,嚴(yán)重制約著產(chǎn)品的質(zhì)量和可靠性，因此，大功率元器件(IGBT模塊)的散熱問(wèn)題成為當(dāng)前電力電子應(yīng)用領(lǐng)域備受關(guān)注的熱點(diǎn)。 隨著大功率電子原器件的不斷國(guó)產(chǎn)化，隨著研究
2012-06-20 14:58:40
【作者】：王丹;關(guān)艷霞;【來(lái)源】：《電子設(shè)計(jì)工程》2010年02期【摘要】：介紹功率器件的發(fā)展情況,隨后分析比較SJMOSFET與FS-IGBT兩種器件的工作原理及其性能特征,SJMOS-FET具有
2010-04-24 09:01:39
生產(chǎn)成本，縮小封裝體積。目前RC IGBT已成為各大IGBT生產(chǎn)商的研發(fā)熱點(diǎn)。早期的RC IGBT中FRD的性能難以優(yōu)化，只有英飛凌推出小功率的1200V RC IGBT用于對(duì)FRD要求不高的電磁爐
2015-12-24 18:23:36
地使用MOSFET和IGBT，特別是IGBT獲得了更多的使用，開(kāi)始全面取代可控硅來(lái)做為新型的功率控制器件。二.功率電子器件概覽（1）．整流二極管：二極管是功率電子系統(tǒng)中不可或缺的器件，用于整流、續(xù)流等
2018-05-08 10:08:40
現(xiàn)有國(guó)產(chǎn)IGBT免費(fèi)申請(qǐng)送樣，規(guī)格1200V/25A，試用后只需提供試用報(bào)告即可。有需要的請(qǐng)與我聯(lián)系。hyngng@yahoo.com.cn
2011-05-04 10:30:53
現(xiàn)在大家對(duì)國(guó)產(chǎn)IGBT的認(rèn)識(shí)如何？覺(jué)得可以采用嗎？
2014-05-26 09:46:24
世界上量產(chǎn)FPGA的公司有來(lái)自美國(guó)硅谷的四大巨頭Xilinx、Altera、Lattice、Microsemi，以及唯一一家非美國(guó)FPGA公司——京微雅格。作為FPGA俱樂(lè)部的新秀，京微雅格的國(guó)產(chǎn)FPGA發(fā)展之途雖然充滿挑戰(zhàn)，但前途似錦。
2019-10-11 06:44:41
性能。過(guò)流、過(guò)熱和欠壓檢測(cè)是IPM中常見(jiàn)的三種自我保護(hù)功能。在本文中，我們將介紹該技術(shù)的一些基本概念，并了解IPM如何從可用的IGBT器件中獲得最佳性能?！ ?b class="flag-6" style="color: red">功率 BJT、MOSFET 和 IGBT
2023-02-24 15:29:54
1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開(kāi)始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-05-06 09:15:52
，所以被認(rèn)為是一種超越Si極限的功率器件材料。SiC中存在各種多型體（結(jié)晶多系），它們的物性值也各不相同。用于功率器件制作，4H-SiC最為合適
2019-07-23 04:20:21
，功率半導(dǎo)體器件在不斷演進(jìn)。自上世紀(jì)80年代起，功率半導(dǎo)體器件MOSFET、IGBT和功率集成電路逐步成為了主流應(yīng)用類型。其中IGBT經(jīng)歷了器件縱向結(jié)構(gòu)、柵極結(jié)構(gòu)以及硅片加工工藝等7次技術(shù)演進(jìn)，目前可承受
2019-02-26 17:04:37
IGBT(絕緣柵雙極型晶體管），是由 BJT(雙極結(jié)型晶體三極管) 和 MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管) 組成的復(fù)合全控型-電壓驅(qū)動(dòng)式-功率半導(dǎo)體器件,其具有自關(guān)斷的特征。簡(jiǎn)單講，是一個(gè)非通即斷的開(kāi)關(guān)
2019-07-16 07:30:00
作為國(guó)家科技重大專項(xiàng)——智能電網(wǎng)高壓芯片封裝與模塊技術(shù)研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目的中國(guó)北車永濟(jì)電機(jī)公司以其研制的3300V IGBT器件產(chǎn)品，日前中標(biāo)國(guó)家智能電網(wǎng)項(xiàng)目，成為我國(guó)首個(gè)高壓大功率IGBT產(chǎn)品批量
2015-01-30 10:18:37
所在各類半導(dǎo)體功率器件中，未來(lái)增長(zhǎng)強(qiáng)勁的產(chǎn)品將是 MOSFET 與 IGBT 模塊。目前，全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)仍由歐美日企業(yè)主導(dǎo)，其中英飛凌以 19%的市占率占據(jù)絕對(duì)領(lǐng)先地位。全球功率半導(dǎo)體前十名供應(yīng)商
2022-11-11 11:50:23
按照大
功率 igbt 驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路能夠完成的功能來(lái)分類，可以將大
功率 igbt 驅(qū)動(dòng)保護(hù)電 路分為以下三種類型：?jiǎn)我还δ苄?，多功能型，全功能型?/div>
2019-11-07 09:02:20
電力電子技術(shù)在當(dāng)今急需節(jié)能降耗的工業(yè)領(lǐng)域里起到了不可替代的作用;而igbt在諸如變頻器、大功率開(kāi)關(guān)電源等電力電子技術(shù)的能量變換與管理應(yīng)用中，越來(lái)越成為各種主回路的首選功率開(kāi)關(guān)器件，因此如何安全可靠
2021-04-06 14:38:18
電子技術(shù)的能量變換與管理應(yīng)用中，越來(lái)越成為各種主回路的首選功率開(kāi)關(guān)器件，因此如何安全可靠地驅(qū)動(dòng)igbt工作，也成為越來(lái)越多的設(shè)計(jì)工程師面臨需要解決的課題。 在使用igbt構(gòu)成的各種主回路之中，大功率
2012-12-08 12:34:45
大功率開(kāi)關(guān)電源常用元器件知識(shí)之 IGBT和IPM及其應(yīng)用電路資料來(lái)自網(wǎng)絡(luò)資源分享
2021-06-01 18:37:04
測(cè)量和校核開(kāi)關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)以及一些電力電子變換器的功率器件結(jié)溫，如 MOSFET 或 IGBT 的結(jié)溫，是一個(gè)不可或缺的過(guò)程，功率器件的結(jié)溫與其安全性、可靠性直接相關(guān)。測(cè)量功率器件的結(jié)溫常用二種方法：
2021-03-11 07:53:26
尋求國(guó)產(chǎn)器件推薦，工作溫區(qū)在-55～150℃，壓力100kPa～35MPa之間絕壓，表壓都有需求
2022-08-18 10:06:13
電動(dòng)汽車、風(fēng)能/太陽(yáng)能逆變等所需的核心器件。2、IGBT特性簡(jiǎn)介圖 1 功率MOSFET和IGBT結(jié)構(gòu)示意圖IGBT是通過(guò)在功率MOSFET的漏極上追加一層P+層而構(gòu)成的，其理想等效電路如下圖所示：圖 2
2015-12-24 18:13:54
我的IGBT輸出正常，為什么經(jīng)過(guò)了升壓變壓器后就功率衰減很厲害。IGBT輸出有120KW，經(jīng)過(guò)變壓器后僅有60KW，查了很久，都沒(méi)發(fā)現(xiàn)這60KW的功率損耗到了哪里？并且就算是損耗，我認(rèn)為也不會(huì)有器件能承受得這60kw的功率，這種是什么情況呢。阻抗匹配嗎？
2012-08-15 09:36:35
功率器件，如IGBT，Power MOSFET和Bipolar Power Transistor等等，都需要有充分的保護(hù)，以避免如欠壓，缺失飽和，米勒效應(yīng)，過(guò)載，短路等條件所造成的損害。本在線
2018-11-05 15:38:56
本文對(duì)IGBT的功率和熱循環(huán)、材料選型以及電氣特性等問(wèn)題和故障模式進(jìn)行了探討。
2021-05-14 06:52:53
IGBT（Insulated-Gate Bipolar Transistor）是電源應(yīng)用中相當(dāng)常見(jiàn)的器件，可用于交流電的電機(jī)控制輸出。由安森美半導(dǎo)體（ON Semiconductor）所推出
2019-07-18 06:12:00
功率器件包括功率 IC 和功率分立器件，功率分立器件則主要包括功率MOSFET、大功率晶體管和IGBT 等半導(dǎo)體器件，功率器件幾乎用于所有的電子制造業(yè)，所應(yīng)用的產(chǎn)品包括計(jì)算機(jī)領(lǐng)
2009-04-27 17:04:38
24 IGBT和MOSFET器件的隔離驅(qū)動(dòng)技術(shù):介紹了絕緣柵大功率器件各種不同的驅(qū)動(dòng)技術(shù)以及當(dāng)前市場(chǎng)上的各類成品驅(qū)動(dòng)器的性能特點(diǎn)。關(guān)鍵詞院MOSFET IGBT 隔離驅(qū)動(dòng) 光電耦合器 脈沖變壓器
2009-06-20 08:37:4656 IGBT高壓大功率驅(qū)動(dòng)和保護(hù)電路的應(yīng)用及原理
通過(guò)對(duì)功率器件IGBT的工作特性分析、驅(qū)動(dòng)要求和保護(hù)方法等討
2009-10-09 09:56:011851 
絕緣柵雙極晶體管(IGBT),IGBT是什么意思
IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)是MOS結(jié)構(gòu)雙極器件，屬于具有功率MOSFET的高速性能與雙極的低電阻性能的功率器件
2010-03-04 15:54:154927 英飛凌RC-D功率開(kāi)關(guān)器件系列在單一芯片上融合了市場(chǎng)領(lǐng)先的英飛凌專有技術(shù)TrenchSTOP? IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)和續(xù)流二極管，具有很低的開(kāi)關(guān)損耗和傳導(dǎo)損耗，并且減小了永磁電機(jī)驅(qū)
2011-05-31 09:00:421610 《IGBT場(chǎng)效應(yīng)半導(dǎo)體功率器件導(dǎo)論》以新一代半導(dǎo)體功率器件IGBT為主線，系統(tǒng)地論述了場(chǎng)效應(yīng)半導(dǎo)體功率器件的基礎(chǔ)理論和工藝制作方面的知識(shí)，內(nèi)容包括器件的原理、模型、設(shè)計(jì)、制
2011-11-09 18:03:370 功率器件，如IGBT，Power MOSFET和Bipolar Power Transistor等等，都需要有充分的保護(hù)，以避免如欠壓，缺失飽和，米勒效應(yīng)，過(guò)載，短路等條件所造成的損害。這里介紹了為何光耦柵極驅(qū)動(dòng)器能
2012-11-26 14:43:407693 目前國(guó)際功率半導(dǎo)體器件的主流主品功率MOS器件只是近年來(lái)才有所涉及，且主要為平面柵結(jié)構(gòu)的VDMOS器件，IGBT還處于研發(fā)階段。
2017-09-20 17:46:5944 IGBT等功率器件的技巧。 1、如何避免米勒效應(yīng)？ IGBT操作時(shí)所面臨的問(wèn)題之一是米勒效應(yīng)的寄生電容。這種效果是明顯的在0到15V類型的門(mén)極驅(qū)動(dòng)器（單電源驅(qū)動(dòng)器）。門(mén)集-電極之間的耦合，在于IGBT關(guān)斷期間，高dV/dt瞬態(tài)可誘導(dǎo)寄生IGBT道通（門(mén)集電壓尖峰），這是潛在的危險(xiǎn)。 當(dāng)上半橋的I
2017-10-26 16:52:4614 壓接型IGBT器件以其耐受電壓高、電流密度大、控制功率低、開(kāi)關(guān)速度快以及雙面散熱等優(yōu)勢(shì)成為柔性直流輸電系統(tǒng)中換流閥和直流斷路器選用的理想器件。由于應(yīng)用裝備的差異，換流閥和直流斷路器對(duì)于壓接型IGBT
2018-01-05 13:33:260 楊繼業(yè)告訴記者，我國(guó)功率半導(dǎo)體與國(guó)外IDM廠商相比在設(shè)備投入上還有待加強(qiáng)，在器件設(shè)計(jì)、工藝技術(shù)方面仍有差距，供應(yīng)鏈也不夠完善。究其原因，一是作為后進(jìn)者，國(guó)內(nèi)IGBT缺乏時(shí)間考驗(yàn)來(lái)建立品牌效應(yīng);二是
2018-02-19 03:24:006094 總而言之，在IGBT關(guān)鍵技術(shù)和工藝上國(guó)內(nèi)廠商仍面臨不小的挑戰(zhàn)，特別是在減薄工藝、背面工藝等大功率器件技術(shù)難題上，仍要經(jīng)受巨大的設(shè)備投入和技術(shù)成熟度考驗(yàn)。不過(guò)，在政策利好和新能源汽車市場(chǎng)的促進(jìn)下，國(guó)產(chǎn)
2019-10-18 08:39:255140 簡(jiǎn)單講，是一個(gè)非通即斷的開(kāi)關(guān)，IGBT沒(méi)有放大電壓的功能，導(dǎo)通時(shí)可以看做導(dǎo)線，斷開(kāi)時(shí)當(dāng)做開(kāi)路。IGBT融合了BJT和MOSFET的兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，如驅(qū)動(dòng)功率小和飽和壓降低等。
2020-06-05 11:33:1718549 
電力電子器件（Power Electronic Device），又稱為功率半導(dǎo)體器件，用于電能變換和電能控制電路中的大功率（通常指電流為數(shù)十至數(shù)千安，電壓為數(shù)百伏以上）電子器件。可以分為半控型器件
2022-12-08 14:48:341066 簡(jiǎn)單講，是一個(gè)非通即斷的開(kāi)關(guān)，IGBT沒(méi)有放大電壓的功能，導(dǎo)通時(shí)可以看做導(dǎo)線，斷開(kāi)時(shí)當(dāng)做開(kāi)路。IGBT融合了BJT和MOSFET的兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，如驅(qū)動(dòng)功率小和飽和壓降低等。
2020-10-12 17:48:494024 
前言： 隨著全球制造業(yè)向中國(guó)的轉(zhuǎn)移，我國(guó)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)占世界市場(chǎng)的50％以上，是全球最大的IGBT市場(chǎng)。 但IGBT產(chǎn)品嚴(yán)重依賴進(jìn)口，在中高端領(lǐng)域更是90％以上的IGBT器件依賴進(jìn)口，IGBT國(guó)產(chǎn)
2020-10-19 16:56:388939 除了IGBT外，功率半導(dǎo)體元器件（晶體管領(lǐng)域）的代表產(chǎn)品還有MOSFET、BIPOLAR等，它們主要被用作半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)。
2021-05-24 06:07:0013963 
近些年是國(guó)內(nèi)功率半導(dǎo)體器件迅猛發(fā)展的良好時(shí)機(jī)，國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體企業(yè)在MOSFET ，IGBT及SiC等產(chǎn)品領(lǐng)域的優(yōu)秀表現(xiàn)吸引了越來(lái)越多的電力電子產(chǎn)品大廠的關(guān)注和應(yīng)用。絕緣柵雙極型晶體管IGBT
2020-12-04 10:41:494788 隨著智能電網(wǎng)、汽車電氣化等應(yīng)用領(lǐng)域的發(fā)展，功率半導(dǎo)體器件逐漸往高壓、高頻方向發(fā)展，功率分立器件的演進(jìn)路徑基本為二極管→晶閘管→MOSFET→IGBT，其中，IGBT是功率半導(dǎo)體新一代中的典型產(chǎn)品。
2021-03-29 15:27:077347 
IGBT熱阻的研究對(duì)于延長(zhǎng)IGBT的使用壽命和提高其應(yīng)用可靠性具有重要的現(xiàn)實(shí)意義，目前獲取IGBT熱阻參數(shù)的試驗(yàn)方法多為熱敏參數(shù)法，該方法方便簡(jiǎn)潔、對(duì)硬件要求低，但是傳統(tǒng)的熱敏參數(shù)法需要測(cè)量器件
2021-04-29 09:15:084005 
IGBT器件的大功率DCDC電源并聯(lián)技術(shù)(通信電源技術(shù)2019第七期)-該文檔為基于IGBT器件的大功率DCDC電源并聯(lián)技術(shù)總結(jié)文檔，是一份不錯(cuò)的參考資料，感興趣的可以下載看看
2021-09-22 12:39:1950 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/李寧遠(yuǎn)）在上一期中，已經(jīng)提到作為一種功率半導(dǎo)體，IGBT應(yīng)用非常廣泛，小到家電、大到飛機(jī)、艦船、交通、電網(wǎng)等戰(zhàn)略性產(chǎn)業(yè)。IGBT已經(jīng)全面取代了傳統(tǒng)的Power MOSFET
2021-10-12 11:13:212766 據(jù)市場(chǎng)反饋，應(yīng)用于高壓的超結(jié)MOSFET和IGBT需求旺盛，安森美已經(jīng)停止了車用IGBT的接單，英飛凌、ST等IGBT交期超過(guò)了一年。根據(jù)富昌電子2022Q2市場(chǎng)行情報(bào)告，功率器件（MOSFET，IGBT）多數(shù)貨期在30~60周，且仍有上升的趨勢(shì)。
2022-07-28 09:24:443204 ? ? 作為現(xiàn)代產(chǎn)業(yè)發(fā)展的基礎(chǔ)，功率半導(dǎo)體器件在物聯(lián)網(wǎng)、新能源、節(jié)能環(huán)保、智能電網(wǎng)及電機(jī)等各領(lǐng)域廣泛應(yīng)用，國(guó)產(chǎn)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)也迎來(lái)良好的發(fā)展前景和巨大的進(jìn)口替代市場(chǎng)。中微半導(dǎo)（688380.SH
2022-12-06 14:12:54422 功率半導(dǎo)體器件也被稱作電力電子器件或功率器件，它是具有包括變頻、變壓、變流、功率管理等功率管理能力的一種特殊開(kāi)關(guān)。在計(jì)算機(jī)、通信、消費(fèi)電子、新能源、汽車、工業(yè)制造、等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。今天SPEA和大家重點(diǎn)介紹下功率器件中的明星IGBT模塊。
2023-02-02 15:07:35559 功率器件是電子裝置中電能轉(zhuǎn)換與電路控制的核心，主要包含二極管、晶閘管、MOSFET和IGBT等; 其中低頻的二極管、晶閘管主要用于整流，比如晶閘管主要用于直流輸電領(lǐng)域。 MOSFET高頻、功率
2023-02-07 09:52:535904 IGBT在MOSFET基礎(chǔ)上升級(jí)，市場(chǎng)空間增速快。IGBT作為半導(dǎo)體功率器件中的全控器件，由BJT(雙極型三極管)和MOSFET(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)
管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件
2023-02-15 16:26:3234 1700V以下大功率IGBT智能驅(qū)動(dòng)模塊使用手冊(cè) （采用100%國(guó)產(chǎn)化元器件設(shè)計(jì)） 云南拓普科技出品的系列大功率IGBT智能驅(qū)動(dòng)模塊是特別為100%國(guó)產(chǎn)化需求企業(yè)推出的一款可靠、安全的高性能驅(qū)動(dòng)模塊
2023-02-16 15:01:5512 什么是IGBT 所謂IGBT(絕緣柵雙極型晶體管），是由 BJT(雙極結(jié)型晶體三極管) 和 MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管) 組成的復(fù)合全控型-電壓驅(qū)動(dòng)式-功率半導(dǎo)體器件其具有自關(guān)斷的特征。 簡(jiǎn)單
2023-02-22 15:01:420 說(shuō)明：IGBT 功率器件損耗與好多因素相關(guān)，比如工作電流，電壓，驅(qū)動(dòng)電阻。在出設(shè)計(jì)之前評(píng)估電路的損耗有一定的必要性。在確定好功率器件的驅(qū)動(dòng)參數(shù)后（驅(qū)動(dòng)電阻大小，驅(qū)動(dòng)電壓等），開(kāi)關(guān)器件的損耗基本上
2023-02-22 14:05:543 IGBT功率模塊是電壓型控制，輸入阻抗大，驅(qū)動(dòng)功率小，控制電路簡(jiǎn)單，開(kāi)關(guān)損耗小，通斷速度快，工作頻率高，元件容量大等優(yōu)點(diǎn)。實(shí)質(zhì)是個(gè)復(fù)合功率器件，它集雙極型功率晶體管和功率MOSFET的優(yōu)點(diǎn)于一體化。
2023-02-22 15:34:002490 
本測(cè)試設(shè)備可對(duì)大功率IGBT器件進(jìn)行功率循環(huán)耐久性試驗(yàn)，以確認(rèn)IGBT器件承受結(jié)溫波動(dòng)的能力，通過(guò)試驗(yàn)前后各種電參數(shù)變化判斷IGBT器件內(nèi)部制造工藝可靠性及器件的使用壽命，用于研究電力電子
2023-02-23 09:48:244 IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）是電力控制和電力轉(zhuǎn)換的核心器件，是由BJT（雙極型晶體管）和MOS（絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件，具有高輸入阻抗、低導(dǎo)通壓降、高速開(kāi)關(guān)特性和低導(dǎo)通狀態(tài)損耗等特點(diǎn)，在較高頻率的大、中功率應(yīng)用中占據(jù)了主導(dǎo)地位。
2023-03-22 09:37:443448 絕緣柵雙極型晶體管（Insulated Gate Bipolar Transistor，IGBT）是一種復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件，具有高輸入阻抗和低導(dǎo)通壓降的優(yōu)點(diǎn)。
2023-04-15 14:23:581288 IGBT應(yīng)用領(lǐng)域和IGBT燒結(jié)銀工藝自20世紀(jì)80年代末開(kāi)始工業(yè)化應(yīng)用以來(lái)，IGBT發(fā)展迅速，不僅在工業(yè)應(yīng)用中取代了MOS和GTR，還在消費(fèi)類電子應(yīng)用中逐步取代了BJT、MOS等功率器件的眾多
2022-04-13 15:33:13695 
在功率器件中，IGBT模塊備受各行業(yè)青睞，甚至還入選了我國(guó)重大科技專項(xiàng)重點(diǎn)扶持項(xiàng)目。它兼具M(jìn)OSFET(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)及BJT(雙極型三極管)兩類器件優(yōu)勢(shì)，開(kāi)關(guān)速度快、輸入阻抗高、控制功率
2022-09-27 11:36:06972 
IGBT是一種功率器件，在功率逆變器中承擔(dān)功率轉(zhuǎn)換和能量傳輸?shù)墓δ堋Ｋ悄孀兤鞯男呐K。同時(shí)，IGBT也是功率逆變器中最不可靠的元件之一。它對(duì)器件的溫度、電壓和電流非常敏感。稍有超出，就會(huì)變得無(wú)能
2023-03-30 10:29:45992 
）雙極型三極管和絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管（MetalOxideSemiconductor，MOS）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有（Metal-Oxide-Semi
2023-04-20 09:54:432104 
根據(jù)IGBT的產(chǎn)品分類來(lái)看，按照其封裝形式的不同，可分為IGBT分立器件、IPM模塊和IGBT模塊。
2023-07-22 16:09:301502 
森國(guó)科隆重推出IGBT分立器件新品，兼具功率MOSFET易于驅(qū)動(dòng)、控制簡(jiǎn)單、開(kāi)關(guān)頻率高和功率雙極型晶體管(BJT)低飽和壓降、大電流運(yùn)輸能力及低損耗的優(yōu)點(diǎn)。
2023-07-26 17:34:13355 
摘要: 針對(duì)傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)超結(jié) IGBT 器件在大電流應(yīng)用時(shí)的電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)較弱，削弱了 IGBT 器
件低飽和導(dǎo)通壓降優(yōu)點(diǎn)的問(wèn)題，設(shè)計(jì)了 p 柱浮空的超結(jié) IGBT 器件 ( FP-SJ-IGBT
2023-08-08 10:20:000 車用IGBT器件技術(shù)概述
2023-08-08 10:00:312 功率半導(dǎo)體器件在現(xiàn)代電力控制和驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中發(fā)揮著重要作用。IGBT模塊和IPM模塊是其中兩個(gè)最為常見(jiàn)的器件類型。它們都可以用于控制大功率負(fù)載和驅(qū)動(dòng)電機(jī)等應(yīng)用，但是它們的內(nèi)部結(jié)構(gòu)和功能有所不同，那么
2023-09-04 16:10:494677 功率器件IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor的縮寫(xiě)。當(dāng)然功率半導(dǎo)體元件除了IGBT之外，還有MOSFET、BIPOLAR等，這些都能用來(lái)作為半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)，今天單說(shuō)IGBT的工藝流程。
2023-09-07 09:55:521086 
IGBT 屬于功率半導(dǎo)體器件, 在新能源汽車領(lǐng)域, IGBT 作為電子控制系統(tǒng)和直流充電樁的核心器件, 直接影響電動(dòng)汽車的動(dòng)力釋放速度, 車輛加速能力和高速度.
2023-09-14 15:17:04358 IGBT模塊（Insulated Gate Bipolar Transistor Module）是一種集成了多個(gè)IGBT芯片、驅(qū)動(dòng)電路、保護(hù)電路等功能的模塊化電子元件。它是一種用于高功率電力電子設(shè)備中的半導(dǎo)體器件，常用于高壓、高電流的交流/直流變換器、逆變器和直流/直流變換器中。
2023-10-27 11:40:052515 
功率器件分為泛材類器件與IGBT器件兩類，IGBT器件是開(kāi)關(guān)器件，優(yōu)勢(shì)在于體積小、壽命長(zhǎng)、可靠性高，現(xiàn)在市場(chǎng)上使用程度最大的是第4代器件，全球龍頭企業(yè)為英飛凌，其現(xiàn)在的IGBT器件為商業(yè)化的第七代，主要應(yīng)用于乘用車、光伏和風(fēng)電能源領(lǐng)域。
2023-11-08 11:49:33282 igbt芯片、igbt單管、igbt模塊、igbt器件等這些的區(qū)別是什么？ IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一種高壓、高電流功率半導(dǎo)體器件，常被用于
2023-11-10 14:26:281269 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《隔離驅(qū)動(dòng)IGBT等功率器件的技巧.doc》資料免費(fèi)下載
2023-11-14 14:21:590 。 在同期舉辦的2023電源行業(yè)配套品牌頒獎(jiǎng)晚會(huì)上，宏微科技憑借先進(jìn)的技術(shù)實(shí)力和創(chuàng)新的產(chǎn)品能力，榮獲“ 國(guó)產(chǎn)功率器件行業(yè)卓越獎(jiǎng) ”、 “ 功率器件-IGBT行業(yè)優(yōu)秀獎(jiǎng) ” 雙料大獎(jiǎng)。 世紀(jì)電源網(wǎng)是電源行業(yè)有影響力的技術(shù)交流 平 臺(tái)，此次評(píng)選通過(guò)
2023-12-26 20:00:02304 
在第十四屆亞洲電源技術(shù)發(fā)展論壇上，龍騰半導(dǎo)體以其卓越的品質(zhì)、出色的市場(chǎng)表現(xiàn)和技術(shù)創(chuàng)新能力，榮獲了“國(guó)產(chǎn)功率器件行業(yè)卓越獎(jiǎng)”。這一榮譽(yù)不僅是對(duì)龍騰半導(dǎo)體的肯定，更是對(duì)其在推動(dòng)國(guó)產(chǎn)功率器件行業(yè)發(fā)展中的突出貢獻(xiàn)的認(rèn)可。
2024-01-04 15:35:33257 ，硅基IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）和碳化硅（SiC）功率器件是兩種主流的解決方案，它們?cè)谛履茉雌囍杏兄髯元?dú)特的應(yīng)用特點(diǎn)。
2024-01-15 09:51:54518 
IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一種功率半導(dǎo)體器件，結(jié)合了絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）和雙極型晶體管（BJT）的特點(diǎn)。IGBT被廣泛應(yīng)用于電力
2024-01-22 11:14:57273 Field-Effect Transistor）的控制性能，又具有異質(zhì)結(jié)的管子功率特性。IGBT也是一個(gè)開(kāi)關(guān)器件，可以在高電壓和高電流條件下工作，并且被廣泛應(yīng)用于各種電力電子設(shè)備中。 IGBT由三個(gè)主要區(qū)域組成
2024-02-01 13:59:45458 IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）是一種半導(dǎo)體功率器件。它結(jié)合了MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）和雙極型晶體管的特性。
2024-02-06 10:47:041019 IGBT器件的結(jié)構(gòu)和工作原理
2024-02-21 09:41:59288 
IGBT 屬于功率半導(dǎo)體器件, 在新能源汽車領(lǐng)域, IGBT 作為電子控制系統(tǒng)和直流充電樁的核心器件, 直接影響電動(dòng)汽車的動(dòng)力釋放速度,車輛加速能力和高速度.IGBT 功率器件作用新能源汽車應(yīng)用中
2023-12-01 15:48:31
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