Intersil公司（納斯達克全球交易代碼：ISIL）今天宣布，推出具有業(yè)內(nèi)最低壓差的新型超低壓差線性穩(wěn)壓器系列---ISL8011x。
2012-08-01 13:55:04
891 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出具備低導通電阻的AUIRFR4292和AUIRFS6535車用功率MOSFET，適用于汽油和柴油發(fā)動機壓電噴射系統(tǒng)。
2012-08-15 11:25:081422 全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 （International Rectifier，簡稱IR） 近日推出具有超低導通電阻 （RDS（on）） 的 StrongIRFET功率MOSFET系列，適合各種工業(yè)應用，包括電
2012-12-04 22:17:341235 IR近日推出配備IR最新功率MOSFET的300V器件系列，可為各種高效工業(yè)應用提供基準導通電阻 （Rds（on）） ，全新功率MOSFET系列具有極低的導通電阻，有助于提升系統(tǒng)效率，還可讓設計人員在多個MOSFET并聯(lián)使用時減少產(chǎn)品的組件數(shù)量。
2013-01-22 13:27:211206 全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 （International Rectifier，簡稱IR） 宣布推出汽車級COOLiRFET ? MOSFET系列，為重載應用提供基準導通電阻
2013-05-20 15:13:301738 `IR推出一系列新型HEXFET?功率MOSFET,其中包括能夠提供業(yè)界最低導通電阻(RDS(on))的IRFH6200TRPbF。<br/>【關鍵詞】：功率損耗,導通電阻
2010-05-06 08:55:20
. 總所周知，IR不僅是全球功率半導體領先供應商，還是管理方案領先供應商。其推出的AUIRF8736M2 DirectFET2功率MOSFET,采用COOLiRFET硅技術,40V
2018-09-28 15:57:04
國際整流器公司（International Rectifier，簡稱IR）近日推出一款新型60V DirectFET 功率 MOSFET－IRF6648。該器件的最大導通電阻為7.0 mΩ(VGS
2018-11-26 16:09:23
NCP45521的典型（熱插拔）電路是一種負載開關，可通過軟啟動為浪涌電流限制提供高效電源域切換的元件和面積減少解決方案。除了具有超低導通電阻的集成控制功能外，這些器件還通過故障保護和電源良好信號提供系統(tǒng)保護和監(jiān)控
2020-04-17 10:09:17
實現(xiàn)直接控制·低導通電阻RDS（ON），典型值為150mΩ（VIN = 5V、ID = 0.5A、Tj = 25°C）·表面貼裝，SOP-J8封裝·已通過AEC-Q100認證（等級1）BM2LB150FJ-C低側(cè)開關IC應用領域·驅(qū)動電阻·電感負載·電容負載
2019-04-29 05:23:26
MOS做開關，導通電壓2-4V，SOT23封裝，符合這樣條件的MOS管有沒有？平時電路設計時找電子元件一般在什么地方找？新手求解？
2020-05-14 22:13:42
`浪拓電子微型表面貼裝三端子氣體放電管（GDT）B3DL-C系列產(chǎn)品，用于保護敏感型電子設備，免受中低強度的雷擊感應浪涌和其他電壓瞬變的侵害。B3DL-C系列微型SMT GDT直徑為5.0mm，屬于
2017-12-25 16:54:44
又適應編帶包裝； 具有電性能以及機械性能的互換性； 耐焊接熱應符合相應的規(guī)定。 表面貼裝元件的種類： 無源元件SMC泛指無源表面安裝元件總稱、單片陶瓷電容、鉭電容、厚膜電阻器、薄膜電阻器、軸式電阻
2021-05-28 08:01:42
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表面貼裝印制板的設計技巧在確定表面貼裝印制板的外形、焊盤圖形以及布線方式時應充分考慮電路板組裝的類型、貼裝方式、貼片精度
2013-10-15 11:04:11
在確定表面貼裝印制板的外形、焊盤圖形以及布線方式時應充分考慮電路板組裝的類型、貼裝方式、貼片精度和焊接工藝等。只有這樣，才能保證焊接質(zhì)量，提高功能模塊的可靠性。表面貼裝技術（SMT)和通孔插裝技術
2018-09-14 16:32:15
表面貼裝印制板的設計技巧有哪些？
2021-04-25 06:13:10
光學傳感器實物圖值得一提的是，RPI-1035具有超低的體積，封裝體積均為3.9mm*3.9mm*2.4mm，可用于對體積有嚴格要求的緊湊型應用場合。RPI-1035表面貼裝式4方向檢測光學傳感器
2019-04-09 06:20:22
`表面貼裝的GDT有范圍很寬的各種尺寸和浪涌電壓額定值的產(chǎn)品，用于保護高速xDSL調(diào)制解調(diào)器、分路器、DSLAM設備、AIO打印機、基站以及安防系統(tǒng)，防止過電壓造成損壞。新型表面貼裝GDT產(chǎn)品不僅
2013-10-12 16:43:05
日前，Vishay Intertechnology, Inc.）宣布，推出通過AEC-Q101認證的TCPT1300X01和TCUT1300X01表面貼裝透射式(斷續(xù)式)光電傳感器，可用于汽車市場
2019-09-02 07:02:22
。但是在工業(yè)系統(tǒng)迄今很少有其他工藝要求可以與SMT中的貼裝技術相比。貼裝對象（SMC／SMD）的幾何尺寸和形狀、表面性質(zhì)和重量的范圍，貼裝速度及貼裝準確度的要求，與其工作原理相比是天壤之別。貼裝元器件
2018-09-05 16:40:48
`AP15N10 N溝道100V（D-S）MOSFET一般說明AP15N10是N通道邏輯增強型電源場效應晶體管是使用高單元密度的DMOS來生產(chǎn)的溝槽技術。這種高密度工藝特別適合于最小化導通電阻。這些
2021-07-01 09:54:05
`AP15N10 N溝道100V（D-S）MOSFET一般說明AP15N10是N通道邏輯增強型電源場效應晶體管是使用高單元密度的DMOS來生產(chǎn)的溝槽技術。這種高密度工藝特別適合于最小化導通電阻。這些
2021-07-13 09:16:34
超級結(jié)MOSFET是與平面MOSFET相比，導通電阻和柵極電荷（Qg）顯著降低的MOSFET。ROHM的600V超級結(jié)MOSFET具有高速、低噪聲、高效率的特性，并已擴展為系列化產(chǎn)品，現(xiàn)已發(fā)展到
2018-12-05 10:00:15
LM317高壓穩(wěn)壓電源輸入100V輸出75V資料分享
2021-05-11 07:35:22
大，而MOSFET的導通電阻大，卻有著驅(qū)動電流小的優(yōu)點。IGBT正是結(jié)合了這兩者的優(yōu)點：不僅驅(qū)動電流小，導通電阻也很低?！ ?b class="flag-6" style="color: red">具有四個交替層（P-N-P-N）的IGBT由不具有再生作用的金屬氧化物半導體
2020-07-07 08:40:25
的設計而言，它大幅降低了MOSFET導通電阻，并保持了出色的開關性能。 英飛凌推出的OptiMOS 3系列進一步改進了設計，使更高電壓等級的器件能夠受益于這種技術。在150 V 至250 V的電壓
2018-12-07 10:21:41
MAX=125℃；θJC≈100℃/W。 5.計算采用SO-8封裝的參數(shù)： PD=[14V-5V]×150mA+(14V×8mA)=1.46W； 升高的溫度=125℃-50℃=75℃； 熱阻θJA
2018-11-26 11:06:13
地提升小封裝尺寸內(nèi)的電流處理能力，同時有助于器件冷卻，并提高器件可靠性?！ ‘斀竦墓β?b class="flag-6" style="color: red">MOSFET封裝 采用Power SO8封裝的MOSFET通常用在電信行業(yè)輸入電壓范圍從36V至75V的工業(yè)標準1
2018-09-12 15:14:20
，ROHM還會面向要求更高耐壓的工業(yè)設備開發(fā)100V和150V耐壓產(chǎn)品，以擴大本系列產(chǎn)品的陣容，通過降低各種應用的功耗和實現(xiàn)其小型化來助力解決環(huán)境保護等社會問題。新產(chǎn)品特點1、實現(xiàn)業(yè)界超低導通電阻在
2021-07-14 15:17:34
公司也有生產(chǎn)，但是ROHM在推進獨自開發(fā)。此次內(nèi)置的SJ MOSFET不僅實現(xiàn)了650V的高耐壓，還實現(xiàn)了低導通電阻與低柵極電荷，開關速度也非?？臁＿@將大大改善開關即MOSFET的導通損耗與開關損耗。這
2019-04-29 01:41:22
浪拓電子表面貼裝的GDT有范圍很寬的各種尺寸和浪涌電壓額定值的產(chǎn)品，用于保護高速xDSL調(diào)制解調(diào)器、分路器、DSLAM設備、AIO打印機、基站以及安防系統(tǒng)，防止過電壓造成損壞。 表面貼裝GDT產(chǎn)品
2014-04-17 09:05:38
表面貼裝方法分類 根據(jù)SMT的工藝制程不同，把SMT分為點膠制程（波峰焊）和錫膏制程（回流焊）。它們的主要區(qū)別為： 貼片前的工藝不同，前者使用貼片膠，后者使用焊錫膠。貼片后的工藝不同，前者過回流爐只
2016-05-24 15:59:16
專門的溝槽式柵極結(jié)構(gòu)（即柵極是在芯片表面構(gòu)建的一個凹槽的側(cè)壁上成形的），與平面式SiC MOSFET產(chǎn)品相比，輸入電容減小了35%，導通電阻減小了50%，性能更優(yōu)異。圖4 SCT3030KL的內(nèi)部電路
2019-07-09 04:20:19
電阻低，通道電阻高，因此具有驅(qū)動電壓即柵極－源極間電壓Vgs越高導通電阻越低的特性。下圖表示SiC-MOSFET的導通電阻與Vgs的關系。導通電阻從Vgs為20V左右開始變化（下降）逐漸減少，接近
2018-11-30 11:34:24
度的漂移層實現(xiàn)高耐壓?！ ∫虼耍谙嗤哪蛪褐登闆r下，SiC可以得到標準化導通電阻（單位面積導通電阻）更低的器件?！ ±?00V時，SiC-MOSFET的芯片尺寸只需要Si-MOSFET的35分之1
2023-02-07 16:40:49
情況下，SiC可以得到標準化導通電阻（單位面積導通電阻）更低的器件。例如900V時，SiC-MOSFET的芯片尺寸只需要Si-MOSFET的35分之1、SJ-MOSFET的10分之1，就可以實現(xiàn)相同
2019-04-09 04:58:00
情況下，SiC可以得到標準化導通電阻（單位面積導通電阻）更低的器件。例如900V時，SiC-MOSFET的芯片尺寸只需要Si-MOSFET的35分之1、SJ-MOSFET的10分之1，就可以實現(xiàn)相同
2019-05-07 06:21:55
Vishay推出新型VSMP0603超高精度Bulk Metal Z箔 (BMZF) 卷型表面貼裝電阻。該器件是率先采用 0603 芯片尺寸的產(chǎn)品，當溫度范圍在 -55℃至
2008-09-26 13:42:57
日前，Vishay公司宣布其IHLP表面貼裝電感器系列(IHLP-5050FD-01)已增添了四個最新產(chǎn)品。此系列電感器的標準電感值范圍介于0.10μH～10.0μH，典型DCR電感值低至
2018-10-24 11:33:47
表面安裝技術，英文稱之為“Surface Mount Technology”,簡稱SMT，它是將表面貼裝元器件貼、焊到印制電路板表面規(guī)定位置上的電路裝聯(lián)技術，所用的負責制電路板無無原則鉆孔
2018-11-26 11:00:25
第一類 只有表面貼裝的單面裝配 工序: 絲印錫膏=>貼裝元件=>回流焊接 TYPE IB 只有表面貼裝的雙面裝配 工序: 絲印錫膏=>貼裝元件=>回流焊
2018-11-26 17:04:00
電氣技師和電子制造工程師用接地導通電阻測試儀驗證電器和消費產(chǎn)品（由交流電壓供電）上的裸露金屬是否適當?shù)剡B接到了其機殼底座。當電器內(nèi)部發(fā)生故障電流時，如果電器沒有適當?shù)剡B接到已接地的機殼底座，就存在
2017-09-30 09:38:49
描述此參考設計可從 36V 至 75V 電信輸入生成 5V/15A 輸出。UCC2897A 可控制有源鉗位正向轉(zhuǎn)換器功率級。CSD17501Q5A 和 CSD18502Q5B 的低柵極和低導通電阻
2018-11-21 14:57:50
?！D2 SnAgCu元件移除溫度曲線 對于錫鉛裝配，具有“實際意義”的元件重新貼裝溫度曲線可以描述如下，如圖3所示?！ ず更c回流溫度212℃； ·元件表面溫度240℃； ·上表面加熱器溫度
2018-11-22 11:04:18
電源型產(chǎn)品，皆有提供。 BD9E100FJ-LB、BD9E101FJ-LB是ROHM推出的內(nèi)置低導通電阻功率MOSFET的同步整流降壓型開關穩(wěn)壓器，具有非常寬的輸入電壓范圍。采用電流控制模式，具有高速
2019-04-01 22:19:17
需要具備非常先進的技術能力才能實現(xiàn)。此外，內(nèi)置MOSFET的導通電阻很低，僅為150mΩ，有利于提高效率?！ D9G341AEFJ的轉(zhuǎn)換方式是被稱為“二極管整流”或“異步整流”的降壓方式。高邊
2018-10-19 16:47:06
非常先進的技術能力才能實現(xiàn)。此外，內(nèi)置MOSFET的導通電阻很低，僅為150mΩ，有利于提高效率。BD9G341AEFJ的轉(zhuǎn)換方式是被稱為“二極管整流”或“異步整流”的降壓方式。高邊MOSFET為內(nèi)置
2018-12-04 10:10:43
表面貼裝技術(SMT)和通孔插裝技術(THT)的PCB板設計規(guī)范大不相同。SMT工藝對PCB板的要求非常高,PCB板的設計直接影響焊接質(zhì)量。在確定表面貼裝PCB板的外形、焊盤圖形以及布線方式時應
2012-10-23 10:39:25
型區(qū)。在功率MOSFET的內(nèi)部，由許多這樣的單元，也稱“晶胞”，并聯(lián)而成。硅片的面積越大，所能加工的單元越多，器件的導通電阻越小，能夠通過的電流就越大；同樣，在單位的面積的硅片上，能夠加工的晶胞越多
2016-10-10 10:58:30
裝各種元器件甚至最新的IC封裝和片式元件，因而在科研工作和企業(yè)的產(chǎn)品研發(fā)試制中具有不可或缺的作用。一部分企業(yè)針對這種需求新開發(fā)的貼裝機構(gòu)具有很高的精確度和元器件適應能力，同樣屬于高科技產(chǎn)品?！ D是用于產(chǎn)品研發(fā)、實驗室和科研的半自動貼裝設各?！ D 用于產(chǎn)品研發(fā)、實驗室和科研的半自動貼裝設備
2018-09-05 16:40:46
DN77- 單個LTC1149提供3.3V和5V表面貼裝
2019-07-30 11:16:24
的需求，在中國構(gòu)建了與羅姆日本同樣的集開發(fā)、生產(chǎn)、銷售于一體的一條龍體制。ROHM公司推出了兩款表面貼裝肖特基勢壘二極管RB051LAM-40和RB081LAM-20，兩者二極管的反向電壓都為20V，正向
2019-04-17 23:45:03
描述 此參考設計可從 36V 至 75V 電信輸入生成 5V/15A 輸出。UCC2897A 可控制有源鉗位正向轉(zhuǎn)換器功率級。CSD17501Q5A 和 CSD18502Q5B 的低柵極和低導通電阻
2022-09-20 07:45:51
電源中廣泛使用耐壓1000V以上的Si-MOSFET。然而，超過1000V的高耐壓Si-MOSFET的導通電阻大，必須處理導通損耗帶來的發(fā)熱問題。SCT2H12NZ就是為解決這類工業(yè)設備輔助電源的課題而
2018-12-05 10:01:25
浪拓電子 BA201系列氣體放電管采用微型封裝，具有高額定浪涌。 專為小尺寸（4.5x3.2x2.7mm）的PCB表面貼裝而設計。 插入損失低，尤其適用于寬帶設備。電容不隨電壓而改變，不會給不希望
2014-03-03 14:52:43
”這個參數(shù)的影響。下面以“升降壓轉(zhuǎn)換器的傳遞函數(shù)導出示例 其2”的ton≠ton’ 的升降壓轉(zhuǎn)換器為基礎，按照同樣步驟來推導。右側(cè)電路圖在上次給出的升降壓轉(zhuǎn)換器簡圖上標出了作為開關的MOSFET的導通電阻
2018-11-30 11:48:22
表面貼連接器無疑提供了許多優(yōu)點，包括減少組裝成本、提供雙倍的密度和改善高速性能的完整性。但是，表面貼連接器同時也包含一些已經(jīng)被認知的缺點-從可靠性問題(如連接器自電路板上脫落)到共面性所導致
2018-11-22 15:43:20
日前，Vishay公司宣布推出新型VFCD1505表面貼裝倒裝芯片分壓器。當溫度范圍在0°C至+60°C以及55°C至+125°C(參考溫度為+25°C)時，該分壓器將±0.05ppm/°C
2018-08-30 16:22:34
逐年下降。然而， 傳統(tǒng)的熱釋電紅外傳感器只針對鉛型手工焊接貼裝，成了自動化的瓶頸。 這次的研制品，適應了這些市場需求，有利于自動化而引起的成本降低，以及矮板設備的小型化、薄型化。 通過表面貼裝化
2018-11-19 16:48:31
` ?。?）不同耐壓的MOS管的導通電阻分布。不同耐壓的MOS管，其導通電阻中各部分電阻比例分布也不同。如耐壓30V的MOS管，其外延層電阻僅為總導通電阻的29%，耐壓600V的MOS管的外延層電阻
2018-11-01 15:01:12
溝道MOSFET工作。這款N溝道MOSFET在VIN接近0V時支持超過2A的連續(xù)電流，并具有超低導通電阻，可最大限度地降低功耗
2020-04-21 10:02:39
組成。印制線路板PWB(Printed Wire Board)是含有線路和焊盤的單面或雙面多層材料。表面貼裝元器件包括表面貼裝元件和表面貼裝器件兩大類。其中表面貼裝元件是指各種片狀無源元件，如電阻
2018-09-14 11:27:37
Toshiba研發(fā)出一種SiC金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET)，其將嵌入式肖特基勢壘二極管（SBD）排列成格子花紋（check-pattern embedded SBD），以降低導通電阻
2023-04-11 15:29:18
DN58- 簡單的表面貼裝閃存Vpp發(fā)生器
2019-07-04 10:12:40
40V的MOSFET的通態(tài)電阻降低了40%，而阻斷電壓為60V的MOSFET的通態(tài)電阻降幅甚至達到48%以上。 迄今為止，英飛凌是全球首家推出采用SuperSO8封裝、最大通態(tài)電阻不足1毫歐的40V
2018-12-06 09:46:29
平面式高壓MOSFET的結(jié)構(gòu)圖1顯示了一種傳統(tǒng)平面式高壓MOSFET的簡單結(jié)構(gòu)。平面式MOSFET通常具有高單位芯片面積漏源導通電阻，并伴隨相對更高的漏源電阻。使用高單元密度和大管芯尺寸可實現(xiàn)較低
2018-10-17 16:43:26
`AP15N10 N溝道100V（D-S）MOSFET一般說明AP15N10是N通道邏輯增強型電源場效應晶體管是使用高單元密度的DMOS來生產(chǎn)的溝槽技術。這種高密度工藝特別適合于最小化導通電阻。這些
2021-07-08 09:35:56
使用COOLMOS技術的MOSFET?！ ?b class="flag-6" style="color: red">IR公司也推出了SUPPER220，SUPPER247封裝的超級MOSFET，額定電流分別為35A，59A，導通電阻分別為 0.082Ω，0.045Ω，150
2023-02-27 11:52:38
%。特性方面的定位是標準特性。低噪聲SJ-MOSFET：EN系列SJ-MOSFET具有“導通電阻低，開關速度快”的特征，但存在其高速性導致噪聲比平面型大的課題。為改善這個問題開發(fā)了EN系列。該系列產(chǎn)品融合了
2018-12-03 14:27:05
PS22920YZPR，具有受控接通功能的超低導通電阻，4A 集成負載開關 特性 說明 ? 輸入電壓范圍：0.75V 至 3.6V TPS22920L 是一款小型
2023-02-08 23:30:53
IR推出150V和200V MOSFET 具有極低的閘電荷
國際整流器公司（International Rectifier，簡稱IR） 推出一系列150V和200V HEXFET功率MOSFET，為開
2009-08-18 12:00:511176 IR推出75V低側(cè)智能功率開關，適用于嚴苛的24V汽車環(huán)境
國際整流器公司(International Rectifier，簡稱IR)推出AUIPS2051L和AUIPS2052G 75V低側(cè)智能功率開關(IPS) ，適用于嚴苛的24V汽
2009-11-04 08:50:54671 TI 推出具備最低導通電阻的完全整合型負載開關
TI 宣布推出一
2010-01-08 17:36:28846 TI推出具有同步MOSFET控制輸出的全新環(huán)保型相移全橋控制器
日前，德州儀器 (TI) 宣布推出一款具備同步 MOSFET 控制輸出與輕負載電源管理功能的相移全橋 PWM 控制器 UCC289
2010-03-01 08:39:27848 IR推出一系列新型HEXFET功率MOSFET
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出一系列新型HEXFET® 功率MOSFET，其中包括能夠提供業(yè)界最低導通電阻 (RDS(on)) 的IRFH620
2010-03-12 10:28:391444 IR智能電源開關為24V汽車應用提供超低導通電阻
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR)推出 AUIPS7111S 高側(cè)智能電源開關。該產(chǎn)品具有超低的導
2010-03-19 09:14:551003 IR推出智能電源開關AUIPS7111S
IR推出AUIPS7111S 高側(cè)智能電源開關。該產(chǎn)品具有超低的導通電阻（RDS(on)），適用于卡車引擎罩接線盒等嚴苛的 24V 汽車環(huán)
2010-03-22 12:16:321289 導通電阻,導通電阻的結(jié)構(gòu)和作用是什么?
傳統(tǒng)模擬開關的結(jié)構(gòu)如圖1所示，它由N溝道MOSFET與P溝道MOSFET并聯(lián)構(gòu)成，可使正負信號傳輸，如果將不同VI
2010-03-23 09:27:474912 IR推出汽車專用MOSFET系列低導通電阻
全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出首款汽車專用 MOSFET 系
2010-04-09 11:50:32746 IR推出二款DirectFET MOSFET芯片組
國際整流器公司(International Rectifier，簡稱IR) 推出 IRF6706S2PbF 和 IRF6798MPbF DirectFET MOSFET 芯片組，為 12V 輸入同步降壓應用 (包括服務器、臺
2010-04-20 10:24:32900 
全球功率半導體和管理方案領導廠商國際整流器公司 (InternaTIonal Rectifier) 推出全新HEXFET功率MOSFET系列。該器件采用業(yè)界標準SOT-23封裝，具有超低導通電阻 (RDS(on)) ，適用于電池充電
2010-07-22 09:29:411162 IR)推出新系列-30 V器件，采用 IR最新的SO-8封裝 P 溝道 MOSFET硅組件，適用于電池充電和放電開關，以及直流應用的系統(tǒng)/負載開關。新款 P 溝道器件的導通電阻 (RDS (on)) 為 4.6 mΩ至59
2010-09-15 18:11:341531 飛兆半導體推出了導通電阻RDS(ON)小于1mΩ的30V MOSFET，這款全新飛兆半導體器件FDMS7650是最大RDS(ON)值為0.99mΩ (VGS = 10 V, ID = 36A)的N溝道器件，它是業(yè)界采用5×6mm POWER56封裝且RDS(ON)
2010-12-29 09:09:391534 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR)近日推出新的車用MOSFET系列，適合要求低導通電阻的一系列應用，包括傳統(tǒng)內(nèi)燃機 (ICE) 平臺以及微型和混合動力汽車平臺上的重載應用。
2011-07-12 08:40:54966 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 近日推出車用 MOSFET 系列，可為一系列應用提供基準導通電阻 (Rds(on)) ，包括電動助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng) (EPS) 、集成式起動發(fā)電機 (ISA) 泵和電機控制
2011-09-15 09:27:391312 瑞薩電子宣布推出新款低導通電阻MOSFET產(chǎn)品，包括經(jīng)過最佳化的μPA2766T1A，做為網(wǎng)路伺服器與儲存系統(tǒng)之電源供應器內(nèi)的ORing FET使用。
2013-03-06 09:50:10938 日前，Vishay宣布，推出具有業(yè)內(nèi)最低導通電阻的新款P溝道MOSFET---Si7157DP，擴充其TrenchFET? P溝道Gen III功率MOSFET。Vishay Siliconix
2014-01-22 10:33:221381 一種超低比導通電阻的L型柵漏極LDMOS_石琴
2017-01-07 22:14:03
4 MOSFET的導通電阻
2018-08-14 00:12:0012629 安森美半導體NTBG020N090SC1 SiC MOSFET是一款使用全新的技術碳化硅 （SiC） MOSFET，它具有出色的開關性能和更高的可靠性。此外，該SiC MOSFET具有低導通電阻
2020-06-15 14:19:403728 東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)近日宣布，推出新款功率器件---第三代碳化硅(SiC)MOSFET[1][2]“TWxxNxxxC系列”。該系列具有低導通電阻，可顯著降低開關損耗。該系列10款產(chǎn)品包括5款1200V產(chǎn)品和5款650V產(chǎn)品，現(xiàn)已開始出貨。
2022-09-01 15:37:53479 ROHM開發(fā)出具有絕緣構(gòu)造、小尺寸且超低功耗的MOSFET
2022-12-18 17:08:49626 
ROHM | 開發(fā)出具有業(yè)界超低導通電阻的Nch MOSFET
2023-05-03 11:31:44372 
新產(chǎn)品不僅利用微細化工藝提高了器件性能，還通過采用低阻值銅夾片連接的HSOP8封裝和HSMT8封裝，實現(xiàn)了僅2.1mΩ的業(yè)界超低導通電阻（Ron）*2，相比以往產(chǎn)品，導通電阻降低了50%。
2023-05-10 14:20:06215 
列產(chǎn)品的參考資料，助力您快速了解產(chǎn)品各項信息。 點擊下載產(chǎn)品參考資料 與Pch MOSFET相比，由于Nch MOSFET具有更低的導通電阻，并且在各種電路中具有更出色的易用性，因而目前在市場上更受歡迎
2023-05-17 13:35:02471 
兩者因為其柵極都是在外延表面生長出來的平面結(jié)構(gòu)所以都統(tǒng)稱為平面柵MOSFET。還有另外一種結(jié)構(gòu)是把柵極構(gòu)建在結(jié)構(gòu)內(nèi)部，挖出來的溝槽里面，叫做溝槽型MOSFET。針對兩種不同的結(jié)構(gòu)，對其導通電阻的構(gòu)成進行簡單的分析介紹。
2023-06-25 17:19:021451 
的工作效率。在這些應用中，中等耐壓的MOSFET被廣泛應用于各種電 路中，制造商要求進一步降低功耗。另一方面，“導通電阻
2023-11-20 01:30:56189 近日，昕感科技在新能源領域取得重大突破，推出了一款具有業(yè)界領先超低導通電阻的SiC MOSFET器件新產(chǎn)品（N2M120007PP0）。該產(chǎn)品的導通電阻達到了驚人的7mΩ，電壓規(guī)格為1200V，將為新能源領域提供更為高效、可靠的功率半導體開關解決方案。
2024-01-04 14:37:57316
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