Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，發(fā)布業(yè)內(nèi)首款包含可變電阻和內(nèi)置旋鈕開(kāi)關(guān)的新型面板式電位計(jì)---P16S
2012-06-04 13:56:27
1028 Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，推出新款8V N溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiA436DJ。
2012-06-28 12:50:441092 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出業(yè)界首款采用3.3mm x 3.3mm封裝以實(shí)現(xiàn)在4.5V柵極驅(qū)動(dòng)下4.8mΩ最大導(dǎo)通電阻的20V P溝道MOSFET---Si7655DN。
2012-11-28 21:17:401439 Vishay具有業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻的新款12V和20V 的N溝道和P溝道TrenchFET?功率MOSFET。采用業(yè)內(nèi)最小0.8mm x 0.8mm x 0.4mm MICRO FOOT?封裝的CSP規(guī)格尺寸
2012-11-29 16:37:311694 日前，Vishay Intertechnology為滿(mǎn)足爆破的苛刻要求，推出新型大尺寸電爆破點(diǎn)火片式 （MEPIC） 電阻，通過(guò)焦耳效應(yīng)或閃光點(diǎn)火，使點(diǎn)火時(shí)間縮短到250μs以下。器件基于汽車(chē)行業(yè)
2013-02-25 13:50:51729 ? 1、超級(jí)結(jié)構(gòu) 高壓功率MOSFET管早期主要為平面型結(jié)構(gòu)，采用厚低摻雜的N-外延層epi，保證器件具有足夠擊穿電壓，低摻雜N-外延層epi尺寸越厚，耐壓額定值越大，但是，導(dǎo)通電阻隨電壓
2023-10-07 09:57:362774 
日前發(fā)布的MOSFET導(dǎo)通電阻比市場(chǎng)上排名第二的產(chǎn)品低43%，降低壓降并減小傳導(dǎo)損耗，從而實(shí)現(xiàn)更高功率密度。
2020-08-17 11:53:14846 電源管理系統(tǒng)要實(shí)現(xiàn)高能源轉(zhuǎn)換效率、完善可靠的故障保護(hù)，離不開(kāi)高性能的開(kāi)關(guān)器件。近日，豪威集團(tuán)全新推出兩款MOSFET：業(yè)內(nèi)最低內(nèi)阻雙N溝道MOSFET WNMD2196A和SGT 80V N溝道
2022-06-28 11:01:01750 
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高電壓功率MOSFET，根據(jù)P&S的超結(jié)原理。報(bào)價(jià)設(shè)備提供了快速切換的所有好處并且導(dǎo)通電阻低，使其特別適用于需要更多高效，更緊湊，LED照明，高
性能適配器等。
2023-09-15 08:16:02
Ω@VGS=2..5V-極低導(dǎo)通電阻RDS（開(kāi)）-低CRSS-快速切換-100%雪崩測(cè)試-提高dv/dt能力。應(yīng)用：PWM應(yīng)用,負(fù)載開(kāi)關(guān),電源管理。售后服務(wù)：公司免費(fèi)提供樣品，并提供產(chǎn)品運(yùn)用的技術(shù)支持
2021-03-30 14:22:40
海飛樂(lè)技術(shù)20V MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管現(xiàn)貨選型Voltage (V)Current (A)Rdson (Ohm)Package用途TYPMAX202.845m60mSOT-23小電流開(kāi)關(guān)用
2020-03-03 17:36:16
在20V電壓之間利用電阻分壓的方法通過(guò)STM32可以測(cè)得電壓，現(xiàn)在需要通過(guò)STM32來(lái)控制測(cè)得電壓的值，例如通過(guò)STM32來(lái)控制數(shù)字電位器來(lái)改變電阻值。從而改變測(cè)得的電壓值，但是20V電壓太大，數(shù)字電位器沒(méi)法用，求大神指點(diǎn)更好的方法。
2015-07-26 09:58:10
20V轉(zhuǎn)5V，20V轉(zhuǎn)3.3V，20V轉(zhuǎn)3V，20V轉(zhuǎn)1.8V，20V轉(zhuǎn)5V降壓芯片，20V轉(zhuǎn)3.3V降壓芯片，20V轉(zhuǎn)3V降壓芯片，20V轉(zhuǎn)1.8V。 20V我們常常需要轉(zhuǎn)3.3V或者5V輸出穩(wěn)壓
2020-10-15 17:10:55
。問(wèn)題4：PWM芯片的供電電壓為5V，去驅(qū)動(dòng)通用驅(qū)動(dòng)電壓的功率MOSFET，有什么問(wèn)題？問(wèn)題分析：檢查數(shù)據(jù)表中不同的VGS的導(dǎo)通電阻，發(fā)現(xiàn)對(duì)應(yīng)的導(dǎo)通電阻變大，因此功率MOSFET的損耗將增加，溫度升高，同時(shí)系統(tǒng)的效率降低。極端情況下在低溫的時(shí)候，一些VTH偏上限的器件可能不能正常開(kāi)通。
2016-12-21 11:39:07
汽車(chē)級(jí)電阻，節(jié)省電路板空間，工作電壓為450 V，公差± 0.1 %，TCR低至± 10 ppm/K Vishay 推出0805外形尺寸小型器件，擴(kuò)充其TNPV e3系列汽車(chē)級(jí)高壓薄膜扁平片式
2022-03-30 13:58:54
芯片級(jí)維修資料分享（一）關(guān)于臺(tái)式機(jī)主板維修分享
2019-08-28 14:47:21
超級(jí)結(jié)MOSFET是與平面MOSFET相比，導(dǎo)通電阻和柵極電荷（Qg）顯著降低的MOSFET。ROHM的600V超級(jí)結(jié)MOSFET具有高速、低噪聲、高效率的特性，并已擴(kuò)展為系列化產(chǎn)品，現(xiàn)已發(fā)展到
2018-12-05 10:00:15
FP6102 20V、3A降壓開(kāi)關(guān)調(diào)節(jié)器芯片
一般說(shuō)明
FP6102是一種用于廣泛工作電壓應(yīng)用領(lǐng)域的降壓開(kāi)關(guān)調(diào)節(jié)器。FP6102包括高電流P-MOSFET，用于將輸出電壓與反饋放大器進(jìn)行比較
2023-09-19 14:36:57
20V。該芯片集成了兩個(gè)低導(dǎo)通電阻的功率MOSFET：一個(gè)11m?開(kāi)關(guān)FET和一個(gè)13m?整流器FET，使用具有集成斜坡補(bǔ)償功能的固定頻率峰值電流模式控制。HT7178 PFM,PWM兩種模式可選
2018-05-28 11:31:45
AUIRF8736M2與上一代設(shè)備相比，導(dǎo)通電阻（Rds（on））改善了40%,從而可以將傳導(dǎo)損耗降到最低。 性能特點(diǎn)： ●COOLiRFET硅技術(shù) ●實(shí)現(xiàn)傳導(dǎo)損耗最低 ●系統(tǒng)尺寸減小 ●成本降低 ●采用
2018-09-28 15:57:04
`IR推出一系列新型HEXFET?功率MOSFET,其中包括能夠提供業(yè)界最低導(dǎo)通電阻(RDS(on))的IRFH6200TRPbF。<br/>【關(guān)鍵詞】：功率損耗,導(dǎo)通電阻
2010-05-06 08:55:20
的輸入信號(hào)兼容 CMOS 和 LSTTL 電平，最低可到 3.3V。輸出級(jí)可以提供較高的峰值電流驅(qū)動(dòng)，讓交叉導(dǎo)通時(shí)間減到最小。輸出級(jí)的傳輸延時(shí)做了匹配，簡(jiǎn)化了在高頻場(chǎng)合中的應(yīng)用。LN4318 內(nèi)置了
2021-06-30 10:07:13
，鍺和硅之分，導(dǎo)通飽和時(shí)，CE間也是導(dǎo)通壓降，MOS管，是電壓型放大元件，柵極一般在4V時(shí)導(dǎo)通，可有-20—+20V柵極電壓，根據(jù)極性，有N溝道，P溝道，增強(qiáng)型，耗盡型，還有結(jié)型等之分，導(dǎo)通后，源極漏極
2012-07-05 10:50:09
，鍺和硅之分，導(dǎo)通飽和時(shí)，CE間也是導(dǎo)通壓降，MOS管，是電壓型放大元件，柵極一般在4V時(shí)導(dǎo)通，可有-20—+20V柵極電壓，根據(jù)極性，有N溝道，P溝道，增強(qiáng)型，耗盡型，還有結(jié)型等之分，導(dǎo)通后，源極漏極
2012-07-05 12:14:01
，鍺和硅之分，導(dǎo)通飽和時(shí)，CE間也是導(dǎo)通壓降，MOS管，是電壓型放大元件，柵極一般在4V時(shí)導(dǎo)通，可有-20—+20V柵極電壓，根據(jù)極性，有N溝道，P溝道，增強(qiáng)型，耗盡型，還有結(jié)型等之分，導(dǎo)通后，源極漏極
2012-07-06 17:22:53
，鍺和硅之分，導(dǎo)通飽和時(shí)，CE間也是導(dǎo)通壓降，MOS管，是電壓型放大元件，柵極一般在4V時(shí)導(dǎo)通，可有-20—+20V柵極電壓，根據(jù)極性，有N溝道，P溝道，增強(qiáng)型，耗盡型，還有結(jié)型等之分，導(dǎo)通后，源極漏極
2012-07-09 17:37:38
電路如下：MOS管IRF740，Vgs為20V，當(dāng)電源電壓為0V時(shí)，測(cè)量到MOS管的導(dǎo)通電阻為0.6Ω；當(dāng)有電源電壓輸入時(shí)（從20V慢慢調(diào)整至70V）,電阻R兩端電壓一直為16V，MOS管的管壓降
2015-06-25 17:19:50
`品牌：NCE新潔能型號(hào)：NCE3416封裝：SOT23-6批號(hào)：批號(hào)FET類(lèi)型：N溝道漏源電壓（Vdss）：20V漏極電流(Id)：6.5A漏源導(dǎo)通電阻(RDS On)：16柵源電壓(Vgs
2021-07-21 16:14:39
了導(dǎo)通電阻和優(yōu)值的行業(yè)新標(biāo)桿 圖3：并聯(lián)在一個(gè)功率模塊內(nèi)的OptiMOS 3 150 V芯片，在13％負(fù)載循環(huán)條件下的開(kāi)關(guān)波形。左側(cè)：顯示導(dǎo)通和關(guān)斷的整個(gè)脈波（200A/div、20V/div、4μs
2018-12-07 10:21:41
有助于在應(yīng)用程序中節(jié)省空間。 這些MOSFET具有出色的高速開(kāi)關(guān)和低導(dǎo)通電阻。查看詳情<<<特性：低RDS(on)降低功耗；低壓驅(qū)動(dòng)；提供大電流Vds-漏源極
2021-02-02 09:55:16
更小。這些可根據(jù)要求和目的來(lái)具體區(qū)分使用。－ 也就是說(shuō)可根據(jù)處理的功率選用更小的封裝。是的。ROHM的SJ MOSFET相對(duì)元件尺寸的導(dǎo)通電阻非常小，因此就能以采用小型SOP8封裝的芯片尺寸，實(shí)現(xiàn)4
2019-04-29 01:41:22
MOSFET能夠在1/35大小的芯片內(nèi)提供與之相同的導(dǎo)通電阻。其原因是SiC MOSFET能夠阻斷的電壓是Si MOSFET的10倍，同時(shí)具備更高的電流密度和更低的導(dǎo)通電阻，能夠以更快速度（10 倍）在導(dǎo)
2019-07-09 04:20:19
電阻低，通道電阻高，因此具有驅(qū)動(dòng)電壓即柵極－源極間電壓Vgs越高導(dǎo)通電阻越低的特性。下圖表示SiC-MOSFET的導(dǎo)通電阻與Vgs的關(guān)系。導(dǎo)通電阻從Vgs為20V左右開(kāi)始變化（下降）逐漸減少，接近
2018-11-30 11:34:24
度的漂移層實(shí)現(xiàn)高耐壓?！ ∫虼?，在相同的耐壓值情況下，SiC可以得到標(biāo)準(zhǔn)化導(dǎo)通電阻（單位面積導(dǎo)通電阻）更低的器件?！ ±?00V時(shí)，SiC-MOSFET的芯片尺寸只需要Si-MOSFET的35分之1
2023-02-07 16:40:49
情況下，SiC可以得到標(biāo)準(zhǔn)化導(dǎo)通電阻（單位面積導(dǎo)通電阻）更低的器件。例如900V時(shí)，SiC-MOSFET的芯片尺寸只需要Si-MOSFET的35分之1、SJ-MOSFET的10分之1，就可以實(shí)現(xiàn)相同
2019-04-09 04:58:00
情況下，SiC可以得到標(biāo)準(zhǔn)化導(dǎo)通電阻（單位面積導(dǎo)通電阻）更低的器件。例如900V時(shí)，SiC-MOSFET的芯片尺寸只需要Si-MOSFET的35分之1、SJ-MOSFET的10分之1，就可以實(shí)現(xiàn)相同
2019-05-07 06:21:55
一種傳統(tǒng)平面式高壓MOSFET的簡(jiǎn)單結(jié)構(gòu)。平面式MOSFET通常具有高單位芯片面積漏源導(dǎo)通電阻，并伴隨相對(duì)更高的漏源電阻。使用高單元密度和大管芯尺寸可實(shí)現(xiàn)較低的RDS(on)值。但大單元密度和管芯尺寸
2017-08-09 17:45:55
狀態(tài)之間轉(zhuǎn)換，并且具有更低的導(dǎo)通電阻。例如，900 伏 SiC MOSFET 可以在 1/35 大小的芯片內(nèi)提供與 Si MOSFET 相同的導(dǎo)通電阻（圖 1）。圖 1：SiC MOSFET（右側(cè)）與硅
2017-12-18 13:58:36
電氣技師和電子制造工程師用接地導(dǎo)通電阻測(cè)試儀驗(yàn)證電器和消費(fèi)產(chǎn)品（由交流電壓供電）上的裸露金屬是否適當(dāng)?shù)剡B接到了其機(jī)殼底座。當(dāng)電器內(nèi)部發(fā)生故障電流時(shí)，如果電器沒(méi)有適當(dāng)?shù)剡B接到已接地的機(jī)殼底座，就存在
2017-09-30 09:38:49
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物） 25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：44A（Tc） 驅(qū)動(dòng)電壓：10V 不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻：4.7 毫歐 、 20A，10V 不同 Id 時(shí) Vgs
2021-01-13 17:46:43
示Hybrid MOS與SJ MOSFET的導(dǎo)通電阻Ron的詳細(xì)溫度特性。SJ MOSFET在高溫時(shí)，相對(duì)于ID的VDS、即Ron顯著增加。所以，當(dāng)周?chē)鷾囟雀邥r(shí)不必言說(shuō)，當(dāng)ID增加時(shí)可能會(huì)產(chǎn)生發(fā)熱增加、芯片溫度
2018-11-28 14:25:36
如圖，VB接到10~20V,當(dāng)內(nèi)部信號(hào)拉高HO，HO的電壓等于VB的電壓，VS=0，Vgs=HO-VS=10~20V,所以此時(shí)MOSFET導(dǎo)通，VS的電壓等于HV.HV是高電壓，我們?cè)O(shè)定為30V.這
2020-12-27 16:55:32
光通信應(yīng)用經(jīng)常需要從+3.3V的輸入電源升壓得到一組正負(fù)電壓，比如+/-20V，常見(jiàn)的做法是用兩顆芯片分別去產(chǎn)生+20V和-20V輸出，這種方案體積會(huì)比較大，對(duì)面積敏感的應(yīng)用無(wú)法滿(mǎn)足要求。本文在TI
2022-11-10 06:14:27
本文重點(diǎn)介紹為電源用高壓超結(jié)MOSFET增加晶圓級(jí)可配置性的新方法?，F(xiàn)在有一種為高壓超結(jié)MOSFET增加晶圓級(jí)可配置性的新方法，以幫助解決電源電路問(wèn)題。MOSFET 在壓擺率、閾值電壓、導(dǎo)通電阻
2023-02-27 10:02:15
對(duì)于單顆的芯片，目的驗(yàn)證其從封裝完成，經(jīng)過(guò)儲(chǔ)存、運(yùn)輸直到焊接到系統(tǒng)板之前的靜電防護(hù)水平，建議采用芯片級(jí)的測(cè)試方式，測(cè)試電壓通常在2000V左右。對(duì)于系統(tǒng)板和整機(jī)，為驗(yàn)證其抗干擾的能力，建議用靜電槍測(cè)試，接觸式放電8KV，空氣放電15KV.
2022-09-19 09:57:03
的元件中，難于實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻及將開(kāi)關(guān)應(yīng)用的能耗降至最低。為了實(shí)現(xiàn)這些參數(shù)的高質(zhì)量組合，元件必須擁有小裸片尺寸，并帶有高單元密度及低電容和低閘極電荷?！ ∫苿?dòng)設(shè)備用MOSFET的微型化 通常情況下，有多種
2018-09-29 16:50:56
FDC6324L是一款集成負(fù)載開(kāi)關(guān) 是使用ON生產(chǎn)的半導(dǎo)體專(zhuān)有的高單元密度DMOS技術(shù)。這種非常高密度的工藝特別適合于將導(dǎo)通電阻降至最低，并提供優(yōu)越的開(kāi)關(guān)性能 這些設(shè)備特別適用于需要低導(dǎo)通損耗和簡(jiǎn)單
2021-11-27 12:14:08
”這個(gè)參數(shù)的影響。下面以“升降壓轉(zhuǎn)換器的傳遞函數(shù)導(dǎo)出示例 其2”的ton≠ton’ 的升降壓轉(zhuǎn)換器為基礎(chǔ)，按照同樣步驟來(lái)推導(dǎo)。右側(cè)電路圖在上次給出的升降壓轉(zhuǎn)換器簡(jiǎn)圖上標(biāo)出了作為開(kāi)關(guān)的MOSFET的導(dǎo)通電阻
2018-11-30 11:48:22
求一款DCDC芯片，要求輸入電壓最低5V 最高20V以上的降壓型，頻率在500K以上，效率在95以上
2022-04-18 13:50:12
` ?。?）不同耐壓的MOS管的導(dǎo)通電阻分布。不同耐壓的MOS管，其導(dǎo)通電阻中各部分電阻比例分布也不同。如耐壓30V的MOS管，其外延層電阻僅為總導(dǎo)通電阻的29%，耐壓600V的MOS管的外延層電阻
2018-11-01 15:01:12
測(cè)量MOS管的導(dǎo)通電阻除了在選定開(kāi)關(guān)時(shí)有用，還在哪些方面有重要的意義？
2012-05-17 10:44:16
的效率，更重要的是，優(yōu)異的EMI性能。這是我們的Power by Linear ?單片靜音開(kāi)關(guān)2降壓調(diào)節(jié)器可滿(mǎn)足先進(jìn)SoC功率預(yù)算同時(shí)滿(mǎn)足SoC尺寸和熱約束的地方。用于SoC的20V輸入的20A解決方案該
2018-12-26 09:17:59
并提高可靠性。東芝實(shí)驗(yàn)證實(shí)，與現(xiàn)有SiC MOSFET相比，這種設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)在不影響可靠性的情況下[1]，可將導(dǎo)通電阻[2]（RonA）降低約20%。功率器件是管理各種電子設(shè)備電能，降低功耗以及實(shí)現(xiàn)碳中和
2023-04-11 15:29:18
計(jì)算機(jī)芯片級(jí)維修中心（芯片級(jí)維修培訓(xùn)教材）
2009-04-05 01:17:54
SRAM中晶圓級(jí)芯片級(jí)封裝的需求
2020-12-31 07:50:40
平面式高壓MOSFET的結(jié)構(gòu)圖1顯示了一種傳統(tǒng)平面式高壓MOSFET的簡(jiǎn)單結(jié)構(gòu)。平面式MOSFET通常具有高單位芯片面積漏源導(dǎo)通電阻，并伴隨相對(duì)更高的漏源電阻。使用高單元密度和大管芯尺寸可實(shí)現(xiàn)較低
2018-10-17 16:43:26
的矛盾。 即便如此，高壓MOSFET在額定結(jié)溫下的導(dǎo)通電阻產(chǎn)生的導(dǎo)通壓降仍居高不下，耐壓500V以上的MOSFET 的額定結(jié)溫、額定電流條件下的導(dǎo)通電壓很高，耐壓800V以上的導(dǎo)通電壓高得驚人，導(dǎo)
2023-02-27 11:52:38
。本篇將以ROHM的產(chǎn)品陣容及其特征作為SJ-MOSFET的具體案例來(lái)進(jìn)行說(shuō)明。SJ-MOSFET的種類(lèi)以ROHM為例，SJ-MOSFET是根據(jù)噪聲、導(dǎo)通電阻、高速性及獨(dú)有結(jié)構(gòu)等進(jìn)行分類(lèi)的。首先
2018-12-03 14:27:05
20V N-溝道增強(qiáng)型MOSFET
20V N-溝道增強(qiáng)型MOSFET簡(jiǎn)介
2010-04-08 17:33:33
15 20V P 溝道增強(qiáng)型MOSFET管
20V P 溝道增強(qiáng)型MOSFET管簡(jiǎn)介
2010-04-08 17:36:2023 20V N溝道增強(qiáng)型MOSFET管
20V N溝道增強(qiáng)型MOSFET管簡(jiǎn)介
2010-04-08 17:39:0026 Vishay推出第三代TrenchFET功率MOSFET，采用TurboFET技術(shù)
日前，Vishay Intertechnology推出兩款 20V 和兩款 30V n 通道器件，從而擴(kuò)展其第三代 TrenchFET 功率MOSFET 系列。這些器件首次采用 T
2008-12-08 11:55:09635 
日前，Vishay Intertechnology宣布推出業(yè)界首款采用 MICRO FOOT 芯片級(jí)封裝的 TrenchFET 功率 MOSFET --- Si8422DB，該器件具有背面絕緣的特點(diǎn)。
Si8422DB 針對(duì)手機(jī)、PDA、數(shù)碼相機(jī)、MP3 播放器
2009-01-26 23:24:221152 Vishay Siliconix推出業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻功率MOSFET
Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出新款20V P溝道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用緊湊的2mm x 2mm占位
2009-11-25 09:51:011089 導(dǎo)通電阻,導(dǎo)通電阻的結(jié)構(gòu)和作用是什么?
傳統(tǒng)模擬開(kāi)關(guān)的結(jié)構(gòu)如圖1所示，它由N溝道MOSFET與P溝道MOSFET并聯(lián)構(gòu)成，可使正負(fù)信號(hào)傳輸，如果將不同VI
2010-03-23 09:27:474912 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出業(yè)內(nèi)采用最小的0.8mm x 0.8mm芯片級(jí)封裝的N溝道和P溝道功率
2011-10-21 08:53:05873 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，引入兩款在尺寸和導(dǎo)通電阻上設(shè)立了新的行業(yè)基準(zhǔn)的p溝道30V器件---Si8497DB和Si8487DB，擴(kuò)充其MICRO FOOT TrenchFET Gen III功率MOSFET家族。
2012-02-20 08:34:13630 Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出業(yè)內(nèi)首款采用小尺寸57mm x 60mm封裝的功率厚膜電阻--- LPS1100
2012-04-12 14:01:471179 Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出其新一代TrenchFET? Gen IV系列30V n溝道功率MOSFET器件---SiRA00DP、SiRA02DP、SiRA04DP和SiSA04DN
2012-05-08 11:09:19806 Vishay 推出新款8V和20V N溝道和P溝道TrenchFET?功率MOSFET---Si8424CDB、Si8425DB。
2013-01-15 09:05:541383 日前，Vishay Intertechnology， Inc.宣布，將其MCW 0406 AT Precision系列寬端子薄膜片式電阻的歐姆值擴(kuò)展至1?，是業(yè)內(nèi)采用小尺寸0406封裝的器件中阻值最低的。
2013-02-19 11:23:231244 Vishay發(fā)布采用小尺寸WCSP6封裝的新款斜率控制的P溝道高邊負(fù)載開(kāi)關(guān)，器件可在1.5V～5.5V電壓范圍內(nèi)工作，具有低至20m?的導(dǎo)通電阻、低靜態(tài)電流， 導(dǎo)通電壓上升斜率為3ms
2013-05-03 15:50:581089 年度Top-10電源產(chǎn)品獎(jiǎng)。Si7655DN是業(yè)內(nèi)首款采用3.3mm x 3.3mm封裝的20V P溝道MOSFET，在4.5V柵極驅(qū)動(dòng)下的最大導(dǎo)通電阻只有4.8mΩ，也是采用新版本Vishay Siliconix PowerPAK? 1212封裝的首款器件。
2013-10-10 15:08:061138 Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出采用PowerPAK? ChipFET?和PowerPAK 1212-8S封裝的新器件，擴(kuò)充其TrenchFET? P溝道Gen III功率MOSFET。
2013-12-02 09:49:211075 x 2.0mm x 0.4mm CSP MICRO FOOT?封裝尺寸的-20V器件---Si8851EDB，擴(kuò)展其TrenchFET? P溝道Gen III功率MOSFET。Vishay
2013-12-05 10:30:05898 應(yīng)用，把高效同步DC/DC降壓轉(zhuǎn)換器所需的高邊和低邊MOSFET都組合進(jìn)小尺寸5mm x 6mm封裝里，比使用分立MOSFET的方案節(jié)省空間，低邊MOSFET的最大導(dǎo)通電阻低至6.4mΩ。
2013-12-13 15:07:13843 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，其Si7655DN -20V P溝道Gen III功率MOSFET榮獲EDN China 2013創(chuàng)新獎(jiǎng)之電源器件和模塊類(lèi)最佳產(chǎn)品獎(jiǎng)。
2013-12-20 09:10:031307 日前，Vishay宣布，推出具有業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻的新款P溝道MOSFET---Si7157DP，擴(kuò)充其TrenchFET? P溝道Gen III功率MOSFET。Vishay Siliconix
2014-01-22 10:33:221381 ---SiZ340DT。Vishay Siliconix SiZ340DT把高邊和低邊MOSFET組合在一個(gè)小尺寸封裝里，導(dǎo)通電阻比前一代同樣封裝尺寸的器件低57%，功率密度高25%，效率高5%，可節(jié)省空間，并簡(jiǎn)化高效同步降壓轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)。
2014-02-10 15:16:51890 TrenchFET?功率MOSFET---SiA453EDJ。該器件是2mm x 2mm占位面積的-30V器件，在-4.5V和-2.5V柵極驅(qū)動(dòng)下具有業(yè)內(nèi)最低的導(dǎo)通電阻，在便攜電子產(chǎn)品里能夠節(jié)省空間，并提高能源效率。
2014-04-29 16:30:44885 PowerPAK SC-70?封裝的新款20V N溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiA466EDJ。
2015-03-05 16:30:04855 Vishay宣布，推出業(yè)內(nèi)首批通過(guò)AEC-Q101認(rèn)證的采用雙片不對(duì)稱(chēng)功率封裝的12V MOSFET---SQJ202EP和20V MOSFET---SQJ200EP，可在汽車(chē)應(yīng)用的高效同步降壓
2016-07-11 14:33:171004 了高效率的解決方案。這顆器件具有業(yè)內(nèi)最低的優(yōu)值系數(shù) （FOM 即柵極電荷與導(dǎo)通電阻乘積），該參數(shù)是600V MOSFET在功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用的關(guān)鍵指標(biāo)。
2017-02-10 15:10:111667 M2105-雙路20v MOSFET驅(qū)動(dòng)器芯片相關(guān)資料
2018-04-08 17:49:5863 MOSFET的導(dǎo)通電阻
2018-08-14 00:12:0012629 新的芯片級(jí)MICRO FOOT P溝道Si8457DB在1.8V柵極驅(qū)動(dòng)下具有1.6mm x 1.6mm占位的MOSFET當(dāng)中最低的導(dǎo)通電阻，也是唯一VGS 達(dá)到±8V的此類(lèi)器件，為鋰離子電池供電的應(yīng)用提供了額外的安全裕量。
2018-08-28 09:10:001047 關(guān)鍵詞：MOSFET , FemtoFET 小信號(hào) MOSFET 晶體管為移動(dòng)設(shè)備節(jié)省電源，延長(zhǎng)電池使用壽命 德州儀器 (TI) 宣布面向智能手機(jī)與平板電腦等空間有限手持應(yīng)用推出業(yè)界最小型低導(dǎo)通電阻
2018-10-13 11:03:01308 ;功率MOSFET所用的MICRO FOOTreg;封裝的占板面積比僅次于它的最小芯片級(jí)器件最高可減少36%，而導(dǎo)通電阻則與之相當(dāng)甚至更低。 Si8802DB和Si8805EDB可用于手持設(shè)備中的負(fù)載切換，包括智能手機(jī)、平板電腦、便攜式媒體播放器和移動(dòng)計(jì)算設(shè)備。在
2019-01-01 16:29:01380 安森美半導(dǎo)體NTBG020N090SC1 SiC MOSFET是一款使用全新的技術(shù)碳化硅 （SiC） MOSFET，它具有出色的開(kāi)關(guān)性能和更高的可靠性。此外，該SiC MOSFET具有低導(dǎo)通電阻
2020-06-15 14:19:403728 ，溫度及其高，不利于電路的穩(wěn)定和工作。注意 20V 輸入時(shí)，在通電和接上電時(shí)，會(huì)產(chǎn)生輸入尖峰電壓，一般是 0.5V 倍-3 倍左右，所以我們需要選擇輸入電壓范圍更寬的
2020-10-12 08:00:007 Vishay Siliconix SiSS52DN器件采用 PowerPAK1212?8S 封裝，導(dǎo)通電阻低至 0.95 mΩ，優(yōu)異的 FOM 僅為 29.8?mΩ*nC Vishay 推出多功能
2021-05-28 17:25:572153 Vishay 推出最新第四代 600 V E 系列功率 MOSFET 器件。Vishay Siliconix n 溝道 SiHK045N60E 導(dǎo)通電阻比前一代 600 V E 系列 MOSFET
2022-02-26 13:25:351341 NP3416EMR(20V N溝道增強(qiáng)模MOSFET)
2022-07-18 17:16:07774 
NP3416BEMR(20V N溝道增強(qiáng)模MOSFET)
2022-07-19 09:07:17774 
NP2302MR(20V N溝道增強(qiáng)模MOSFET)
2022-07-20 09:09:43828 
?！皩?dǎo)通電阻”和“Qgd”是引起MOSFET功率損耗的兩項(xiàng)主要參數(shù)，但對(duì)于普通的MOSFET而言，由于導(dǎo)通電阻與芯片尺寸成反比，
2023-05-17 13:35:02471 
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