在本系列的前幾篇文章中[1-7]，我們介紹了基于安森美豐富的SiC功率模塊和其他功率器件開(kāi)發(fā)的25 kW EV快充系統(tǒng)。
2022-06-29 11:30:50
5045 SiC（碳化硅）是一種由硅（Si）和碳（C）組成的化合物半導(dǎo)體材料。表1-1顯示了每種半導(dǎo)體材料的電氣特性。SiC具有優(yōu)異的介電擊穿場(chǎng)強(qiáng)（擊穿場(chǎng)）和帶隙（能隙），分別是Si的10倍和3倍。此外，可以
2022-11-22 09:59:261373 IGBT和碳化硅（SiC）模塊的開(kāi)關(guān)特性受到許多外部參數(shù)的影響，例如電壓、電流、溫度、柵極配置和雜散元件。
2024-03-08 10:11:40505 
為滿足快速發(fā)展的電動(dòng)汽車(chē)行業(yè)對(duì)高功率密度 SiC 功率模塊的需求，進(jìn)行了 1 200 V/500 A 高功率密度三相 全橋 SiC 功率模塊設(shè)計(jì)與開(kāi)發(fā)，提出了一種基于多疊層直接鍵合銅單元的功率模塊封裝方法來(lái)并聯(lián)更多的芯片。
2024-03-13 10:34:03377 
科銳推出新型SiC功率模塊產(chǎn)品系列，為電動(dòng)汽車(chē)快速充電和太陽(yáng)能市場(chǎng)提供業(yè)界領(lǐng)先的效率。
2021-01-14 15:23:001319 中國(guó)上海， 2023 年 8 月 29 日 ——東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）今日宣布，推出業(yè)界首款[1]2200V雙碳化硅（SiC）MOSFET模塊---“MG250YD2YMS3
2023-08-29 15:26:55903 
進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)小型化。開(kāi)關(guān)損耗大幅降低，可進(jìn)一步提升大功率應(yīng)用的效率ROHM利用獨(dú)有的內(nèi)部結(jié)構(gòu)并優(yōu)化散熱設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā)出新型封裝，從而開(kāi)發(fā)并推出了600A額定電流的全SiC功率模塊產(chǎn)品。由此，全SiC功率模塊在工業(yè)
2018-12-04 10:20:43
【譯者注】本文作者 Matt Watson 已經(jīng)寫(xiě)了超過(guò) 15 年的代碼，也由此總結(jié)出了提升 10 倍效率的三件事。Matt 表示，一個(gè) 10 倍效率的開(kāi)發(fā)人員很快就知道了他們需要做什么，要問(wèn)
2017-10-14 17:35:54
充電系統(tǒng)卻一直在研發(fā)中，今天我們就來(lái)了解一款全SiC功率器件的車(chē)載無(wú)線充電系統(tǒng)。今天介紹的這個(gè)研究是一款全SiC功率器件的車(chē)載無(wú)線充電系統(tǒng)，功率為50KW，載波頻率為85KHz，功率密度為9.5KW
2021-04-19 21:42:44
與IGBT相比，SiC MOSFET具備更快的開(kāi)關(guān)速度、更高的電流密度以及更低的導(dǎo)通電阻，非常適用于電網(wǎng)轉(zhuǎn)換、電動(dòng)汽車(chē)、家用電器等高功率應(yīng)用。但是，在實(shí)際應(yīng)用中，工程師需要考慮SiC MOSFET
2019-07-09 04:20:19
家公司已經(jīng)建立了SiC技術(shù)作為其功率器件生產(chǎn)的基礎(chǔ)。此外，幾家領(lǐng)先的功率模塊和功率逆變器制造商已為其未來(lái)基于SiC的產(chǎn)品的路線圖奠定了基礎(chǔ)。碳化硅（SiC）MOSFET即將取代硅功率開(kāi)關(guān);性能和可靠性
2019-07-30 15:15:17
SiC-DMOS的特性現(xiàn)狀是用橢圓圍起來(lái)的范圍。通過(guò)未來(lái)的發(fā)展，性能有望進(jìn)一步提升。從下一篇開(kāi)始，將單獨(dú)介紹與SiC-MOSFET的比較。關(guān)鍵要點(diǎn):?功率晶體管的特征因材料和結(jié)構(gòu)而異。?在特性方面各有優(yōu)缺點(diǎn)，但SiC-MOSFET在整體上具有優(yōu)異的特性。＜ 相關(guān)產(chǎn)品信息 ＞MOSFETSiC-DMOS
2018-11-30 11:35:30
二極管的恢復(fù)損耗非常小。主要應(yīng)用于工業(yè)機(jī)器電源、高效率功率調(diào)節(jié)器的逆變器或轉(zhuǎn)換器中。2. 標(biāo)準(zhǔn)化導(dǎo)通電阻SiC的絕緣擊穿場(chǎng)強(qiáng)是Si的10倍，所以能夠以低阻抗、薄厚度的漂移層實(shí)現(xiàn)高耐壓。因此，在相同的耐壓值
2019-04-09 04:58:00
SiC-MOSFET－SiC-MOSFET的應(yīng)用實(shí)例所謂SiC-MOSFET－SiC-MOSFET的可靠性全SiC功率模塊所謂全SiC功率模塊全SiC功率模塊的開(kāi)關(guān)損耗運(yùn)用要點(diǎn)柵極驅(qū)動(dòng) 其1柵極驅(qū)動(dòng) 其2
2018-11-27 16:38:39
新型和未來(lái)的 SiC/GaN 功率開(kāi)關(guān)將會(huì)給方方面面帶來(lái)巨大進(jìn)步，從新一代再生電力的大幅增加到電動(dòng)汽車(chē)市場(chǎng)的迅速增長(zhǎng)。其巨大的優(yōu)勢(shì)——更高功率密度、更高工作頻率、更高電壓和更高效率，將有助于實(shí)現(xiàn)更緊
2018-10-30 11:48:08
通時(shí)產(chǎn)生的Vd振鈴、和低邊SiC-MOSFET的寄生柵極寄生電容引起的。全SiC功率模塊的開(kāi)關(guān)速度與寄生電容下面通過(guò)與現(xiàn)有IGBT功率模塊進(jìn)行比較來(lái)了解與柵極電壓的振鈴和升高有關(guān)的全SiC功率模塊的開(kāi)關(guān)
2018-11-30 11:31:17
電流和FRD的恢復(fù)電流引起的較大的開(kāi)關(guān)損耗，通過(guò)改用SiC功率模塊可以明顯減少，因此具有以下效果：開(kāi)關(guān)損耗的降低，可以帶來(lái)電源效率的改善和散熱部件的簡(jiǎn)化（例：散熱片的小型化，水冷/強(qiáng)制風(fēng)冷的自然風(fēng)冷化
2019-03-25 06:20:09
。例如，SiC功率模塊的尺寸可達(dá)到僅為Si的1/10左右。關(guān)于“高速工作”，通過(guò)提高開(kāi)關(guān)頻率，變壓器、線圈、電容器等周邊元件的體積可以更小。實(shí)際上有能做到原有1/10左右的例子?！案邷毓ぷ鳌笔侵溉菰S在
2018-11-29 14:35:23
二極管的恢復(fù)損耗非常小。主要應(yīng)用于工業(yè)機(jī)器電源、高效率功率調(diào)節(jié)器的逆變器或轉(zhuǎn)換器中。2. 標(biāo)準(zhǔn)化導(dǎo)通電阻SiC的絕緣擊穿場(chǎng)強(qiáng)是Si的10倍，所以能夠以低阻抗、薄厚度的漂移層實(shí)現(xiàn)高耐壓。因此，在相同的耐壓值
2019-05-07 06:21:55
Dielectric Constant: εS11.89.712.89.5p. n Control○○○△Thermal Oxide○○××2. 功率器件的特征SiC的絕緣擊穿場(chǎng)強(qiáng)是Si的10倍，因此與Si器件
2019-07-23 04:20:21
電流和FRD的恢復(fù)電流引起的較大的開(kāi)關(guān)損耗，通過(guò)改用SiC功率模塊可以明顯減少，因此具有以下效果：開(kāi)關(guān)損耗的降低，可以帶來(lái)電源效率的改善和散熱部件的簡(jiǎn)化（例：散熱片的小型化，水冷/強(qiáng)制風(fēng)冷的自然風(fēng)冷化
2019-05-06 09:15:52
要的參數(shù)都非常優(yōu)異。由于其絕緣擊穿場(chǎng)強(qiáng)比Si高約10倍，因此確保耐壓所需的膜的施主（donor）濃度高，膜厚可以做到很薄，從而可實(shí)現(xiàn)單位面積的電阻非常低的高耐壓產(chǎn)品。其效果是可實(shí)現(xiàn)高耐壓且高速開(kāi)關(guān)性能優(yōu)異
2018-12-03 15:12:02
LPC11C00宣傳頁(yè)：業(yè)界首款集成CAN收發(fā)器微控制器解決方案
2022-12-08 07:07:09
SiC功率模塊”量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開(kāi)關(guān)并可大幅降低損耗。關(guān)于這一點(diǎn)，根據(jù)這之前介紹過(guò)的SiC-SBD和SiC-MOSFET的特點(diǎn)與性能，可以很容易理解
2018-11-27 16:38:04
ROHM為參戰(zhàn)2017年12月2日開(kāi)幕的電動(dòng)汽車(chē)全球頂級(jí)賽事“FIAFormula E錦標(biāo)賽2017-2018（第4賽季）”的文圖瑞Formula E車(chē)隊(duì)提供全SiC功率模塊。ROHM在上個(gè)賽季（第
2018-12-04 10:24:29
全SiC功率模塊與現(xiàn)有的功率模塊相比具有SiC與生俱來(lái)的優(yōu)異性能。本文將對(duì)開(kāi)關(guān)損耗進(jìn)行介紹，開(kāi)關(guān)損耗也可以說(shuō)是傳統(tǒng)功率模塊所要解決的重大課題。全SiC功率模塊的開(kāi)關(guān)損耗全SiC功率模塊與現(xiàn)有
2018-11-27 16:37:30
和CN4的+18V、CN3和CN6的-3V為驅(qū)動(dòng)器的電源。電路中增加了CGS和米勒鉗位MOSFET，使包括柵極電阻在內(nèi)均可調(diào)整。將該柵極驅(qū)動(dòng)器與全SiC功率模塊的柵極和源極連接，來(lái)確認(rèn)柵極電壓的升高情況
2018-11-27 16:41:26
%。 圖 1：模塊和系統(tǒng)電感及其對(duì) MOSFET 關(guān)斷期間瞬態(tài)過(guò)電壓的影響 在40kHz以上，SiC MOSFET可能是最佳選擇，但給功率模塊和系統(tǒng)設(shè)計(jì)帶來(lái)了挑戰(zhàn)?？焖?b class="flag-6" style="color: red">開(kāi)關(guān)會(huì)產(chǎn)生陡峭的電流斜率和高di
2023-02-20 16:29:54
與Si的比較開(kāi)發(fā)背景SiC的優(yōu)點(diǎn)SiC-SBD（肖特基勢(shì)壘二極管）與Si二極管比較采用示例SiC-MOSFET與各種功率MOSFET比較運(yùn)用事例全SiC模塊模塊的構(gòu)成開(kāi)關(guān)損耗運(yùn)用要點(diǎn)SiC是在熱、化學(xué)
2018-11-29 14:39:47
的開(kāi)關(guān)電源電路相同。另外，SiC-SBD不產(chǎn)生短脈沖反向恢復(fù)現(xiàn)象，因此PWM控制無(wú)需擔(dān)心短脈沖時(shí)的異常浪涌電壓。不僅有助于提高逆變器和電源的效率，還可實(shí)現(xiàn)小型化，這是全SiC功率模塊的巨大優(yōu)勢(shì)。由
2018-12-04 10:14:32
全新CMSIS-NN神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)內(nèi)核讓微控制器效率提升5倍
2021-03-15 06:55:09
cacheability的1.2倍（比全部在L2中多了EDMA啟動(dòng)開(kāi)銷(xiāo)）左右，感覺(jué)這個(gè)提升幅度有低。理想情況EDMA搬移數(shù)據(jù)到L2中計(jì)算，其效率應(yīng)該是在開(kāi)啟DDR2 cacheability的效率的幾倍？誰(shuí)能解釋下這個(gè)沒(méi)有大幅的效率提升可能是什么原因。
2018-06-22 07:56:22
半導(dǎo)體的關(guān)鍵特性是能帶隙，能帶動(dòng)電子進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài)所需的能量。寬帶隙（WBG）可以實(shí)現(xiàn)更高功率，更高開(kāi)關(guān)速度的晶體管，WBG器件包括氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC），以及其他半導(dǎo)體。 GaN和SiC
2022-08-12 09:42:07
`IGN0450M250是一款高功率GaN-on-SiC RF功率晶體管，旨在滿足P波段雷達(dá)系統(tǒng)的獨(dú)特需求。它在整個(gè)420-450 MHz頻率范圍內(nèi)運(yùn)行。 在100毫秒以下，10％占空比脈沖條件
2021-04-01 10:35:32
技術(shù)領(lǐng)域都擁有強(qiáng)大的優(yōu)勢(shì)，雙方保持著技術(shù)交流并建立了合作關(guān)系。今后，通過(guò)將ROHM的SiC功率元器件和控制技術(shù)與Apex Microtechnology的模塊技術(shù)完美結(jié)合，雙方將能夠提供滿足市場(chǎng)需求的出色的功率系統(tǒng)解決方案，從而持續(xù)為工業(yè)設(shè)備的效率提升做出貢獻(xiàn)。
2023-03-29 15:06:13
。特別是對(duì)于負(fù)責(zé)進(jìn)行通信管理的數(shù)據(jù)中心而言，其服務(wù)器的小型化和效率提升已經(jīng)成為困擾各制造商的技術(shù)難題。在這種背景下，SiC功率器件因其有助于實(shí)現(xiàn)電源部分的小型化和高效化而備受期待。Dr.
2023-03-02 14:24:46
項(xiàng)目名稱(chēng)：全SiC MMC實(shí)驗(yàn)平臺(tái)設(shè)計(jì)——功率子模塊驅(qū)動(dòng)選型試用計(jì)劃：申請(qǐng)理由本人在電力電子領(lǐng)域有三年多的學(xué)習(xí)和開(kāi)發(fā)經(jīng)驗(yàn)，曾設(shè)計(jì)過(guò)基于半橋級(jí)聯(lián)型拓?fù)涞膬?chǔ)能系統(tǒng)，通過(guò)電力電子裝置實(shí)現(xiàn)電池單元的間接
2020-04-21 16:02:34
%提升到了97.3%。圖5功率損耗對(duì)比5、結(jié)論新的APS系統(tǒng)采用了最新的1.2kV全SiC功率模塊，憑借其低損耗、高工作溫度等特點(diǎn)，器件的開(kāi)關(guān)頻率得以提高。在本設(shè)計(jì)中，作者考慮到了高開(kāi)關(guān)頻率可以使濾波
2017-05-10 11:32:57
我國(guó)“新基建”的各主要領(lǐng)域中發(fā)揮重要作用。
一、 SiC的材料優(yōu)勢(shì)
碳化硅（SiC）作為寬禁帶材料相較于硅（Si）具有很多優(yōu)勢(shì)，如表1所示：3倍的禁帶寬度，有利于碳化硅器件工作在更高的溫度；10倍
2023-10-07 10:12:26
騰訊云存儲(chǔ)，正在形成面向未來(lái)的藍(lán)圖。在5月10日騰訊云存儲(chǔ)產(chǎn)品戰(zhàn)略發(fā)布會(huì)上，騰訊云一次性發(fā)布了業(yè)界首款十微秒級(jí)的極速型云硬盤(pán)、業(yè)界首款突破百GB 吞吐的文件存儲(chǔ)、以及業(yè)界首創(chuàng)能夠10倍提升...
2021-07-12 07:35:21
要充分認(rèn)識(shí) SiC MOSFET 的功能，一種有用的方法就是將它們與同等的硅器件進(jìn)行比較。SiC 器件可以阻斷的電壓是硅器件的 10 倍，具有更高的電流密度，能夠以 10 倍的更快速度在導(dǎo)通和關(guān)斷
2017-12-18 13:58:36
電壓，從而成為可通過(guò)以往的分立結(jié)構(gòu)很難實(shí)現(xiàn)的高精度來(lái)控制DC風(fēng)扇電機(jī)旋轉(zhuǎn)速度的業(yè)界首款＊電源IC。集成為IC后使控制進(jìn)一步優(yōu)化，不僅效率大幅提升，還可減少部件數(shù)量、提高開(kāi)關(guān)速度，實(shí)現(xiàn)外圍元器件的小型化
2018-12-04 10:18:22
介紹了采用商用1200V碳化硅（SiC）MOSFET和肖特基二極管的100KHz，10KW交錯(cuò)式硬開(kāi)關(guān)升壓型DC / DC轉(zhuǎn)換器的參考設(shè)計(jì)和性能。 SiC功率半導(dǎo)體的超低開(kāi)關(guān)損耗使得開(kāi)關(guān)頻率在硅實(shí)現(xiàn)方面顯著增加
2019-05-30 09:07:24
望嘗試運(yùn)行SiC元器件的各位、希望提高開(kāi)發(fā)效率的各位使用我公司的評(píng)估板。請(qǐng)參考ROHM官網(wǎng)的“SiC支持頁(yè)面”。SCT2H12NZ:1700V高耐壓SiC-MOSFET 重點(diǎn)必看＜ 相關(guān)產(chǎn)品信息 ＞SiC-MOSFETAC/DC轉(zhuǎn)換器全SiC功率模塊
2018-12-04 10:11:25
設(shè)計(jì)方面，SiC功率模塊被認(rèn)為是關(guān)鍵使能技術(shù)?！ 榱颂岣?b class="flag-6" style="color: red">功率密度，通常的做法是設(shè)計(jì)更高開(kāi)關(guān)頻率的功率轉(zhuǎn)換器?！ C/DC 轉(zhuǎn)換器和應(yīng)用簡(jiǎn)介 在許多應(yīng)用中，較高的開(kāi)關(guān)頻率會(huì)導(dǎo)致濾波器更小，電感和電容值
2023-02-20 15:32:06
模塊市場(chǎng)主要額定電流范圍100A～600A的全SiC模塊產(chǎn)品。利用這些模塊，可大幅提升普通同等額定電流IGBT模塊應(yīng)用的效率，并可進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)小型化。封裝的內(nèi)部電感值大幅降低電流額定較大的功率模塊中，封裝
2018-12-04 10:19:59
作為應(yīng)用全SiC模塊的應(yīng)用要點(diǎn)，本文將在上一篇文章中提到的緩沖電容器基礎(chǔ)上，介紹使用專(zhuān)用柵極驅(qū)動(dòng)器對(duì)開(kāi)關(guān)特性的改善情況。全SiC模塊的驅(qū)動(dòng)模式與基本結(jié)構(gòu)這里會(huì)針對(duì)下述條件與電路結(jié)構(gòu)，使用緩沖電容器
2018-11-27 16:36:43
德州儀器推出業(yè)界首款超低功耗 FRAM 微控制器開(kāi)發(fā)人員藉此可讓世界變得更加智能MSP430FR57xx FRAM 微控制器系列可為開(kāi)發(fā)人員帶來(lái)高達(dá)100倍的寫(xiě)入速度增幅及250倍的功耗降幅，因而
2011-05-04 16:37:37
怎么實(shí)現(xiàn)基于業(yè)界首款Cortex-M33雙核微控制器LPC55S69的電路設(shè)計(jì)？
2021-06-15 09:14:03
2023年2月27日，中國(guó)上海 — 思特威（上海）電子科技股份有限公司，正式推出業(yè)界首顆5MP DSI－2技術(shù)全性能升級(jí)Pro系列安防應(yīng)用圖像傳感器新品SC5336P。新品擁有3K級(jí)的清晰畫(huà)質(zhì)，既是
2023-02-28 09:24:04
電流和FRD的恢復(fù)電流引起的較大的開(kāi)關(guān)損耗，通過(guò)改用SiC功率模塊可以明顯減少，因此具有以下效果：開(kāi)關(guān)損耗的降低，可以帶來(lái)電源效率的改善和散熱部件的簡(jiǎn)化（例：散熱片的小型化，水冷/強(qiáng)制風(fēng)冷的自然風(fēng)冷化
2019-03-12 03:43:18
新品發(fā)布|業(yè)界首款！潤(rùn)開(kāi)鴻最新推出RISC-V 高性能芯片? OpenHarmony標(biāo)準(zhǔn)系統(tǒng)的智能硬件開(kāi)發(fā)平臺(tái)HH-SCDAYU800
2023-01-13 17:43:15
技（Synopsys, Inc.，納斯達(dá)克股票代碼：SNPS）隆重推出了業(yè)界首款全棧式AI驅(qū)動(dòng)型EDA解決方案Synopsys.ai，覆蓋了先進(jìn)數(shù)字與模擬芯片的設(shè)計(jì)、驗(yàn)證、測(cè)試和制造環(huán)節(jié)。基于此，開(kāi)發(fā)者第一次
2023-04-03 16:03:26
熱力學(xué)的基本規(guī)律揭示出沒(méi)有電子設(shè)備可以實(shí)現(xiàn)100％的效率——雖然開(kāi)關(guān)電源比較接近（達(dá)到98％）。但不幸的是任何產(chǎn)生RF功率的器件目前都無(wú)法達(dá)到或者接近理想的性能，因?yàn)閷⒅绷?b class="flag-6" style="color: red">功率轉(zhuǎn)換為射頻功率過(guò)程中
2019-07-31 08:13:39
雖然電動(dòng)和混合動(dòng)力電動(dòng)汽車(chē)（EV]從作為功率控制器件的標(biāo)準(zhǔn)金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）到基于碳化硅（SiC）襯底和工藝技術(shù)的FET的轉(zhuǎn)變代表了提高EV的效率和整體系統(tǒng)級(jí)特性的重要步驟
2019-08-11 15:46:45
本文討論了商用氮化鎵功率晶體管與Si SJMOS和SiC MOS晶體管相比在軟開(kāi)關(guān)LLC諧振轉(zhuǎn)換器方面的優(yōu)勢(shì)。介紹隨著更高功率、更小尺寸和更高效率的明顯趨勢(shì)，高頻 LLC 諧振轉(zhuǎn)換器是業(yè)內(nèi)隔離式
2023-02-27 09:37:29
二極管（FRD:快速恢復(fù)二極管），能夠明顯減少恢復(fù)損耗。有利于電源的高效率化，并且通過(guò)高頻驅(qū)動(dòng)實(shí)現(xiàn)電感等無(wú)源器件的小型化，而且可以降噪。 廣泛應(yīng)用于空調(diào)、電源、光伏發(fā)電系統(tǒng)中的功率調(diào)節(jié)器、電動(dòng)汽車(chē)
2019-05-07 06:21:51
具有更高的熱性能和堅(jiān)固性，以及高度可靠的環(huán)氧樹(shù)脂灌封技術(shù)。所有這些都導(dǎo)致： 優(yōu)化內(nèi)部低雜散電感和電弧鍵合?結(jié)構(gòu)，顯著提升動(dòng)態(tài)開(kāi)關(guān)性能; 功率密度比主要競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的模塊高20-30%; 更低的熱阻
2023-02-20 16:26:24
數(shù)量的情況下所無(wú)法實(shí)現(xiàn)的。同時(shí)，DC/DC側(cè)的開(kāi)關(guān)頻率高達(dá)150kHz至300kHz，比典型的硅實(shí)現(xiàn)方法快了3倍。 采用SiC MOSFET的6.6kW雙向轉(zhuǎn)換器適用于高效率和高功率密度車(chē)載充電
2023-02-27 14:28:47
的2倍，所以S使用碳化硅（SiC）陶瓷線路板的功率器件能在更高的頻率下工作。綜合以上優(yōu)點(diǎn)，在相同的功率等級(jí)下，設(shè)備中功率器件的數(shù)量、散熱器的體積、濾波元件體積都能大大減小，同時(shí)效率也有大幅度的提升。我國(guó)
2021-03-25 14:09:37
Fraunhofer ISE用ROHM SiC和柵極驅(qū)動(dòng)器設(shè)備開(kāi)發(fā)了一款10kW的三相UPS逆變器，如圖4所示。100kHz的高開(kāi)關(guān)頻率導(dǎo)致輸出端的無(wú)源濾波器組件和輸入電容小，從而使輸出電容器和輸入
2019-10-25 10:01:08
DN369 - 業(yè)界首款四開(kāi)關(guān)降壓-升壓型控制器采用單個(gè)電感器實(shí)現(xiàn)了極高的效率
2019-07-31 10:46:15
10mΩ（typ）的、SiC-SBD內(nèi)置型全SiC功率模塊。下圖為與現(xiàn)有產(chǎn)品的關(guān)系示意圖。BSM180D12P3C007的開(kāi)關(guān)損耗與IGBT模塊相比大幅降低，比ROHM現(xiàn)有的IGBT模塊產(chǎn)品也低42
2018-12-04 10:11:50
直流負(fù)載及相反）工作時(shí)的效率和穩(wěn)定性。圖1. ADI公司IC生態(tài)系統(tǒng)驅(qū)動(dòng)SiC/GaN功率開(kāi)關(guān)需要設(shè)計(jì)一個(gè)完整的IC生態(tài)系統(tǒng)，這些IC經(jīng)過(guò)精密調(diào)整，彼此配合。設(shè)計(jì)重點(diǎn)不再只是以開(kāi)關(guān)為中心，必須加以擴(kuò)大
2018-10-22 17:01:41
黎志遠(yuǎn)_業(yè)界首款電流模式LLC AC-DC 控制器 NCP1399
2018-02-01 17:46:50
全球最小單片機(jī)問(wèn)世
——Microchip推出業(yè)界首款6引腳單片機(jī)
全球領(lǐng)先的單片機(jī)和模擬半導(dǎo)體供應(yīng)商——Microchip Technology（美國(guó)微芯科技公
2009-07-06 09:02:001855 創(chuàng)新封裝將功率MOSFET散熱效率提升80%
德州儀器 (TI) 公司采用創(chuàng)新的封裝技術(shù)，面向高電流DC/DC應(yīng)用，推出5款目前業(yè)界首個(gè)采用封裝頂部散熱的標(biāo)
2010-03-01 11:37:22828 
業(yè)界首款可以在多天線無(wú)線基站中實(shí)現(xiàn)更高速度、性能和設(shè)計(jì)效率的四通道 DAC 問(wèn)世-- 與雙通道器件相比，ADI 的1GSPS 四通道 DAC 的數(shù)據(jù)速率可以提高25%，PCB 占位面積可以減少20%
2010-04-28 17:15:51581 MXIM推出MAX12005，業(yè)界首款8 × 4衛(wèi)星中頻開(kāi)關(guān)IC可擴(kuò)充到允許多達(dá)16個(gè)衛(wèi)星信號(hào)。高度集成，MAX12005非常靈活，一個(gè)空間受限的范圍廣，如果分配和多路開(kāi)關(guān)應(yīng)用衛(wèi)星的適應(yīng)性。
2011-01-14 09:52:00536 Redpine Signals, Inc，近日宣布推出業(yè)界首款適用于M2M市場(chǎng)的集成式、低功率Wi-Fi模塊。該模塊有很多針對(duì)Wi-Fi Direct和Enterprise security的全新功能。
2012-03-28 16:03:11888 Mouser Electronics宣布備貨Cree公司的CAS100H12AM1，這是業(yè)界首款在單個(gè)半電橋封裝中結(jié)合SiC MOSFET和SiC肖特基二極管的產(chǎn)品。
2013-06-05 10:17:191224 日前，碳化硅（SiC）技術(shù)全球領(lǐng)導(dǎo)者半導(dǎo)體廠商Cree宣布推出采用 SiC材料可使感應(yīng)加熱效率達(dá)到99%的Vds最大值為1.2KV、典型值為5.0 m?半橋雙功率模塊CAS300M12BM2。該款產(chǎn)品目標(biāo)用途包括感應(yīng)加熱設(shè)備、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、太陽(yáng)能和風(fēng)能逆變器、UPS和開(kāi)關(guān)電源以及牽引設(shè)備等。
2015-09-06 17:39:111336 SiC市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)者Cree（科銳公司）近期推出了首款能夠突破業(yè)界SiC功率器件技術(shù)的900V MOSFET平臺(tái)。
2015-09-07 09:29:311923 PKU4300D新系列1／16磚封裝DC／DC模塊可提供業(yè)界最高的功率和效率 對(duì)于ICT、電信和工業(yè)市場(chǎng)中的分布式和中間總線等應(yīng)用，高級(jí)總線轉(zhuǎn)換器旨在替代部署在這些應(yīng)用中的一系列終端用戶電路板
2018-04-07 22:18:007517 羅姆在全球率先實(shí)現(xiàn)了搭載羅姆生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC功率模塊”量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開(kāi)關(guān)并可大幅降低損耗。
2018-05-17 09:33:1313514 DN369 - 業(yè)界首款四開(kāi)關(guān)降壓-升壓型控制器采用單個(gè)電感器實(shí)現(xiàn)了極高的效率
2021-03-21 15:26:52
4 標(biāo)準(zhǔn)、額定電壓1700V的IC。這些新器件是業(yè)界首款采用碳化硅(SiC)初級(jí)開(kāi)關(guān)MOSFET的汽車(chē)級(jí)開(kāi)關(guān)電源IC。新IC可提供高達(dá)70W的輸出功率，主要用于600V和800V純電池和燃料電池乘用車(chē)，以及電動(dòng)巴士、卡車(chē)和各種工業(yè)電源應(yīng)用。
2022-02-15 11:45:53958 Power Integrations今日發(fā)布兩款新器件，為InnoSwitch3-AQ產(chǎn)品系列新添兩款符合AEC-Q100標(biāo)準(zhǔn)、額定電壓1700V的IC。這些新器件是業(yè)界首款采用碳化硅(SiC)初級(jí)
2022-02-16 14:10:121888 電機(jī)控制器是新能源汽車(chē)中電池電能轉(zhuǎn)換機(jī)械能的控制部分，功率控制模塊是電機(jī)控制器中核心電能轉(zhuǎn)換器件。據(jù)弗迪動(dòng)力測(cè)算，SiC能夠提升電控系統(tǒng)中低負(fù)載的效率，整車(chē)?yán)m(xù)航里程增長(zhǎng)5~10%；提升控制器功率密度, 由原18kW/L提升至45kW/L，有利于小型化；占比85%的高效區(qū)效率提高6%，中低負(fù)載區(qū)效率提高10%。
2022-11-08 15:40:482302 的尾電流和FRD的恢復(fù)電流引起的較大的開(kāi)關(guān)損耗，通過(guò)改用SiC功率模塊可以明顯減少，因此具有以下效果： 開(kāi)關(guān)損耗的降低，可以帶來(lái)電源效率的改善和散熱部件的簡(jiǎn)化 （例：散熱片的小型化，水冷/強(qiáng)制風(fēng)冷的自然風(fēng)冷化） 工作頻率的高頻化，使周邊器件小型化 （例：電抗器或電容等的小型化）
2023-01-12 16:35:47489 的尾電流和FRD的恢復(fù)電流引起的較大的開(kāi)關(guān)損耗，通過(guò)改用SiC功率模塊可以明顯減少，因此具有以下效果： 開(kāi)關(guān)損耗的降低，可以帶來(lái)電源效率的改善和散熱部件的簡(jiǎn)化 （例：散熱片的小型化，水冷/強(qiáng)制風(fēng)冷的自然風(fēng)冷化） 工作頻率的高頻化，使周邊器件小型化 （例：電抗器或電容等的小型化）
2023-02-07 16:48:23646 
繼SiC概要、SiC-SBD（肖特基勢(shì)壘二極管 ）、SiC-MOSFET之后，來(lái)介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文作為第一篇，想讓大家了解全SiC功率模塊具體是什么樣的產(chǎn)品，都有哪些機(jī)型。
2023-02-08 13:43:21685 
全SiC功率模塊與現(xiàn)有的IGBT模塊相比，具有1）可大大降低開(kāi)關(guān)損耗、2）開(kāi)關(guān)頻率越高總體損耗降低程度越顯著 這兩大優(yōu)勢(shì)。
2023-02-08 13:43:22673 
ROHM在全球率先實(shí)現(xiàn)了搭載ROHM生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開(kāi)關(guān)并可大幅降低損耗。
2023-02-10 09:41:081333 
繼SiC概要、SiC-SBD（肖特基勢(shì)壘二極管 ）、SiC-MOSFET之后，來(lái)介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文想讓大家了解全SiC功率模塊具體是什么樣的產(chǎn)品，都有哪些機(jī)型。之后計(jì)劃依次介紹其特點(diǎn)、性能、應(yīng)用案例和使用方法。
2023-02-24 11:51:08430 
全SiC功率模塊與現(xiàn)有的功率模塊相比具有SiC與生俱來(lái)的優(yōu)異性能。本文將對(duì)開(kāi)關(guān)損耗進(jìn)行介紹，開(kāi)關(guān)損耗也可以說(shuō)是傳統(tǒng)功率模塊所要解決的重大課題。
2023-02-24 11:51:28493 
國(guó)產(chǎn)氮化硅陶瓷基板升級(jí)SiC功率模塊，提升新能源汽車(chē)加速度、續(xù)航里程、輕量化、充電速度、電池成本5項(xiàng)性能優(yōu)勢(shì)
2023-03-15 17:22:551016 
業(yè)界首款模擬信號(hào)10KV高隔離放大器變送器模塊.
2022-02-11 15:46:17480 
點(diǎn)擊“東芝半導(dǎo)體”，馬上加入我們哦！ 東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）今日宣布， 推出業(yè)界首款 [1] 2200V雙碳化硅（SiC）MOSFET模塊—“ MG250YD2YMS3
2023-08-31 17:40:07254 
除牽引逆變器外，輔助轉(zhuǎn)換器、鐵路電池充電器和DC-DC轉(zhuǎn)換器尤其受益于SiC功率模塊帶來(lái)的開(kāi)關(guān)頻率提升。開(kāi)關(guān)頻率的增加通常允許減小無(wú)源元件（如變壓器、電感器或電容器）的尺寸。此外，較高的開(kāi)關(guān)頻率可能允許使用不同的軟磁芯材料。它提供了提高效率和降低成本的潛力。
2023-10-15 11:40:03471 
在商業(yè)應(yīng)用中利用寬帶隙碳化硅（SiC）的獨(dú)特電氣優(yōu)勢(shì)需要解決由材料機(jī)械性能引起的可靠性挑戰(zhàn)。憑借其先進(jìn)的芯片粘接技術(shù)，Vincotech 處于領(lǐng)先地位。 十多年前首次推出的SiC功率模塊可能會(huì)
2023-10-23 16:49:36372 
SiC驅(qū)動(dòng)器模塊具有較低的功耗、高溫運(yùn)行能力和快速開(kāi)關(guān)速度等優(yōu)勢(shì)，使其在下一代功率器件中有著廣闊的應(yīng)用前景。SiC驅(qū)動(dòng)器模塊可以用于電動(dòng)車(chē)的電力系統(tǒng)、可再生能源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)、工業(yè)電力電子裝置和航空航天
2023-11-16 15:53:30257 
SiC FET神應(yīng)用，在各種領(lǐng)域提高功率轉(zhuǎn)換效率
2023-11-30 09:46:11155 
美光科技近日宣布推出業(yè)界首款標(biāo)準(zhǔn)低功耗壓縮附加內(nèi)存模塊（LPCAMM2），這款產(chǎn)品提供了從16GB至64GB的容量選項(xiàng)，旨在為PC提供更高性能、更低功耗、更緊湊的設(shè)計(jì)空間及模塊化設(shè)計(jì)。
2024-01-19 16:20:47262 SiC器件可以提高電動(dòng)汽車(chē)的充電模塊性能，包括提高頻率、降低損耗、縮小體積以及提升效率等。這有助于提升電動(dòng)汽車(chē)的整體性能表現(xiàn)。
2024-03-18 18:12:341063 
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