Vishay具有業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻的新款12V和20V 的N溝道和P溝道TrenchFET?功率MOSFET。采用業(yè)內(nèi)最小0.8mm x 0.8mm x 0.4mm MICRO FOOT?封裝的CSP規(guī)格尺寸
2012-11-29 16:37:31
1694 為了更好地理解對功率密度的關(guān)注，讓我們看看實現(xiàn)高功率密度所需的條件。即使是外行也能看出，效率、尺寸和功率密度之間的特殊關(guān)系是顯而易見的。
2020-08-20 11:12:141169 
在本文中，我們將討論一些設(shè)計技術(shù)，以在不影響性能的情況下實現(xiàn)更高的功率密度。
2021-09-13 11:29:541186 
為滿足快速發(fā)展的電動汽車行業(yè)對高功率密度 SiC 功率模塊的需求，進行了 1 200 V/500 A 高功率密度三相 全橋 SiC 功率模塊設(shè)計與開發(fā)，提出了一種基于多疊層直接鍵合銅單元的功率模塊封裝方法來并聯(lián)更多的芯片。
2024-03-13 10:34:03377 
Vishay推出外形尺寸2010和2512，額定功率2W和3W的新款汽車級power metal plate檢流電阻器。
2019-05-30 17:36:53831 日前發(fā)布的MOSFET導(dǎo)通電阻比市場上排名第二的產(chǎn)品低43%，降低壓降并減小傳導(dǎo)損耗，從而實現(xiàn)更高功率密度。
2020-08-17 11:53:14846 日前發(fā)布的器件在小型封裝內(nèi)含有高性能n溝道溝槽式MOSFET和PWM控制器，提高了功率密度。穩(wěn)壓器靜態(tài)工作電流低，峰值效率達98 %，減少功率損耗。
2021-03-24 16:58:211425 汽車級MOSFET導(dǎo)通電阻比最接近的DPAK封裝競品器件低28 %，比前代解決方案低31 %，占位面積減小50 %，有助于降低導(dǎo)通功耗，節(jié)省能源，同時增加功率密度提高輸出。
2021-04-07 10:34:071562 電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/李寧遠）電源模塊功率密度越來越高是行業(yè)趨勢，每一次技術(shù)的進步都可以讓電源模塊尺寸減小或者讓功率輸出能力提高。隨著技術(shù)的不斷發(fā)展，電源模塊的尺寸會越來越小。功率密度不斷提高的好處
2022-12-26 09:30:522114 解決方案的功率僅為其75%?！ ⌒缕骷?b class="flag-6" style="color: red">高功率密度允許設(shè)計人員升級現(xiàn)有設(shè)計，開發(fā)輸出功率提高最多25%的新平臺，或者減少并聯(lián)功率器件數(shù)量，從而實現(xiàn)更緊湊的設(shè)計。獨一無二的組合封裝40 A D2PAK可以替代D3PAK或TO-247，用于表面貼裝。這可支持輕松焊接，實現(xiàn)快速且可靠的貼裝生產(chǎn)線。
2018-10-23 16:21:49
e3體積小、電壓高，可替換較大封裝的電阻和多個相似外形尺寸的器件，且不影響精度，減少元件數(shù)量，節(jié)省電路板空間，降低成本。器件經(jīng)過AEC-Q200認證，典型應(yīng)用包括汽車和工業(yè)逆變器電壓測量、電池管理
2022-03-30 13:58:54
通過對同步交流對交流(DC-DC)轉(zhuǎn)換器的功耗機制進行詳細分析，可以界定必須要改進的關(guān)鍵金屬氧化物半導(dǎo)體場效晶體管(MOSFET)參數(shù)，進而確保持續(xù)提升系統(tǒng)效率和功率密度。分析顯示，在研發(fā)功率
2019-07-04 06:22:42
在射頻和微波頻段使用的高功率電阻，大多數(shù)使用在Wilkinson功分器或者合路器產(chǎn)品中。為得到最好的性能，在Wilkinson功分器中使用的100歐姆隔離電阻，必須具有較小的等效電容，以便于降低
2019-08-21 07:30:12
描述 PMP11328 是高功率密度 30A PMBus 電源，滿足基站遠程射頻單元 (RRU) 應(yīng)用的 Xilinx Ultrascale+ ZU9EG FPGA 內(nèi)核電壓軌電源規(guī)格。該電源在
2022-09-27 06:47:49
采用纖巧 QFN 封裝的 42V 高功率密度降壓型穩(wěn)壓器
2019-09-12 07:35:56
高功率密度雙8AμModule穩(wěn)壓器
2019-05-17 17:25:42
傳統(tǒng)變壓器介紹高功率密度變壓器的常見繞組結(jié)構(gòu)
2021-03-07 08:47:04
驅(qū)動器，采用基于傳感器的梯形控制。本設(shè)計采用 TI 的 MOSFET 電源塊技術(shù)，將兩個采用半橋配置的 FET 集成到一個 SON 5x6 封裝中，從而實現(xiàn)極高的功率密度。本設(shè)計使用兩個并聯(lián)的電源塊，可以
2018-11-01 16:34:29
功率密度在現(xiàn)代電力輸送解決方案中的重要性和價值不容忽視。為了更好地理解高功率密度設(shè)計的基本技術(shù)，在本文中，我將研究高功率密度解決方案的四個重要方面：降低損耗最優(yōu)拓撲和控制選擇有效的散熱通過機電元件
2022-11-07 06:45:10
，容易受厚膜膠相對較大的電阻率以及印制導(dǎo)體厚度的限制。而很多層數(shù)交疊折繞的平面銅箔繞組，可以獲得極低的電阻，它主要受限于小電流的單層設(shè)計及桶形繞組的結(jié)構(gòu)。以上就是一些關(guān)于高功率密度高頻電源變壓器的應(yīng)用方案的簡單理論。
2016-01-18 10:27:02
推薦課程：張飛軟硬開源：基于STM32的BLDC直流無刷電機驅(qū)動器（視頻+硬件）http://url.elecfans.com/u/73ad899cfd基于重量與體積，BLDC功率密度大于PMSM
2019-05-11 19:39:49
GaN功率IC使能4倍功率密度150W AC/DC變換器設(shè)計
2023-06-21 07:35:15
克服了上述問題，可實現(xiàn)高功率密度、高效率 (達 99%) 的解決方案。這款固定比例、高電壓、高功率開關(guān)電容器控制器內(nèi)置 4 個 N 溝道 MOSFET 柵極驅(qū)動器，用于驅(qū)動外部功率 MOSFET，以
2018-10-31 11:26:48
獵頭職位：硬件工程師（高功率密度ACDC硬件） （薪資：17-20K/月，具體面議）工作職責：1、負責采用軟開關(guān)拓撲3kW-10kW的DCDC硬件方面設(shè)計；2、負責高功率密度ACDC硬件方面的開發(fā)
2017-09-06 17:28:43
LT1965 一款高功率密度1A LDO器件.該IC在滿負載時具有僅為300mV的低壓差電壓、1.8V 至20V的寬VIN能力和1.2V至19.5V的可調(diào)輸出，不日前由凌力爾特公司
2018-09-27 10:37:27
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:58 編輯
一種新型正激高功率密度逆變器
2012-04-08 16:29:16
一種新型正激高功率密度逆變器
2012-04-08 15:43:13
簡介這篇文章闡述了一種被飛思卡爾使用的高功率射頻功放的熱測量方法。半導(dǎo)體器件的可靠性和器件的使用溫度有很大的關(guān)系，因此，建立使用了高功率器件的系統(tǒng)的可靠性模型，這些高功率器件的精確的溫度特性非常關(guān)鍵。
2019-06-27 07:52:25
本文提出了一種超高效率、高功率密度的功率因數(shù)設(shè)計校正(PFC)和非對稱半橋(AHB)反激變換器140w PD3.1適配器應(yīng)用程序。在升壓PFC設(shè)計中，采用了GaNSense功率ic，以實現(xiàn)更高的頻率
2023-06-16 08:06:45
什么是功率密度？功率密度的發(fā)展史如何實現(xiàn)高功率密度？
2021-03-11 06:51:37
什么是功率密度？限制功率密度的因素有哪些？
2021-03-11 08:12:17
被用于高功率、高精度的電路中。具體到低阻低TCR特性，低阻表示電阻器的電阻值相對較低，通常在幾百毫歐姆或更低。低TCR指電阻體溫度系數(shù)較低，也就是電阻值變化隨溫度變化的差異小。這些特性都對電路的精度
2023-04-18 14:45:16
描述 PMP20978 參考設(shè)計是一種高效率、高功率密度和輕量化的諧振轉(zhuǎn)換器參考設(shè)計。此設(shè)計將 390V 輸入轉(zhuǎn)換為 48V/1kW 輸出。PMP20637 功率級具有超過 140W/in^3
2022-09-23 07:12:02
描述TPS53355 頂部電感器降壓型降壓轉(zhuǎn)換器設(shè)計通過減小 X-Y PCB 面積來實現(xiàn)高功率密度，只需 1.8W 功率損耗便可產(chǎn)生大于 86% 的效率，僅需 5 個 100uF 陶瓷輸出電容器即可
2018-12-18 15:06:52
基于GaN器件的產(chǎn)品設(shè)計可以提高開關(guān)頻率，減小體積無源器件，進一步優(yōu)化產(chǎn)品功率密度和成本。然而，由于小GaN器件的芯片尺寸和快速開關(guān)特性，給散熱帶來了一系列新的挑戰(zhàn)耗散設(shè)計、驅(qū)動設(shè)計和磁性元件
2023-06-16 08:59:35
功率密度本設(shè)計實現(xiàn)35W/in3功率密度，滿載94.5%效率@ 90Vac，并通過CE和RE標準足夠的保證金。
2023-06-16 09:04:37
在現(xiàn)有空間內(nèi)繼續(xù)提高功率，但同時又不希望增大設(shè)備所需的空間，”德州儀器產(chǎn)品經(jīng)理Masoud Beheshti說，“如果不能增大尺寸，那么只能提升功率密度。” 了解如何利用德州儀器的GaN產(chǎn)品系列實現(xiàn)
2019-03-01 09:52:45
描述PMP10449 提供高功率密度解決方案，可以輸出高達 20A 的電流。這一功能以及超過 93% 的峰值效率使其成為通信或企業(yè)交換應(yīng)用的最佳選擇。主要特色總電源面積為 0.48 平方英寸20A
2018-08-17 07:16:02
實現(xiàn)功率密度非常高的緊湊型電源設(shè)計的方法
2020-11-24 07:13:23
伺服電機驅(qū)動器的作用是什么？如何實現(xiàn)高精度且高定位來控制伺服電機？
2021-10-12 13:01:01
如何去實現(xiàn)高精度的功率轉(zhuǎn)換效率測量？
2021-04-29 07:14:18
運算放大器的串聯(lián)：如何同時實現(xiàn)高精度和高輸出功率
2021-01-06 06:54:44
如何在高功率密度模塊電源中實現(xiàn)低損耗設(shè)計？這個問題是很多生產(chǎn)商和研發(fā)人員所面臨的頭號問題。畢竟，高功率密度的模塊電源目前在我國的工業(yè)、通訊和制造業(yè)領(lǐng)域占據(jù)著主導(dǎo)地位。所以，下文將會就這一問題展開
2016-01-25 11:29:20
如何用PQFN封裝技術(shù)提高能效和功率密度？
2021-04-25 07:40:14
）5mm×6mm FET這類更新的方形扁平無引線（QFN）封裝在硅片和源極管腳之間能提供更小的封裝電阻。單位面積的電阻較小意味著單位面積的傳導(dǎo)損耗較少，也意味著更高的電流能力和更高的功率密度。因此
2017-08-21 14:21:03
大學畢業(yè)設(shè)計，想找一個精度高的超聲傳感器來測量距離，現(xiàn)有的一個精度太低。求推薦
2018-03-13 19:27:05
怎么測量天線輻射下空間中某點的電磁功率（功率密度）？
2013-10-16 16:32:02
如何利用雙焊盤檢測電阻去優(yōu)化高電流檢測精度？
2021-05-06 09:21:34
整個壽命周期成本時，逐步減少能量轉(zhuǎn)換過程中的小部分損失并不一定會帶來總體成本或環(huán)境效益的大幅提升。另一方面，將更多能量轉(zhuǎn)換設(shè)備集成到更小的封裝中，即提高“功率密度”，可以更有效地利用工廠或數(shù)據(jù)中心
2020-10-27 10:46:12
從“磚頭”手機到笨重的電視機，電源模塊曾經(jīng)在電子電器產(chǎn)品中占據(jù)相當大的空間，而且市場對更高功率密度的需求仍是有增無減。硅電源技術(shù)領(lǐng)域的創(chuàng)新曾一度大幅縮減這些應(yīng)用的尺寸，但卻很難更進一步。在現(xiàn)有尺寸
2019-08-06 07:20:51
適配器。此外，不同的便攜式設(shè)備內(nèi)部的電池數(shù)串聯(lián)節(jié)數(shù)也有可能不同。這就要求電池充電器集成電路（IC）采用降壓-升壓拓撲結(jié)構(gòu)， 去適應(yīng)輸入電壓和電池電壓的這些任意的變化。 具有高功率密度的降壓-升壓充電芯片
2020-10-27 08:10:42
如何實現(xiàn)高精度熱電阻測量電路的設(shè)計？常用的熱電阻測量方法有哪些？恒壓分壓式三線制測量電路的原理是什么？提高測量精度的措施有哪些？
2021-04-13 06:08:39
請問如何同時實現(xiàn)高精度和高輸出功率？
2021-06-17 07:14:45
描述此設(shè)計展示了采用 TPS54478 的高功率密度 3A 同步降壓轉(zhuǎn)換器解決方案。輸入電壓范圍為 3V - 6V?？傮w外形尺寸為 15.5mm x 7.8mm。
2018-07-23 09:21:10
采用微型QFN封裝的42V高功率密度降壓穩(wěn)壓器
2019-09-17 08:43:00
開發(fā)人員來說，功率密度是一個始終存在的挑戰(zhàn)，對各種電壓下更高電流的需求（通常遠低于系統(tǒng)總線）帶來了對更小的降壓穩(wěn)壓器的需求，這樣的穩(wěn)壓器可通過一個單極里的多個放大器，將電壓從高達48 V降至1 V，使其
2020-10-28 09:10:17
高精度高穩(wěn)定功率測量技術(shù) 在功率測試中，必須對電壓和電流進行精準測量。特別是在電流測試中，要求分流電阻在低阻值和寬頻的條件下保持非常穩(wěn)定的電阻值。通常，如果電阻值變小，電感值就相對變大
2018-11-26 20:37:04
能量轉(zhuǎn)換元件如變壓器、儲能元件如電感及電容，達到高效率、高功率密度的要求。為求簡便，本文以下稱之電源轉(zhuǎn)換技術(shù)。電源轉(zhuǎn)換技術(shù)的發(fā)展著重在達到高功率密度及高轉(zhuǎn)換效率，即為所謂的「輕、薄、短、小」。電源轉(zhuǎn)換
2018-12-05 09:48:34
中紅外激光功率密度探測單元的研制
摘要:采用室溫光導(dǎo)型ＨｇＣｄＴｅ探測器，研制了可用于中紅外激光功率密度測量的探測單元，主要包括衰減片、探測器
2010-04-28 16:05:36
10 Vishay Siliconix推出業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻功率MOSFET
Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新款20V P溝道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用緊湊的2mm x 2mm占位
2009-11-25 09:51:011089 工業(yè)電源必需滿足一些特殊的要求，如低功耗(以減輕機箱冷卻方面的負擔)、高功率密度(以減小空間要求)、高可靠性和高耐用性，以及其它在普通電源中不常見的特性
2011-04-06 10:57:141267 
工業(yè)電源必需滿足一些特殊的要求，如低功耗（以減輕機箱冷卻方面的負擔）、高功率密度（以減小空間要求）、高可靠性和高耐用性，以及其它在普通電源中不常見的特性，如易于并
2012-10-11 20:42:571850 
新的E系列器件采用Vishay Siliconix超級結(jié)技術(shù)，導(dǎo)通電阻低至30m?、電流達6A～105A，在8種封裝中實現(xiàn)低FOM和高功率密度。
2013-06-04 15:57:241063 高功率密度逆變電源研制，有需要的下來看看
2016-03-25 13:57:2020 正弦振幅轉(zhuǎn)換器拓撲在中轉(zhuǎn)母線架構(gòu)應(yīng)用中實現(xiàn)了一流的效率和功率密度
2016-06-02 15:41:090 Vishay Intertechnology， Inc.宣布，發(fā)布功率等級提高到1.0W，采用0612小外形尺寸的新款表面貼裝Power Metal Strip? 檢流電阻---WSKW0612
2016-09-21 17:12:411779 電阻---RCWH，電阻的功率等級達到0.33W，外形尺寸為0805。Vishay Dale RCWH系列電阻的功率密度是相同占位的標準電阻的2.5倍以上，在通信、計算機、工業(yè)和消費應(yīng)用中能夠節(jié)省空間，并減少元器件數(shù)量。
2017-05-24 10:48:45983 ，功率等級達0.33W，采用0306小外形尺寸的新系列厚膜表面貼裝片式電阻---RCWK0306。Vishay Dale RCWK0306系列的功率密度是0603焊盤尺寸的標準電阻的3.3倍，可用于通信、計算機、工業(yè)和消費產(chǎn)品，設(shè)計用于節(jié)省空間和減少元器件數(shù)量。
2017-06-26 09:42:341339
意法半導(dǎo)體新款的MDmesh? MOSFET內(nèi)置快速恢復(fù)二極管
提升高能效轉(zhuǎn)換器的功率密度
2017-09-21 16:31:255915 TI高功率密度電源設(shè)計中的散熱解決方案-上篇
2018-08-24 00:10:002790 安裝尺寸的全新高功率、大電流云母柵格電阻器系列---GREM。Vishay Milwaukee GREM電阻器為設(shè)計人員，提供了相較標準不銹鋼柵格設(shè)計成本更低的選擇，器件采用EDG技術(shù)在改善供電容量，重量和功率密度的同時，維持封裝尺寸不變。
2018-08-25 11:05:002953 設(shè)計超高功率密度的小功率AC-DC電源
2019-05-13 06:21:004845 
中的檢流和脈沖應(yīng)用，設(shè)計人員可使用單個大功率電阻，而不必并聯(lián)多個電阻產(chǎn)生電流測量誤差。由于提高了功率密度，WFM還節(jié)省電路板空間，從而可為最終消費者提供體積更小、重量更輕的產(chǎn)品。
2019-06-09 16:47:001149 機電元件集成來減小系統(tǒng)體積 我還將演示如何與TI合作，使用先進的技術(shù)能力和產(chǎn)品來實現(xiàn)這四個方面，幫助您改進并達到功率密度值。 首先，讓我們來定義功率密度，并著重了解一些根據(jù)功率密度值比較解決方案時的細節(jié)。 什么是功率密
2020-10-20 15:01:15579 元件集成來減小系統(tǒng)體積，我還將演示如何與 TI 合作，使用先進的技術(shù)能力和產(chǎn)品來實現(xiàn)這四個方面，幫助您改進并達到功率密度值。首先，讓我們來定義功率密度，并著重了解一些根據(jù)功率密度值比較解決方案時的細節(jié)。
2020-11-19 15:14:0011 高功率密度雙8Aμ模塊穩(wěn)壓器
2021-04-14 10:39:519 的散熱
通過機電元件集成來減小系統(tǒng)體積
我還將演示如何與TI合作，使用先進的技術(shù)能力和產(chǎn)品來實現(xiàn)這四個方面，幫助您改進并達到功率密度值。
首先，讓我們來定義功率密度，并著重了解一些根據(jù)
2022-01-14 17:10:261733 在QR反激式轉(zhuǎn)換器中采用GaN HEMT和平面變壓器，有助于提高開關(guān)頻率和功率密度。然而，為了在超薄充電器和適配器設(shè)計中實現(xiàn)更高功率密度，軟開關(guān)和變壓器漏感能量回收變得不可或缺。
2022-03-31 09:26:451951 
功率半導(dǎo)體注定要承受大的損耗功率、高溫和溫度變化。提高器件和系統(tǒng)的功率密度是功率半導(dǎo)體重要的設(shè)計目標。
2022-05-31 09:47:061906 
提高功率密度的路線圖從降低傳導(dǎo)動態(tài)損耗開始。與碳化硅相比，氮化鎵可以顯著降低動態(tài)損耗，因此可以降低整體損耗。因此，這是未來實現(xiàn)高功率密度的一種方法。
2022-07-26 10:18:46487 功率密度基礎(chǔ)技術(shù)簡介
2022-10-31 08:23:243 一般電驅(qū)動系統(tǒng)以質(zhì)量功率密度指標評價，電機本體以有效比功率指標評價，逆變器以體積功率密度指標評價；一般乘用車動力系統(tǒng)以功率密度指標評價，而商用車動力系統(tǒng)以扭矩密度指標評價。
2022-10-31 10:11:213713 用氮化鎵重新考慮功率密度
2022-11-01 08:27:301 本文將介紹實現(xiàn)更高電源功率密度的 3 種方法，工藝技術(shù)創(chuàng)新、電路設(shè)計技術(shù)優(yōu)化、熱優(yōu)化封裝研發(fā)
2022-12-22 11:59:59649 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/李寧遠）電源模塊功率密度越來越高是行業(yè)趨勢，每一次技術(shù)的進步都可以讓電源模塊尺寸減小或者讓功率輸出能力提高。隨著技術(shù)的不斷發(fā)展，電源模塊的尺寸會越來越小。功率密度不斷提高的好處
2022-12-26 07:15:02723 功率半導(dǎo)體注定要承受大的損耗功率、高溫和溫度變化。提高器件和系統(tǒng)的功率密度是功率半導(dǎo)體重要的設(shè)計目標。
2023-02-06 14:24:201160 
交通應(yīng)用中電氣化的趨勢導(dǎo)致了高功率密度電力電子轉(zhuǎn)換器的快速發(fā)展。高開關(guān)頻率和高溫操作是實現(xiàn)這一目標的兩個關(guān)鍵因素。
2023-03-30 17:37:53914 在功率器件領(lǐng)域，除了圍繞傳統(tǒng)硅器件本身做文章外，材料的創(chuàng)新有時也會帶來巨大的性能提升。比如，在談?wù)?b class="flag-6" style="color: red">功率密度時，GaN（氮化鎵）憑借零反向復(fù)原、低輸出電荷和高電壓轉(zhuǎn)換率等突出優(yōu)勢，能夠幫助廠商大幅提升系統(tǒng)密度，而另一種主流的寬帶隙半導(dǎo)體材料SiC（碳化硅）也是提升功率密度的上佳選擇。
2023-05-18 10:56:27741 
功率半導(dǎo)體冷知識：功率器件的功率密度
2023-12-05 17:06:45264 
非互補有源鉗位可實現(xiàn)超高功率密度反激式電源設(shè)計
2023-11-23 09:08:35284 
在電力電子系統(tǒng)的設(shè)計和優(yōu)化中，功率密度是一個不容忽視的指標。它直接關(guān)系到設(shè)備的體積、效率以及成本。以下提供四種提高電力電子設(shè)備功率密度的有效途徑。
2023-12-21 16:38:07277 
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