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電子發(fā)燒友網(wǎng)>電源/新能源>功率器件>Vishay新款30V MOSFET具有高功率密度和高效率等特性,適用于移動(dòng)設(shè)備和消費(fèi)電子

Vishay新款30V MOSFET具有高功率密度和高效率等特性,適用于移動(dòng)設(shè)備和消費(fèi)電子

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1200V碳化硅MOSFET系列選型

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30W電源,平均效率> 91%

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2018-07-20 18:38:13

具有0.68V / 4A輸出的高效率,電流模式,同步DC-DC轉(zhuǎn)換器

載條件下具有跳躍模式功能,在重負(fù)載條件下提供無(wú)與倫比的效率。具有低導(dǎo)通電阻的集成開(kāi)關(guān)可確保在重負(fù)載下實(shí)現(xiàn)高效率,同時(shí)最大限度地降低關(guān)鍵電感。此外,小尺寸和高效率的組合使該設(shè)備適用于便攜式和非便攜式
2018-07-30 09:46:55

具有電壓GaN FET的高效率功率密度1kW諧振轉(zhuǎn)換器參考設(shè)計(jì)

描述 PMP20978 參考設(shè)計(jì)是一種高效率功率密度和輕量化的諧振轉(zhuǎn)換器參考設(shè)計(jì)。此設(shè)計(jì)將 390V 輸入轉(zhuǎn)換為 48V/1kW 輸出。PMP20637 功率級(jí)具有超過(guò) 140W/in^3
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2022-09-21 06:42:37

用于SoC和μP應(yīng)用的高效率20A單片靜音開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器

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2018-09-13 14:28:48

適用于5V/2A適配器應(yīng)用的參考設(shè)計(jì)

描述 PMP11600 是一款適用于 5V/2A 適配器應(yīng)用的參考設(shè)計(jì)。此解決方案可實(shí)現(xiàn)經(jīng)過(guò)全面測(cè)試且符合傳導(dǎo) EMI 標(biāo)準(zhǔn)的高效率初級(jí)側(cè)控制器 UCC28704。此參考設(shè)計(jì)采用伏秒平衡同步整流器
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適用于MCP16301高壓輸入集成開(kāi)關(guān)降壓穩(wěn)壓器電路的典型應(yīng)用

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進(jìn)一步增強(qiáng)了 LM5020。它非常適用于需要高效率和斷續(xù)保護(hù)的低電壓隔離式電源。特性用于隔離式電源的 43V-57V 輸入 和 3.3V/4A 輸出86.4% 的高效率可降低熱耗散斷續(xù)保護(hù),可增強(qiáng)
2022-09-23 06:32:58

適用于驅(qū)動(dòng)大功率電機(jī)設(shè)計(jì)

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2019-09-27 08:42:30

SL3036D 60V降壓恒壓芯片 低待機(jī)功耗、高效率、 低紋波 POE交換機(jī)DC電源供電

電壓從4.2V30V 可調(diào)支持輸出恒壓恒流支持輸出12V/3A; 5V/3A高效率:可高達(dá)96%工作頻率:140KHz低待機(jī)功耗內(nèi)置過(guò)溫保護(hù)內(nèi)置軟啟動(dòng)內(nèi)置輸出短路保護(hù)應(yīng)用恒壓源,電動(dòng)汽車(chē)、電動(dòng)自行車(chē)、電瓶車(chē)扭扭車(chē)、卡車(chē)典型應(yīng)用電路圖深圳市森利威爾電子有限公司鄭生***/2355368874
2021-12-01 14:29:07

SiC MOSFET:經(jīng)濟(jì)高效且可靠的功率解決方案

外,新設(shè)備還通過(guò)了UL-60950-1認(rèn)證(圖6)。點(diǎn)擊顯示大圖圖6采用RxxP22005D的典型應(yīng)用電路[來(lái)源:RECOM]結(jié)論由于該材料的固有和物理特性,對(duì)高效率功率密度器件的不斷增長(zhǎng)的需求
2019-07-30 15:15:17

一種高效率的同步降壓DC-DC變換器3A輸出電流

采用專(zhuān)有的瞬時(shí)PWM結(jié)構(gòu),實(shí)現(xiàn)快速瞬態(tài)響應(yīng)適用于降壓應(yīng)用和輕負(fù)載下的高效率。此外,它在在連續(xù)傳導(dǎo)模式下的500kHz偽恒定頻率,以最小化電感器和電容器。PW2312是一個(gè)高頻,同步,整流,降壓,開(kāi)關(guān)模式轉(zhuǎn)換器與內(nèi)部功率MOSFET。它提供了一個(gè)非常緊湊的解決方案,以實(shí)現(xiàn)1.5A的峰值輸出電流在廣
2021-11-17 06:29:04

一種高效率的同步降壓DC-DC變換器3A輸出電流

采用專(zhuān)有的瞬時(shí)PWM結(jié)構(gòu),實(shí)現(xiàn)快速瞬態(tài)響應(yīng)適用于降壓應(yīng)用和輕負(fù)載下的高效率。此外,它在在連續(xù)傳導(dǎo)模式下的500kHz偽恒定頻率,以最小化電感器和電容器。特征內(nèi)部整流MOS的低RDS(on)(頂部/底部):90/60 mΩ4.5-30V輸入電壓范圍瞬時(shí)PWM架構(gòu)實(shí)現(xiàn)快速瞬態(tài)響應(yīng)...
2021-11-15 08:03:05

一種超高效率功率密度的PFC和AHB反激變換器140w PD3.1適配器應(yīng)用程序

本文提出了一種超高效率功率密度功率因數(shù)設(shè)計(jì)校正(PFC)和非對(duì)稱(chēng)半橋(AHB)反激變換器140w PD3.1適配器應(yīng)用程序。在升壓PFC設(shè)計(jì)中,采用了GaNSense功率ic,以實(shí)現(xiàn)更高的頻率
2023-06-16 08:06:45

東芝最新款分立IGBT將大幅提高空調(diào)和工業(yè)設(shè)備效率

中國(guó)上海,2023年3月9日 ——東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社(“東芝”)今日宣布推出一款用于空調(diào)和工業(yè)設(shè)備大型電源的功率因數(shù)校正(PFC)電路的650V分立IGBT---“GT30
2023-03-09 16:39:58

什么是功率密度?如何實(shí)現(xiàn)功率密度?

什么是功率密度功率密度的發(fā)展史如何實(shí)現(xiàn)功率密度?
2021-03-11 06:51:37

什么是功率密度?限制功率密度的因素有哪些?

什么是功率密度?限制功率密度的因素有哪些?
2021-03-11 08:12:17

什么是適用于移動(dòng)設(shè)備的嵌入式大容量存儲(chǔ)?

與多年前相比,現(xiàn)在的移動(dòng)消費(fèi)電子裝置結(jié)構(gòu)復(fù)雜,功能豐富,能夠存儲(chǔ)大量音樂(lè)、照片和視頻內(nèi)容。讓人欣慰的是,存儲(chǔ)系統(tǒng)的體系結(jié)構(gòu)能夠適應(yīng)這些新的數(shù)據(jù)密集型應(yīng)用。例如,適用于大容量存儲(chǔ)的高性?xún)r(jià)比緊湊型 NAND 閃存就替代了手機(jī)、MP3 播放器和數(shù)碼相機(jī)中使用的 NOR 閃存和其它非易失性存儲(chǔ)裝置。
2019-09-03 07:22:10

低厚度高效率交流/直流SMPS參考設(shè)計(jì)包括BOM及層圖

描述TIDA-01495 是一款具有低厚度(17mm )、94.1% 的峰值效率功率密度、通用輸入、24V 直流及 480W 輸出的消費(fèi)級(jí)交流/直流電源參考設(shè)計(jì)。其電路具有
2018-10-15 09:37:43

供應(yīng)智能家居電源模塊220V轉(zhuǎn)5V超小開(kāi)關(guān)電源5W

應(yīng)用于電磁兼容惡劣的環(huán)境下必須外加EMC外圍增強(qiáng)型電路。產(chǎn)品特性:全球通用范圍交直流輸入高效率、功率密度穩(wěn)壓輸出、低紋波噪音體積?。?7*25*20 mm保護(hù)種類(lèi):過(guò)載保護(hù)/短路保護(hù)/過(guò)熱保護(hù)內(nèi)置
2019-01-04 13:54:56

利用負(fù)載電流模式切換功能在更寬負(fù)載電流范圍實(shí)現(xiàn)高效率

ROHM的“BU33UV7NUX”是面向干電池驅(qū)動(dòng)的電子設(shè)備開(kāi)發(fā)而成的、消耗電流低至業(yè)界低級(jí)別的、內(nèi)置MOSFET的升壓型DC/DC轉(zhuǎn)換器。在智能手機(jī)和可穿戴式設(shè)備移動(dòng)設(shè)備中,鋰離子電池可充電
2018-12-04 10:25:18

基于AL3050電流模式的升壓型LED驅(qū)動(dòng)器

AL3050EV1,AL3050評(píng)估板是一款電流模式升壓型LED驅(qū)動(dòng)器,具有可編程亮度調(diào)光控制功能,適用于便攜式設(shè)備。 AL3050具有30V額定值的集成MOSFET功率二極管,可支持多達(dá)8個(gè)串聯(lián)
2020-06-04 06:53:32

基于GaN電源集成電路的超高效率、功率密度140W PD3.1 AC-DC適配器

功率密度本設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)35W/in3功率密度,滿(mǎn)載94.5%效率@ 90Vac,并通過(guò)CE和RE標(biāo)準(zhǔn)足夠的保證金。
2023-06-16 09:04:37

基于德州儀器GaN產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)更高功率密度

更高的功率密度。GaN的時(shí)代60多年以來(lái),硅一直都是電氣組件中的基礎(chǔ)材料,廣泛用于交流電與直流電轉(zhuǎn)換,并調(diào)整直流電壓以滿(mǎn)足從手機(jī)到工業(yè)機(jī)器人眾多應(yīng)用的需求。雖然必要的組件一直在持續(xù)改進(jìn)和優(yōu)化,但物理學(xué)
2019-03-01 09:52:45

多輸出高效率3類(lèi)PoE反激轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)方案

控制器功能。主要特色高效率 (90%)適用于 10V/0.2A、5V/1A、3.3V/1.5A 的多個(gè)輸出具有同步整流器的隔離式反激小尺寸解決方案將 TPS23785 與 PoE 接口 PD 和 PWM 控制器結(jié)合使用此電路設(shè)計(jì)經(jīng)過(guò)全面功能測(cè)試,推薦用于新設(shè)計(jì)。
2018-09-05 09:11:43

如何在功率密度模塊電源中實(shí)現(xiàn)低損耗設(shè)計(jì)

,功率密度的電源模塊多采用國(guó)際流行的工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝,產(chǎn)品兼容性更廣。其次,產(chǎn)品的同等功率體積重量大大縮小,只有傳統(tǒng)產(chǎn)品的四分之一。第三,技術(shù)指標(biāo)有重大改善,特別是效率提高到90%.第四,產(chǎn)品本身優(yōu)異的熱
2016-01-25 11:29:20

如何實(shí)現(xiàn)功率密度非常的緊湊型電源設(shè)計(jì)?

實(shí)現(xiàn)功率密度非常的緊湊型電源設(shè)計(jì)的方法
2020-11-24 07:13:23

如何設(shè)計(jì)一個(gè)高效率低功耗低噪聲的直流3V升壓到30V的電路?

如何設(shè)計(jì)一個(gè)高效率低功耗低噪聲的直流3V升壓到30V的電路? 電流1ma之內(nèi)即可。
2023-11-16 06:36:14

如何設(shè)計(jì)基于SiC-MOSFET的6.6kW雙向電動(dòng)汽車(chē)車(chē)載充電器?

650V SiC MOSFET功率損耗低,可以在雙向功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用(例如 EV 的 OBC)中實(shí)現(xiàn)功率密度高效率。
2023-02-27 09:44:36

對(duì)更高功率密度的需求推動(dòng)電動(dòng)工具創(chuàng)新解決方案

,160A峰值,效率高于98%的功率密度無(wú)刷電機(jī)驅(qū)動(dòng)器參考設(shè)計(jì)。訂購(gòu)具有60V CSD88599Q5DC和DRV8323R柵極驅(qū)動(dòng)器的DRV8323RH三相智能柵極驅(qū)動(dòng)評(píng)估模塊。
2017-08-21 14:21:03

微波功率器件是現(xiàn)代雷達(dá)通信電子戰(zhàn)系統(tǒng)的核心元器件

功率行波管的發(fā)展走過(guò)了70年的歷程,具有寬頻帶、功率高效率特點(diǎn),是現(xiàn)代雷達(dá)通信電子戰(zhàn)系統(tǒng)的核心元器件,并不斷地推動(dòng)系統(tǒng)向高頻率、功率、集成化、一體化發(fā)展。
2019-07-05 08:17:35

快捷半導(dǎo)體的整合式智慧功率級(jí)模組(SPS)

`該模塊在更小的空間里包含了各種智慧特性,簡(jiǎn)化了下一代的服務(wù)器以及通訊系統(tǒng)的功率輸出,在下一代服務(wù)器以及通訊系統(tǒng)功率輸出應(yīng)用中,在不斷縮小電路板可用空間中實(shí)現(xiàn)高效率功率密度是設(shè)計(jì)人員面臨的兩大
2013-12-09 10:06:45

提高IPM系統(tǒng)級(jí)功率密度以應(yīng)對(duì)新壓力

星期二海報(bào)對(duì)話會(huì)議下午3:30- 下午5:30智能功率模塊PP013改善15A / 600V智能功率模塊的系統(tǒng)級(jí)功率密度Jonathan Harper,安森美半導(dǎo)體Toshiyuki Iimura
2018-10-18 09:14:21

新產(chǎn)品# MP8030 全集成802.3af/at/bt 兼容PoE PD 接口,集成高效率反激/正激控制器

802.3af/at/bt功能。該器件還集成了一個(gè)用于≤51W 應(yīng)用的 100V 熱插拔 MOSFET 、一個(gè)用于>51W功率應(yīng)用效率優(yōu)化的GATE1 驅(qū)動(dòng)器,以及一個(gè)支持外部低導(dǎo)
2022-09-27 11:09:19

權(quán)衡功率密度效率的方法

整個(gè)壽命周期成本時(shí),逐步減少能量轉(zhuǎn)換過(guò)程中的小部分損失并不一定會(huì)帶來(lái)總體成本或環(huán)境效益的大幅提升。另一方面,將更多能量轉(zhuǎn)換設(shè)備集成到更小的封裝中,即提高“功率密度”,可以更有效地利用工廠或數(shù)據(jù)中心
2020-10-27 10:46:12

設(shè)計(jì)基于SiC-MOSFET的6.6kW雙向EV車(chē)載充電器

使用圖騰柱無(wú)橋PFC升壓轉(zhuǎn)換器,以減少二極管數(shù)量并提高效率[6],[7]。但是,硅MOSFET體二極管的反向恢復(fù)會(huì)導(dǎo)致連續(xù)導(dǎo)通模式(CCM)中的功率損耗,從而使其不適用于功率應(yīng)用。隨后,與SiC
2019-10-25 10:02:58

設(shè)計(jì)實(shí)例:30-W/in3, 93.4% efficiency, 100-W AC/DC

`一款高效率、功率密度的AC/DC適配器解決方案,具有較寬的輸入電壓范圍(100-240-V AC),適用于筆記本電腦適配器和智能手機(jī)充電器應(yīng)用。該設(shè)計(jì)包括一個(gè)基于UCC28056的前端過(guò)渡模式
2019-01-16 10:54:03

請(qǐng)問(wèn)怎樣去設(shè)計(jì)一種高效率音頻功率放大器?

怎樣去設(shè)計(jì)一種高效率音頻功率放大器?如何對(duì)高效率音頻功率放大器進(jìn)行測(cè)試驗(yàn)證?
2021-06-02 06:11:23

采用TPS562209適用于雙輸出系統(tǒng)的參考設(shè)計(jì)

+5V 輸出。這一簡(jiǎn)單設(shè)計(jì)可打造高效、低成本解決方案,適用于雙輸出系統(tǒng)。峰值效率超過(guò) 92%。特性 可利用單個(gè)設(shè)備和單個(gè)功率級(jí)生成兩個(gè)輸出。TPS562209 采用小型 SOT23 封裝。DCAP2
2022-09-16 07:52:20

降壓恒壓 SL3041 高效率 低功耗 可實(shí)現(xiàn)72V降壓5V

、SL3041的應(yīng)用 SL3041適用于各種需要降壓恒壓的電路中,如電池充電器、LED照明、電子儀器。該器件可以將72V輸入電壓降至5V,為電路提供穩(wěn)定的供電電壓。同時(shí),由于其高效能和低功耗的特點(diǎn)
2023-10-23 15:44:10

集成MOSFET如何提升功率密度

開(kāi)發(fā)人員來(lái)說(shuō),功率密度是一個(gè)始終存在的挑戰(zhàn),對(duì)各種電壓下更高電流的需求(通常遠(yuǎn)低于系統(tǒng)總線)帶來(lái)了對(duì)更小的降壓穩(wěn)壓器的需求,這樣的穩(wěn)壓器可通過(guò)一個(gè)單極里的多個(gè)放大器,將電壓從高達(dá)48 V降至1 V,使其
2020-10-28 09:10:17

非隔離8-100V寬輸入降壓恒壓高效率小體積控制器

100V/10A 功率MOS輸出電壓從5V30V 可調(diào)支持輸出恒流高效率:可高達(dá)93%工作頻率:160KHz內(nèi)置過(guò)溫保護(hù)內(nèi)置軟啟動(dòng)
2016-09-28 13:38:47

面向工業(yè)總線POL應(yīng)用的高效24V輸入PMBus同步降壓轉(zhuǎn)換器

描述PMP11220 參考設(shè)計(jì)是一種高效率、功率密度的 PMBus 同步降壓轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì),用于對(duì)包括輸出電壓在內(nèi)的電源進(jìn)行編程和裕量調(diào)節(jié)。憑借適合工業(yè)總線應(yīng)用的 24V 額定輸入,此設(shè)計(jì)允許對(duì)輸出
2018-12-21 11:49:47

飛兆半導(dǎo)體集成式智能功率級(jí)(SPS)模塊 具有更高的功率密度和更佳的效率

在電路板尺寸不斷縮小的新一代服務(wù)器和電信系統(tǒng)供電應(yīng)用中,提高效率功率密度是設(shè)計(jì)人員面臨的重大挑戰(zhàn)。為了應(yīng)對(duì)挑戰(zhàn),飛兆半導(dǎo)體研發(fā)了智能功率級(jí)(SPS)模塊系列——下一代超緊湊的集成了MOSFET
2013-11-14 16:57:011811

Vishay發(fā)布高性能非對(duì)稱(chēng)雙片TrenchFET? MOSFET

---SiZ340DT。Vishay Siliconix SiZ340DT把高邊和低邊MOSFET組合在一個(gè)小尺寸封裝里,導(dǎo)通電阻比前一代同樣封裝尺寸的器件低57%,功率密度高25%,效率高5%,可節(jié)省空間,并簡(jiǎn)化高效同步降壓轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)。
2014-02-10 15:16:51890

儒卓力推出了一款具有功率密度高效率MOSFET器件

威世的SiSS12DN 40V N-Channel MOSFET是為提高功率轉(zhuǎn)換拓?fù)渲械?b class="flag-6" style="color: red">功率密度和效率而設(shè)計(jì)。它們采用3.3x3.3mm緊湊型PowerPAK 1212-8S封裝,可提供低于2mΩ級(jí)別中的最低輸出電容(Coss)。儒卓力在電子商務(wù)網(wǎng)站上供應(yīng)這款MOSFET器件。
2020-02-20 10:27:382779

AN77-適用于大電流應(yīng)用的高效率、高密度多相變換器

AN77-適用于大電流應(yīng)用的高效率、高密度多相變換器
2021-04-27 15:55:052

高效率功率密度電力電子技術(shù)及案例分析

高效率功率密度電力電子技術(shù)及案例分析
2021-07-22 09:59:285

使用GaN實(shí)現(xiàn)高功率密度高效系統(tǒng)

(MOSFET),因?yàn)樗軌蝌?qū)動(dòng)更高的功率密度和高達(dá) 99% 的圖騰柱功率因數(shù)校正 (PFC) 效率。但由于其電氣特性和它所支持的性能,使用 GaN 進(jìn)行設(shè)計(jì)面臨著與硅甚至其他寬帶隙技術(shù)(如碳化硅)不同的一系列挑戰(zhàn)。
2022-07-29 14:06:52792

先進(jìn)的LFPAK MOSFET技術(shù)可實(shí)現(xiàn)更高的功率密度

電力電子領(lǐng)域的各種應(yīng)用。MOSFET 的基本特性之一是其能夠承受甚至非常高的工作電流、卓越的性能、穩(wěn)健性和可靠性。該LFPAK88 MOSFET 提供出色的性能和高可靠性。LFPAK88 封裝設(shè)計(jì)用于比 D2PAK 等舊金屬電纜封裝小尺寸和更高的功率密度,適用于當(dāng)今空間受限的高功率汽車(chē)應(yīng)用。
2022-08-09 08:02:112783

具有高電壓GaN FET的高效率和高功率密度1kW諧振轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有高電壓GaN FET的高效率和高功率密度1kW諧振轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì).zip》資料免費(fèi)下載
2022-09-07 11:30:0510

650 V SUPERFET III FRFET 新型快速反向恢復(fù)超結(jié) MOSFET,適用于高效率和可靠的電動(dòng)汽車(chē)充電應(yīng)用

650 V SUPERFET III FRFET 新型快速反向恢復(fù)超結(jié) MOSFET適用于高效率和可靠的電動(dòng)汽車(chē)充電應(yīng)用
2022-11-15 20:17:570

基于WAYON維安MOSFET功率密度應(yīng)用于USB PD電源

基于WAYON維安MOSFET功率密度應(yīng)用于USB PD電源
2023-01-06 12:51:35549

國(guó)巨推出適用于功率高效率LLC電路

這種切換式DC/DC功率轉(zhuǎn)換器可以實(shí)現(xiàn)更高的開(kāi)關(guān)頻率并減少開(kāi)關(guān)損耗,使其更適用于功率高效率應(yīng)用。在電源領(lǐng)域的應(yīng)用相當(dāng)廣泛,包含:高端消費(fèi)電子產(chǎn)品、工業(yè)電源管理以及電動(dòng)車(chē)相關(guān)充電系統(tǒng)等。
2023-05-25 11:25:26645

Toshiba推出適用于USB設(shè)備和電池組保護(hù)的30V N溝道共漏MOSFET

?Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ("Toshiba")日前推出了“SSM10N961L”。這是一款低導(dǎo)通電阻、30V N溝道共漏MOSFET,適用于帶USB的設(shè)備和電池組保護(hù)。產(chǎn)品發(fā)貨即日起開(kāi)始。
2023-11-08 16:22:22320

東芝推出30V N溝道共漏極MOSFET適用于電池組保護(hù)

東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社(“東芝”)近日宣布,推出“SSM10N961L”低導(dǎo)通電阻30V N溝道共漏極MOSFET,適用于帶有USB的設(shè)備以及電池組保護(hù)。
2023-11-09 17:39:10460

功率設(shè)備提升功率密度的方法

在電力電子系統(tǒng)的設(shè)計(jì)和優(yōu)化中,功率密度是一個(gè)不容忽視的指標(biāo)。它直接關(guān)系到設(shè)備的體積、效率以及成本。以下提供四種提高電力電子設(shè)備功率密度的有效途徑。
2023-12-21 16:38:07277

Vishay推出多功能新型30 V N溝道TrenchFET第五代功率MOSFET

Vishay 推出多功能新型 30 V N 溝道 TrenchFET 第五代功率 MOSFET,進(jìn)一步提高工業(yè)、計(jì)算機(jī)、消費(fèi)電子和通信應(yīng)用的功率密度,增強(qiáng)熱性能。
2024-02-22 17:11:08355

Vishay推出30V N溝道TrenchFET第五代功率MOSFET

MOSFET旨在進(jìn)一步提高工業(yè)、計(jì)算機(jī)、消費(fèi)電子和通信應(yīng)用中的功率密度,并顯著增強(qiáng)熱性能,從而為用戶(hù)帶來(lái)更為出色的性能體驗(yàn)。
2024-03-12 10:38:14104

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