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高溫半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商CISSOID日前宣布：公司已與中國(guó)科學(xué)院電工研究所（簡(jiǎn)稱中科院電工所）達(dá)成戰(zhàn)略合作關(guān)系，將共同開(kāi)展基于碳化硅（SiC）功率模塊的系統(tǒng)研發(fā)項(xiàng)目，攻克技術(shù)難題，實(shí)現(xiàn)耐高溫、耐高壓、高能量密度、高效率等優(yōu)勢(shì)，推動(dòng)碳化硅功率器件在新能源汽車領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)廣泛應(yīng)用。
近年來(lái)，碳化硅功率器件憑借多方面的性能優(yōu)勢(shì)，在一些領(lǐng)域開(kāi)始逐漸取代傳統(tǒng)硅器件。同時(shí)，新能源汽車在全球各地快速發(fā)展，推動(dòng)碳化硅器件的市場(chǎng)規(guī)模不斷擴(kuò)大，目前國(guó)際頂級(jí)的特斯拉和豐田等車廠已開(kāi)啟了碳化硅功率器件在新能源汽車領(lǐng)域的早期應(yīng)用。然而，在汽車應(yīng)用中，為了充分發(fā)揮碳化硅器件的優(yōu)勢(shì)，需要驅(qū)動(dòng)器在耐高溫以及異常嚴(yán)苛的保護(hù)機(jī)制等方面提供充分支持。CISSOID公司是來(lái)自比利時(shí)的高溫半導(dǎo)體解決方案廠商，擁有在航空航天、石油、汽車等多個(gè)高端領(lǐng)域驗(yàn)證過(guò)的，應(yīng)用超過(guò)10年的耐高溫、高可靠性、高魯棒性元器件及驅(qū)動(dòng)器產(chǎn)品，可以使碳化硅功率模塊在系統(tǒng)中充分發(fā)揮性能，進(jìn)而幫助提升新能源汽車的電力運(yùn)轉(zhuǎn)水平和續(xù)航里程。
中科院電工所是以電氣科學(xué)與工程為學(xué)科方向的國(guó)立科研機(jī)構(gòu)，定位于電能領(lǐng)域的高新技術(shù)研發(fā)與電氣科學(xué)的前沿研究，在中國(guó)能源技術(shù)與電氣科學(xué)領(lǐng)域具有重要地位。中科院電工所在電動(dòng)汽車領(lǐng)域有超過(guò)20年的研究歷史，承擔(dān)并完成了數(shù)十項(xiàng)國(guó)家、地方的電動(dòng)汽車相關(guān)重要科技攻關(guān)任務(wù)，在中國(guó)率先開(kāi)展了車用高功率密度電機(jī)驅(qū)動(dòng)的基礎(chǔ)理論和關(guān)鍵技術(shù)開(kāi)發(fā)，其產(chǎn)品和技術(shù)成功應(yīng)用于北京市2008年奧運(yùn)會(huì)、上海市2010年世博會(huì)等運(yùn)行示范項(xiàng)目，在國(guó)際同行中享有很高的聲譽(yù)和廣泛的影響。近年來(lái)，中科院電工所在寬禁帶半導(dǎo)體方面率先開(kāi)展研究，成功研發(fā)出具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的直接冷卻碳化硅混合功率模塊、新型間接冷卻膜電容組件和全碳化硅高功率密度驅(qū)動(dòng)電機(jī)控制器樣機(jī)，功率密度和效率等部分關(guān)鍵指標(biāo)方面達(dá)到國(guó)際領(lǐng)先水平。本次CISSOID公司和中科院電工所攜手研發(fā)高質(zhì)量的基于碳化硅功率模塊的系統(tǒng)，將利用各自優(yōu)勢(shì)形成強(qiáng)大合力，助力中國(guó)新能源汽車領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)更快、更好發(fā)展。
“2018年，中國(guó)新能源汽車產(chǎn)銷量均有大幅度增長(zhǎng)，突破了125萬(wàn)臺(tái)。這對(duì)中國(guó)碳化硅功率器件市場(chǎng)的發(fā)展有著極大的推動(dòng)作用。中科院電工所近年來(lái)在新能源利用領(lǐng)域投入了大量的研發(fā)力量，新能源汽車就是其中非常的重要領(lǐng)域，此次與CISSOID公司合作研發(fā)的基于碳化硅功率模塊的系統(tǒng)就是我們推動(dòng)中國(guó)新能源汽車發(fā)展的關(guān)鍵一步。”中科院電工所溫旭輝研究員表示?！靶履茉雌噷?duì)高效率、小體積、耐高溫的碳化硅器件及其驅(qū)動(dòng)器件有很強(qiáng)的需求，CISSOID公司多年來(lái)在高溫驅(qū)動(dòng)器和高溫封裝方面的技術(shù)可以助力碳化硅器件在系統(tǒng)級(jí)上實(shí)現(xiàn)耐高溫、高能量密度，同時(shí)可極大地提高電控系統(tǒng)整體的可靠性?！?/div>“中科院電工所是中國(guó)一流的研究機(jī)構(gòu)，他們?cè)谛履茉雌囶I(lǐng)域的研究與我們一拍即合。十分期待雙方的研究可以將碳化硅功率模塊的效率及能量密度推向新高。CISSOID將利用自己久經(jīng)驗(yàn)證、享譽(yù)業(yè)界的高溫驅(qū)動(dòng)芯片和高溫封裝設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)為本次研發(fā)合作提供大力支持，解決碳化硅器件應(yīng)用的技術(shù)難題，使碳化硅功率模塊在新能源汽車領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)廣泛而深入的應(yīng)用?！盋ISSOID首席執(zhí)行官Dave Hutton先生表示?！癈ISSOID非常看重中國(guó)新能源汽車領(lǐng)域的發(fā)展，同時(shí)十分注重與中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的融合發(fā)展，我們已經(jīng)融入了來(lái)自中國(guó)的投資，并在芯片制造、封裝測(cè)試等方面，開(kāi)始與中國(guó)公司進(jìn)行廣泛的合作。此次我們與中國(guó)頂級(jí)研究機(jī)構(gòu)共同開(kāi)發(fā)則進(jìn)一步體現(xiàn)了CISSOID以求廣泛融入中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)生態(tài)的戰(zhàn)略?！?/div>市場(chǎng)研究公司 Yole Development 的報(bào)告指出，在過(guò)去幾十年里，市場(chǎng)的需求、技術(shù)的進(jìn)步及設(shè)計(jì)的改良等因素一直驅(qū)使功率半導(dǎo)體的平均結(jié)溫不斷上升，已由1980年的100℃增加了到2018年的150℃。這一現(xiàn)象一方面表明功率器件品質(zhì)和可靠性越做越好，另一方面也體現(xiàn)了整個(gè)行業(yè)對(duì)高功率密度的不斷追求。按其報(bào)告預(yù)測(cè)，對(duì)功率半導(dǎo)體的結(jié)溫要求在近幾年內(nèi)將很快達(dá)到并超過(guò)175℃。這與第三代半導(dǎo)體功率器件（碳化硅和氮化鎵）的普及，以及市場(chǎng)對(duì)高功率密度設(shè)計(jì)的需求直接相關(guān)。在新能源汽車領(lǐng)域亦是如此，采用碳化硅器件可以帶來(lái)頻率高、內(nèi)阻小等優(yōu)點(diǎn)，并充分提高能源效率，但是需要耐高溫驅(qū)動(dòng)器的良好配合。此次CISSOID公司和中科院電工所的強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)合，將利用業(yè)界領(lǐng)先的耐高溫驅(qū)動(dòng)器件以充分發(fā)揮碳化硅功率器件的優(yōu)勢(shì)，為新能源汽車的發(fā)展提供強(qiáng)大助力。
- CISSOID(15346)
- SiC(61351)
- 碳化硅(47292)
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MOSFET之所以有如此的大吸引力，在于與它們具有比硅器件更出眾的可靠性，在持續(xù)使用內(nèi)部體二極管的連續(xù)導(dǎo)通模式（CCM）功率因數(shù)校正（PFC）設(shè)計(jì)，例如圖騰功率因數(shù)校正器的硬開(kāi)關(guān)拓?fù)渲校?b class="flag-6" style="color: red">碳化硅
2023-03-14 14:05:02
安森美半導(dǎo)體與奧迪攜手建立戰(zhàn)略合作關(guān)系
安森美半導(dǎo)體被德國(guó)汽車制造商奧迪挑選加入推進(jìn)半導(dǎo)體計(jì)劃（PSCP），這一合作將推動(dòng)即將到來(lái)的自動(dòng)和電動(dòng)汽車的電子創(chuàng)新和質(zhì)量。這一跨領(lǐng)域的半導(dǎo)體戰(zhàn)略旨在推動(dòng)創(chuàng)新及品質(zhì)，并在早期為奧迪車型提供最新的技術(shù)
2018-10-11 14:33:43
應(yīng)用于新能源汽車的碳化硅半橋MOSFET模塊
采用溝槽型、低導(dǎo)通電阻碳化硅MOSFET芯片的半橋功率模塊系列 產(chǎn)品型號(hào) BMF600R12MCC4 BMF400R12MCC4 汽車級(jí)全碳化硅半橋MOSFET模塊Pcore2
2023-02-27 11:55:35
歸納碳化硅功率器件封裝的關(guān)鍵技術(shù)
的一大難點(diǎn)所在。3 多功能集成封裝技術(shù)3.1 多功能集成封裝技術(shù)碳化硅器件的出現(xiàn)推動(dòng)了電力電子朝著小型化的方向發(fā)展，其中集成化的趨勢(shì)也日漸明顯。瓷片電容的集成較為常見(jiàn)，通過(guò)將瓷片電容盡可能靠近功率芯片
2023-02-22 16:06:08
新型電子封裝熱管理材料鋁碳化硅
新型材料鋁碳化硅解決了封裝中的散熱問(wèn)題，解決各行業(yè)遇到的各種芯片散熱問(wèn)題，如果你有類似的困惑，歡迎前來(lái)探討，鋁碳化硅做封裝材料的優(yōu)勢(shì)它有高導(dǎo)熱，高剛度，高耐磨，低膨脹，低密度，低成本，適合各種產(chǎn)品的IGBT。我西安明科微電子材料有限公司的趙昕。歡迎大家有問(wèn)題及時(shí)交流，謝謝各位！
2016-10-19 10:45:41
淺談硅IGBT與碳化硅MOSFET驅(qū)動(dòng)的區(qū)別
硅IGBT與碳化硅MOSFET驅(qū)動(dòng)兩者電氣參數(shù)特性差別較大，碳化硅MOSFET對(duì)于驅(qū)動(dòng)的要求也不同于傳統(tǒng)硅器件，主要體現(xiàn)在GS開(kāi)通電壓、GS關(guān)斷電壓、短路保護(hù)、信號(hào)延遲和抗干擾幾個(gè)方面，具體如下
2023-02-27 16:03:36
電動(dòng)汽車的全新碳化硅功率模塊
面向電動(dòng)汽車的全新碳化硅功率模塊 碳化硅在電動(dòng)汽車應(yīng)用中代表著更高的效率、更高的功率密度和更優(yōu)的性能，特別是在800 V 電池系統(tǒng)和大電池容量中，它可提高逆變器的效率，從而延長(zhǎng)續(xù)航里程或降低電池成本
2021-03-27 19:40:16
被稱為第三代半導(dǎo)體材料的碳化硅有著哪些特點(diǎn)
是寬禁帶半導(dǎo)體材料的一種，主要特點(diǎn)是高熱導(dǎo)率、高飽和以及電子漂移速率和高擊場(chǎng)強(qiáng)等，因此被應(yīng)用于各種半導(dǎo)體材料當(dāng)中，碳化硅器件主要包括功率二極管和功率開(kāi)關(guān)管。功率二極管包括結(jié)勢(shì)壘肖特基（JBS）二極管
2023-02-20 15:15:50
請(qǐng)教碳化硅刻蝕工藝
最近需要用到干法刻蝕技術(shù)去刻蝕碳化硅，采用的是ICP系列設(shè)備，刻蝕氣體使用的是SF6+O2，碳化硅上面沒(méi)有做任何掩膜，就是為了去除SiC表面損傷層達(dá)到表面改性的效果。但是實(shí)際刻蝕過(guò)程中總是會(huì)在碳化硅
2022-08-31 16:29:50
降低碳化硅牽引逆變器的功率損耗和散熱
IGBT 的三相電機(jī)半橋的高側(cè)和低側(cè)功率級(jí)，并能夠監(jiān)控和保護(hù)各種故障情況。圖1：電動(dòng)汽車牽引逆變器框圖碳化硅 MOSFET 米勒平臺(tái)和高強(qiáng)度柵極驅(qū)動(dòng)器的優(yōu)勢(shì)特別是對(duì)于SiC MOSFET，柵極驅(qū)動(dòng)器IC
2022-11-02 12:02:05
CISSOID推出JUPITER高電壓225℃碳化硅電源開(kāi)關(guān)
高溫半導(dǎo)體供貨商 CISSOID 稍早前推出一款高電壓225℃碳化硅電源開(kāi)關(guān) JUPITER ，據(jù)稱是首款以簡(jiǎn)單0/5V邏輯電平無(wú)縫閘極控制的高溫碳化硅高電壓開(kāi)關(guān)
2011-04-14 11:41:581237
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CISSOID和中科院電工所建立戰(zhàn)略合作關(guān)系 推動(dòng)碳化硅功率器件廣泛應(yīng)用
各行業(yè)所需高溫半導(dǎo)體解決方案的領(lǐng)導(dǎo)者CISSOID日前宣布：公司已與中國(guó)科學(xué)院電工研究所（簡(jiǎn)稱中科院電工所）達(dá)成戰(zhàn)略合作關(guān)系，將共同開(kāi)展基于碳化硅（SiC）功率模塊的系統(tǒng)研發(fā)項(xiàng)目，攻克技術(shù)難題，實(shí)現(xiàn)耐高溫、耐高壓、高能量密度、高效率等優(yōu)勢(shì)，推動(dòng)碳化硅功率器件在新能源汽車領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)廣泛應(yīng)用。
2019-06-11 14:50:593516
3516碳化硅對(duì)比硅材料器件有哪些優(yōu)勢(shì)
碳化硅功率器件的研發(fā)始于20世紀(jì)90年代，目前已成為新型功率半導(dǎo)體器件研究開(kāi)發(fā)的主流。業(yè)界普遍認(rèn)為碳化硅功率器件是一種真正的創(chuàng)新技術(shù)，有助于對(duì)抗全球氣候變化，推動(dòng)太陽(yáng)能和節(jié)能照明系統(tǒng)的市場(chǎng)發(fā)展。
2020-10-02 17:48:008721
8721碳化硅材料技術(shù)對(duì)器件可靠性有哪些影響
碳化硅器件總成本的50%，外延、晶圓和封裝測(cè)試成本分別為25%、20%和5%。碳化硅材料的可靠性對(duì)最終器件的性能有著舉足輕重的意義，基本半導(dǎo)體從產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)探究材料特性及缺陷產(chǎn)生的原因，與上下游企業(yè)協(xié)同合作提升碳化硅功率器件
2021-08-16 10:46:405266
5266平創(chuàng)半導(dǎo)體與CISSOID共建高功率密度和高溫應(yīng)用中心
供應(yīng)商CISSOID S. A.（CISSOID）,與第三代功率半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域先進(jìn)的芯片設(shè)計(jì)、器件研發(fā)、模塊制造及系統(tǒng)應(yīng)用創(chuàng)新解決方案提供商重慶平創(chuàng)半導(dǎo)體研究院有限責(zé)任公司，今日共同宣布：雙方已建立戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系，將針對(duì)碳化硅等第三代功率半導(dǎo)體的應(yīng)用共同開(kāi)展研發(fā)項(xiàng)目
2022-10-18 17:35:10617
617碳化硅功率器件技術(shù)可靠性！
碳化硅器件總成本的50%，外延、晶圓和封裝測(cè)試成本分別為25%、20%和5%。碳化硅材料的可靠性對(duì)最終器件的性能有著舉足輕重的意義，從產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)探究材料特性及缺陷產(chǎn)生的原因，與上下游企業(yè)協(xié)同合作提升碳化硅功率器件的可靠性。
2023-01-05 11:23:191191
1191SiC碳化硅功率器件測(cè)試哪些方面？碳化硅功率器件測(cè)試系統(tǒng)NSAT-2000
SiC碳化硅功率半導(dǎo)體器件具有耐壓高、熱穩(wěn)定好、開(kāi)關(guān)損耗低、功率密度高等特點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用在電動(dòng)汽車、風(fēng)能發(fā)電、光伏發(fā)電等新能源領(lǐng)域。 近年來(lái)，全球半導(dǎo)體功率器件的制造環(huán)節(jié)以較快速度向我國(guó)轉(zhuǎn)移。目前
2023-01-13 11:16:441230
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中科院物理研究所探索用一種新的方法生長(zhǎng)碳化硅晶體
碳化硅晶體是一種性能優(yōu)異的半導(dǎo)體材料，在信息、交通、能源、航空、航天等領(lǐng)域具有重要應(yīng)用。春節(jié)期間，中科院物理研究所科研團(tuán)隊(duì)們正在探索用一種新的方法生長(zhǎng)碳化硅晶體，研制情況如何？
2023-01-31 11:52:10522
522SiC碳化硅二極管的特性和優(yōu)勢(shì)
什么是第三代半導(dǎo)體？我們把SiC碳化硅功率器件和氮化鎵功率器件統(tǒng)稱為第三代半導(dǎo)體，這個(gè)是相對(duì)以硅基為核心的第二代半導(dǎo)體功率器件的。今天我們著重介紹SiC碳化硅功率器件，也就是SiC碳化硅二極管
2023-02-21 10:16:472090
2090SiC碳化硅二極管功率器件有哪些封裝？
我們拿慧制敏造碳化硅半導(dǎo)體出品的KNSCHA碳化硅二極管封裝接下來(lái)我們來(lái)看一下碳化硅二極管的貼片封裝，常見(jiàn)的有有TO-263和TO-252封裝，隨著近些年電源對(duì)于功率密度要求不斷提高，碳化硅功率器件
2023-02-21 13:38:161795
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什么是碳化硅器件
SiC器件是一種新型的硅基 MOSFET，特別是 SiC功率器件具有更高的開(kāi)關(guān)速度和更寬的輸出頻率。SiC功率芯片主要由 MOSFET和 PN結(jié)組成。
在眾多半導(dǎo)體器件中，碳化硅材料具有低熱
2023-03-03 14:18:564075
4075碳化硅功率器件在充電樁中的應(yīng)用有哪些？
在半導(dǎo)體材料領(lǐng)域，碳化硅與氮化鎵無(wú)疑是當(dāng)前最炙手可熱的明星。其中，碳化硅擁有高壓、高頻和高效率等特性，其耐高頻耐高溫的性能，是同等硅器件耐壓的10倍。
2023-04-06 11:06:53465
465碳化硅：第三代半導(dǎo)體之星
按照電學(xué)性能的不同，碳化硅材料制成的器件分為導(dǎo)電型碳化硅功率器件和半絕緣型碳化硅射頻器件，兩種類型碳化硅器件的終端應(yīng)用領(lǐng)域不同。導(dǎo)電型碳化硅功率器件是通過(guò)在低電阻率的導(dǎo)電型襯底上生長(zhǎng)碳化硅外延層后進(jìn)一步加工制成
2023-04-21 14:14:372437
2437碳化硅功率模組有哪些
碳化硅功率模組有哪些 碳化硅功率器件系列研報(bào)深受眾多專業(yè)讀者喜愛(ài)，本期為番外篇，前五期主要介紹了碳化硅功率器件產(chǎn)業(yè)鏈的上中下游，本篇將深入了解碳化硅功率器件的應(yīng)用市場(chǎng)，以及未來(lái)的發(fā)展趨勢(shì)，感謝各位
2023-05-31 09:43:20390
3907.3.4 電流-電壓關(guān)系∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》
7.3.4電流-電壓關(guān)系7.3pn與pin結(jié)型二極管第７章單極型和雙極型功率二極管《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：7.3.3“i”區(qū)的電勢(shì)下降∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)
2022-02-14 09:44:16796
796
11.6 碳化硅和硅功率器件的性能比較∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》
11.6碳化硅和硅功率器件的性能比較第11章碳化硅器件在電力系統(tǒng)中的應(yīng)用《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》代理產(chǎn)品線：器件主控：1、國(guó)產(chǎn)AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera
2022-04-24 11:34:51578
5787.1.3 雙極型功率器件優(yōu)值系數(shù)∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》
7.1.3雙極型功率器件優(yōu)值系數(shù)7.1SiC功率開(kāi)關(guān)器件簡(jiǎn)介第７章單極型和雙極型功率二極管《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：7.1.2單極型功率器件優(yōu)值系數(shù)∈《碳化硅技術(shù)
2022-02-09 09:25:05378
3787.1.2 單極型功率器件優(yōu)值系數(shù)∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》
7.1.2單極型功率器件優(yōu)值系數(shù)7.1SiC功率開(kāi)關(guān)器件簡(jiǎn)介第７章單極型和雙極型功率二極管《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：7.1.1阻斷電壓∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)
2022-02-07 15:01:28396
3968.1.6 功率JFET器件的實(shí)現(xiàn)∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》
8.1.6功率JFET器件的實(shí)現(xiàn)8.1結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(JFET)第８章單極型功率開(kāi)關(guān)器件《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：8.1.5增強(qiáng)型和耗盡型工作模式∈《碳化硅技術(shù)
2022-02-21 09:29:28537
537碳化硅功率器件的基本原理、特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì)
碳化硅（SiC）功率器件是一種基于碳化硅材料的半導(dǎo)體器件，具有許多優(yōu)勢(shì)和廣泛的應(yīng)用前景。
2023-06-28 09:58:092317
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碳化硅功率器件封裝的關(guān)鍵技術(shù)有哪些呢？
碳化硅(silicon carbide，SiC)功率器件作為一種寬禁帶器件，具有耐高壓、高溫，導(dǎo)通電阻低，開(kāi)關(guān)速度快等優(yōu)點(diǎn)。
2023-08-03 14:34:59347
347
碳化硅功率器件：革命性的封裝技術(shù)揭秘
碳化硅(SiC)作為一個(gè)新興的寬帶隙半導(dǎo)體材料，已經(jīng)吸引了大量的研究關(guān)注。其優(yōu)越的電氣性能、高溫穩(wěn)定性和高頻響應(yīng)使其在功率電子器件領(lǐng)域中具有巨大的應(yīng)用潛力。但要完全發(fā)揮SiC功率器件的潛力，封裝技術(shù)同樣至關(guān)重要。本文主要探討碳化硅功率器件封裝的三個(gè)關(guān)鍵技術(shù)。
2023-08-15 09:52:11701
701
不同類型的碳化硅功率器件
目前市場(chǎng)上出現(xiàn)的碳化硅半導(dǎo)體包括的類型相對(duì)較多，常見(jiàn)的主要有二極管、金屬氧化物、半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)、晶體管、晶閘管、結(jié)算場(chǎng)、效應(yīng)晶體管等等這些不同類型的碳化硅器件，單元結(jié)構(gòu)和漂移區(qū)參雜以及厚度之間存在較為明顯的差異。那么下文主要針對(duì)不同類型的碳化硅功率器件的相關(guān)內(nèi)容進(jìn)行分析。
2023-08-31 14:14:22286
286碳化硅功率器件的基本原理及優(yōu)勢(shì)
? 隨著新能源汽車的快速發(fā)展，碳化硅功率器件在新能源汽車領(lǐng)域中的應(yīng)用也越來(lái)越多。碳化硅功率器件相比傳統(tǒng)的硅功率器件具有更高的工作溫度、更高的能耗效率、更高的開(kāi)關(guān)速度和更小的尺寸等優(yōu)點(diǎn)，因此在新能源
2023-09-05 09:04:421880
1880第三代寬禁帶半導(dǎo)體碳化硅功率器件的應(yīng)用
SiC器件是一種新型的硅基MOSFET，特別是SiC功率器件具有更高的開(kāi)關(guān)速度和更寬的輸出頻率。SiC功率芯片主要由MOSFET和PN結(jié)組成。
在眾多的半導(dǎo)體器件中，碳化硅材料具有低熱導(dǎo)率、高擊穿
2023-09-26 16:42:29342
342
碳化硅新型功率器件的優(yōu)缺點(diǎn)
碳化硅（SiC）MOS管作為一種新型功率器件，與傳統(tǒng)的硅基功率器件相比，在某些特定條件下具有獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)，但也存在一定的不足。KeepTops告訴你碳化硅MOS管的優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn)。
2023-09-26 16:59:07475
475
碳化硅功率器件的封裝—三大主流技術(shù)
碳化硅(silicon carbide，SiC)功率器件作為一種寬禁帶器件，具有耐高壓、高溫，導(dǎo)通電阻低，開(kāi)關(guān)速度快等優(yōu)點(diǎn)。
2023-09-27 10:08:55300
300
碳化硅功率器件的結(jié)構(gòu)和工作原理
碳化硅功率器件是一種利用碳化硅材料制作的功率半導(dǎo)體器件，具有高溫、高頻、高效等優(yōu)點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用于電力電子、新能源等領(lǐng)域。下面介紹一些碳化硅功率器件的基礎(chǔ)知識(shí)。
2023-09-28 18:19:571220
1220碳化硅功率器件的產(chǎn)品定位
碳化硅（SiC）功率器件是由硅和碳制成的半導(dǎo)體，用于制造電動(dòng)汽車、電源、電機(jī)控制電路和逆變器等高壓應(yīng)用的功率器件。
2023-10-17 09:43:16169
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碳化硅器件的生產(chǎn)流程，碳化硅有哪些優(yōu)劣勢(shì)？
中游器件制造環(huán)節(jié)，不少功率器件制造廠商在硅基制造流程基礎(chǔ)上進(jìn)行產(chǎn)線升級(jí)便可滿足碳化硅器件的制造需求。當(dāng)然碳化硅材料的特殊性質(zhì)決定其器件制造中某些工藝需要依靠特定設(shè)備進(jìn)行特殊開(kāi)發(fā)，以促使碳化硅器件耐高壓、大電流功能的實(shí)現(xiàn)。
2023-10-27 12:45:361188
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三菱電機(jī)和安世半導(dǎo)體將合作共同開(kāi)發(fā)碳化硅功率半導(dǎo)體
11月13日， 三菱電機(jī)株式會(huì)社（TOKYO：6503）宣布，將與Nexperia B.V.建立戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系，共同開(kāi)發(fā)面向電力電子市場(chǎng)的碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體。三菱電機(jī)將利用其寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)開(kāi)發(fā)和供應(yīng)SiC MOSFET芯片，Nexperia將用于開(kāi)發(fā)SiC分立器件。
2023-11-14 10:34:33456
456三菱電機(jī)與安世半導(dǎo)體共同開(kāi)發(fā)碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體
三菱電機(jī)今天宣布，將與安世半導(dǎo)體建立戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系，共同開(kāi)發(fā)面向電力電子市場(chǎng)的碳化硅 (SiC) 功率半導(dǎo)體。
2023-11-15 15:25:52473
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碳化硅功率器件的特點(diǎn)和應(yīng)用現(xiàn)狀
隨著電力電子技術(shù)的不斷發(fā)展，碳化硅（SiC）功率器件作為一種新型的半導(dǎo)體材料，在電力電子領(lǐng)域的應(yīng)用越來(lái)越廣泛。與傳統(tǒng)的硅功率器件相比，碳化硅功率器件具有高效率、高功率密度、高耐壓、高耐流等優(yōu)點(diǎn)
2023-12-14 09:14:46240
240碳化硅功率器件的原理和應(yīng)用
隨著科技的快速發(fā)展，碳化硅（SiC）功率器件作為一種先進(jìn)的電力電子設(shè)備，已經(jīng)廣泛應(yīng)用于能源轉(zhuǎn)換、電機(jī)控制、電網(wǎng)保護(hù)等多個(gè)領(lǐng)域。本文將詳細(xì)介紹碳化硅功率器件的原理、應(yīng)用、技術(shù)挑戰(zhàn)以及未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)。
2023-12-16 10:29:20359
359碳化硅功率器件的實(shí)用性不及硅基功率器件嗎
碳化硅功率器件的實(shí)用性不及硅基功率器件嗎? 碳化硅功率器件相較于傳統(tǒng)的硅基功率器件具有許多優(yōu)勢(shì)，主要體現(xiàn)在以下幾個(gè)方面：材料特性、功率密度、溫度特性和開(kāi)關(guān)速度等。盡管碳化硅功率器件還存在一些挑戰(zhàn)
2023-12-21 11:27:09286
286碳化硅功率器件的優(yōu)勢(shì)應(yīng)及發(fā)展趨勢(shì)
隨著科技的不斷進(jìn)步，碳化硅（SiC）作為一種新型的半導(dǎo)體材料，在功率器件領(lǐng)域的應(yīng)用越來(lái)越廣泛。碳化硅功率器件在未來(lái)具有很大的發(fā)展?jié)摿?，將在多個(gè)領(lǐng)域展現(xiàn)出顯著的優(yōu)勢(shì)。本文將介紹未來(lái)碳化硅功率器件的優(yōu)勢(shì)
2024-01-06 14:15:03353
353碳化硅功率器件的優(yōu)勢(shì)及應(yīng)用
傳統(tǒng)的硅基功率器件在應(yīng)對(duì)這一挑戰(zhàn)時(shí)，其性能已經(jīng)接近極限。碳化硅（SiC）功率器件的出現(xiàn)，為電力電子行業(yè)帶來(lái)了革新性的改變，成為了解決這一問(wèn)題的關(guān)鍵所在。
2024-01-06 11:06:57130
130碳化硅功率器件簡(jiǎn)介、優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用
碳化硅（SiC）是一種優(yōu)良的寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有高擊穿電場(chǎng)、高熱導(dǎo)率、低介電常數(shù)等特點(diǎn)，因此在高溫、高頻、大功率應(yīng)用領(lǐng)域具有顯著優(yōu)勢(shì)。碳化硅功率器件是利用碳化硅材料制成的電力電子器件，主要包括
2024-01-09 09:26:49379
379碳化硅功率器件的特點(diǎn)和應(yīng)用
隨著全球能源危機(jī)和環(huán)境問(wèn)題的日益突出，高效、環(huán)保、節(jié)能的電力電子技術(shù)成為了當(dāng)今研究的熱點(diǎn)。在這一領(lǐng)域，碳化硅（SiC）功率器件憑借其出色的物理性能和電學(xué)特性，正在逐步取代傳統(tǒng)的硅基功率器件，引領(lǐng)著電力電子技術(shù)的發(fā)展方向。本文將詳細(xì)介紹碳化硅功率器件的特點(diǎn)、優(yōu)勢(shì)、應(yīng)用以及面臨的挑戰(zhàn)和未來(lái)的發(fā)展趨勢(shì)。
2024-02-22 09:19:21170
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評(píng)論