你好，我打算使用FQD7P20TMCT-ND和FDD7N20TMCT-ND。為了驅(qū)動(dòng)這些MOSFET，我正在使用MD1822K6-GCT-ND。我的問題是我需要在門到源之間安裝二極管和電阻，如下
2018-10-26 14:46:14
柵極與源極之間加一個(gè)電阻，這個(gè)電阻起到什么作用？一是為場(chǎng)效應(yīng)管提供偏置電壓；二是起到瀉放電阻的作用：保護(hù)柵極G-源極S；
2019-05-23 07:29:18
了一種獨(dú)特但簡單的柵極脈沖驅(qū)動(dòng)電路，為快速開關(guān)HPA提供了另一種方法，同時(shí)消除了與漏極開關(guān)有關(guān)的電路。實(shí)測(cè)切換時(shí)間小于200 ns，相對(duì)于1 s的目標(biāo)還有一些裕量。其他特性包括：解決器件間差異的偏置編程
2019-02-27 08:04:56
IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和其它系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個(gè)器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對(duì)于IGBT，它們被稱為集電極
2021-01-27 07:59:24
摘要IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和其它系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個(gè)器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對(duì)于IGBT，它們被稱為
2021-07-09 07:00:00
地在MOS管的漏-源穩(wěn)態(tài)截止電壓上，出現(xiàn)電壓尖峰。我的問題如下【1】MOS管的漏極就是相當(dāng)于三極管的集電極，為什么要說成漏極，漏這個(gè)說法我一直不明白？【2】經(jīng)常可以看到說變壓的漏磁，漏磁通，或者電感的漏感，怎么理解這些定義？【3】上文說的，漏磁通下降了，漏感就任然可以釋放儲(chǔ)能，是根據(jù)什么？謝謝
2017-07-22 11:57:00
1、電壓負(fù)載 在具有直流穩(wěn)壓大功率電路的應(yīng)用中，通常首先考慮選擇漏源電壓VDS。這里的理由是，在實(shí)際工作環(huán)境中，MOSFET的最大峰值漏極-源極電壓小于器件規(guī)格的標(biāo)稱漏極-源極中斷電壓的90
2021-11-12 08:12:11
如圖，IC幾個(gè)管腳是代表不同的幾組漏源極？這幾組管腳有什么區(qū)別呢？
2020-12-24 15:43:21
MOSFET較小的柵極電阻可以減少開通損耗嗎？柵極電阻的值會(huì)在開通過程中影響與漏極相連的二極管嗎？
2023-05-16 14:33:51
MOSFET驅(qū)動(dòng)電路中自舉電容如何發(fā)揮作用？為何漏極48V導(dǎo)通后柵極就變成63V了？
2015-07-30 14:49:53
管正向電流(ISM)：72A漏源電壓(VDSS)：200V柵極閾值電壓(VGS)：±30V靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻(RDS(on))：0.18Ω二極管正向壓降(VSD)：1.5V零柵極電壓漏極電流(IDSS
2021-12-28 17:08:46
小女子初次進(jìn)入這個(gè)行業(yè)請(qǐng)多多幫忙 ………………不勝感激{:soso_e100:}MOS管漏極與源極并聯(lián)一個(gè)穩(wěn)壓二極管是什么作用？？？上圖中PD3的作用
2011-10-09 14:42:41
MOS管漏極振鈴Q6換成了YJN02N10A，100V2A的MOS，電感換成了47uH（某品牌樣機(jī)的是47uh）負(fù)載電流要求≤90ma，輸出電壓0-45V可調(diào)，負(fù)載電阻500歐，我買了一個(gè)水泥電阻
2022-05-23 19:16:03
普通N MOS管給柵極一個(gè)高電壓 ，漏極一個(gè)低電壓，漏源極就能導(dǎo)通。這個(gè)GS之間加了背靠背的穩(wěn)壓管，給柵極一個(gè)4-10V的電壓，漏源極不能導(dǎo)通。是不是要大于柵源擊穿電壓VGSO（30v）才可以？
2019-06-21 13:30:46
簡稱上包括NMOS、PMOS等。1、三個(gè)極的判定G極(gate)—柵極，不用說比較好認(rèn) S極(source)—源極，不論是P溝道還是N溝道，兩根線相交的就是 D極(drain)—漏極，不論是P溝道還是
2023-02-10 16:17:02
傳說中的米勒電容。 這三個(gè)等效電容是構(gòu)成串并聯(lián)組合關(guān)系，它們并不是獨(dú)立的，而是相互影響，其中一個(gè)關(guān)鍵電容就是米勒電容Cgd。這個(gè)電容不是恒定的，它隨著柵極和漏極間電壓變化而迅速變化，同時(shí)會(huì)影響柵極和源
2023-03-15 16:55:58
數(shù)字電路中MOS管常被用來作開關(guān)管，所以被廣泛應(yīng)用在需要電子開關(guān)的電路中，根據(jù)構(gòu)成和導(dǎo)通特性可分為四類MOS管：g被稱為柵極，d為漏極，s為源極，B為襯底，在實(shí)際生產(chǎn)中，襯底與源極相連，所以MOS管
2019-01-28 15:44:35
MOS管驅(qū)動(dòng)電機(jī)，負(fù)載接在漏極端；MOS+運(yùn)放組成的恒流源，負(fù)載也在漏極端。想問一下，負(fù)載可以放在源極嗎？兩者有什么區(qū)別？
2021-07-08 18:07:57
形成電子導(dǎo)電溝道，將源極和漏極連起來。2. 漏極加正電壓(VDS>0)，形成橫向電場(chǎng)，電子逆著電場(chǎng)方向漂移到漏極，形成漏極到源極的電流。深入了解：1. 如果柵極家的電壓不夠大，即
2012-07-04 17:27:52
形成電子導(dǎo)電溝道，將源極和漏極連起來。2. 漏極加正電壓(VDS>0)，形成橫向電場(chǎng)，電子逆著電場(chǎng)方向漂移到漏極，形成漏極到源極的電流。深入了解：1. 如果柵極家的電壓不夠大，即
2012-07-06 16:06:52
MOS管的開關(guān)電路中柵極電阻R5和柵源極級(jí)間電阻R6是怎么計(jì)算的？在這個(gè)電路中有什么用。已知道VDD=3.7V，在可變電阻狀態(tài)中，作為開關(guān)電路是怎么計(jì)算R5和R6？
2021-04-19 00:07:09
MOS管在什么情況下流過連續(xù)漏記電流？在什么情況下流過脈沖漏極電流？正常用方波脈沖驅(qū)動(dòng)MOS管通斷的話，流過MOS管的是連續(xù)漏極電流還是脈沖漏極電流？
2018-08-23 15:30:44
Multisim里單獨(dú)一個(gè)PMOS管什么也不接只給源極加個(gè)電壓，用示波器測(cè)它漏極為什么會(huì)有和源極一樣的電壓
2016-12-03 15:12:13
N型IGBT的門極、集電極、發(fā)射極怎么區(qū)分？
2015-11-26 00:00:45
Pmos關(guān)閉狀態(tài)下，源極輸入5v，漏極空載（斷開）的電壓為什么實(shí)測(cè)是4V左右，不是應(yīng)該是0嗎？
2019-12-22 14:04:20
漏源導(dǎo)通電阻：156 mOhmsVgs - 柵極-源極電壓：10 VVgs th-柵源極閾值電壓：1 VQg-柵極電荷：6.8 nC最小工作溫度：- 55 C最大工作溫度：+ 150 CPd-功率耗散
2020-09-24 14:33:55
STM8S105 / 103的I / O引腳的“安全”漏極/源極電流是多少？以上來自于谷歌翻譯以下為原文 What is 'safe' sink/source current for I/O pins for STM8S105/103
2019-02-19 15:50:27
設(shè)計(jì)。 01 TO-247-3與TO-247-4兩種封裝類型介紹 圖1 傳統(tǒng)TO-247-3封裝的MOSFET類型 傳統(tǒng)的TO-247-3封裝的MOSFET類型如圖1所示，其管腳由柵極、漏極和源極構(gòu)成。從
2023-02-27 16:14:19
TVS二極管的正負(fù)極一般用萬用表測(cè)量測(cè)量二極管的檔位，單向側(cè)有連接，雙向兩側(cè)有電壓;直流測(cè)量的雪崩擊穿特性是雙向?qū)ΨQ的，只有反向單向的。一般來說，它測(cè)量在1mA。所有的TVS二極管經(jīng)過放大后，都會(huì)有一個(gè)陰極線，用來區(qū)分二極管的正負(fù)極，它是獨(dú)立于單極和雙向的。TVS二極管規(guī)格書下載：
2021-12-17 11:51:05
全橋逆變后接的是容性負(fù)載，全橋的高壓是220v整流的，驅(qū)動(dòng)是用的ir21834做的 自舉電容是用的1uf快速二極管用的是rf107mos管耐壓是500v 電流8a 全橋逆變接容性負(fù)載工作大概3分鐘mos管的漏極和柵極通了且mos管的封轉(zhuǎn)裂了 是由于負(fù)載引起的過熱還是什么其他原因
2015-01-30 00:35:51
mosfet的TO220封裝上的背后的鐵片接的是漏極嗎？為什么？
2015-10-25 20:56:23
“ ON”，因此需要相對(duì)于源極的負(fù)柵極電壓來調(diào)制或控制漏極電流。只要不存在輸入信號(hào)且Vg保持柵極-源極pn的反向偏置，只要穩(wěn)定電流流過JFET，就可以通過從單獨(dú)的電源電壓偏置或通過自偏置裝置來提供該負(fù)電
2020-09-16 09:40:54
發(fā)現(xiàn)表針有輕微擺動(dòng)，就證明第三腳為柵極。欲獲得更明顯的觀察效果，還可利用人體靠近或者用手指觸摸懸空腳，只要看到表針作大幅度偏轉(zhuǎn)，即說明懸空腳是柵極，其余二腳分別是源極和漏極。判斷理由：JFET的輸入電阻
2019-08-04 07:00:00
是柵極，其余二腳分別是源極和漏極。判斷理由：JFET的輸入電阻大于100MΩ，并且跨導(dǎo)很高，當(dāng)柵極開路時(shí)空間電磁場(chǎng)很容易在柵極上感應(yīng)出電壓信號(hào)，使管子趨于截止，或趨于導(dǎo)通。若將人體感應(yīng)電壓直接加在柵極上
2019-07-30 07:30:00
“ ON”，因此需要相對(duì)于源極的負(fù)柵極電壓來調(diào)制或控制漏極電流。只要不存在輸入信號(hào)并且Vg保持柵極-源極pn的反向偏置，只要穩(wěn)定電流流過JFET，就可以通過從單獨(dú)的電源電壓偏置或通過自偏置裝置來提供該
2020-11-03 09:34:54
控制小信號(hào)。對(duì)于大電流，三極管發(fā)熱會(huì)比較嚴(yán)重。mos管因?yàn)閷?dǎo)通電阻非常小，所以特別適合控制大電流的電路。mos管（場(chǎng)效應(yīng)管）的源極S、柵極G、漏極D分別對(duì)應(yīng)于三極管的發(fā)射極e、基極b、集電極c，它們
2017-10-26 23:45:23
的方向。MOSFET管是另一種非常常見的晶體管類型。它也具有三個(gè)引腳：柵極（G）、漏極（D）、源極（S）MOS管和三極管同為晶體管，它們之間的工作原理也有些類似之處：1）．MOS管的源極S、柵極G、漏極
2023-02-20 15:30:11
在使用三極管的時(shí)候，按照top view的圖中，看到三極管的柵極、源級(jí)和漏級(jí)所對(duì)應(yīng)的引腳，但在使用的時(shí)候（參看原理圖和PCB圖）實(shí)際原件按照對(duì)應(yīng)封裝對(duì)應(yīng)引腳連入電路，當(dāng)G和S極調(diào)換連接時(shí)，電路才會(huì)
2015-01-01 15:04:25
，因此，下管的寄生二極管在死區(qū)時(shí)間內(nèi)具有導(dǎo)通損耗，同時(shí)具有二級(jí)管的反向恢復(fù)損耗?！ 」β蔒OSFET的寄生參數(shù)模型如圖1所示，其中，G、D、S分別為封裝好的器件外部的柵極、漏極和源極，G1、S1分別為內(nèi)部
2020-12-08 15:35:56
電壓。將這些式子結(jié)合起來，可得到MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)電壓是漏源電壓的函數(shù)：VGS=-(R2/R1)VDS二極管規(guī)格書下載：
2021-04-08 11:37:38
什么是集電極開路（OC）？什么是漏極開路（OD）？
2021-03-10 06:35:21
PLC輸入分為源型和漏型，什么是源型和漏型，是指?jìng)鞲衅鞯木w管類型嗎？源型NPN和漏型PNP，還是指信號(hào)流入流出的方向，源極為流出，射極為流入？再或者是指信號(hào)輸出的方式，集電極輸出和射極輸出？電子專業(yè)常說的有源指的是什么？什么有源負(fù)載，有源電路的。
2024-01-14 00:29:14
TG傳輸門電路中。當(dāng)C端接+5，C非端接0時(shí)。源極和襯底沒有連在一起，為什么當(dāng)輸入信號(hào)改變時(shí)，其導(dǎo)通程度怎么還會(huì)改變？導(dǎo)電程度不是由柵極和襯底間的電場(chǎng)決定的嗎？而柵極和襯底間的電壓不變。所以其導(dǎo)通程度應(yīng)該與輸入信號(hào)變化無關(guān)?。《鴷险f起導(dǎo)通程度歲輸入信號(hào)的改變而改變？為什么?求詳細(xì)解釋！謝謝！
2012-03-29 22:51:18
和漏極電荷Qgs：柵極和源極電荷柵極電荷測(cè)試的原理圖和相關(guān)波形見圖1所示。在測(cè)量電路中，柵極使用恒流源驅(qū)動(dòng)，也就是使用恒流源IG給測(cè)試器件的柵極充電，漏極電流ID由外部電路提供，VDS設(shè)定為最大
2017-01-13 15:14:07
功率MOSFET的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)為什么要在柵極和源極之間并聯(lián)一個(gè)電阻呢？
2021-03-10 06:19:21
2、試著將MOS管源極的電流采樣電阻調(diào)大一點(diǎn)，也會(huì)使得漏極開機(jī)瞬間尖峰稍微減小，但也會(huì)導(dǎo)致低壓無法啟動(dòng)。
請(qǐng)問是什么原因?qū)е翸OS管漏極開機(jī)瞬間電壓很大？如何解決？
2023-10-09 23:06:47
我的理解（將漏極d與源極s調(diào)換）：B_VCC是USB供電，為5V。當(dāng)沒有插入DC接口時(shí)，PSELF接地，則Ugs=-5V，PMOS導(dǎo)通，VCC=B_VCC；當(dāng)插入DC接口時(shí)，PSELF懸空
2018-10-30 19:25:45
在開關(guān)電源中如何消除開關(guān)mos管漏極產(chǎn)生的振蕩成份呢？
2023-05-09 14:56:25
。 三、場(chǎng)效應(yīng)管的參數(shù)場(chǎng)效應(yīng)管的參數(shù)很多，包括直流參數(shù)、交流參數(shù)和極限參數(shù)，但一般使用時(shí)關(guān)注以下主要參數(shù)： 1、I DSS — 飽和漏源電流。是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管中，柵極電壓U GS=0
2021-05-13 06:13:46
請(qǐng)教各位大蝦，場(chǎng)效應(yīng)管導(dǎo)通后，源極和漏極的電壓是相等的嗎?
2013-07-22 11:40:31
小，說明均是正向電阻，該管屬于N溝道場(chǎng)效應(yīng)管，黑表筆接的也是柵極?！ ?制造工藝決定了場(chǎng)效應(yīng)管的源極和漏極是對(duì)稱的，可以互換使用，并不影響電路的正常工作，所以不必加以區(qū)分。源極與漏極間的電阻約為幾千歐
2021-05-13 06:55:31
編輯-ZMOS管10N60的三個(gè)極是什么以及如何判斷MOS管10N60的三個(gè)極是：G（柵極）、D（漏極）和s（源極）。柵極和源極之間的電壓必須大于一定值，漏極和源極才能導(dǎo)通。 10N60參數(shù)描述
2021-10-22 17:01:01
！它在高側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器源連接（R57、R58 和 R59）中也有 4R7 電阻，我不明白為什么需要這些。是否有任何設(shè)計(jì)指南可以告訴我如何定義柵極電阻器、自舉電容器以及為什么高側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器可能需要對(duì) MOSFET 源極施加一些電阻？
2023-04-19 06:36:06
第三腳懸空。若發(fā)現(xiàn)表針有輕微擺動(dòng)，就證明第三腳為
柵極。欲獲得更明顯的觀察效果，還可利用人體靠近或者用手指觸摸懸空腳，只要看到表針作大幅度偏轉(zhuǎn)，即說明懸空腳是
柵極，其余二腳分別是
源極和
漏極?！ ∨袛嗬碛?/div>
2012-12-14 11:34:42
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:01 編輯
反相電壓放大（共發(fā)射極（共源極）電路），輸入電壓（電流）增加，輸出電壓下降。是因?yàn)楣軌航档土?，相?dāng)于管子的電阻小了，電流大了
2012-07-09 17:45:33
我正在使用 NUCLEO-L552ZE-Q 并制作了一個(gè)非常簡單的測(cè)試電路來測(cè)試漏極開路輸出信號(hào)。我將引腳配置為漏極開路輸出，沒有上拉或下拉，信號(hào)通過 1K 電阻上拉至 3.3V。當(dāng)我設(shè)置引腳時(shí)，我
2022-12-27 06:13:19
童詩白 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ) 第四版 41頁 有一段話這樣說的：若U[sub]DS[/sub]>0V，則有電流i從漏極流向源極，從而使溝道中各點(diǎn)與柵極間的電壓不再相等，而是沿溝道從源極到漏極逐漸
2012-02-22 11:22:26
二極管，從而區(qū)分了源極和漏極。實(shí)際的元件，p型的，襯底是接正電源的，使得柵極預(yù)先成為相對(duì)負(fù)電壓，因此p型的管子，柵極不用加負(fù)電壓了，接地就能保證導(dǎo)通。相當(dāng)于預(yù)先形成了不能導(dǎo)通的溝道，嚴(yán)格講應(yīng)該是耗盡型了
2019-01-03 13:43:48
新手求助五極管簾柵極電容的作用是什么？
2023-03-13 17:50:46
求大神幫忙推薦一個(gè)輸入12v電壓的場(chǎng)效應(yīng)管：具體就是漏極與源極之間的電壓為12v，柵極無輸入電壓時(shí)，源極與漏極截止，當(dāng)柵極輸入電壓時(shí)，源極與漏極導(dǎo)通，求大神推薦一下產(chǎn)品，順便告知一下電阻選用哪個(gè)范圍的？謝謝
2015-08-17 16:07:41
；2）用一只100KΩ－200KΩ的電阻連在柵極和源極上，然后把紅筆接到MOS的源極S上，黑筆接到MOS管的漏極上，這時(shí)表針指示的值一般是0，這時(shí)是下電荷通過這個(gè)電阻對(duì)MOS管的柵極充電，產(chǎn)生柵極電場(chǎng)
2020-03-20 17:11:50
漂移區(qū)之間形成的PN結(jié)J1反偏，漏源極之間無電流流過。導(dǎo)電：在柵源極間加正電壓UGS，柵極是絕緣的，所以不會(huì)有柵極電流流過。但柵極的正電壓會(huì)將其下面P區(qū)中的空穴推開，而將P區(qū)中的少子—電子吸引到柵極
2020-03-04 10:11:00
MOSFET的柵極電荷特性與開關(guān)過程MOSFET的漏極導(dǎo)通特性與開關(guān)過程
2021-04-14 06:52:09
`絕緣型場(chǎng)效應(yīng)管的柵極與源極、柵極和漏極之間均采用SiO2絕緣層隔離，因此而得名。又因柵極爲(wèi)金屬鋁，故又稱爲(wèi)MOS管。它的柵極-源極之間的電阻比結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管大得多，可達(dá)1010Ω以上，還由于它比結(jié)型
2019-03-21 16:51:33
N溝型結(jié)型管，當(dāng)柵極和源極之間不加電壓時(shí)，漏極與源極之間加正電壓。這時(shí)我們說溝道導(dǎo)通，而且隨著漏極與源極之間的電壓升高，電流也跟著升高。但是我覺得隨著漏極與源極之間的電壓升高，也就是漏極與柵極之間
2009-03-07 18:44:34
插入電池，打開開關(guān)后U3A導(dǎo)通，那不是漏極拉低，把U3A的柵極拉低？互相矛盾嗎
2020-04-02 10:22:38
`設(shè)計(jì)了一個(gè)D類功放，在不加大電壓的情況下，用示波器測(cè)量功放管的柵極處的驅(qū)動(dòng)信號(hào)是正常的，但是在管子漏極加70V電壓工作時(shí)，驅(qū)動(dòng)信號(hào)有毛刺，導(dǎo)致電源保護(hù)，請(qǐng)問大神們有遇到過這種情況的嗎，怎么解決？下圖分別為加入70V漏源電壓和不加漏源電壓時(shí)柵源極驅(qū)動(dòng)信號(hào)波形。`
2019-02-21 11:23:53
請(qǐng)問NMOS管的漏極接3個(gè)LED負(fù)載（每個(gè)規(guī)格3.3V 150ma）使用DC12V供電，請(qǐng)問具體可以用什么樣的管子，漏極電阻RD與柵極電阻RB如何計(jì)算，謝謝
2019-01-06 01:38:20
在電流鏡像電路中，有時(shí)會(huì)把場(chǎng)效應(yīng)管的源級(jí)接Vcc，漏極接地，那么當(dāng)柵極與漏極相連構(gòu)成電流鏡時(shí)，場(chǎng)效應(yīng)管是怎么導(dǎo)通的？？？？
2018-08-09 17:09:04
兩層電源板，板子設(shè)計(jì)中有4個(gè)MOSFET管串聯(lián)，由于只有兩層，四個(gè)MOSFET管的3個(gè)源級(jí)要過大電流，所以用銅連接在一起；四個(gè)MOSFET管柵極串聯(lián)的線走在器件源級(jí)和漏極之間（請(qǐng)看圖片），不知道這樣的柵極走線會(huì)不會(huì)受影響？
2018-07-24 16:19:28
這是一本單片機(jī)書上講開漏輸出的例圖，我感覺有問題。
mos管的漏極電壓取決于柵極電壓，并不是i/o口在控制柵極，不管柵極高還是低，i/o口并沒有在輸出或者控制，這樣的電路有什么用途呢？
還是例圖畫錯(cuò)了？
2016-02-29 20:37:40
Sanket Sapre摘要IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和其它系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個(gè)器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對(duì)
2018-11-01 11:35:35
所示的電路圖進(jìn)行了雙脈沖測(cè)試，在測(cè)試中，使低邊（LS）的MOSFET執(zhí)行開關(guān)動(dòng)作。高邊（HS）MOSFET則通過RG_EXT連接柵極引腳和源極引腳或驅(qū)動(dòng)器源極引腳，并且僅用于體二極管的換流工作。在電路圖
2022-06-17 16:06:12
高速柵極驅(qū)動(dòng)器可以實(shí)現(xiàn)相同的效果。高速柵極驅(qū)動(dòng)器可以通過降低FET的體二極管的功耗來提高效率。體二極管是寄生二極管，對(duì)于大多數(shù)類型的FET是固有的。它由p-n結(jié)點(diǎn)形成并且位于漏極和源極之間。圖1所示
2022-11-14 07:53:24
什么是漏極？什么是源極？什么是柵極？柵極源極漏極怎么區(qū)分？漏極 源極 柵極相當(dāng)于三極管的哪極？ 漏極、源極和柵極都是指晶體管（如三極管）的不同極性。 首先，我們需要了解晶體管的基本結(jié)構(gòu)，它由兩個(gè)PN
2023-11-21 16:00:45
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