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半導(dǎo)體的特性

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半導(dǎo)體導(dǎo)電的基本特性是什么

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2023-08-27 15:55:23380

半導(dǎo)體具有哪些導(dǎo)電特性

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2023-08-27 15:55:20463

有機(jī)半導(dǎo)體優(yōu)缺點(diǎn),有機(jī)半導(dǎo)體的導(dǎo)電機(jī)理

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2023-06-30 14:54:341798

概倫電子半導(dǎo)體特性測(cè)試解決方案即將亮相SEMICON China

。屆時(shí),概倫電子將攜 領(lǐng)先的半導(dǎo)體特性測(cè)試儀FS-Pro、業(yè)界黃金標(biāo)準(zhǔn)低頻噪聲測(cè)試系統(tǒng)981X系列以及資深專(zhuān)家團(tuán)隊(duì)打造的一站式工程服務(wù)解決方案 亮相此次盛會(huì)。 ? 半導(dǎo)體參數(shù)分析儀FS-Pro 一款功能全面、配置靈活的半導(dǎo)體器件電學(xué)特性分析測(cè)試系統(tǒng),能夠快速、準(zhǔn)確地測(cè)試半導(dǎo)
2023-06-20 09:25:01238

維修4200-SCS吉時(shí)利半導(dǎo)體特性分析儀無(wú)法開(kāi)機(jī)最新案例

近日某院校送修吉時(shí)利半導(dǎo)體特性分析儀4200-SCS,客戶(hù)反饋半導(dǎo)體特性分析儀自檢不過(guò),進(jìn)不了測(cè)試界面,后面燒了CH1無(wú)法開(kāi)機(jī),對(duì)儀器進(jìn)行初步檢測(cè),確定與客戶(hù)描述故障一致。本期將為大家分享本維修
2023-05-18 17:11:46239

世界首個(gè)木質(zhì)晶體管為木質(zhì)電子產(chǎn)品鋪平道路

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2023-03-01 12:52:42

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碳化硅與氮化鎵相比如何?碳化硅的使用場(chǎng)景在哪里?

碳化硅(SiC)由硅(原子序數(shù)14)和碳(原子序數(shù)6),形成類(lèi)似于金剛石的強(qiáng)共價(jià)鍵,是一種堅(jiān)固的六方結(jié)構(gòu)化合物,具有寬禁帶半導(dǎo)體特性
2023-02-22 14:58:161347

常用半導(dǎo)體手冊(cè)

,掌握它們的特性和參數(shù)。本章從討論半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性和PN 結(jié)的單向?qū)щ娦蚤_(kāi)始,分別介紹二極管、雙極型晶體管、絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管和半導(dǎo)體光電器件等常用的半導(dǎo)體元器件。喜歡的頂一頂,介紹的非常詳細(xì)哦。。。。[此貼子已經(jīng)被作者于2008-5-24 11:05:21編輯過(guò)]
2008-05-24 10:29:38

氮化鎵技術(shù)的應(yīng)用

氮化鎵(GaN)是一種具有半導(dǎo)體特性的化合物,是由氮和鎵組成的一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,與碳化硅(SiC)并稱(chēng)為第三代半導(dǎo)體材料的雙雄。GaN具有更寬的“帶隙(band-gap)”,因此與硅基電子產(chǎn)品相比具有許多優(yōu)勢(shì)。
2023-02-15 17:52:35643

中國(guó)大陸半導(dǎo)體功率器件企業(yè)前50名

近年來(lái),國(guó)內(nèi)功率半導(dǎo)體賽道逐漸火爆,為何業(yè)內(nèi)普遍看好功率半導(dǎo)體的市場(chǎng)前景呢? 這要從功率半導(dǎo)體特性說(shuō)起。 客觀而言,功率半導(dǎo)體屬于特色工藝產(chǎn)品,非尺寸依賴(lài)型,在制程方面不追求極致的線(xiàn)寬,不必
2023-02-15 15:33:491

氮化鎵和碳化硅的對(duì)比

氮化鎵(GaN:Gallium Nitride)是氮和鎵化合物,具體半導(dǎo)體特性,早期應(yīng)用于發(fā)光二極管中,它與常用的硅屬于同一元素周期族,硬度高熔點(diǎn)高穩(wěn)定性強(qiáng)。氮化鎵材料是研制微電子器件的重要半導(dǎo)體材料,具有寬帶隙、高熱導(dǎo)率等特點(diǎn),應(yīng)用在充電器可適配小型變壓器和高功率器件,充電效率高。
2023-02-13 16:49:565715

誰(shuí)發(fā)現(xiàn)了氮化鎵半導(dǎo)體材料?這種材料的特性是什么?

氮化鎵(GaN)是氮和鎵化合物,具體半導(dǎo)體特性,早期應(yīng)用于發(fā)光二極管中,其具有寬帶隙、高熱導(dǎo)率等特點(diǎn),寬禁帶半導(dǎo)體是高溫、高頻、抗輻射及大功率器件的適合材料。與第一代和第二代半導(dǎo)體材料相比,第三代
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探究模擬開(kāi)關(guān)的模擬特性及開(kāi)關(guān)特性

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2023-02-06 14:48:11821

氮化鎵技術(shù)是什么原理

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2023-02-06 09:46:091232

二極管的歷史、特性、作用、分類(lèi)

發(fā)現(xiàn)二極真空管里有整流特性和愛(ài)迪生效果是1884年。其實(shí)在這8年之前的1876年已發(fā)現(xiàn)了硒的整流作用。利用半導(dǎo)體特性實(shí)現(xiàn)整流效果的二極管的歷史十分古老。但比真空管還要古老是稍微意外吧。
2023-01-07 09:17:591439

II類(lèi)超晶格紅外探測(cè)器原理

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2022-11-24 09:57:132303

#硬聲創(chuàng)作季 電子電路基礎(chǔ):半導(dǎo)體特性

電路分析
Mr_haohao發(fā)布于 2022-10-28 16:30:38

基于單層MoSe2-WSe2異質(zhì)結(jié)器件

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2022-10-19 16:03:281163

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在基本半導(dǎo)體特性(帶隙、臨界電場(chǎng)和電子遷移率)的材料比較中,GaN 被證明是一種優(yōu)異的材料?!癝i 的帶隙略高于一個(gè)電子伏特,臨界電子場(chǎng)為 0.23 MV/cm,而 GaN 的電子遷移率和帶隙更寬
2022-08-03 08:04:292339

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2022-07-18 16:51:091525

半導(dǎo)體特性分析方法和技術(shù)

應(yīng)對(duì)可能阻礙您的測(cè)量并引入錯(cuò)誤的挑戰(zhàn)。 半導(dǎo)體表征應(yīng)用指南中的注釋提供了一些技巧和技術(shù),可幫助您洞察和了解直流半導(dǎo)體器件的性能。
2021-03-18 11:07:3412

半導(dǎo)體特性學(xué)習(xí)課件免費(fèi)下載

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半導(dǎo)體封裝工藝形象化展示大綱

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關(guān)于寬帶隙半導(dǎo)體與硅的對(duì)比分析

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本文首先介紹了半導(dǎo)體的四大基本物理特性,其次介紹了半導(dǎo)體的三大重要特性。
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最新研究發(fā)現(xiàn)金屬鉑制成只有2納米厚的超薄膜時(shí),可以擁有類(lèi)似硅等半導(dǎo)體特性
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半導(dǎo)體一般由鍺和硅兩種材料構(gòu)成,而由于我們生活的環(huán)境的溫度不是絕對(duì)零度,所有會(huì)有本征激發(fā)(電子脫離質(zhì)子的吸引力而轉(zhuǎn)變成為自由電子 如下圖),這就是溫度可以改變半導(dǎo)體特性。那么我就要引入能級(jí)了。本征
2018-06-17 09:47:0025478

不同構(gòu)型下ZnO基稀磁半導(dǎo)體原理研究

的雜質(zhì)濃度一般不高,因而表現(xiàn)出的磁性通常比較弱,所以被稱(chēng)為稀磁半導(dǎo)體。因?yàn)槠浯判耘c半導(dǎo)體特性共存的特點(diǎn),可以同時(shí)利用電子的自旋屬性和電荷屬性,逐漸成為科學(xué)界的研究熱點(diǎn)。 近年來(lái),人們對(duì)稀磁半導(dǎo)體的研究已經(jīng)有了一定的進(jìn)展。自從2000年Dietl1預(yù)測(cè)出寬禁帶的GaN和Zn0基
2018-02-10 11:08:230

半導(dǎo)體有什么用_半導(dǎo)體特性是什么

半導(dǎo)體器件目前已經(jīng)廣泛的運(yùn)用到日常生活當(dāng)中,本文以半導(dǎo)體為中心,詳細(xì)說(shuō)明半導(dǎo)體分類(lèi)、作用與價(jià)值、特性以及半導(dǎo)體的發(fā)展前景。
2017-12-15 17:48:3451679

半導(dǎo)體特性

電子專(zhuān)業(yè)單片機(jī)相關(guān)知識(shí)學(xué)習(xí)教材資料——半導(dǎo)體特性
2016-08-22 16:18:033

吉時(shí)利集成C-V模塊及軟件實(shí)現(xiàn)更快速測(cè)試

吉時(shí)利儀器公司(NYSE:KEI),宣布為其功能強(qiáng)大的4200-SCS半導(dǎo)體特性分析系統(tǒng)新增一套C-V測(cè)量功能 4200-CVU。 4200-CVU能以測(cè)量模塊的形式插入 4200-SCS的任意可用儀器插槽中,能在10KHz到10MHz的頻
2012-04-23 09:15:071007

如何使用4200-CVU 電容-電壓?jiǎn)卧獪y(cè)量電感

雖然吉時(shí)利4200半導(dǎo)體特性分析系統(tǒng)中的4200-CVU電容選件不能直接測(cè)量電感,但是用戶(hù)可以簡(jiǎn)單地通過(guò)測(cè)量得到的參數(shù):阻抗(Z)、相位角(或)和測(cè)試頻率(f)提取電感值。這個(gè)應(yīng)用
2011-12-22 11:33:3053

雙極型與MOS半導(dǎo)體器件物理

本書(shū)在簡(jiǎn)述半導(dǎo)體基本特性半導(dǎo)體表面特性的基礎(chǔ)上,介紹了雙極型晶體管的工作原理和直流、頻率、開(kāi)關(guān)功率特性以及MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的結(jié)構(gòu)、原理、交直流特性
2011-12-15 17:20:1964

半導(dǎo)體材料的分類(lèi)及應(yīng)用

半體體材料 作為電子材料的代表, 在生產(chǎn)實(shí)踐的客觀需求刺激下, 科技工作者已經(jīng)發(fā)現(xiàn)了數(shù)以計(jì)的具有半導(dǎo)體特性的材料, 并正在卓有成效在研究、開(kāi)發(fā)和利用各種具有特殊性能的材料。
2011-11-01 17:32:0655

半導(dǎo)體特性分析儀和脈沖產(chǎn)生器測(cè)量電荷泵

電荷泵測(cè)量方法廣泛應(yīng)用于MOSFET元件的介面態(tài)密度測(cè)量。隨著高介電常數(shù)(高)閘極材料的發(fā)展,已證明電荷泵對(duì)高薄閘極薄膜中電荷陷阱現(xiàn)象的測(cè)量極為有效。
2011-09-30 10:39:521860

NI擴(kuò)展其PXI平臺(tái)的功能

NI擴(kuò)展其PXI平臺(tái)的功能,通過(guò)新發(fā)布的每個(gè)引腳參數(shù)測(cè)量單元模塊(PPMU)和源測(cè)量單元模塊(SMU)用于半導(dǎo)體特性描述和生產(chǎn)測(cè)試
2011-09-09 09:28:331179

微電子行業(yè)入門(mén)通用教材

目 錄 第一章 半導(dǎo)體的基礎(chǔ)知識(shí) 1-1半導(dǎo)體的一些基本概念 1-1-1什么是半導(dǎo)體?4 1-1-2 半導(dǎo)體的基本特性. .4 1-1-3 半導(dǎo)體的分類(lèi)...4 1-1-4 N型半導(dǎo)體和P型半導(dǎo)體
2011-03-14 16:49:38586

半導(dǎo)體特性圖示儀的使用

  半導(dǎo)體特性圖示儀的使用和晶體管參數(shù)測(cè)量   一、實(shí)驗(yàn)?zāi)康?   1、了解半導(dǎo)體特性圖示儀的基本原理   2、學(xué)習(xí)使用半導(dǎo)體特性圖示儀測(cè)量晶體管的
2010-10-29 17:09:1231

半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性

半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性 自然界的各種物質(zhì)就其導(dǎo)電性能來(lái)說(shuō),可以分為導(dǎo)體、絕緣體和半導(dǎo)體三大類(lèi)?! ?b style="color: red">半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體
2010-08-26 17:03:376739

晶體管工作原理是什么?

晶體管工作原理是什么? 利用半導(dǎo)體特性,每個(gè)管子工作原理個(gè)不同,你可以找機(jī)電方面的書(shū)看 下
2010-03-01 10:59:4334449

半導(dǎo)體特性

半導(dǎo)體特性 半導(dǎo)體的導(dǎo)電性能比導(dǎo)體差而比絕緣體強(qiáng)。實(shí)際上,半導(dǎo)體導(dǎo)體、絕緣體的區(qū)別在不僅在于導(dǎo)電能力的不同,更重要的是半導(dǎo)體具有獨(dú)特的
2009-04-07 14:26:101474

半導(dǎo)體特性圖示儀的使用和晶體管參數(shù)測(cè)量

半導(dǎo)體特性圖示儀的使用和晶體管參數(shù)測(cè)量一、實(shí)驗(yàn)?zāi)康?、了解半導(dǎo)體特性圖示儀的基本原理2、學(xué)習(xí)使用半導(dǎo)體特性圖示儀測(cè)量晶體管的特性曲線(xiàn)和參
2009-03-09 09:12:098795

熱敏電阻器的分類(lèi)與參數(shù)

熱敏電阻器的分類(lèi)與參數(shù) 熱敏電阻是敏感元件的一類(lèi),其電阻值會(huì)隨著熱敏電阻本體溫度的變化呈現(xiàn)出階躍性的變化,具有半導(dǎo)體特性.   &nbs
2007-12-22 10:22:373209

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