電子電路基礎(chǔ)知識(shí)

電子電路基礎(chǔ)知識(shí)

電路基礎(chǔ)知識(shí)(一)
電路基礎(chǔ)知識(shí)（1）——電阻
導(dǎo)電體對(duì)電流的阻礙作用稱著電阻，用符號(hào)R表示，單位為歐姆、千歐、兆歐，分別用Ω、KΩ、MΩ表示。
一、電阻的型號(hào)命名方法：
國(guó)產(chǎn)電阻器的型號(hào)由四部分組成（不適用敏感電阻）
第一部分：主稱 ，用字母表示，表示產(chǎn)品的名字。如R表示電阻，W表示電位器。
第二部分：材料 ，用字母表示，表示電阻體用什么材料組成，T-碳膜、H-合成碳膜、S-有機(jī)實(shí)心、N-無(wú)機(jī)實(shí)心、J-金屬膜、Y-氮化膜、C-沉積膜、I-玻璃釉膜、X-線繞。
第三部分：分類，一般用數(shù)字表示，個(gè)別類型用字母表示，表示產(chǎn)品屬于什么類型。1-普通、2-普通、3-超高頻 、4-高阻、5-高溫、6-精密、7-精密、8-高壓、9-特殊、G-高功率、T-可調(diào)。
第四部分:序號(hào)，用數(shù)字表示，表示同類產(chǎn)品中不同品種，以區(qū)分產(chǎn)品的外型尺寸和性能指標(biāo)等
例如：R T 1 1 型普通碳膜電阻a1}
二、電阻器的分類　　　　　　　　　　　　　　
1、線繞電阻器：通用線繞電阻器、精密線繞電阻器、大功率線繞電阻器、高頻線繞電阻器。
2、薄膜電阻器：碳膜電阻器、合成碳膜電阻器、金屬膜電阻器、金屬氧化膜電阻器、化學(xué)沉積膜電阻器、玻璃釉膜電阻器、金屬氮化膜電阻器。
3、實(shí)心電阻器：無(wú)機(jī)合成實(shí)心碳質(zhì)電阻器、有機(jī)合成實(shí)心碳質(zhì)電阻器。
4、敏感電阻器：壓敏電阻器、熱敏電阻器、光敏電阻器、力敏電阻器、氣敏電阻器、濕敏電阻器。
三、主要特性參數(shù)
1、標(biāo)稱阻值：電阻器上面所標(biāo)示的阻值。
2、允許誤差：標(biāo)稱阻值與實(shí)際阻值的差值跟標(biāo)稱阻值之比的百分?jǐn)?shù)稱阻值偏差，它表示電阻器的精度。
允許誤差與精度等級(jí)對(duì)應(yīng)關(guān)系如下：±0.5%-0.05、±1%-0.1(或00)、±2%-0.2(或0)、±5%-Ⅰ級(jí)、±10%-Ⅱ級(jí)、±20%-Ⅲ級(jí)
3、額定功率：在正常的大氣壓力90-106.6KPa及環(huán)境溫度為－55℃～＋70℃的條件下，電阻器長(zhǎng)期工作所允許耗散的最大功率。
線繞電阻器額定功率系列為（W）：1/20、1/8、1/4、1/2、1、2、4、8、10、16、25、40、50、75、100、150、250、500
非線繞電阻器額定功率系列為（W）：1/20、1/8、1/4、1/2、1、2、5、10、25、50、100
4、額定電壓：由阻值和額定功率換算出的電壓。
5、最高工作電壓：允許的最大連續(xù)工作電壓。在低氣壓工作時(shí)，最高工作電壓較低。
6、溫度系數(shù)：溫度每變化1℃所引起的電阻值的相對(duì)變化。溫度系數(shù)越小，電阻的穩(wěn)定性越好。阻值隨溫度升高而增大的為正溫度系數(shù)，反之為負(fù)溫度系數(shù)。
7、老化系數(shù)：電阻器在額定功率長(zhǎng)期負(fù)荷下，阻值相對(duì)變化的百分?jǐn)?shù)，它是表示電阻器壽命長(zhǎng)短的參數(shù)。
8、電壓系數(shù)：在規(guī)定的電壓范圍內(nèi)，電壓每變化1伏，電阻器的相對(duì)變化量。
9、噪聲：產(chǎn)生于電阻器中的一種不規(guī)則的電壓起伏，包括熱噪聲和電流噪聲兩部分，熱噪聲是由于導(dǎo)體內(nèi)部不規(guī)則的電子自由運(yùn)動(dòng)，使導(dǎo)體任意兩點(diǎn)的電壓不規(guī)則變化。
四、電阻器阻值標(biāo)示方法
1、直標(biāo)法：用數(shù)字和單位符號(hào)在電阻器表面標(biāo)出阻值，其允許誤差直接用百分?jǐn)?shù)表示，若電阻上未注偏差，則均為±20%。
2、文字符號(hào)法：用阿拉伯?dāng)?shù)字和文字符號(hào)兩者有規(guī)律的組合來(lái)表示標(biāo)稱阻值，其允許偏差也用文字符號(hào)表示。符號(hào)前面的數(shù)字表示整數(shù)阻值，后面的數(shù)字依次表示第一位小數(shù)阻值和第二位小數(shù)阻值。
表示允許誤差的文字符號(hào)
文字符號(hào) D F G J K M
允許偏差 ±0.5% ±1% ±2% ±5% ±10% ±20%
3、數(shù)碼法：在電阻器上用三位數(shù)碼表示標(biāo)稱值的標(biāo)志方法。數(shù)碼從左到右，第一、二位為有效值，第三位為指數(shù)，即零的個(gè)數(shù)，單位為歐。偏差通常采用文字符號(hào)表示。
4、色標(biāo)法：用不同顏色的帶或點(diǎn)在電阻器表面標(biāo)出標(biāo)稱阻值和允許偏差。國(guó)外電阻大部分采用色標(biāo)法。
黑-0、棕-1、紅-2、橙-3、黃-4、綠-5、藍(lán)-6、紫-7、灰-8、白-9、金-±5%、銀-±10%、無(wú)色-±20%
當(dāng)電阻為四環(huán)時(shí)，最后一環(huán)必為金色或銀色，前兩位為有效數(shù)字， 第三位為乘方數(shù)，第四位為偏差。 當(dāng)電阻為五環(huán)時(shí)，最後一環(huán)與前面四環(huán)距離較大。前三位為有效數(shù)字， 第四位為乘方數(shù)， 第五位為偏差。
五、常用電阻器
1、電位器
電位器是一種機(jī)電元件，他*電刷在電阻體上的滑動(dòng)，取得與電刷位移成一定關(guān)系的輸出電壓。
1.1 合成碳膜電位器
電阻體是用經(jīng)過(guò)研磨的碳黑，石墨，石英等材料涂敷于基體表面而成，該工藝簡(jiǎn)單， 是目前應(yīng)用最廣泛的電位器。特點(diǎn)是分辯力高耐磨性好，壽命較長(zhǎng)。缺點(diǎn)是電流噪聲，非線性大， 耐潮性以及阻值穩(wěn)定性差。
1.2 有機(jī)實(shí)心電位器
有機(jī)實(shí)心電位器是一種新型電位器，它是用加熱塑壓的方法，將有機(jī)電阻粉壓在絕緣體的凹槽內(nèi)。有機(jī)實(shí)心電位器與碳膜電位器相比具有耐熱性好、功率大、可*性高、耐磨性好的優(yōu)點(diǎn)。但溫度系數(shù)大、動(dòng)噪聲大、耐潮性能差、制造工藝復(fù)雜、阻值精度較差。在小型化、高可*、高耐磨性的電子設(shè)備以及交、直流電路中用作調(diào)節(jié)電壓、電流。
1.3 金屬玻璃鈾電位器
用絲網(wǎng)印刷法按照一定圖形，將金屬玻璃鈾電阻漿料涂覆在陶瓷基體上，經(jīng)高溫?zé)Y(jié)而成。特點(diǎn)是：阻值范圍寬，耐熱性好，過(guò)載能力強(qiáng)，耐潮，耐磨等都很好， 是很有前途的電位器品種，缺點(diǎn)是接觸電阻和電流噪聲大。
1.4 繞線電位器
繞線電位器是將康銅絲或鎳鉻合金絲作為電阻體，并把它繞在絕緣骨架上制成。繞線電位器特點(diǎn)是接觸電阻小，精度高，溫度系數(shù)小，其缺點(diǎn)是分辨力差，阻值偏低，高頻特性差。主要用作分壓器、變阻器、儀器中調(diào)零和工作點(diǎn)等。
1.5 金屬膜電位器
金屬膜電位器的電阻體可由合金膜、金屬氧化膜、金屬箔等分別組成。特點(diǎn)是分辯力高、耐高溫、溫度系數(shù)小、動(dòng)噪聲小、平滑性好。
1.6 導(dǎo)電塑料電位器
用特殊工藝將DAP（鄰苯二甲酸二稀丙脂）電阻漿料覆在絕緣機(jī)體上，加熱聚合成電阻膜，或?qū)AP電阻粉熱塑壓在絕緣基體的凹槽內(nèi)形成的實(shí)心體作為電阻體。特點(diǎn)是：平滑性好、分辯力優(yōu)異耐磨性好、壽命長(zhǎng)、動(dòng)噪聲小、可*性極高、耐化學(xué)腐蝕。用于宇宙裝置、導(dǎo)彈、飛機(jī)雷達(dá)天線的伺服系統(tǒng)等。
1.7 帶開關(guān)的電位器
有旋轉(zhuǎn)式開關(guān)電位器、推拉式開關(guān)電位器、推推開關(guān)式電位器
1.8 預(yù)調(diào)式電位器
預(yù)調(diào)式電位器在電路中，一旦調(diào)試好，用蠟封住調(diào)節(jié)位置，在一般情況下不再調(diào)節(jié)。
1.9 直滑式電位器
采用直滑方式改變電阻值。
1.10 雙連電位器
有異軸雙連電位器和同軸雙連電位器
1.11 無(wú)觸點(diǎn)電位器
無(wú)觸點(diǎn)電位器消除了機(jī)械接觸，壽命長(zhǎng)、可*性高，分光電式電位器、磁敏式電位器等。
2、實(shí)芯碳質(zhì)電阻器
用碳質(zhì)顆粒壯導(dǎo)電物質(zhì)、填料和粘合劑混合制成一個(gè)實(shí)體的電阻器。
特點(diǎn)：價(jià)格低廉，但其阻值誤差、噪聲電壓都大，穩(wěn)定性差，目前較少用。
3、繞線電阻器
用高阻合金線繞在絕緣骨架上制成，外面涂有耐熱的釉絕緣層或絕緣漆。
繞線電阻具有較低的溫度系數(shù)，阻值精度高， 穩(wěn)定性好，耐熱耐腐蝕，主要做精密大功率電阻使用，缺點(diǎn)是高頻性能差，時(shí)間常數(shù)大。
4、薄膜電阻器
用蒸發(fā)的方法將一定電阻率材料蒸鍍于絕緣材料表面制成。主要如下：
4.1 碳膜電阻器
將結(jié)晶碳沉積在陶瓷棒骨架上制成。碳膜電阻器成本低、性能穩(wěn)定、阻值范圍寬、溫度系數(shù)和電壓系數(shù)低，是目前應(yīng)用最廣泛的電阻器。
4.2 金屬膜電阻器。
用真空蒸發(fā)的方法將合金材料蒸鍍于陶瓷棒骨架表面。
金屬膜電阻比碳膜電阻的精度高，穩(wěn)定性好，噪聲， 溫度系數(shù)小。在儀器儀表及通訊設(shè)備中大量采用。
4.3 金屬氧化膜電阻器
在絕緣棒上沉積一層金屬氧化物。由于其本身即是氧化物，所以高溫下穩(wěn)定，耐熱沖擊，負(fù)載能力強(qiáng)。
4.4 合成膜電阻
將導(dǎo)電合成物懸浮液涂敷在基體上而得，因此也叫漆膜電阻。
由于其導(dǎo)電層呈現(xiàn)顆粒狀結(jié)構(gòu)，所以其噪聲大，精度低，主要用他制造高壓， 高阻， 小型電阻器。
5、金屬玻璃鈾電阻器
將金屬粉和玻璃鈾粉混合，采用絲網(wǎng)印刷法印在基板上。
耐潮濕， 高溫， 溫度系數(shù)小，主要應(yīng)用于厚膜電路。
6、貼片電阻SMT
片狀電阻是金屬玻璃鈾電阻的一種形式，他的電阻體是高可*的釕系列玻璃鈾材料經(jīng)過(guò)高溫?zé)Y(jié)而成，電極采用銀鈀合金漿料。體積小，精度高，穩(wěn)定性好，由于其為片狀元件，所以高頻性能好。
7、敏感電阻
敏感電阻是指器件特性對(duì)溫度，電壓，濕度，光照，氣體， 磁場(chǎng)，壓力等作用敏感的電阻器。
敏感電阻的符號(hào)是在普通電阻的符號(hào)中加一斜線，并在旁標(biāo)注敏感電阻的類型，如：t. v等。
7.1、壓敏電阻
主要有碳化硅和氧化鋅壓敏電阻，氧化鋅具有更多的優(yōu)良特性。
7.2、濕敏電阻
由感濕層，電極， 絕緣體組成，濕敏電阻主要包括氯化鋰濕敏電阻，碳濕敏電阻，氧化物濕敏電阻。氯化鋰濕敏電阻隨濕度上升而電阻減小，缺點(diǎn)為測(cè)試范圍小，特性重復(fù)性不好，受溫度影響大。碳濕敏電阻缺點(diǎn)為低溫靈敏度低，阻值受溫度影響大，由老化特性， 較少使用。
氧化物濕敏電阻性能較優(yōu)越，可長(zhǎng)期使用，溫度影響小，阻值與濕度變化呈線性關(guān)系。有氧化錫，鎳鐵酸鹽，等材料。
7.3、光敏電阻
光敏電阻是電導(dǎo)率隨著光量力的變化而變化的電子元件，當(dāng)某種物質(zhì)受到光照時(shí)，載流子的濃度增加從而增加了電導(dǎo)率，這就是光電導(dǎo)效應(yīng)。
7.4、氣敏電阻
利用某些半導(dǎo)體吸收某種氣體后發(fā)生氧化還原反應(yīng)制成，主要成分是金屬氧化物，主要品種有：金屬氧化物氣敏電阻、復(fù)合氧化物氣敏電阻、陶瓷氣敏電阻等。
7.5、力敏電阻
力敏電阻是一種阻值隨壓力變化而變化的電阻，國(guó)外稱為壓電電阻器。所謂壓力電阻效應(yīng)即半導(dǎo)體材料的電阻率隨機(jī)械應(yīng)力的變化而變化的效應(yīng)。可制成各種力矩計(jì)，半導(dǎo)體話筒，壓力傳感器等。主要品種有硅力敏電阻器，硒碲合金力敏電阻器，相對(duì)而言， 合金電阻器具有更高靈敏度。
電路設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)（2）——電容
電容是電子設(shè)備中大量使用的電子元件之一，廣泛應(yīng)用于隔直，耦合， 旁路，濾波，調(diào)諧回路， 能量轉(zhuǎn)換，控制電路等方面。用C表示電容，電容單位有法拉（F）、微法拉（uF）、皮法拉（pF）,1F=10^6uF=10^12pF
一、電容器的型號(hào)命名方法
國(guó)產(chǎn)電容器的型號(hào)一般由四部分組成（不適用于壓敏、可變、真空電容器）。依次分別代表名稱、材料、分類和序號(hào)。
第一部分：名稱，用字母表示，電容器用C。
第二部分：材料，用字母表示。
第三部分：分類，一般用數(shù)字表示，個(gè)別用字母表示。
第四部分：序號(hào)，用數(shù)字表示。
用字母表示產(chǎn)品的材料：A-鉭電解、B-聚苯乙烯等非極性薄膜、C-高頻陶瓷、D-鋁電解、E-其它材料電解、G-合金電解、H-復(fù)合介質(zhì)、I-玻璃釉、J-金屬化紙、L-滌綸等極性有機(jī)薄膜、N-鈮電解、O-玻璃膜、Q-漆膜、T-低頻陶瓷、V-云母紙、Y-云母、Z-紙介

二、電容器的分類
按照結(jié)構(gòu)分三大類：固定電容器、可變電容器和微調(diào)電容器。
按電解質(zhì)分類有：有機(jī)介質(zhì)電容器、無(wú)機(jī)介質(zhì)電容器、電解電容器和空氣介質(zhì)電容器等。
按用途分有：高頻旁路、低頻旁路、濾波、調(diào)諧、高頻耦合、低頻耦合、小型電容器。
高頻旁路：陶瓷電容器、云母電容器、玻璃膜電容器、滌綸電容器、玻璃釉電容器。
低頻旁路：紙介電容器、陶瓷電容器、鋁電解電容器、滌綸電容器。
濾 波：鋁電解電容器、紙介電容器、復(fù)合紙介電容器、液體鉭電容器。
調(diào) 諧：陶瓷電容器、云母電容器、玻璃膜電容器、聚苯乙烯電容器。
高頻耦合：陶瓷電容器、云母電容器、聚苯乙烯電容器。
低頻耦合：紙介電容器、陶瓷電容器、鋁電解電容器、滌綸電容器、固體鉭電容器。
小型電容：金屬化紙介電容器、陶瓷電容器、鋁電解電容器、聚苯乙烯電容器、固體鉭電容器、玻璃釉電容器、金屬化滌綸電容器、聚丙烯電容器、云母電容器。

三、常用電容器
1、鋁電解電容器
用浸有糊狀電解質(zhì)的吸水紙夾在兩條鋁箔中間卷繞而成，薄的化氧化膜作介質(zhì)的電容器.因?yàn)檠趸び袉蜗驅(qū)щ娦再|(zhì),所以電解電容器具有極性.容量大，能耐受大的脈動(dòng)電流容量誤差大，泄漏電流大；普通的不適于在高頻和低溫下應(yīng)用,不宜使用在25kHz以上頻率低頻旁路、信號(hào)耦合、電源濾波
2、鉭電解電容器
用燒結(jié)的鉭塊作正極,電解質(zhì)使用固體二氧化錳溫度特性、頻率特性和可*性均優(yōu)于普通電解電容器，特別是漏電流極小，貯存性良好，壽命長(zhǎng)，容量誤差小，而且體積小，單位體積下能得到最大的電容電壓乘積對(duì)脈動(dòng)電流的耐受能力差，若損壞易呈短路狀態(tài)超小型高可*機(jī)件中
3、薄膜電容器
結(jié)構(gòu)與紙質(zhì)電容器相似，但用聚脂、聚苯乙烯等低損耗塑材作介質(zhì)頻率特性好，介電損耗小不能做成大的容量，耐熱能力差濾波器、積分、振蕩、定時(shí)電路
4、瓷介電容器
穿心式或支柱式結(jié)構(gòu)瓷介電容器，它的一個(gè)電極就是安裝螺絲。引線電感極小，頻率特性好，介電損耗小，有溫度補(bǔ)償作用不能做成大的容量，受振動(dòng)會(huì)引起容量變化特別適于高頻旁路
5、獨(dú)石電容器
(多層陶瓷電容器)在若干片陶瓷薄膜坯上被覆以電極槳材料，疊合后一次繞結(jié)成一塊不可分割的整體，外面再用樹脂包封而成小體積、大容量、高可*和耐高溫的新型電容器，高介電常數(shù)的低頻獨(dú)石電容器也具有穩(wěn)定的性能，體積極小，Q值高容量誤差較大噪聲旁路、濾波器、積分、振蕩電路
6、紙質(zhì)電容器
一般是用兩條鋁箔作為電極，中間以厚度為0.008～0.012mm的電容器紙隔開重疊卷繞而成。制造工藝簡(jiǎn)單，價(jià)格便宜，能得到較大的電容量　
一般在低頻電路內(nèi)，通常不能在高于3～4MHz的頻率上運(yùn)用。油浸電容器的耐壓比普通紙質(zhì)電容器高，穩(wěn)定性也好，適用于高壓電路
7、微調(diào)電容器
電容量可在某一小范圍內(nèi)調(diào)整，并可在調(diào)整后固定于某個(gè)電容值。
瓷介微調(diào)電容器的Q值高，體積也小，通?？煞譃閳A管式及圓片式兩種。
8、云母和聚苯乙烯介質(zhì)的通常都采用彈簧式東，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，但穩(wěn)定性較差。
線繞瓷介微調(diào)電容器是拆銅絲〈外電極〉來(lái)變動(dòng)電容量的，故容量只能變小，不適合在需反復(fù)調(diào)試的場(chǎng)合使用
9、陶瓷電容器
用高介電常數(shù)的電容器陶瓷〈鈦酸鋇一氧化鈦〉擠壓成圓管、圓片或圓盤作為介質(zhì)，并用燒滲法將銀鍍?cè)谔沾缮献鳛殡姌O制成。它又分高頻瓷介和低頻瓷介兩種。
具有小的正電容溫度系數(shù)的電容器，用于高穩(wěn)定振蕩回路中，作為回路電容器及墊整電容器。低頻瓷介電容器限于在工作頻率較低的回路中作旁路或隔直流用，或?qū)Ψ€(wěn)定性和損耗要求不高的場(chǎng)合〈包括高頻在內(nèi)〉。這種電容器不宜使用在脈沖電路中，因?yàn)樗鼈円子诒幻}沖電壓擊穿。高頻瓷介電容器適用于高頻電路
云母電容器就結(jié)構(gòu)而言，可分為箔片式及被銀式。被銀式電極為直接在云母片上用真空蒸發(fā)法或燒滲法鍍上銀層而成，由于消除了空氣間隙，溫度系數(shù)大為下降，電容穩(wěn)定性也比箔片式高。頻率特性好，Q值高，溫度系數(shù)小不能做成大的容量廣泛應(yīng)用在高頻電器中，并可用作標(biāo)準(zhǔn)電容器
10、玻璃釉電容器由一種濃度適于噴涂的特殊混合物噴涂成薄膜而成，介質(zhì)再以銀層電極經(jīng)燒結(jié)而成"獨(dú)石"結(jié)構(gòu)性能可與云母電容器媲美，能耐受各種氣候環(huán)境，一般可在200℃或更高溫度下工作，額定工作電壓可達(dá)500V，損耗tgδ0.0005～0.008　

四、電容器主要特性參數(shù)：
1、標(biāo)稱電容量和允許偏差
標(biāo)稱電容量是標(biāo)志在電容器上的電容量。
電容器實(shí)際電容量與標(biāo)稱電容量的偏差稱誤差，在允許的偏差范圍稱精度。
精度等級(jí)與允許誤差對(duì)應(yīng)關(guān)系：00（01）-±1%、0（02）-±2%、Ⅰ-±5%、Ⅱ-±10%、Ⅲ-±20%、 Ⅳ-（+20%-10%）、Ⅴ-（+50%-20%）、Ⅵ-（+50%-30%）
一般電容器常用Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ級(jí)，電解電容器用Ⅳ、Ⅴ、Ⅵ級(jí)，根據(jù)用途選取。
2、額定電壓
在最低環(huán)境溫度和額定環(huán)境溫度下可連續(xù)加在電容器的最高直流電壓有效值，一般直接標(biāo)注在電容器外殼上，如果工作電壓超過(guò)電容器的耐壓，電容器擊穿，造成不可修復(fù)的永久損壞。
3、絕緣電阻
直流電壓加在電容上，并產(chǎn)生漏電電流，兩者之比稱為絕緣電阻.
當(dāng)電容較小時(shí)，主要取決于電容的表面狀態(tài)，容量〉0.1uf時(shí)，主要取決于介質(zhì)的性能，絕緣電阻越小越好。
電容的時(shí)間常數(shù)：為恰當(dāng)?shù)脑u(píng)價(jià)大容量電容的絕緣情況而引入了時(shí)間常數(shù)，他等于電容的絕緣電阻與容量的乘積。
4、損耗
電容在電場(chǎng)作用下，在單位時(shí)間內(nèi)因發(fā)熱所消耗的能量叫做損耗。各類電容都規(guī)定了其在某頻率范圍內(nèi)的損耗允許值，電容的損耗主要由介質(zhì)損耗，電導(dǎo)損耗和電容所有金屬部分的電阻所引起的。　
在直流電場(chǎng)的作用下，電容器的損耗以漏導(dǎo)損耗的形式存在，一般較小，在交變電場(chǎng)的作用下，電容的損耗不僅與漏導(dǎo)有關(guān)，而且與周期性的極化建立過(guò)程有關(guān)。

5、頻率特性
隨著頻率的上升，一般電容器的電容量呈現(xiàn)下降的規(guī)律。

五、電容器容量標(biāo)示
1、直標(biāo)法
用數(shù)字和單位符號(hào)直接標(biāo)出。如01uF表示0.01微法，有些電容用“R”表示小數(shù)點(diǎn)，如R56表示0.56微法。
2、文字符號(hào)法
用數(shù)字和文字符號(hào)有規(guī)律的組合來(lái)表示容量。如p10表示0.1pF,1p0表示1pF,6P8表示6.8pF, 2u2表示2.2uF.
3、色標(biāo)法
用色環(huán)或色點(diǎn)表示電容器的主要參數(shù)。電容器的色標(biāo)法與電阻相同。
電容器偏差標(biāo)志符號(hào)：+100%-0--H、+100%-10%--R、+50%-10%--T、+30%-10%--Q、+50%-20%--S、+80%-20%--Z。
電路設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)（3）——電感線圈
電感線圈是由導(dǎo)線一圈*一圈地繞在絕緣管上，導(dǎo)線彼此互相絕緣，而絕緣管可以是空心的，也可以包含鐵芯或磁粉芯，簡(jiǎn)稱電感。用L表示，單位有亨利(H)、毫亨利 (mH)、微亨利(uH)，1H=10^3mH=10^6uH。
一、電感的分類
按 電感形式 分類：固定電感、可變電感。
按導(dǎo)磁體性質(zhì)分類：空芯線圈、鐵氧體線圈、鐵芯線圈、銅芯線圈。
按 工作性質(zhì) 分類：天線線圈、振蕩線圈、扼流線圈、陷波線圈、偏轉(zhuǎn)線圈。
按 繞線結(jié)構(gòu) 分類：?jiǎn)螌泳€圈、多層線圈、蜂房式線圈。
二、電感線圈的主要特性參數(shù)
1、電感量L
電感量L表示線圈本身固有特性，與電流大小無(wú)關(guān)。除專門的電感線圈（色碼電感）外，電感量一般不專門標(biāo)注在線圈上，而以特定的名稱標(biāo)注。
2、感抗XL
電感線圈對(duì)交流電流阻礙作用的大小稱感抗XL，單位是歐姆。它與電感量L和交流電頻率f的關(guān)系為XL=2πfL
3、品質(zhì)因素Q
品質(zhì)因素Q是表示線圈質(zhì)量的一個(gè)物理量，Q為感抗XL與其等效的電阻的比值，即：Q=XL/R
線圈的Q值愈高，回路的損耗愈小。線圈的Q值與導(dǎo)線的直流電阻，骨架的介質(zhì)損耗，屏蔽罩或鐵芯引起的損耗，高頻趨膚效應(yīng)的影響等因素有關(guān)。線圈的Q值通常為幾十到幾百。
4、分布電容
線圈的匝與匝間、線圈與屏蔽罩間、線圈與底版間存在的電容被稱為分布電容。分布電容的存在使線圈的Q值減小，穩(wěn)定性變差，因而線圈的分布電容越小越好。
三、常用線圈
1、單層線圈
單層線圈是用絕緣導(dǎo)線一圈挨一圈地繞在紙筒或膠木骨架上。如晶體管收音機(jī)中波天線線圈。
2、蜂房式線圈
如果所繞制的線圈，其平面不與旋轉(zhuǎn)面平行，而是相交成一定的角度，這種線圈稱為蜂房式線圈。而其旋轉(zhuǎn)一周，導(dǎo)線來(lái)回彎折的次數(shù)，常稱為折點(diǎn)數(shù)。蜂房式繞法的優(yōu)點(diǎn)是體積小，分布電容小，而且電感量大。蜂房式線圈都是利用蜂房繞線機(jī)來(lái)繞制，折點(diǎn)越多，分布電容越小
3、鐵氧體磁芯和鐵粉芯線圈
線圈的電感量大小與有無(wú)磁芯有關(guān)。在空芯線圈中插入鐵氧體磁芯，可增加電感量和提高線圈的品質(zhì)因素。
4、銅芯線圈
銅芯線圈在超短波范圍應(yīng)用較多，利用旋動(dòng)銅芯在線圈中的位置來(lái)改變電感量，這種調(diào)整比較方便、耐用。
5、色碼電感器
色碼電感器是具有固定電感量的電感器，其電感量標(biāo)志方法同電阻一樣以色環(huán)來(lái)標(biāo)記。
6、阻流圈（扼流圈）
限制交流電通過(guò)的線圈稱阻流圈，分高頻阻流圈和低頻阻流圈。
7、偏轉(zhuǎn)線圈
偏轉(zhuǎn)線圈是電視機(jī)掃描電路輸出級(jí)的負(fù)載，偏轉(zhuǎn)線圈要求：偏轉(zhuǎn)靈敏度高、磁場(chǎng)均勻、Q值高、體積小、價(jià)格低。
變壓器
變壓器是變換交流電壓、電流和阻抗的器件，當(dāng)初級(jí)線圈中通有交流電流時(shí)，鐵芯（或磁芯）中便產(chǎn)生交流磁通，使次級(jí)線圈中感應(yīng)出電壓（或電流）。變壓器由鐵芯（或磁芯）和線圈組成，線圈有兩個(gè)或兩個(gè)以上的繞組，其中接電源的繞組叫初級(jí)線圈，其余的繞組叫次級(jí)線圈。
一、分類
按冷卻方式分類：干式（自冷）變壓器、油浸（自冷）變壓器、氟化物（蒸發(fā)冷卻）變壓器。
按防潮方式分類：開放式變壓器、灌封式變壓器、密封式變壓器。
按鐵芯或線圈結(jié)構(gòu)分類：芯式變壓器（插片鐵芯、C型鐵芯、鐵氧體鐵芯）、殼式變壓器（插片鐵芯、C型鐵芯、鐵氧體鐵芯）、環(huán)型變壓器、金屬箔變壓器。
按電源相數(shù)分類：?jiǎn)蜗嘧儔浩鳌⑷嘧儔浩?、多相變壓器?
按用途分類：電源變壓器、調(diào)壓變壓器、音頻變壓器、中頻變壓器、高頻變壓器、脈沖變壓器。
二、電源變壓器的特性參數(shù)
1 工作頻率
變壓器鐵芯損耗與頻率關(guān)系很大，故應(yīng)根據(jù)使用頻率來(lái)設(shè)計(jì)和使用，這種頻率稱工作頻率。
2 額定功率
在規(guī)定的頻率和電壓下，變壓器能長(zhǎng)期工作，而不超過(guò)規(guī)定溫升的輸出功率。
3 額定電壓
指在變壓器的線圈上所允許施加的電壓，工作時(shí)不得大于規(guī)定值。
4 電壓比
指變壓器初級(jí)電壓和次級(jí)電壓的比值，有空載電壓比和負(fù)載電壓比的區(qū)別。
5 空載電流
變壓器次級(jí)開路時(shí)，初級(jí)仍有一定的電流，這部分電流稱為空載電流?？蛰d電流由磁化電流（產(chǎn)生磁通）和鐵損電流（由鐵芯損耗引起）組成。對(duì)于50Hz電源變壓器而言，空載電流基本上等于磁化電流。
6 空載損耗：指變壓器次級(jí)開路時(shí)，在初級(jí)測(cè)得功率損耗。主要損耗是鐵芯損耗，其次是空載電流在初級(jí)線圈銅阻上產(chǎn)生的損耗（銅損），這部分損耗很小。
7 效率
指次級(jí)功率P2與初級(jí)功率P1比值的百分比。通常變壓器的額定功率愈大，效率就愈高。
8 絕緣電阻
表示變壓器各線圈之間、各線圈與鐵芯之間的絕緣性能。絕緣電阻的高低與所使用的絕緣材料的性能、溫度高低和潮濕程度有關(guān)。
三、音頻變壓器和高頻變壓器特性參數(shù)
1 頻率響應(yīng)
指變壓器次級(jí)輸出電壓隨工作頻率變化的特性。
2 通頻帶
如果變壓器在中間頻率的輸出電壓為U0，當(dāng)輸出電壓（輸入電壓保持不變）下降到0.707U0時(shí)的頻率范圍，稱為變壓器的通頻帶B。
3 初、次級(jí)阻抗比
變壓器初、次級(jí)接入適當(dāng)?shù)淖杩筊o和Ri,使變壓器初、次級(jí)阻抗匹配，則Ro和Ri的比值稱為初、次級(jí)阻抗比。在阻抗匹配的情況下，變壓器工作在最佳狀態(tài)，傳輸效率最高。

電路設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)（二）
一、 中國(guó)半導(dǎo)體器件型號(hào)命名方法
半導(dǎo)體器件型號(hào)由五部分（場(chǎng)效應(yīng)器件、半導(dǎo)體特殊器件、復(fù)合管、PIN型管、激光器件的型號(hào)命名只有第三、四、五部分）組成。五個(gè)部分意義如下：
第一部分：用數(shù)字表示半導(dǎo)體器件有效電極數(shù)目。2-二極管、3-三極管
第二部分：用漢語(yǔ)拼音字母表示半導(dǎo)體器件的材料和極性。表示二極管時(shí)：A-N型鍺材料、B-P型鍺材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。表示三極管時(shí)：A-PNP型鍺材料、B-NPN型鍺材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。
第三部分：用漢語(yǔ)拼音字母表示半導(dǎo)體器件的內(nèi)型。P-普通管、V-微波管、W-穩(wěn)壓管、C-參量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U-光電器件、K-開關(guān)管、X-低頻小功率管(F3MHz,Pc1W）、A-高頻大功率管（f>3MHz,Pc>1W）、T-半導(dǎo)體晶閘管（可控整流器）、Y-體效應(yīng)器件、B-雪崩管、J-階躍恢復(fù)管、CS-場(chǎng)效應(yīng)管、BT-半導(dǎo)體特殊器件、FH-復(fù)合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。
第四部分：用數(shù)字表示序號(hào)
第五部分：用漢語(yǔ)拼音字母表示規(guī)格號(hào)
例如：3DG18表示NPN型硅材料高頻三極管
日本半導(dǎo)體分立器件型號(hào)命名方法
二、日本生產(chǎn)的半導(dǎo)體分立器件，由五至七部分組成。通常只用到前五個(gè)部分，其各部分的符號(hào)意義如下：
第一部分：用數(shù)字表示器件有效電極數(shù)目或類型。0-光電（即光敏）二極管三極管及上述器件的組合管、1-二極管、2三極或具有兩個(gè)pn結(jié)的其他器件、3-具有四個(gè)有效電極或具有三個(gè)pn結(jié)的其他器件、┄┄依此類推。
第二部分：日本電子工業(yè)協(xié)會(huì)JEIA注冊(cè)標(biāo)志。S-表示已在日本電子工業(yè)協(xié)會(huì)JEIA注冊(cè)登記的半導(dǎo)體分立器件。
第三部分：用字母表示器件使用材料極性和類型。A-PNP型高頻管、B-PNP型低頻管、C-NPN型高頻管、D-NPN型低頻管、F-P控制極可控硅、G-N控制極可控硅、H-N基極單結(jié)晶體管、J-P溝道場(chǎng)效應(yīng)管、K-N 溝道場(chǎng)效應(yīng)管、M-雙向可控硅。
第四部分：用數(shù)字表示在日本電子工業(yè)協(xié)會(huì)JEIA登記的順序號(hào)。兩位以上的整數(shù)-從“11”開始，表示在日本電子工業(yè)協(xié)會(huì)JEIA登記的順序號(hào)；不同公司的性能相同的器件可以使用同一順序號(hào)；數(shù)字越大，越是近期產(chǎn)品。
第五部分： 用字母表示同一型號(hào)的改進(jìn)型產(chǎn)品標(biāo)志。A、B、C、D、E、F表示這一器件是原型號(hào)產(chǎn)品的改進(jìn)產(chǎn)品。
美國(guó)半導(dǎo)體分立器件型號(hào)命名方法
三、美國(guó)晶體管或其他半導(dǎo)體器件的命名法較混亂。美國(guó)電子工業(yè)協(xié)會(huì)半導(dǎo)體分立器件命名方法如下：
第一部分：用符號(hào)表示器件用途的類型。JAN-軍級(jí)、JANTX-特軍級(jí)、JANTXV-超特軍級(jí)、JANS-宇航級(jí)、（無(wú)）-非軍用品。
第二部分：用數(shù)字表示pn結(jié)數(shù)目。1-二極管、2=三極管、3-三個(gè)pn結(jié)器件、n-n個(gè)pn結(jié)器件。
第三部分：美國(guó)電子工業(yè)協(xié)會(huì)（EIA）注冊(cè)標(biāo)志。N-該器件已在美國(guó)電子工業(yè)協(xié)會(huì)（EIA）注冊(cè)登記。
第四部分：美國(guó)電子工業(yè)協(xié)會(huì)登記順序號(hào)。多位數(shù)字-該器件在美國(guó)電子工業(yè)協(xié)會(huì)登記的順序號(hào)。
第五部分：用字母表示器件分檔。A、B、C、D、┄┄-同一型號(hào)器件的不同檔別。如：JAN2N3251A表示PNP硅高頻小功率開關(guān)三極管，JAN-軍級(jí)、2-三極管、N-EIA 注冊(cè)標(biāo)志、3251-EIA登記順序號(hào)、A-2N3251A檔。
四、 國(guó)際電子聯(lián)合會(huì)半導(dǎo)體器件型號(hào)命名方法
德國(guó)、法國(guó)、意大利、荷蘭、比利時(shí)等歐洲國(guó)家以及匈牙利、羅馬尼亞、南斯拉夫、波蘭等東歐國(guó)家，大都采用國(guó)際電子聯(lián)合會(huì)半導(dǎo)體分立器件型號(hào)命名方法。這種命名方法由四個(gè)基本部分組成，各部分的符號(hào)及意義如下：
第一部分：用字母表示器件使用的材料。A-器件使用材料的禁帶寬度Eg=0.6~1.0eV 如鍺、B-器件使用材料的Eg=1.0~1.3eV 如硅、C-器件使用材料的Eg>1.3eV 如砷化鎵、D-器件使用材料的Eg<0.6eV 如銻化銦、E-器件使用復(fù)合材料及光電池使用的材料
第二部分：用字母表示器件的類型及主要特征。A-檢波開關(guān)混頻二極管、B-變?nèi)荻O管、C-低頻小功率三極管、D-低頻大功率三極管、E-隧道二極管、F-高頻小功率三極管、G-復(fù)合器件及其他器件、H-磁敏二極管、K-開放磁路中的霍爾元件、L-高頻大功率三極管、M-封閉磁路中的霍爾元件、P-光敏器件、Q-發(fā)光器件、R-小功率晶閘管、S-小功率開關(guān)管、T-大功率晶閘管、U-大功率開關(guān)管、X-倍增二極管、Y-整流二極管、Z-穩(wěn)壓二極管。
第三部分：用數(shù)字或字母加數(shù)字表示登記號(hào)。三位數(shù)字-代表通用半導(dǎo)體器件的登記序號(hào)、一個(gè)字母加二位數(shù)字-表示專用半導(dǎo)體器件的登記序號(hào)。
第四部分：用字母對(duì)同一類型號(hào)器件進(jìn)行分檔。A、B、C、D、E┄┄-表示同一型號(hào)的器件按某一參數(shù)進(jìn)行分檔的標(biāo)志。
除四個(gè)基本部分外，有時(shí)還加后綴，以區(qū)別特性或進(jìn)一步分類。常見后綴如下：
1、穩(wěn)壓二極管型號(hào)的后綴。其后綴的第一部分是一個(gè)字母，表示穩(wěn)定電壓值的容許誤差范圍，字母A、B、C、D、E分別表示容許誤差為±1%、±2%、±5%、±10%、±15%；其后綴第二部分是數(shù)字，表示標(biāo)稱穩(wěn)定電壓的整數(shù)數(shù)值；后綴的第三部分是字母V，代表小數(shù)點(diǎn)，字母V之后的數(shù)字為穩(wěn)壓管標(biāo)稱穩(wěn)定電壓的小數(shù)值。
2、整流二極管后綴是數(shù)字，表示器件的最大反向峰值耐壓值，單位是伏特。
3、晶閘管型號(hào)的后綴也是數(shù)字，通常標(biāo)出最大反向峰值耐壓值和最大反向關(guān)斷電壓中數(shù)值較小的那個(gè)電壓值。
如：BDX51-表示NPN硅低頻大功率三極管，AF239S-表示PNP鍺高頻小功率三極管。
五、歐洲早期半導(dǎo)體分立器件型號(hào)命名法
歐洲有些國(guó)家，如德國(guó)、荷蘭采用如下命名方法。
第一部分：O-表示半導(dǎo)體器件
第二部分：A-二極管、C-三極管、AP-光電二極管、CP-光電三極管、AZ-穩(wěn)壓管、RP-光電器件。
第三部分：多位數(shù)字-表示器件的登記序號(hào)。
第四部分：A、B、C┄┄-表示同一型號(hào)器件的變型產(chǎn)品。
俄羅斯半導(dǎo)體器件型號(hào)命名法由于使用少，在此不介紹。
一、半導(dǎo)體二極管參數(shù)符號(hào)及其意義
CT---勢(shì)壘電容
Cj---結(jié)（極間）電容， 表示在二極管兩端加規(guī)定偏壓下，鍺檢波二極管的總電容
Cjv---偏壓結(jié)電容
Co---零偏壓電容
Cjo---零偏壓結(jié)電容
Cjo/Cjn---結(jié)電容變化
Cs---管殼電容或封裝電容
Ct---總電容
CTV---電壓溫度系數(shù)。在測(cè)試電流下，穩(wěn)定電壓的相對(duì)變化與環(huán)境溫度的絕對(duì)變化之比
CTC---電容溫度系數(shù)
Cvn---標(biāo)稱電容
IF---正向直流電流（正向測(cè)試電流）。鍺檢波二極管在規(guī)定的正向電壓VF下，通過(guò)極間的電流；硅整流管、硅堆在規(guī)定的使用條件下，在正弦半波中允許連續(xù)通過(guò)的最大工作電流（平均值），硅開關(guān)二極管在額定功率下允許通過(guò)的最大正向直流電流；測(cè)穩(wěn)壓二極管正向電參數(shù)時(shí)給定的電流
IF（AV）---正向平均電流
IFM（IM）---正向峰值電流（正向最大電流）。在額定功率下，允許通過(guò)二極管的最大正向脈沖電流。發(fā)光二極管極限電流。
IH---恒定電流、維持電流。
Ii--- 發(fā)光二極管起輝電流
IFRM---正向重復(fù)峰值電流
IFSM---正向不重復(fù)峰值電流（浪涌電流）
Io---整流電流。在特定線路中規(guī)定頻率和規(guī)定電壓條件下所通過(guò)的工作電流
IF(ov)---正向過(guò)載電流
IL---光電流或穩(wěn)流二極管極限電流
ID---暗電流
IB2---單結(jié)晶體管中的基極調(diào)制電流
IEM---發(fā)射極峰值電流
IEB10---雙基極單結(jié)晶體管中發(fā)射極與第一基極間反向電流
IEB20---雙基極單結(jié)晶體管中發(fā)射極向電流
ICM---最大輸出平均電流
IFMP---正向脈沖電流
IP---峰點(diǎn)電流
IV---谷點(diǎn)電流
IGT---晶閘管控制極觸發(fā)電流
IGD---晶閘管控制極不觸發(fā)電流
IGFM---控制極正向峰值電流
IR（AV）---反向平均電流
IR（In）---反向直流電流（反向漏電流）。在測(cè)反向特性時(shí)，給定的反向電流；硅堆在正弦半波電阻性負(fù)載電路中，加反向電壓規(guī)定值時(shí)，所通過(guò)的電流；硅開關(guān)二極管兩端加反向工作電壓VR時(shí)所通過(guò)的電流；穩(wěn)壓二極管在反向電壓下，產(chǎn)生的漏電流；整流管在正弦半波最高反向工作電壓下的漏電流。
IRM---反向峰值電流
IRR---晶閘管反向重復(fù)平均電流
IDR---晶閘管斷態(tài)平均重復(fù)電流
IRRM---反向重復(fù)峰值電流
IRSM---反向不重復(fù)峰值電流（反向浪涌電流）
Irp---反向恢復(fù)電流
Iz---穩(wěn)定電壓電流（反向測(cè)試電流）。測(cè)試反向電參數(shù)時(shí)，給定的反向電流
Izk---穩(wěn)壓管膝點(diǎn)電流
IOM---最大正向（整流）電流。在規(guī)定條件下，能承受的正向最大瞬時(shí)電流；在電阻性負(fù)荷的正弦半波整流電路中允許連續(xù)通過(guò)鍺檢波二極管的最大工作電流
IZSM---穩(wěn)壓二極管浪涌電流
IZM---最大穩(wěn)壓電流。在最大耗散功率下穩(wěn)壓二極管允許通過(guò)的電流
iF---正向總瞬時(shí)電流
iR---反向總瞬時(shí)電流
ir---反向恢復(fù)電流
Iop---工作電流
Is---穩(wěn)流二極管穩(wěn)定電流
f---頻率
n---電容變化指數(shù)；電容比
Q---優(yōu)值（品質(zhì)因素）
δvz---穩(wěn)壓管電壓漂移
di/dt---通態(tài)電流臨界上升率
dv/dt---通態(tài)電壓臨界上升率
PB---承受脈沖燒毀功率
PFT（AV）---正向?qū)ㄆ骄纳⒐β?
PFTM---正向峰值耗散功率
PFT---正向?qū)偹矔r(shí)耗散功率
Pd---耗散功率
PG---門極平均功率
PGM---門極峰值功率
PC---控制極平均功率或集電極耗散功率
Pi---輸入功率
PK---最大開關(guān)功率
PM---額定功率。硅二極管結(jié)溫不高于150度所能承受的最大功率
PMP---最大漏過(guò)脈沖功率
PMS---最大承受脈沖功率
Po---輸出功率
PR---反向浪涌功率
Ptot---總耗散功率
Pomax---最大輸出功率
Psc---連續(xù)輸出功率
PSM---不重復(fù)浪涌功率
PZM---最大耗散功率。在給定使用條件下，穩(wěn)壓二極管允許承受的最大功率
RF（r）---正向微分電阻。在正向?qū)〞r(shí)，電流隨電壓指數(shù)的增加，呈現(xiàn)明顯的非線性特性。在某一正向電壓下，電壓增加微小量△V，正向電流相應(yīng)增加△I，則△V/△I稱微分電阻
RBB---雙基極晶體管的基極間電阻
RE---射頻電阻
RL---負(fù)載電阻
Rs(rs)----串聯(lián)電阻
Rth----熱阻
R(th)ja----結(jié)到環(huán)境的熱阻
Rz(ru)---動(dòng)態(tài)電阻
R(th)jc---結(jié)到殼的熱阻
r δ---衰減電阻
r(th)---瞬態(tài)電阻
Ta---環(huán)境溫度
Tc---殼溫
td---延遲時(shí)間
tf---下降時(shí)間
tfr---正向恢復(fù)時(shí)間
tg---電路換向關(guān)斷時(shí)間
tgt---門極控制極開通時(shí)間
Tj---結(jié)溫
Tjm---最高結(jié)溫
ton---開通時(shí)間
toff---關(guān)斷時(shí)間
tr---上升時(shí)間
trr---反向恢復(fù)時(shí)間
ts---存儲(chǔ)時(shí)間
tstg---溫度補(bǔ)償二極管的貯成溫度
a---溫度系數(shù)
λp---發(fā)光峰值波長(zhǎng)
△ λ---光譜半寬度
η---單結(jié)晶體管分壓比或效率
VB---反向峰值擊穿電壓
Vc---整流輸入電壓
VB2B1---基極間電壓
VBE10---發(fā)射極與第一基極反向電壓
VEB---飽和壓降
VFM---最大正向壓降（正向峰值電壓）
VF---正向壓降（正向直流電壓）
△VF---正向壓降差
VDRM---斷態(tài)重復(fù)峰值電壓
VGT---門極觸發(fā)電壓
VGD---門極不觸發(fā)電壓
VGFM---門極正向峰值電壓
VGRM---門極反向峰值電壓
VF（AV）---正向平均電壓
Vo---交流輸入電壓
VOM---最大輸出平均電壓
Vop---工作電壓
Vn---中心電壓
Vp---峰點(diǎn)電壓
VR---反向工作電壓（反向直流電壓）
VRM---反向峰值電壓（最高測(cè)試電壓）
V（BR）---擊穿電壓
Vth---閥電壓（門限電壓）
VRRM---反向重復(fù)峰值電壓（反向浪涌電壓）
VRWM---反向工作峰值電壓
V v---谷點(diǎn)電壓
Vz---穩(wěn)定電壓
△Vz---穩(wěn)壓范圍電壓增量
Vs---通向電壓（信號(hào)電壓）或穩(wěn)流管穩(wěn)定電流電壓
av---電壓溫度系數(shù)
Vk---膝點(diǎn)電壓（穩(wěn)流二極管）
VL ---極限電壓
二、雙極型晶體管參數(shù)符號(hào)及其意義
Cc---集電極電容
Ccb---集電極與基極間電容
Cce---發(fā)射極接地輸出電容
Ci---輸入電容
Cib---共基極輸入電容
Cie---共發(fā)射極輸入電容
Cies---共發(fā)射極短路輸入電容
Cieo---共發(fā)射極開路輸入電容
Cn---中和電容（外電路參數(shù)）
Co---輸出電容
Cob---共基極輸出電容。在基極電路中，集電極與基極間輸出電容
Coe---共發(fā)射極輸出電容
Coeo---共發(fā)射極開路輸出電容
Cre---共發(fā)射極反饋電容
Cic---集電結(jié)勢(shì)壘電容
CL---負(fù)載電容（外電路參數(shù)）
Cp---并聯(lián)電容（外電路參數(shù)）
BVcbo---發(fā)射極開路，集電極與基極間擊穿電壓
BVceo---基極開路，CE結(jié)擊穿電壓
BVebo--- 集電極開路EB結(jié)擊穿電壓
BVces---基極與發(fā)射極短路CE結(jié)擊穿電壓
BV cer---基極與發(fā)射極串接一電阻，CE結(jié)擊穿電壓
D---占空比
fT---特征頻率
fmax---最高振蕩頻率。當(dāng)三極管功率增益等于1時(shí)的工作頻率
hFE---共發(fā)射極靜態(tài)電流放大系數(shù)
hIE---共發(fā)射極靜態(tài)輸入阻抗
hOE---共發(fā)射極靜態(tài)輸出電導(dǎo)
h RE---共發(fā)射極靜態(tài)電壓反饋系數(shù)
hie---共發(fā)射極小信號(hào)短路輸入阻抗
hre---共發(fā)射極小信號(hào)開路電壓反饋系數(shù)
hfe---共發(fā)射極小信號(hào)短路電壓放大系數(shù)
hoe---共發(fā)射極小信號(hào)開路輸出導(dǎo)納
IB---基極直流電流或交流電流的平均值
Ic---集電極直流電流或交流電流的平均值
IE---發(fā)射極直流電流或交流電流的平均值
Icbo---基極接地，發(fā)射極對(duì)地開路，在規(guī)定的VCB反向電壓條件下的集電極與基極之間的反向截止電流
Iceo---發(fā)射極接地，基極對(duì)地開路，在規(guī)定的反向電壓VCE條件下，集電極與發(fā)射極之間的反向截止電流
Iebo---基極接地，集電極對(duì)地開路，在規(guī)定的反向電壓VEB條件下，發(fā)射極與基極之間的反向截止電流
Icer---基極與發(fā)射極間串聯(lián)電阻R，集電極與發(fā)射極間的電壓VCE為規(guī)定值時(shí)，集電極與發(fā)射極之間的反向截止電流
Ices---發(fā)射極接地，基極對(duì)地短路，在規(guī)定的反向電壓VCE條件下，集電極與發(fā)射極之間的反向截止電流
Icex---發(fā)射極接地，基極與發(fā)射極間加指定偏壓，在規(guī)定的反向偏壓VCE下，集電極與發(fā)射極之間的反向截止電流
ICM---集電極最大允許電流或交流電流的最大平均值。
IBM---在集電極允許耗散功率的范圍內(nèi)，能連續(xù)地通過(guò)基極的直流電流的最大值，或交流電流的最大平均值
ICMP---集電極最大允許脈沖電流
ISB---二次擊穿電流
IAGC---正向自動(dòng)控制電流
Pc---集電極耗散功率
PCM---集電極最大允許耗散功率
Pi---輸入功率
Po---輸出功率
Posc---振蕩功率
Pn---噪聲功率
Ptot---總耗散功率
ESB---二次擊穿能量
rbb''---基區(qū)擴(kuò)展電阻（基區(qū)本征電阻）
rbb''Cc---基極-集電極時(shí)間常數(shù)，即基極擴(kuò)展電阻與集電結(jié)電容量的乘積
rie---發(fā)射極接地，交流輸出短路時(shí)的輸入電阻
roe---發(fā)射極接地，在規(guī)定VCE、Ic或IE、頻率條件下測(cè)定的交流輸入短路時(shí)的輸出電阻
RE---外接發(fā)射極電阻（外電路參數(shù)）
RB---外接基極電阻（外電路參數(shù)）
Rc ---外接集電極電阻（外電路參數(shù)）
RBE---外接基極-發(fā)射極間電阻（外電路參數(shù)）
RL---負(fù)載電阻（外電路參數(shù)）
RG---信號(hào)源內(nèi)阻
Rth---熱阻
Ta---環(huán)境溫度
Tc---管殼溫度
Ts---結(jié)溫
Tjm---最大允許結(jié)溫
Tstg---貯存溫度
td----延遲時(shí)間
tr---上升時(shí)間
ts---存貯時(shí)間
tf---下降時(shí)間
ton---開通時(shí)間
toff---關(guān)斷時(shí)間
VCB---集電極-基極（直流）電壓
VCE---集電極-發(fā)射極（直流）電壓
VBE---基極發(fā)射極（直流）電壓
VCBO---基極接地，發(fā)射極對(duì)地開路，集電極與基極之間在指定條件下的最高耐壓
VEBO---基極接地，集電極對(duì)地開路，發(fā)射極與基極之間在指定條件下的最高耐壓
VCEO---發(fā)射極接地，基極對(duì)地開路，集電極與發(fā)射極之間在指定條件下的最高耐壓
VCER---發(fā)射極接地，基極與發(fā)射極間串接電阻R，集電極與發(fā)射極間在指定條件下的最高耐壓
VCES---發(fā)射極接地，基極對(duì)地短路，集電極與發(fā)射極之間在指定條件下的最高耐壓
VCEX---發(fā)射極接地，基極與發(fā)射極之間加規(guī)定的偏壓，集電極與發(fā)射極之間在規(guī)定條件下的最高耐壓
Vp---穿通電壓。
VSB---二次擊穿電壓
VBB---基極（直流）電源電壓（外電路參數(shù)）
Vcc---集電極（直流）電源電壓（外電路參數(shù)）
VEE---發(fā)射極（直流）電源電壓（外電路參數(shù)）
VCE(sat)---發(fā)射極接地，規(guī)定Ic、IB條件下的集電極-發(fā)射極間飽和壓降
VBE(sat)---發(fā)射極接地，規(guī)定Ic、IB條件下，基極-發(fā)射極飽和壓降（前向壓降）
VAGC---正向自動(dòng)增益控制電壓
Vn(p-p)---輸入端等效噪聲電壓峰值
V n---噪聲電壓
Cj---結(jié)（極間）電容， 表示在二極管兩端加規(guī)定偏壓下，鍺檢波二極管的總電容
Cjv---偏壓結(jié)電容
Co---零偏壓電容
Cjo---零偏壓結(jié)電容
Cjo/Cjn---結(jié)電容變化
Cs---管殼電容或封裝電容
Ct---總電容
CTV---電壓溫度系數(shù)。在測(cè)試電流下，穩(wěn)定電壓的相對(duì)變化與環(huán)境溫度的絕對(duì)變化之比
CTC---電容溫度系數(shù)
Cvn---標(biāo)稱電容
IF---正向直流電流（正向測(cè)試電流）。鍺檢波二極管在規(guī)定的正向電壓VF下，通過(guò)極間的電流；硅整流管、硅堆在規(guī)定的使用條件下，在正弦半波中允許連續(xù)通過(guò)的最大工作電流（平均值），硅開關(guān)二極管在額定功率下允許通過(guò)的最大正向直流電流；測(cè)穩(wěn)壓二極管正向電參數(shù)時(shí)給定的電流
IF（AV）---正向平均電流
IFM（IM）---正向峰值電流（正向最大電流）。在額定功率下，允許通過(guò)二極管的最大正向脈沖電流。發(fā)光二極管極限電流。
IH---恒定電流、維持電流。
Ii--- 發(fā)光二極管起輝電流
IFRM---正向重復(fù)峰值電流
IFSM---正向不重復(fù)峰值電流（浪涌電流）
Io---整流電流。在特定線路中規(guī)定頻率和規(guī)定電壓條件下所通過(guò)的工作電流
IF(ov)---正向過(guò)載電流
IL---光電流或穩(wěn)流二極管極限電流
ID---暗電流
IB2---單結(jié)晶體管中的基極調(diào)制電流
IEM---發(fā)射極峰值電流
IEB10---雙基極單結(jié)晶體管中發(fā)射極與第一基極間反向電流
IEB20---雙基極單結(jié)晶體管中發(fā)射極向電流
ICM---最大輸出平均電流
IFMP---正向脈沖電流
IP---峰點(diǎn)電流
IV---谷點(diǎn)電流
IGT---晶閘管控制極觸發(fā)電流
IGD---晶閘管控制極不觸發(fā)電流
IGFM---控制極正向峰值電流
IR（AV）---反向平均電流
IR（In）---反向直流電流（反向漏電流）。在測(cè)反向特性時(shí)，給定的反向電流；硅堆在正弦半波電阻性負(fù)載電路中，加反向電壓規(guī)定值時(shí)，所通過(guò)的電流；硅開關(guān)二極管兩端加反向工作電壓VR時(shí)所通過(guò)的電流；穩(wěn)壓二極管在反向電壓下，產(chǎn)生的漏電流；整流管在正弦半波最高反向工作電壓下的漏電流。
IRM---反向峰值電流
IRR---晶閘管反向重復(fù)平均電流
IDR---晶閘管斷態(tài)平均重復(fù)電流
IRRM---反向重復(fù)峰值電流
IRSM---反向不重復(fù)峰值電流（反向浪涌電流）
Irp---反向恢復(fù)電流
Iz---穩(wěn)定電壓電流（反向測(cè)試電流）。測(cè)試反向電參數(shù)時(shí)，給定的反向電流
Izk---穩(wěn)壓管膝點(diǎn)電流
IOM---最大正向（整流）電流。在規(guī)定條件下，能承受的正向最大瞬時(shí)電流；在電阻性負(fù)荷的正弦半波整流電路中允許連續(xù)通過(guò)鍺檢波二極管的最大工作電流
IZSM---穩(wěn)壓二極管浪涌電流
IZM---最大穩(wěn)壓電流。在最大耗散功率下穩(wěn)壓二極管允許通過(guò)的電流
iF---正向總瞬時(shí)電流
iR---反向總瞬時(shí)電流
ir---反向恢復(fù)電流
Iop---工作電流
Is---穩(wěn)流二極管穩(wěn)定電流
f---頻率
n---電容變化指數(shù)；電容比
Q---優(yōu)值（品質(zhì)因素）
δvz---穩(wěn)壓管電壓漂移
di/dt---通態(tài)電流臨界上升率
dv/dt---通態(tài)電壓臨界上升率
PB---承受脈沖燒毀功率
PFT（AV）---正向?qū)ㄆ骄纳⒐β?
PFTM---正向峰值耗散功率
PFT---正向?qū)偹矔r(shí)耗散功率
Pd---耗散功率
PG---門極平均功率
PGM---門極峰值功率
PC---控制極平均功率或集電極耗散功率
Pi---輸入功率
PK---最大開關(guān)功率
PM---額定功率。硅二極管結(jié)溫不高于150度所能承受的最大功率
PMP---最大漏過(guò)脈沖功率
PMS---最大承受脈沖功率
Po---輸出功率
PR---反向浪涌功率
Ptot---總耗散功率
Pomax---最大輸出功率
Psc---連續(xù)輸出功率
PSM---不重復(fù)浪涌功率
PZM---最大耗散功率。在給定使用條件下，穩(wěn)壓二極管允許承受的最大功率
RF（r）---正向微分電阻。在正向?qū)〞r(shí)，電流隨電壓指數(shù)的增加，呈現(xiàn)明顯的非線性特性。在某一正向電壓下，電壓增加微小量△V，正向電流相應(yīng)增加△I，則△V/△I稱微分電阻
RBB---雙基極晶體管的基極間電阻
RE---射頻電阻
RL---負(fù)載電阻
Rs(rs)----串聯(lián)電阻
Rth----熱阻
R(th)ja----結(jié)到環(huán)境的熱阻
Rz(ru)---動(dòng)態(tài)電阻
R(th)jc---結(jié)到殼的熱阻
r δ---衰減電阻
r(th)---瞬態(tài)電阻
Ta---環(huán)境溫度
Tc---殼溫
td---延遲時(shí)間
tf---下降時(shí)間
tfr---正向恢復(fù)時(shí)間
tg---電路換向關(guān)斷時(shí)間
tgt---門極控制極開通時(shí)間
Tj---結(jié)溫
Tjm---最高結(jié)溫
ton---開通時(shí)間
toff---關(guān)斷時(shí)間
tr---上升時(shí)間
trr---反向恢復(fù)時(shí)間
ts---存儲(chǔ)時(shí)間
tstg---溫度補(bǔ)償二極管的貯成溫度
a---溫度系數(shù)
λp---發(fā)光峰值波長(zhǎng)
△ λ---光譜半寬度
η---單結(jié)晶體管分壓比或效率
VB---反向峰值擊穿電壓
Vc---整流輸入電壓
VB2B1---基極間電壓
VBE10---發(fā)射極與第一基極反向電壓
VEB---飽和壓降
VFM---最大正向壓降（正向峰值電壓）
VF---正向壓降（正向直流電壓）
△VF---正向壓降差
VDRM---斷態(tài)重復(fù)峰值電壓
VGT---門極觸發(fā)電壓
VGD---門極不觸發(fā)電壓
VGFM---門極正向峰值電壓
VGRM---門極反向峰值電壓
VF（AV）---正向平均電壓
Vo---交流輸入電壓
VOM---最大輸出平均電壓
Vop---工作電壓
Vn---中心電壓
Vp---峰點(diǎn)電壓
VR---反向工作電壓（反向直流電壓）
VRM---反向峰值電壓（最高測(cè)試電壓）
V（BR）---擊穿電壓
Vth---閥電壓（門限電壓）
VRRM---反向重復(fù)峰值電壓（反向浪涌電壓）
VRWM---反向工作峰值電壓
V v---谷點(diǎn)電壓
Vz---穩(wěn)定電壓
△Vz---穩(wěn)壓范圍電壓增量
Vs---通向電壓（信號(hào)電壓）或穩(wěn)流管穩(wěn)定電流電壓
av---電壓溫度系數(shù)
Vk---膝點(diǎn)電壓（穩(wěn)流二極管）
VL ---極限電壓
三、場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)符號(hào)意義
Cds---漏-源電容
Cdu---漏-襯底電容
Cgd---柵-源電容
Cgs---漏-源電容
Ciss---柵短路共源輸入電容
Coss---柵短路共源輸出電容
Crss---柵短路共源反向傳輸電容
D---占空比（占空系數(shù)，外電路參數(shù)）
di/dt---電流上升率（外電路參數(shù)）
dv/dt---電壓上升率（外電路參數(shù)）
ID---漏極電流（直流）
IDM---漏極脈沖電流
ID(on)---通態(tài)漏極電流
IDQ---靜態(tài)漏極電流（射頻功率管）
IDS---漏源電流
IDSM---最大漏源電流
IDSS---柵-源短路時(shí)，漏極電流
IDS(sat)---溝道飽和電流（漏源飽和電流）
IG---柵極電流（直流）
IGF---正向柵電流
IGR---反向柵電流
IGDO---源極開路時(shí)，截止柵電流
IGSO---漏極開路時(shí)，截止柵電流
IGM---柵極脈沖電流
IGP---柵極峰值電流
IF---二極管正向電流
IGSS---漏極短路時(shí)截止柵電流
IDSS1---對(duì)管第一管漏源飽和電流
IDSS2---對(duì)管第二管漏源飽和電流
Iu---襯底電流
Ipr---電流脈沖峰值（外電路參數(shù)）
gfs---正向跨導(dǎo)
Gp---功率增益
Gps---共源極中和高頻功率增益
GpG---共柵極中和高頻功率增益
GPD---共漏極中和高頻功率增益
ggd---柵漏電導(dǎo)
gds---漏源電導(dǎo)
K---失調(diào)電壓溫度系數(shù)
Ku---傳輸系數(shù)
L---負(fù)載電感（外電路參數(shù)）
LD---漏極電感
Ls---源極電感
rDS---漏源電阻
rDS(on)---漏源通態(tài)電阻
rDS(of)---漏源斷態(tài)電阻
rGD---柵漏電阻
rGS---柵源電阻
Rg---柵極外接電阻（外電路參數(shù)）
RL---負(fù)載電阻（外電路參數(shù)）
R(th)jc---結(jié)殼熱阻
R(th)ja---結(jié)環(huán)熱阻
PD---漏極耗散功率
PDM---漏極最大允許耗散功率
PIN--輸入功率
POUT---輸出功率
PPK---脈沖功率峰值（外電路參數(shù)）
to(on)---開通延遲時(shí)間
td(off)---關(guān)斷延遲時(shí)間
ti---上升時(shí)間
ton---開通時(shí)間
toff---關(guān)斷時(shí)間
tf---下降時(shí)間
trr---反向恢復(fù)時(shí)間
Tj---結(jié)溫
Tjm---最大允許結(jié)溫
Ta---環(huán)境溫度
Tc---管殼溫度
Tstg---貯成溫度
VDS---漏源電壓（直流）
VGS---柵源電壓（直流）
VGSF--正向柵源電壓（直流）
VGSR---反向柵源電壓（直流）
VDD---漏極（直流）電源電壓（外電路參數(shù)）
VGG---柵極（直流）電源電壓（外電路參數(shù)）
Vss---源極（直流）電源電壓（外電路參數(shù)）
VGS(th)---開啟電壓或閥電壓
V（BR）DSS---漏源擊穿電壓
V（BR）GSS---漏源短路時(shí)柵源擊穿電壓
VDS(on)---漏源通態(tài)電壓
VDS(sat)---漏源飽和電壓
VGD---柵漏電壓（直流）
Vsu---源襯底電壓（直流）
VDu---漏襯底電壓（直流）
VGu---柵襯底電壓（直流）
Zo---驅(qū)動(dòng)源內(nèi)阻
η---漏極效率（射頻功率管）
Vn---噪聲電壓
aID---漏極電流溫度系數(shù)
ards---漏源電阻溫度系數(shù)
電路設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)（5）——繼電器

一、繼電器的工作原理和特性 　　
繼電器是一種電子控制器件，它具有控制系統(tǒng)（又稱輸入回路）和被控制系統(tǒng)（又稱輸出回路），通常應(yīng)用于自動(dòng)控制電路中，它實(shí)際上是用較小的電流去控制較大電流的一種“自動(dòng)開關(guān)”。故在電路中起著自動(dòng)調(diào)節(jié)、安全保護(hù)、轉(zhuǎn)換電路等作用。
1、電磁繼電器的工作原理和特性
電磁式繼電器一般由鐵芯、線圈、銜鐵、觸點(diǎn)簧片等組成的。只要在線圈兩端加上一定的電壓，線圈中就會(huì)流過(guò)一定的電流，從而產(chǎn)生電磁效應(yīng)，銜鐵就會(huì)在電磁力吸引的作用下克服返回彈簧的拉力吸向鐵芯，從而帶動(dòng)銜鐵的動(dòng)觸點(diǎn)與靜觸點(diǎn)（常開觸點(diǎn)）吸合。當(dāng)線圈斷電后，電磁的吸力也隨之消失，銜鐵就會(huì)在彈簧的反作用力返回原來(lái)的位置，使動(dòng)觸點(diǎn)與原來(lái)的靜觸點(diǎn)（常閉觸點(diǎn)）吸合。這樣吸合、釋放，從而達(dá)到了在電路中的導(dǎo)通、切斷的目的。對(duì)于繼電器的“常開、常閉”觸點(diǎn)，可以這樣來(lái)區(qū)分：繼電器線圈未通電時(shí)處于斷開狀態(tài)的靜觸點(diǎn)，稱為“常開觸點(diǎn)”；處于接通狀態(tài)的靜觸點(diǎn)稱為“常閉觸點(diǎn)”。
2、熱敏干簧繼電器的工作原理和特性
熱敏干簧繼電器是一種利用熱敏磁性材料檢測(cè)和控制溫度的新型熱敏開關(guān)。它由感溫磁環(huán)、恒磁環(huán)、干簧管、導(dǎo)熱安裝片、塑料襯底及其他一些附件組成。熱敏干簧繼電器不用線圈勵(lì)磁，而由恒磁環(huán)產(chǎn)生的磁力驅(qū)動(dòng)開關(guān)動(dòng)作。恒磁環(huán)能否向干簧管提供磁力是由感溫磁環(huán)的溫控特性決定的。
3、固態(tài)繼電器（SSR）的工作原理和特性
固態(tài)繼電器是一種兩個(gè)接線端為輸入端，另兩個(gè)接線端為輸出端的四端器件，中間采用隔離器件實(shí)現(xiàn)輸入輸出的電隔離。
固態(tài)繼電器按負(fù)載電源類型可分為交流型和直流型。按開關(guān)型式可分為常開型和常閉型。按隔離型式可分為混合型、變壓器隔離型和光電隔離型，以光電隔離型為最多。.
二、繼電器主要產(chǎn)品技術(shù)參數(shù)
1、額定工作電壓
　　是指繼電器正常工作時(shí)線圈所需要的電壓。根據(jù)繼電器的型號(hào)不同，可以是交流電壓，也可以是直流電壓。
2、直流電阻
　　是指繼電器中線圈的直流電阻，可以通過(guò)萬(wàn)能表測(cè)量。
3、吸合電流
　　是指繼電器能夠產(chǎn)生吸合動(dòng)作的最小電流。在正常使用時(shí)，給定的電流必須略大于吸合電流，這樣繼電器才能穩(wěn)定地工作。而對(duì)于線圈所加的工作電壓，一般不要超過(guò)額定工作電壓的1.5倍，否則會(huì)產(chǎn)生較大的電流而把線圈燒毀。
4、釋放電流
　是指繼電器產(chǎn)生釋放動(dòng)作的最大電流。當(dāng)繼電器吸合狀態(tài)的電流減小到一定程度時(shí)，繼電器就會(huì)恢復(fù)到未通電的釋放狀態(tài)。這時(shí)的電流遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于吸合電流。
5、觸點(diǎn)切換電壓和電流
　是指繼電器允許加載的電壓和電流。它決定了繼電器能控制電壓和電流的大小，使用時(shí)不能超過(guò)此值，否則很容易損壞繼電器的觸點(diǎn)。
三、繼電器測(cè)試
1、測(cè)觸點(diǎn)電阻
　　用萬(wàn)能表的電阻檔，測(cè)量常閉觸點(diǎn)與動(dòng)點(diǎn)電阻，其阻值應(yīng)為0；而常開觸點(diǎn)與動(dòng)點(diǎn)的阻值就為無(wú)窮大。由此可以區(qū)別出那個(gè)是常閉觸點(diǎn)，那個(gè)是常開觸點(diǎn)。
2、測(cè)線圈電阻
　　可用萬(wàn)能表R×10Ω檔測(cè)量繼電器線圈的阻值，從而判斷該線圈是否存在著開路現(xiàn)象。
3、測(cè)量吸合電壓和吸合電流
　　找來(lái)可調(diào)穩(wěn)壓電源和電流表，給繼電器輸入一組電壓，且在供電回路中串入電流表進(jìn)行監(jiān)測(cè)。慢慢調(diào)高電源電壓，聽到繼電器吸合聲時(shí)，記下該吸合電壓和吸合電流。為求準(zhǔn)確，可以試多幾次而求平均值。
4、測(cè)量釋放電壓和釋放電流
　　也是像上述那樣連接測(cè)試，當(dāng)繼電器發(fā)生吸合后，再逐漸降低供電電壓，當(dāng)聽到繼電器再次發(fā)生釋放聲音時(shí)，記下此時(shí)的電壓和電流，亦可嘗試多幾次而取得平均的釋放電壓和釋放電流。一般情況下，繼電器的釋放電壓約在吸合電壓的10~50％，如果釋放電壓太小（小于1/10的吸合電壓），則不能正常使用了，這樣會(huì)對(duì)電路的穩(wěn)定性造成威脅，工作不可*。
四、繼電器的電符號(hào)和觸點(diǎn)形式
繼電器線圈在電路中用一個(gè)長(zhǎng)方框符號(hào)表示，如果繼電器有兩個(gè)線圈，就畫兩個(gè)并列的長(zhǎng)方框。同時(shí)在長(zhǎng)方框內(nèi)或長(zhǎng)方框旁標(biāo)上繼電器的文字符號(hào)“J”。繼電器的觸點(diǎn)有兩種表示方法：一種是把它們直接畫在長(zhǎng)方框一側(cè)，這種表示法較為直觀。另一種是按照電路連接的需要，把各個(gè)觸點(diǎn)分別畫到各自的控制電路中，通常在同一繼電器的觸點(diǎn)與線圈旁分別標(biāo)注上相同的文字符號(hào)，并將觸點(diǎn)組編上號(hào)碼，以示區(qū)別。繼電器的觸點(diǎn)有三種基本形式：
1.動(dòng)合型（H型）線圈不通電時(shí)兩觸點(diǎn)是斷開的，通電后，兩個(gè)觸點(diǎn)就閉合。以合字的拼音字頭“H”表示。
2.動(dòng)斷型（D型）線圈不通電時(shí)兩觸點(diǎn)是閉合的，通電后兩個(gè)觸點(diǎn)就斷開。用斷字的拼音字頭“D”表示。
3.轉(zhuǎn)換型（Z型）這是觸點(diǎn)組型。這種觸點(diǎn)組共有三個(gè)觸點(diǎn)，即中間是動(dòng)觸點(diǎn)，上下各一個(gè)靜觸點(diǎn)。線圈不通電時(shí)，動(dòng)觸點(diǎn)和其中一個(gè)靜觸點(diǎn)斷開和另一個(gè)閉合，線圈通電后，動(dòng)觸點(diǎn)就移動(dòng)，使原來(lái)斷開的成閉合，原來(lái)閉合的成斷開狀態(tài)，達(dá)到轉(zhuǎn)換的目的。這樣的觸點(diǎn)組稱為轉(zhuǎn)換觸點(diǎn)。用“轉(zhuǎn)”字的拼音字頭“z”表示。
五、繼電器的選用
1.先了解必要的條件：①控制電路的電源電壓，能提供的最大電流；②被控制電路中的電壓和電流；③被控電路需要幾組、什么形式的觸點(diǎn)。選用繼電器時(shí)，一般控制電路的電源電壓可作為選用的依據(jù)。控制電路應(yīng)能給繼電器提供足夠的工作電流，否則繼電器吸合是不穩(wěn)定的。
2.查閱有關(guān)資料確定使用條件后，可查找相關(guān)資料，找出需要的繼電器的型號(hào)和規(guī)格號(hào)。若手頭已有繼電器，可依據(jù)資料核對(duì)是否可以利用。最后考慮尺寸是否合適。
3.注意器具的容積。若是用于一般用電器，除考慮機(jī)箱容積外，小型繼電器主要考慮電路板安裝布局。對(duì)于小型電器，如玩具、遙控裝置則應(yīng)選用超小型繼電器產(chǎn)品。